Khảo sát mạch tạo xung vudng và ng dung GVHD: Phan Thanh Vân2 PHANI KHAO SAT LY THUYET Chương I: ĐẠI CƯƠNG VỀ XUNG I, KHÁI NIỆM XUNG: Xung là tín hiệu tạo nên do sự thay đổi của mức điện
Trang 1BO GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHAM THÀNH PHO HO CHÍ MINH
KHOA VAT LÝ
aQle
LUAN VAN TOT NGHIEP
DE TAI:
——— —-GYHD : Thầy PHAN THANH VAN
_ F
NIÊN KHOA; 2961 - 2005
Trang 2Lời cảm ơn
Trong đời tôi, chưa khi nào thay minh bắt tay vào làm một công việc
lớn nào cả, cho tới ngày hôm nay Và hôm nay có một bước ngoat trong đời
tôi, ngày tôi bảo vệ luận văn để rồi trở thành một cô giáo Nhưng để có ngày
hôm nay, tôi chợt nhìn lại và cảm thay hạnh phúc vì tôi đã nhận được biết
bao sự giúp đỡ của mọi người.
Em xin chân thành cảm ơn thay Phan Thanh Vân Thay đã giúp đỡ em
về cách thức đi trong quá trình làm luận văn và tận tình chỉ dẫn cho những
thắc mắc ngây ngô của em Thầy còn động viên em khi nhận đề tài này và cả
trong quá trình làm luận văn nữa.
Tôi xin cảm ơn các bạn của tôi đã động viên vả góp sức củng tôi khi tôi
gặp khó khăn trong quá trình làm luận văn Và cảm ơn một người bạn bằng
kiến thức cơ bản về điện tử nhưng với lòng đam mê điện tử bạn đã giúp đỡ
không nhỏ để tôi có thể hoàn tắt luận văn này.
Nhin lại để rồi tôi có thể bước tiếp qua những con đường còn lại va tôi
tin chắc rằng trong những bước chân đỏ của tôi sẽ luôn có những bước chân
Trang 3Lời mở đầu
Trong đời sống hàng ngày chúng ta thường gặp các tín hiệu tuần hoàn(liên
tục theo thời gian) và các tín hiệu không tuần hoàn(gián đoạn theo thời gian) Tin
hiệu theo thời gian còn gọi là tín hiệu tương đồng hay tín hiệu Analog Tín hiệu
gián đoạn theo thời gian còn gọi là tín hiệu xung, tín hiệu số hay tín hiệu Digital
Và ta cũng nền biết rằng hiện nay các tín hiệu xung được dùng rộng rãi trong
nhiều lĩnh vực khác nhau của kĩ thuật số nói riêng và kĩ thuật điện tử nói chung;
Ví dụ trong truyền thông hữu tuyến va vô tuyến, trong rađa, trong đo lường điều
khiển số
Vì thế mà tôi quyết định chọn để tài “Khảo sát mạch tạo xung vuông và
ứng dụng ” Nó giúp cho tôi một phần nào thỏa ước nguyện là được tiếp cận với
ngành điện- điện tử cùng với những ứng dụng đơn giản mà lý thú, chứ chưa thể
nói đến những ứng dụng to lớn mà kĩ thuật xung đem lại cho con người Trong để
tài này tôi sẽ khảo sát hai loại mạch tạo xung là mạch đơn ổn (Mono Stable)và
mạch phi ổn (A stable) với cách thức tiến hành như sau:
> Phần thứ nhất là phan khảo sát lý thuyết, phần này trình bày những kiến
thức chính liên quan đến:
* Kithuat xung
* Cac linh kiện cơ bản trong ngành điện tử: transistor lưỡng cực tinh,
khuếch đại thuật toán OP-AMP, cùng với những lý thuyết liện quan
trực tiếp đến mạch tạo xung
* Mạch tạo xung ding transistor lưỡng cực tính và dùng OP-AMP với
những sơ đổ, nguyên lý mạch, và cách thiết kế mạch.
> Phần thứ hai là thực hiện mạch bằng phần mềm mô phỏng mạch điện tử
Electric Workbench để lắp ráp, khảo sát các mạch tạo xung dùng transistor
lưỡng cực tính và dùng OP-AMP Trong phần này, ta tiến hành lắp ráp
mạch và xác định các giá trị của các linh kiện Sau đó dùng máy
Trang 4Ocilloscope để quan sát dạng xung ra, rồi so sánh kết quả vối kết quả lý
thuyết Cuối cùng là tìm cách sửa dạng xung Từ đó vạch cho ta những ý
tưởng về ứng dụng của các mạch tạo xung vào đời sống hàng ngày: đèn
nhấp nháy, báo động, điều khiển tự động,
> Cuối cùng thực hiện mạch in- mạch điện nhấp nháy với hai cách làm:
* Cách 1: làm phổ thông
* Cách 2: sử dụngphẩần mềm tin học Orcad 9, để vẽ và thếit kế mạch
in Đây là cách thực hiện mạch in hiện đại và nó hỗ trợ đắc lực chonhững ai muốn thực hiện những mạch in phức tạp có chứa các linh
kiện tích hợp(1.C).
Từ đó tôi xin giới thiệu tổng quan về những phần trong luận van:
Phần I: Khảo sát lý thuyết
Chương I: Đại cương về xung
Chương II: Transistor lưỡng cực tinh(transistor BJT)
Chương HI: Khuếch đại thuật toán OP-AMP
Chương IV: Mạch Mono Stable
Chương V: Mach Astable
Phần II: Thực hiện mạch.
A_ Mach Mono Stable
L Mach Mono Stable ding transistor
Il Mach Mono Stable dùng OP-AMP
B_ Mach Astable
L Mach Astable ding transistor
Il Mach Astable dùng OP-AMP
Phần III: Thiết kế mach
- Vẽ mạch nguyên lý
- Vẽ mach in trên giấy
Trang 5- Vẽ mach in bằng Orcad 9.
