KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬHỆ ĐÀO TẠO CHẤT LƯỢNG CAO Điện tử cơ bản ĐỀ THI CUỐI KỲ HỌC KỲ I NĂM HỌC 2023-2024 Môn: Điện tử cơ bản Câu 1: Trong chất bán dẫn tồn tại các lỗ trống tại nhiệt độ phòng
Trang 1KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ
HỆ ĐÀO TẠO CHẤT LƯỢNG CAO
Điện tử cơ bản ĐỀ THI CUỐI KỲ HỌC KỲ I NĂM HỌC 2023-2024
Môn: Điện tử cơ bản
Câu 1: Trong chất bán dẫn tồn tại các lỗ trống tại nhiệt
độ phòng, nguyên nhân tạo ra các lỗ trống:
Trang 4a Nhỏ hơn Vth (threshold voltage)
b Lớn hơn Vth (threshold voltage)
Trang 5c Bằng điện áp VP
d Lớn hơn VDS(on)
Câu 7: SCR thì thường được mở bằng:
a Điện áp VBO (Breakover)
b Một điện áp kích tại cực cổng
c Điện áp VBR (Breakdown)
d Dòng duy trì
Câu 15: Mạch hình 3, là mạch khuếch đại có hồi tiếp:
a Dòng điện nối tiếp
b Dòng điện song song
c Điện áp nối tiếp
d Điện áp song song
Trang 6Câu 16: Trong mạch hình 3, khâu hồi tiếp (β) gồm:
a RL
b R2
c Rc
d RE
Trang 7Câu 17: Để một mạch duy trì dao động tạo sin, thì phải
thỏa tiêu chuẩn Barkhausen, trong tiêu chuẩn này yêu cầu Aβ trong mạch phải chính xác bằng:
a Lớn hơn 1
b Nhỏ hơn 1
c Bằng 1
d Nhỏ hơn 0
Câu 18: Để điều khiển JFET kênh n hoạt động ở vùng
dẫn thì Vcs phải được phân cực:
a Nhỏ hơn Vp
b Lớn hơn Vp
c Bằng Vp
d Nhỏ hơn Vth
Trang 8Câu 19: Một mạch dao động sin luôn cần một mạch
khuếch đại với:
a Một mạch LC
b Mạch hồi tiếp âm
c Mạch hồi tiếp dương có chứa các phần tử điện kháng
d Cả hai loại mạch hồi tiếp
Câu 20: Mạch schmitt trigger (ST) có đặc điểm là:
a Opamp hoạt động ở cấu hình hở
b Opamp hoạt động ở cấu hình hồi tiếp
c Opamp hoạt động ở cấu hình hồi tiếp âm
d Opamp hoạt động ở cấu hình hồi tiếp dương
Trang 9PHẦN II: TỰ LUẬN (7 điểm)
Câu 21 (3.25đ): Cho mạch khuếch đại như hình 4 Biết
rằng, transistor Q1 có IDSS=4mA và VP=-4V, Q2 có β2=100
a Hãy vẽ sơ đồ tương đương DC của mạch và xác định điểm làm việc tĩnh của transistor Q1 và Q2 (0.75đ)
b Viết phương trình và vẽ ACLL của Q2, tìm
Câu 22 (1.5đ): Cho mạch như hình 5 a Hãy cho biết tên
của mạch opamp U1 và opamp U2 (0.5đ) b Tìm phương
Trang 10trình của điện áp ra Vo1 và Vo theo điện áp V1, V2, V3
và V4 (0.5đ) c Nếu V1 = 10(V), V2 = 10(V), V3 = 10(V) và V4 = 10(V), hãy tính Vo1 và Vo và vẽ sóng ra (0.5đ)
Câu 23 (1đ): Cho mạch ổn áp như hình 6, a Hãy nêu
chức năng các linh kiện trong mạch? (0.5đ) b Nếu mạch
ổn áp, hãy cho biết điện áp ra ổn áp của mạch bằng bao nhiêu? (0.5đ)
Trang 11Câu 24 (1.25đ): Cho mạch khuếch đại công suất hình 7,
