Quy trình chế tạo mos và bipolar trasistor

Quy trình chế tạo mos và bipolar trasistor, tài liệu cực hiếm chỉ có 1, 3 trang web có tài liệu này, toàn là tính phí hít, tài liệu sẽ giảm giá, bớt, các bạn đóm đọc nhé, Quy trình chế tạo mos và bipolar trasistor Quy trình chế tạo mos và bipolar trasistor, Quy trình chế tạo mos và bipolar trasistor

KỸ THUẬT CHẾ TẠO VI MẠCH PROCESS INTEGRATION: MOS & BIPOLAR  Giảng Viên: Cô Hồ Thị Ngọc Diễm  Nhóm Sinh Viên Thực Hiện: o Phạm Tuấn Duy (09520037) o Bùi Thanh Hùng (09520119) o Phạm Xuân Sơn (09520252) o Đào Xuân Dạng (09520401) o Lê Công Bằng (09520740) Thành Phố Hồ Chí Minh – Năm 2013 TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ THÔNG TIN KHOA KỸ THUẬT MÁY TÍNH [...].. .Quy trình chế tạo Transistor CMOS Tia UV Doping nguyên tố nhóm III Photoresit Oxit N+ N+ P+ P+ Giếng loại N Chất nền loại P Giai đoạn tạo cực Source, Drain cho PMOS Quy trình chế tạo Transistor CMOS Tia UV Photoresit Oxit N+ N+ P+ P+ Giếng loại N Chất nền loại P Giai đoạn tạo Contact cho NMOS và PMOS Quy trình chế tạo Transistor CMOS Tia UV Photoresit Metal Oxit N+... nền loại P Giai đoạn tạo các đường Metal cho NMOS và PMOS BJT Processing + 1 Implantation of the buried n layer 2 Growth of the epitaxial layer + 3 p isolation diffusion + 4 Emitter n diffusion 5 Base p-type diffusion 6 lặp lại quá trình bước 4 7 Contact etching 8 Metal deposition and etching + 1 Implantation of the buried n layer p-substrate 2 Growth of the epitaxial layer - Tạo ra khu vực collector... BJT npn bằng cách khuếch tán p++ + 4 Emitter n diffusion - Bước này nó sẽ tạo nên Emitter của BJT npn 5 Base p-type diffusion - Cung cấp cho chúng ta cái nền loại p trong BJT npn 6 Lặp lại quá trình ở bước 4 7 Contact etching 8.Metal deposition and etching - Trong bước này các lớp kim loại sẽ được đưa lên trên bề mặt wafer và sẽ được loại bỏ ở những nơi không cần thiết . N Polysilicon Photoresit Quy trình chế tạo Transistor CMOS Giai đoạn tạo cực Gate cho NMOS và PMOS Tia UV Oxit Chất nền loại P Giếng loại N Photoresit Doping nguyên tố nhóm V N+ N+ Quy trình chế tạo Transistor CMOS Giai. Transistor CMOS Giai đoạn tạo N-Well Oxit Mặt nạ Tia UV Photoresit Chất nền loại P Giếng loại N Vùng NMOS Vùng PMOS Quy trình chế tạo Transistor CMOS Giai đoạn tạo vùng cho NMOS và PMOS Oxit Tia. đoạn 2: Tạo vùng cho NMOS, vùng cho PMOS đã được tạo trước đó.  Giai đoạn 3: Tạo các cực Gate cho NMOS và PMOS bằng polysilicon.  Giai đoạn 4: Tạo các cực Source và Drain cho NMOS và PMOS. (2