Mặc dù đã nỗ lực rất nhiều, song vì thời gian không cho phép và tầm hiểu
biết còn có hạn nên việc thực hiện để tài này không tránh khỏi những sai sót,
kính mong được sự đóng góp ý kiến của tất cả quý thay cô và bạn bè Tôi xin
cảm ơn sâu sắc /
Trang 6Khảo sát mạch tạo xung vudng và ng dung GVHD: Phan Thanh Vân
2
PHANI
KHAO SAT LY THUYET
Chương I: ĐẠI CƯƠNG VỀ XUNG
I, KHÁI NIỆM XUNG:
Xung là tín hiệu tạo nên do sự thay đổi của mức điện áp hay dong trong
một khoảng thời gian rat nhỏ: Từ mức thấp L ban đầu chuyển sang nằm ở mức cao H trong một khoảng thời gian ngắn hoặc ngược lại.
Bước nhảy là sự chuyển rất nhanh của điện áp hoặc dong giữa hai mức H
và L Nếu nhảy từ mức tháp L lên mức cao H thì gọi là bứơc nhảy dương; nếu
ngược lại nhảy từ H xuống L thì gọi là bước nhảy 4m Bước nhảy đơi khi cịn
gọi là tín hiệu thế, được đặc trưng bằng biên độ nhảy E và độ dài sườn dốc
L(hộc ty) Bước nhảy là tín hiệu ra ở nhiều mạch điện tử, ví dụ mạch so sánh
tương tự(khảo sát ở phần OP-AMP khĩa)
Mach tạo xung cho ra hai loại tín hiệu điện: các xung điện áp/ dịng hoặc
những bước nhảy của điện ấp hay dịng Đặc điểm của loại tín tín hiệu này là
người ta chỉ quan tâm tới hai giá trị hồn tồn phân biệt nhau của chúng, gọi
là hai mức: Mức cao H và mức thấp L
Sau đây là hình vẻ dang xung thực tế và diy xung vuơng
U ty: thời gian xung cĩ biên độ
từ 0,9E đến E ứng với đoạn
OME đỉnh của xung.
I: thời gian biên độ xung
tăng trong khoảng từ 0,1E
đến 0,9E(độơ rơng sườn
trước ).
ONE
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang S$
Trang 7Khảo sát mạch tạo xung vudng vả ing dung GVHD: Phan Thanh Van
t¿ thời gian biên độ xung giảm trong khoảng từ 0,1E đến 0,9E(độ rộng sườn
sau),
AU:46 giảm biên độ ở phan đỉnh xung(d6 sụt đỉnh xung)
Độ rộng xung thực tế:
Diy xung vuông tuấn hoàn
Các mạch tạo xung hay lợi dung quá trình quá độ trên các phần tử tuyếntính R-C để diéu khiển độ rộng xung và hệ số lấp đẩy của dãy xung tuần hoàn.Phần tử tuyến tính R-C được hiểu là phẩn tử có điện trở hoặc điện dung không thayđổi theo giá trị điện áp hoặc giá trị dòng điện trên phân tử Ta hãy xét vài quá
ví dụ về một mach RC đơn giản |
Giả sử tại thời điểm t = 0, ở ngõ vào Mach RC
của mach xuất hiện đột biến điện áp 1
Trang 8Khảo sát mach tạo xung vudng và ing dung GVHD: Phan Thanh Van
Với Vạ = ¡.R và ¡ = cS thi phương trình cân bằng điện áp trên trở
thành:
Rc ¿Vec=E
a
Giải phương trình vi phân bậc | ở trên ta được :
Ve(t) = E(1 -e"®*©) (1)
Tích RC có thứ nguyên thời gian là giây (s), nếu R tính bằng © và C
tính bằng F (fara), và gọi hằng số thời gian t của mạch R-C (t= R.C) Từ
(1) và phương trình cân bằng điện áp ở trên ta rút ra :
: V-V E »=—! f =—, 3
tt) R F e (3)
Ta thấy điện áp trên tụ C tăng theo luật hàm mũ và ởtz=œ thi Ve
= E Ngược lại điện áp trên điện trở và dòng giảm theo luật hàm mũ, khi
L= # thì : =0, Vụ = 0 mạch đạt trạng thái dừng (tinh).
Về lý thuyết thì quá trình quá độ xảy ra trong thời gian vô cùng lớn.
Thực tế khi Ve đạt 0,9E hoặc khi Vp = 0,1E là coi như kết thúc quá trình
quá độ Thời gian quá độ là :
tụ = 2,3 T= 2.3R.C (4)
Ớt=3t có thể coi u, = Uy val = 0, Vụ = 0, Hằng số thời gian t =
RC của mạch càng lớn thì thời gian quá độ càng dài
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 7
Trang 9Khảo sát mach tạo xung vuông và ting dung GVHD: Phan Thanh Vân
Nếu đặt lên mạch R-C một xung vuông góc, quá trình quá độ xảy ra
trong mạch xem như là sự xếp chống của hai quá trình, ứng với hai bước
nhảy : bước nhảy dương ở t = 0 và bước nhảy âm tại t = t; (hình b).
d)
Ta có kết luận cuối cùng sau : sự thay đổi điện áp trên các phần tửR,C trong quá trình quá độ, khi kích thích là một xung vuông góc với 46 rộng xung t, , chịu ảnh hưởng bởi tỉ số 1/1,
- Nếu 1 < t⁄3 thì sự thay đổi điện áp trên các phan tử là lớn Điện
áp trên tụ Vc{t) tăng từ 0 đến E, sau đó giảm về 0 (đường liển nét, hình d) Ngược lại, điện áp trên điện trở Vạ(U giảm từ E về 0 sau
đó tại thời điểm 1, đổi cực tính và tăng từ -E tới 0 (đường lién nét
hình c).
- Nếu + » t, thì sự thay đổi điện áp trên các phan tử là chậm Điện4p trên tụ vc{U ting từ O chỉ tới Av là lại giảm din về 0 (đường đứt
khúc hình d) Điện 4p Vạ(U cũng chỉ giảm một lượng Av so với E là
đã đổi cực tính sang -(E - Av) và tăng đắn vẻ 0 (đường đứt khúc,
hình c).
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 8
Trang 10Khảo sát mach tạo xung vudng va ứng dung GVHD: Phan Thanh Van
Các mach tao xung hay dùng mach RC nhằm những mục đích sau:
Điều chỉnh độ rộng của xung vuông góc.