biết loa có điện trở là RL=12Ω và Q1 có β=50
a Hãy vẽ sơ đồ tương đương ac của mạch (0.25đ)
b Hãy tìm max swing (Vop) (0.25đ)
c Tính công suất ngõ ra cực đại trên RL (0.5đ)
d Hãy tính lại R1 để mạch đạt hiệu suất 50% (0.25đ)
Trang 13ĐÁP ÁN
Câu 1: Trong chất bán dẫn tồn tại các lỗ trống tại nhiệt
độ phòng, nguyên nhân tạo ra các lỗ trống:
Trang 15Câu 5: Trong BJT loại pnp, thì lớp bán dẫn miền phát
a Nhỏ hơn Vth (threshold voltage)
b Lớn hơn Vth (threshold voltage)
b Bằng điện áp VP
d Lớn hơn VDS(on)
Trang 16Câu 7: SCR thì thường được mở bằng: a Điện áp VBO (Breakover) b Một điện áp kích tại cực cổng c Điện áp
VBR (Breakdown) d Dòng duy trì
Câu 15: Mạch hình 3, là mạch khuếch đại có hồi tiếp:
a Dòng điện nối tiếp
b Dòng điện song song
c Điện áp nối tiếp
d Điện áp song song
Câu 16: Trong mạch hình 3, khâu hồi tiếp (β) gồm: a.
RL b R2 c Rc d RE
Câu 17: Để một mạch duy trì dao động tạo sin, thì phải
thỏa tiêu chuẩn Barkhausen, trong tiêu chuẩn này yêucầu Aβ trong mạch phải chính xác bằng:
a Lớn hơn 1
Trang 17b b Nhỏ hơn 1
c c Bằng 1
d d Nhỏ hơn 0
Câu 18: Để điều khiển JFET kênh n hoạt động ở vùng
dẫn thì Vcs phải được phân cực:
a Nhỏ hơn Vp
b b Lớn hơn Vp
c c Bằng Vp
d d Nhỏ hơn Vth
Câu 19: Một mạch dao động sin luôn cần một mạch
khuếch đại với:
a Một mạch LC
b b Mạch hồi tiếp âm
c c Mạch hồi tiếp dương có chứa các phần tử điện kháng
d d Cả hai loại mạch hồi tiếp
Trang 18Câu 20: Mạch schmitt trigger (ST) có đặc điểm là:
a Opamp hoạt động ở cấu hình hở
b b Opamp hoạt động ở cấu hình hồi tiếp
c c Opamp hoạt động ở cấu hình hồi tiếp âm
d d Opamp hoạt động ở cấu hình hồi tiếp dương
Trang 19Phần II TỰ LUẬNCÂU 21
a Vẽ sơ đồ tương đương DC của mạch và xác định điểm làm việc tĩnh của
transistor Q1 và Q2 (0.75đ)
Vẽ sơ đồ tương đương DC:
Loại bỏ tất cả các nguồn AC (thay bằng mạch ngắn)
Các tụ điện và cuộn cảm được thay thế bằng các mạch ngắn và mạch hở tương ứng
Xác định điểm làm việc tĩnh của Q1:
Q1 là JFET kênh n: Sử dụng thông số
IDSS=4mA và VP=-4V
Trang 20Điểm làm việc tĩnh (Q-point) được xác định bằng đường tải DC và đường đặc tính ID-VGS.
Phương trình đặc tính của JFET: $$I_D =
Trang 21b Viết phương trình và vẽ ACLL của Q2, tìm maxswing (VQ1) (0.75đ)
Viết phương trình ACLL của Q2
Trang 22Đường đặc tính ID-VDS của Q2: Xác định đường đặc tính với các điểm ID, VDS.
Từ sơ đồ tương đương DC, viết phương trình đường tải AC
Tìm maxswing (VQ1):
Biên độ tối đa của dao động (max swing) tại VQ1: Tính từ phương trình ACLL