+ Để tạo các xung dinh(hinh vẽ)
Điện áp ra U, chính là điện áp trên điện trở R Từ mục Ì và 2 ta thấy:
> Khi đặt vào mạch (hình a) một bước nhảy dương hoặc âm thì điện
áp U, sẽ là một xung định dương hoặc âm(U, = Vg) Biên độ xung
định bằng biên độ bước nhảy, độ rộng xung là 3t.
> Khi đặt mạch một xung vuông có độ rộng xung lớn hơn ba lần thời
hằng t của mach, thì ở cửa ra sẽ cho hai xung định đương và âm,
ứng với sườn lên và xuống của xung vào Uy(hinh b)
SVTH: Nguyễn Thi Thanh Hảo Trang 9
Trang 11Khảo sát mạch tao xung vudng va ung dung GVHD: Phan Thanh Van
Chuongll : TRANSISTOR BJT
I PAL CƯƠNG VE TRANSISTOR BJT (TRANSISTOR LUGNG CỨC):
_ Transistor là một linh kiện bán dẫn 3 cực do 3 lớp bán dẫn tiếp xúc nhau
tao thành, trong đó lớp ở giữa có bé dày rất bé và khác loại với 2 lớp bên
canh.
Nếu lớp ở giữa là bán dẫn loại P thì hai lớp bên cạnh là bán dẫn loại N,
tạo nên transistor loại P-N-P
Nếu lớp ở giữa là bán dẫn loại N thì hai lớp bên cạnh là bán dẫn loại P
tao nên transistor loại N-P-N
B H
Cấu tạo và kí hiéu cửa transistor loại N-P-N
|]
B H
Cấu tạo và kí hiệu cửa transistor loại P-N-P
Miễn bán dẫn thứ nhất của transistor gọi là mién emitter nó có ndng độ
tap chất lớn nhất Điện cực nối với miền này gọi là cực emitter (hay cực E)
Miền bán dẫn thứ hai gọi là miền base nó có nống đô tạp chất rất nhỏ, có
bể dày bé nhất Điện cực nối với miền này gọi là cực base (hay cực B)
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 10
Trang 12Khảo sát mạch tạo xung vuông và ứng dụng GVHD; Phan Thanh Vân
LLL
Miễn bán dẫn còn lại có ndng độ tap chất trung bình gọi là miền
collector Điện cực nối với miền này gọi là cực collector (hay cực C)
2 Nguyên tắc hoạt đông:
Ta sẽ xét nguyên tắc hoạt đông của transistor loại N-P-N (loại P-N-P
cũng làm tương tự ).Để transistor hoạt động ta cẩn phải tiếp tế điện và phân
giữa mién base và
collector gọi là lớp chuyển tiếp collector Je-_ Nguồn E, làm cho lớp chuyển tiếp emitter Jy phân cực thuận Nguồn E;
làm cho lớp chuyển tiếp collector Je phân cực nghịch Re, Re là các điện trở
phân cực
- Khi chưa có nguồn E;, E; thì trong vùng Jy Je sẽ tổn tại điện trường tiếp
xúc hướng từ N sang P.
Khi có nguồn E; lớp chuyển tiếp J‹ bị phân cực nghịch, làm cho lớp tiếp
xúc Jc mé rộng ra, nên trong vùng Jc sẽ có một dòng điện rất nhỏ do hạt dẫn
thiểu số của miễn base và miễn collector tạo nên, Kí hiệu là leg›: goi là
dòng điện ngược collector, dòng ngược nay rất nhỏ nên thường được bỏ qua.
Khi có thêm nguồn E, , lớp chuyển tiếp J, sẽ phân cực thuận , làm cho
tiếp xúc N-P thu nhỏ lại các e của miễn emitter sẽ tràn qua miễn base tạo
thành dong điện emitter Jp Các e đến được miền base là rất lớn so với lỗ trống (hạt mang đa số ) trong miễn base nên chỉ một bộ phận nhỏ electron
od
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang HH
Trang 13Khảo sát mạch tạo xUng vudng va ung dung GVHD; Phan Thanh Van
của miễn emittertác hợp với lỗ trống, các electron còn lại tiếp tục khuếch
tán đến vùng Jc, do Je phân cực nghịch nên các electron này bị điện trường cuốn qua tới miền collector tạo thành dòng điện trong mach collector Ic
- Để đánh giá mức độ hao hụt dong khuếch tấn trong vùng base người ta
đưa ra hệ số truyền đạt dòng điện:
a =lcly
Transistor càng tốt thì a càng gần |Trong miễn base để cân bằng với lỗ trống đã mất, nên có một ddng điện
đi từ E; vào miễn base gọi là dòng điện base Ib, Để đánh giá mức độ điều
khiển của đòng Iy lên ddng Ic người ta đưa ra hệ số khuyếch đại Ø:
8=lcf/lụ
B phụ thuộc vào từng loại transistor va nhiệt độ
Vậy dựa vào phân tích trên ta rút ra hệ thức cơ bản về dòng điện của
transistor:
lg = lạ + Ie
3 Sơ dé cơ bản của transistor:
Dựa vào cách chọn điện cực làm nhánh chung cho đầu vào và đầu ra, ta có
3 sơ 46 cơ ban sau:
Dac điểm:
_— Cực E là chung cho mạch vào và mạch ra
_ Điện áp vào được mắc giữa cực base và cực emitter:
Trang 14Khảo sát mạch tạo xung vuông và ứng dụng GVHD: Phan Thanh Vân
xxx
Từ sơ 46 trên ta có thể vẽ được các họ đặc tuyến tĩnh của mạch
EC
Đặc tuyến Von - Ampe:
* Đặc tuyến vào: Biểu diễn mới quan hệ giữa điện áp vào và
dòng điện vào khi điện áp ra được giữ không đổi:
l; = Sf Wie) jin com
Để vẽ đặc tuyến vào ta giữ Vee cố định lần lượt thay đổi giá trị
Vue và đo trị số lạ tương ứng sau đó biểu điển lên đổ thi, ta sẽ thu được kết quả như hình vẽ bên:
nhỏ coi như bỏ qua Đặc tuyến vào của
> Trong 2 trường hợp transistor mắc EC
trên, transistor hdu như không din
z Khi Vụy =0,7V dòng Ip tăng đáng kể.
=> Transistor dẫn thông và đạt chế độ bão hoà
DI BH AIAIAEaẽ « i Ki SB
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 13
Trang 15Khảo sắt mach tạo xung vuông và ting dun GVHD: Phan Thanh Van
* Đặc tuyến ra: Biểu diễn mối quan hệ giữa điện áp ra va dòng điện ra khi
điện áp vào được giữ không đổi:
Mode báo bend
| Miến thoéch dai
ĐỂ vẽ đặc tuyến ra.ta — ⁄ (54
giữ |, cố định lần lượt thay 6 skp Linh thang
đổi giá tri Vey và do trị số :
4
Ic tương ứng sau đó biểu '
điễn (Vy, Ie) lên đồ thị, ta
sẽ thu được đặc tuyến ra
Thay đổi Iy đến các giá
trị khác nhau và làm tương Đặc tuyến ra của transistor mắc EC
4 ® Lew!)
tự ta sẽ thu được họ đặc tuyến ra như hình vẻ
Từ họ đặc tuyến ra ta có nhân xét sau:
> Khi Vee =0 thì dòng I; sẽ giảm về 0
> Đoạn nằm ngang ứng với trạng thái khuếch đại của transistor
> Đoạn vẽ nét đứt tương ứng với miễn đánh thủng, vì khi Vc» tăng quá
lớn dòng Ic sẽ tăng lên đột ngột, transistor có thể bị phá huỷ
* Đặc tuyến truyền dat dòng điên: Biểu thị mối quan hệ giữa dòng ra và
dòng vào khi điện áp ra được giữ không đổi:
T= fs) vig acon
Để vẽ đặc tuyến nay, ta làm tương tự như trường hợp đặc tuyến ra và vào Tuy nhiên ta cũng có thể suy ra từ đặc tuyến ra: Ứng với Vẹy ta tìm
được cặp giá trị (Tg , Ie)
Nối các cặp giá trị (lu , Ic) ta được đường đặc tuyến truyền đạt như
hình vẽ bên Độ đốc của dic tuyến chính là hệ số khuếch dai dòng điện Ø
F— ————————Ễ————-SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang lá
Trang 16Khảo sát mạch tạo xung vuông và ứng dụn GVHD: Phan Thanh Vân
Đặc tuyến ra và đặc tuyến truyén đạt của
transistor mắc chung E.C
_ Cực base dùng chung cho cả đầu vào và đầu ra
_ Đòng điện vào là dòng emitter , dòng điện ra là dòng collector
Điện áp vào là Vey điện áp ra là Vy
Veg =consf
View và ghi lại giá trị I, tương ứng, Sau đó biểu diễn kết quả lên đồ
thị, ta sé thu được một đường đặc tuyến vào.
in
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 15
Trang 17Khảo sát mach tạo URE vudng va ung dung GVHD: Phan Thanh Van
thay đổi giá
trị Vep ghi lại 2 ' 8 — Vex(V)
các giá trị Đặc tuyến ra của transistor mắc BC
tương ứng và biểu diễn kết quả lên trục toa độ Ic—Vcụ, ta thuđược họ đặc tuyến ra như hình vẽ
- Dòng điện ra Ic có giá trị gần bằng dòng điện vào Ig vì lạ rất
nhỏ (I, =O)
- Khi Veg giảm về 0 thì ddng ra Ic vẫn chưa giảm về 0
- Khi Vey tăng quá lớn, dòng Ic tăng đột ngột có thé làm hỏng
transistor
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang l6
Trang 18Khảo sát mach tạo “ri vadng tà ung dung GVHD: Phan Thanh Van
* Đặc tuyến truyền dat: Biểu điển quan hệ hàm số:
1 = fÖx se
Ta có thể vẽ đặc tuyến truyền đạt bằng hai cách:
Giữ Vey ở điện áp cố định thay đổi đòng vào I; và ghi lạicác giá trị Ic tương ứng rồi biểu diễn lên đồ thị
*x Suy ra từ đặc tuyến ra.
Đặc tuyến truyền đạt của transistor mắc BC
+ Mạch chung Collector (C.C):
Cực C được dùng chung cho mạch vào và mạch ra.
Điện áp vào là Voc, điện áp ra là Vec
Dòng điện vào là dòng base I, , dòng ra là dòng emitter Ip
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 17
Trang 19Khảo sát mạch tạo xung vuông và ứng dụng GVHD: Phan Thanh Vân
Lal) TIẾT a by (50000 oe 04701 Ve(VỆ
Đặc tuyến ra và đặc tuyến truyền dat của transistor mie
chung CC
ll KHÓA
1, Chế độ khoá của transistor BJT:
Transistor làm việc ở chế độ khóa hoạt động như một khóa điện tửđóng mở mạch với tốc độ nhanh(10”s + 10s) do đó có nhiều đặc điểm
khác với chế khuếch đại Tuy vào điện áp phan cực cho transistor mà nó
có thể làm việc ở trạng thái tắt hoặc trạng thái dẫn thông
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 18
Trang 20Khảo sát mạch tạo ung vudng va ứng dựng GVHD: Phan Thanh Vân
* Khi điện áp Vụẹ <Vaes (điện ấp mở của transistor) , transistor
sẽ ở trạng thái tất
® Khi điện áp Vox >Vgy», , transistor sẽ chuyển từ trạng thái tất
sang trạng thái dẫn Tuy theo giá trị của dòng vào mà transistor dẫn có thể làm việc ở chế độ khuếch đại hay bão
s Ie=0 => Vex = Vee
Biểu diễn 2 điểm này lên hệ trục toa độ Vex - Ic ta được đường tải như
hình vẽ Đường thẳng này được vẽ trên cùng của đồ thị với đặc tuyến ra,
giao điểm của nó với đặc tuyến ra gọi là điểm công tác tĩnh của transistor
Trang 21Khảo sát mạch tạo xung vuông và ting dun GVHD: Phan Thanh Vân
Vee
e Khi dòng lạ=0 = lc=0: không có dong qua Re Lúc nay Ver = Vee
(điểm A) — Transistor ở trạng thái ngắt
e Khi dòng I, >0 và lạ; < Ig, thì dòng điện qua tải Rc sẽ tỉ lệ với dòng I,
theo hệ thức Ic = / Ip
Trong vùng khuếch đại, chuyển tiếp Jy phân cực thuận còn chuyển tiếp
Je phân cực nghịch Thông thường, ở chế độ khuyếch đại người ta chọn
điểm làm việc (điểm công tác ) của transistor ở giữa đường tải tinh (điểm C)
© Khi dòng Ip > In, nghĩa là dòng I, lớn ta suy ra dòng Ic cũng rất lớn
làm cho điện áp Vey trở nên rất nhỏ (vì Vce = Veo = IcRc) gọi là điện
áp bão hoà Vem»-D6i với transistor làm bằng Silic: Vers, = 0,1 +0,2V
Điều này tương ứng với trạng thái cả hai chuyển tiếp đều phân cực thuận
(1):
Chon Vụy = 0,6V, Vcg = 0,2V
Nên Vgc = Vee — Vec = 0,6 - 0,2 = 0,4V.
Trên hình vẽ điểm B là điểm công tác khi transistor bắt đấu bão hoa.
Dòng Iy = Ips, dòng Ics = B Iys Ta thấy rằng cho dd Ig>Iss thì điểm công
tác cũng gần như nim ở B Nghĩa là khi rơi vào trạng thái bão hoà, mặc da
dòng Iy tăng nhưng dòng Ic và Veg thay đổi không đáng kể.
Trang 22Khảo sát mạch tạo xung VUÔNG va ting dung GVHD: Phan Thanh Van
Như vậy khi tăng dòng I, để tiến sâu vào trạng thái bão hoà, thi sẽ xảy ra
quan hệ: Bly >Ie (2)
Từ (1) & (2) ta suy ra diéu kiện dé transistor hoạt động bão hòa là:
Vue phân cực thuận, hoặc Vụy phân cực thuận
Bly >lc
Transistor hoạt động ở chế độ khoá khi đòng điện cực base rấtnhỏ Ty
=0 (trạng thái tắt) hoặc rất lớn (trạng thái bão hoa)
Là điện áp đầu ra có hai trạng thái khác biệt:
® U,2U, khi U,;„<U, : transistor ở trạng thái tất
® U,„„<U, khi U,,.2Uy ‘transistor ở trạng thái dẫn i
Để thực hiện được diéu kiện (*), cẩn phải lựa chọn các mức Uy,
U, cũng như các giá trị điện trở Rg, Re trong mạch khóa bằng
Trang 23Khảo sát mạch tạo xung vuông và ting dung GVHD: Phan Thanh Vân
Như vậy 1/2V,, là áp ra nhỏ nhất của mức cao Uy Để có độ phân
cách trạng thái một cách chắc chin, chọn Uys 1/2V, Để đơn giản ta
xét ví du sau:
Chọn điện áp nguồn là V = SV thì lấy Using = LSV_-Dyfa vào
diéu kiện (*), để đảm bảo ở ngõ ra U„ 2 Usmin thì phải chọn mitc thấp
ở ngõ vào lớn nhất mà transistor vẫn còn bị khóa chắc chắn Đối với
transistor Si ở nhiệt độ phòng(25C) có thể chọn mức thấp U„„=
0,4V
Khi có xung diéu khiển cực tính dương đưa tới đầu vào U, > Uu„„
= 1,5V, transistor chuyển sang trạng thái dẫn , lúc này cẩn phải đảm
bảo mức áp ra Un < U¡„„.= 04V Muốn vậy phải chon Re sao cho
thời gian chuyển trạng thái của transistor đủ nhỏ và giá trị dòng Ic
không quá lớn Có thể chon Re = 5k Q Tiếp tục chọn giá trị Ry để khi
U, = Uy = 1,5V thì U„< U¡= 04V Muốn vậy, đòng collector cẩnkhoảng:
lục k 2 (k là hệ số bão hòa sâu, k= 2s 5)
Chọn hệ số bão hòa sâu là k=3, ta có: Iạ=30 ¿¿1
Điện áp khéa:Uges,= Uy=0,6+0,8V là đủ lớn Vậy giá trị Rg lúc
này sẽ là:
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 22
Trang 24Khảo sát mạch tạo 1ung vudng và ứng dụng GVHD: Phan Thanh Vân
l,Š = 0,6
0,3.10”° = 30(ÁQ).
Đặc tính truyền đạt của transistor khóa
Để đánh giá mức tin cậy của khóa, người ta định nghĩa các tham
số độ dự trữ phòng nhiễu ở mức cao Sy và mức thấp S, :
Su = Urs khóa ~ Unioun
Si= UL- Uns mạ (Un ma =Ucerm)
Ở đây Us inca và Up ma là các điện áp thực tế tại lối ra của
transistor lúc tất hay dẫn tương ứng
Với trường hợp cụ thể trên, ta có:
Sy = 2,5- 1,5 = 1(V) (lúc U, < Ú;)
S,= U¡ - Us mạ = 0,4 - 0,2= 0,2(V) (lúc U, 2Uy)
1.1, Thời gi 3 và thời gian khóa(hời gì ‹ 40):
Căn cứ vào sơ đổ nguyên lý mạch khóa bằng transistor ta nhận
thấy, khi chưa đưa xung tín hiệu vào cực base, chuyển tiếp emito bị
phân cực ngược Transistor ở trạng thái tắt, I, cũng như I, rất nhỏ.
Nếu tại thời điểm tọ đặt xung tín hiệu có cực tính dương vào,
_——————————————————————ễ
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 23
Trang 25Khảo sát mạch tạo xung vuông và ting dung GVHD: Phan Thanh Vân
chuyén tiếp emitơ được phân cực thuận va transistor dẫn Nếu quan
sắt xung vào và xung ra trên máy ta sẽ thấy chúng có dạng như hình
Ta nhận thấy rằng, hình dạng xung vào và xung ra khác nhau,
thời gian cũng lệch nhau.
Tại thời điểm tụ đã có tín hiệu vào, ở đầu ra dòng Ic vẫn giữ
nguyên giá trị nhỏ như trạng thái ngưng dẫn, tới thời điểm t; mới bắt
đầu tăng lên.
Gọi khoảng thời gian t,-tẹ là khoảng thời gian trễ, kí hiệu là tụ.
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 24
Trang 26Khảo sát mạch tạo xung vuông và ting dung GVHD: Phan Thanh Vân
ễ———=—==———gggxxxnl
Sau thời điểm tị, dòng l, tăng nhanh đến thời điểm tạ, khi 1, đạt
giá trị bão hòa I, thì không tăng nữa.
Gọi thời gian từ t, đến ty là thời gian tăng t, = ty - tạ
Tại thời điểm t, mặc dù xung đầu vào đã trở về 0 và dòng lạ
chạy theo chiều ngược ,dòng Ic không giảm nhỏ ngay lập tức mà nó
vẫn tiếp tục duy trì bằng giá trị lúc bão hòa ,tới thời điểm t, mới bắt
đầu giảm nhỏ
Gọi khoảng thời gian từ tị đếnt, là thời gian tốn tích ts= tị - tì
(thời gian lặn của các phần tử mang điện tích phy).
Sau khoảng thời gian tồn tích dòng Ic bất đầu giảm từ giá trị bằng giá trị lúc bão hòa xuống giá trị lúc ban đầu ở trạng thái tất
Gọi thời điểm dòng Iẹ bắt đầu có giá trị bằng dòng lúc cắt là ty
;khoảng thời gian từ Lạ đến ty là thời gian hồi phục t= ts — Lạ
Nếu gọi thời gian mở tranzito là thời gian kể từ khi có tín hiệu
dat vào cực bazơ đến khi giá trị dòng Ic đạt tới giá trị bão hòa las
Thời gian mở và thời gian khóa của tranzito là hai tham số rất
quan trọng của transistor làm việc ở chế độ đóng mở
Điện áp thuận là điện áp giữa cực emitter va base khi transistor
mắc CE ở trạng thái bão hòa, kí hiệu là Upens
Đối với transistor chất Si thì Upp», = 0,6 + 0,8 V,Đối với transistor chất Ge thì Use, = 0,3V
_——————-xz-kr=c=—=—mmm=——>—
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 25
Trang 27Khảo sát mạch tạo xUng vudng va ung dung GVHD: Phan Thanh Van
Điện áp bão hòa là điện áp giữa cực collector va emitter của
transistor mắc CE ở trạng thái bão hòa, kí hiệu là Úcgau
Điện áp bão hòa chủ yếu do điện trở miền collector Re quyết định Vì thế việc chọn Re là rất quan trọng Ngoài ra còn chịu ảnh
hưởng của dòng bão hòa Iq, và dòng bazơ Ig Với cùng lạ, giá trị low càng nhỏ thì Ucg„ càng nhỏ Với cùng lạ; giá trị Ig càng lớn thi Ucme càng nhỏ như hình vẽ.
Thông thường ta chọn Ucp, = 0,1 + 0,2
U,=Ucma=const Để thực hiện được diéu này cần cải tiến mạch điện
như hình a,b,c.
TT ————————xzỶrzỶFryrcrvcrxrxrxrxrxrcrcrc—x-srsrsrsrsrxrnm——n
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 26
Trang 28Khảo sát mach tạo xung vuông và ng dung GVHD: Phan Thanh Vân
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 27
Trang 29Khảo sát mạch tạo xung vuông và ứng dụng GVHD: Phan Thanh Vân
Hình a có đấu thêm điốt để tăng U,, còn trở R để thông dòng
ngược của tiếp giáp CB, đảm bảo cho transistor khóa chắc hơn.
Hình b,c dùng mạch phân áp bằng trở thông thường.
Đặc biệt với transistor Gecmani, cẩn phải tuân thủ các diéu chi dẫn trên, bởi vì lúc transistor mở, điện áp tiếp gidp BE có nhiều
trường hợp còn nhỏ hơn điện áp bão hòa(Uạg < Ủcguu,).
5.2 Mạch khóa bằng transistor như đã xét ở trên có nhược điểm là mức
cao Uy có giá trị nhỏ hơn nguồn V,, nhiều và phụ thuộc rất nhiều vào tải,
nên không có giá trị thực tiễn Dé khắc phục thiếu sót trên, ở ngõ ra
mach đảo sẽ lấp thêm mach lặp collector chung hay còn gọi là mạch
đệm như hình vẽ.
Sơ 46 khóa T; có mach lặp ting ra Tạ
5.3 Cải tiến mạch để tăng tốc độ chuyển trạng thái của khoá transistor
BIT.
Nối song song với điện trở cực gốc Rg một điện dung C (hình
vẽ) Khi điện áp điểu khiển u, nhảy từ mức thấp L lên mức cao H, lúc
đầu tụ coi như làm ngắn mạch điện trở Rg dòng qua tụ (cũng chính
là dòng cực gốc Iạ) tăng đột biến Sau đó dòng qua tụ giảm về 0 và
dòng bão hoà cực gốc bị hạn chế bởi Rg Vậy nhờ có tụ C mà dòng
cực gốc và dòng cực góp tăng đột biến rất nhanh, nghĩa là giảm được
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 28
Trang 30Khảo sát mạch tạo xung vudng và ứne dung GVHD: Phan Thanh Vân
thời gian quá độ t„ khi transistor chuyển từ trang thái khoá sang mở.
Khi điện áp diéu khiển U, nhảy từ mức cao H xuống mức thấp L , tụ
C sẽ phóng điện qua nguồn tín hiệu điểu khiển và qua cực gốc
transistor theo chiểu ngược với chiều dòng cực base bão hoà Vì vậy
dòng phóng này có tác dụng triệt tiêu nhanh dòng cực base cũng như
đòng cực collector, nghĩa là làm giảm thời gian quá độ ty khi
transistor chuyển từ dẫn bão hoà sang khoá.
Trang 31Khảo sát mạch tạo xung vuông va ung dung GVHD: Phan Thanh Van
Chương II]: KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN OP-AMP
1 GIỚI THIÊU CHUNG:
~ Khuếch đại thuật toán hay còn gọi là OP-AMP (viết tất của
Operational Amplifier) bộ khuếch đại DC có hệ số khuếch dai Av rất
cao và thường được chế tạo đưới dang tích hợpNó gồm nhiều
Transistor, diode và điện trở gấn trên một bản nhỏ bằng silic có diện
tích rất hé (= mm?)
~ OP-AMP được dùng để thực hiện các thuật toán (operation)trong
máy tính tương tự và dùng để khuếch đại các tín hiệu (amplification)
Sơ dé chân chức nang của OP-AMP,OP-AMP được chế tạo gồm có 8
* Chân số 2 là ngõ vào đảo
= Chan số 3 là ngõ vào không đảo
se Chân số 4 và 7 gắn với nguồn cấp điện Vee để phân cực
cho OP-AMP.
s® Chân số 6 là ngõ ra
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 30
Trang 32Khảo sát mạch tạo xung vuông và ứng dung GVHD: Phan Thanh Vân
—————m>—>——>>—mmmmmmmmmmmmmmmmmmmxs>asẽzaơợannẳỶẳnnn
=" Chân số l, chân số 5 là chân nối mass và chân số 8 là
chân bỏ trống
® Ký hiệu của OP-AMP:
> Hình vẽ trên minh họa ký hiệu của OP-AMP : là một tam giác có hai
đầu vào đương và âm, kí hiệu là P, N, và một đầu ra r Điện áp trên các đầu vào và ra US, 7, U, là so với mass Ngoài ra OP-AMP còn có
hai đâu để nối với nguồn cung cấp đối xứng + Vcc ( thường trong
khoảng + 5V + + 18V hoặc là nguồn đơn +V¢c ).
> Từ đó ta có điện áp vi sai: Up= U}- U-.
TƯỞNG:
* Đặc điểm của OP-AMP là có hệ số khuếch đại vi sai Ap rất lớn (
thường Ap~ 10° + 10°) và tổng trở vào Ry rất lớn ( thường từ 10A +
00 MQ với loại dùng transistor BJT), tổng trở ra Ry nhỏ(cỡ khoảng
1002 +1kQ), dòng điện vào các đầu P,N rất nhỏ, có thể coi bằng
0.Các OP-AMP dùng trong xử lý tín hiệu cho phép Ina „ ŠmA + 10mA,
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 31
Trang 33Khảo sát mạch tạo xung vuông và ứng dung GVHD: Phan Thanh Vân
khuếch thuật toán (khi Up = 0
nhưng U, # 0) Ta thấy đặc tinh
có hai vùng làm việc : Đặc tuyến truyền đạt U,(Up) của
OP-AMP
« Vùng tuyén tính ứng với
|Ư/„| rất nhỏ và :
U, = Am.Dp
e Ving bão hòa ứng với |U„| khoảng từ vài chục pV trở lên (1 pV =
10° V), điện áp ra U, ở vùng bão hòa là không đổi :
U,=+U„; |U¿Ì = Voc - (2 + 3)V = Vẹc
* Dòng phân cực ngõ vào I’ = [=0
II OP-AMP KHÓA:
Trong kĩ thuật xung người ta thường sử dụng OP-AMP làm việc ở
vùng bão hòa của đặc tính truyền đạt Lúc đó, điện áp ra U,chỉ có thể
nằm ở hai mức: Mức thấp L = -Vẹc hoặc mức cao H = +Vcc Ta nói
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hao Trang 32
Trang 34Khảo sát mạch tạo xung vudng va ung dung GVHD: Phan Thanh Vân
OP-AMP làm việc ở chế độ khóa và có vai trò như một khóa đóng / cắt
cơ khí Khi U, = —V, = L, ta nói khóa mở; khi U, = +V,, = H, ta nói
khóa đóng.
Up
về OP- a:
Hình b) là đặc tính truyền đạt lí tưởng khi OPAMP làm việc ở chế độ
khóa Điện áp vi sai Up là điện áp điểu khiển đóng / mở khóa.
Lúc Up rất âm, khóa OPAMP ở trạng thái mở với U, = —Vec=
L Khi Up tăng tới giá trị Us, (Ug > 0), thì khóa hoàn toàn
chuyển sang trạng thái đóng với U, = +Vec= H Vì vậy Ug, gọi
là ngưỡng đóng của khoá OPAMP.
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 33
Trang 35Khảo sát mạch tạo xung vuông và ting dung GVHD: Phan Thanh Van
* Lúc Up rất dương, khóa OPAMP ở trạng thái đóng Khi Up
giảm tới U„ thì khóa hoàn toàn chuyển sang trạng thái mở nên
Up gọi là ngưỡng mở.
Vùng AU trong đặc tính truyền đạt gọi là độ nhạy của khóa Đây là
vùng khóa OPAMP bắt đầu và kết thúc việc chuyển trạng thái đóng /
mở Một khóa lí tưởng có AU = 0 Muốn giảm AU ta phải chọn OPAMP
có hệ số khuếch đại vi sai Ap càng lớn càng tốt
Hình c) là đặc tính truyền dat thực tế của khóa OP-AMP vì sự
chuyển đổi qua lại giữa trạng thái đóng/mở của khóa không phải là tức thời mà cẩn có thời gian quá độ ten, gọi là thời gian đóng mở Một
thông số quan trọng quyết định te, là tốc độ xoay SR của khóa AMP Muốn giảm thời gian tạ„ của OP-AMP, phải chọn OP-AMP có
OP-tốc độ xoay SR lớn.Ví dụ vi mach pA 741 có SR=0,5V/us, nhưng loại
LM318 có SR=70V/us.
2 OPAMP khóa trong mạch so sánh tương tự:
Để minh họa nguyên lý hoat động của một OPAMP ở chế độ khóa,
ta cần tìm hiểu vé mach so sánh tương tự là loại mạch so sánh một điện
áp với điện áp chuẩn có độ lớn cho trước.
Theo cấu trúc, mạch so sánh tương tự chia làm hai loại:
s Mạch so sánh hở(còn gọi là mạch so sánh không trễ) Sơ đồ có
cấu trúc hở, không có sự phản hồi điện áp ở đầu ra về cửa vào
s Mach so sánh vòng kín(còn gọi là mach so sánh có trể hoặc trigơ
Smith) Sơ để có cấu trúc vòng kín, có sự phản hồi đương của điện
áp ở dau ra về cửa vào
Hình 2-I-a, e là hai sơ đổ căn bản của mach so sánh hở : Kiểu đảo
và không đảo U,, là điện áp chuẩn (còn gọi là ngưỡng) để điện áp
vào Ú, so sánh với nó.
——mm—r—s"m.
$SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 34
Trang 36Sơ 46 đảo b)
Sơ đồ và đặc tính truyén đạt của các mach so sánh hd aU
AU
= ApUp = +Uy, Tăng dan Uy cho tới khi Uy = Uy +7 (AU là độ
nhậy của mạch so sánh), thì điện áp ra Ur chuyển hoàn toàn sang
mức =Ù :
AU
U, = Ap-Up= Ap(Ua - Uy) = -Ap 9 = —Unn
Hệ số khuếch đại vi sai Ap của khuếch thuật toán rất lớn nên
độ nhậy AU chỉ khoảng vài chục pV Gần đúng coi AU = 0, mach sẽlật trang thái khi Up = 0, nghĩa là Uy = Uy Ta có đặc tính truyền dat
————— ——ễễ—————
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 35
Trang 37Khảo sat mạch tạo Xung VUÔNG và ung dung GVHD: Phan Thanh Van
U, (Uy) của mach so sánh đảo như ở hình b Nếu tiếp tục ting Uy
vượt qua ngưỡng U., thì U, cũng chỉ duy trì ở mức —U,, Bây giờ ta lại
giảm Uy Cũng lí luận tương tự, U, sẽ duy trì ở mức =U„ tới khi Uy =
AU
U¿,~ > (gan đúng coi Uy = U,„) thì mạch sẽ hoàn toàn lật sang mức
+U,, Nếu tiếp tục giảm Uy, điện áp ra U, vẫn duy trì ở +U,,.
Xét sơ đồ không đảo hình c ta thấy :
Up= Uy — Ug
Cũng lí luận như trên và coi AU = 0, ta có đặc tính truyền đạt
U, (Uy) của mạch so sánh không đảo như ở hình 2-1d.
e Mach so sánh hở có hai nhược điểm chính :
- Độ nhậy AU và thời gian lật trạng thái tạ„ của mạch không đủ
nhỏ khi có yêu cầu cao.
- Ngưỡng đóng U, và ngưỡng mở U,, của mạch so sánh là như
nhau và bằng Us, (Us = U„ = Ua) Do vậy mạch làm việc không ổn
định khi có tác động của nhiễu Ta hiểu ngưỡng đóng U, là ngưỡng
điện áp để mach so sánh chuyển từ trạng thái mở, ứng với U, = —Uyy,
sang trạng thái đóng với U, = +U¿, Vgưỡng mở U,, là ngưỡng điện áp
để mạch chuyển từ trạng thái đóng sang trạng thái mở.
Để khắc phục hai nhược điểm trên, người ta dùng mạch so
sánh có trễ thường gọi là trigơ Smith
2.2 Mạch so sánh có trễ (trigơ Smith):
Mạch có cấu trúc vòng kín với đường phản hồi dương nên thúc
đẩy nhanh qúa trình chuyển trạng thái; đặc tính truyền đạt có ngưỡng
mở và ngưỡng đòng phân biệt (Us # U„).
_—T._—ợ TTo ——-ssnsssnmni
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 36
Trang 38Khảo sát mạch tạo xung vuông và ứng dụng GVHD: Phan Thanh Vân
Sơ 46 đảo
R2
c)
Sơ đồ không đảo
Sơ dé và đặc tính truyền đạt của các triga Smith
Hình a, c là hai sơ đổ cơ bản của trigơ Smith dùng khuếch thuật toán :
Sơ đồ đảo và sơ đồ không đảo
e Xét sơ đồ trigơ Smith đảo ở hình a Ta thấy mạch có đường
phản hồi đương, với điện áp phản hỏi :
Trang 39Khảo sát mạch tạo xung vuông và wing dung GVHD: Phan Thanh Van
nên điện áp ra U, chỉ có thể mở mức =U„¿ hay +Vẹc Mặt khác nếu coi độ nhậy AU = 0, thì khi Uy = Up mạch sẽ lật trạng thái, chuyển từ
+Vec sang =U¿¿ hoặc ngược lại Nếu mach đang ở trạng thái đóng với
U, = +Vcc thì ngưỡng mở của mạch là :
R;
Um =U, | Ur=«Vec = +Up, R, +R: [2-1]
Khi mach đang ở trạng thái mở với U, = —U,, thì ngưỡng đóng
của nó là :
Ra
Un =Up| eevee = “Vee R +R, [2-2]
Như vậy ngưỡng đóng và ngưỡng mở của trigd Smith đảo tính
theo (2-2) và (2-1) là phân biệt nhau (bằng nhau về độ lớn nhưng
khác dấu) Đặc tính truyền đạt của trigơ cho ở hình 2-2b Ta thấy, khi
Uy < Ú„ trigơ ở trạng thái đóng với U, = +Vcc; tới khi Uy > U„, trigơchuyển sang trạng thái mở với U, = =Vcc Lúc này, để trigơ quay về
trạng thái đóng thì yêu cầu Uy phải bằng hoặc nhỏ hơn ngưỡng đóng
Ug.
se Xét trigơ Smith không đảo ở hình c Mạch có phản hồi dương
với điện áp phản hồi :
và nó sẽ lật trạng thái khi Up = 0 Đặc tính truyền đạt của trigơ
cho ở hình đ với ngưỡng đóng :
Trang 40Khảo sát mạch tạo xung vuông và ứng dụng GVHD: Phan Thanh Vân
,
Vv
Chương IV: MACH DON ON (MACH MONO STABLE)
Mach đơn ổn hay còn gọi là mach một trang thái bén( Mono Stable) là mạch
có một trạng thái bén và một trạng thái không bền Bình thường mạch tổn tại ở trạng thái bền Khi có xung kích khởi, mạch chuyển sang trạng thái
không bén và sau một khoảng thời gian nhất định, mạch tự động trở về trạng
thái ban đầu Thời gian mạch tổn tại ở trạng thái không bén có thể có bất kỳ
giá trị mong muốn nào trong một giới hạn rộng bằng cách chọn thời hằng
tương ứng, mà không phụ thuộc vào độ rộng xung kích khởi.
Mạch kiểu này được sử dụng để làm trễ một thời gian và thỉnh thoảng còn
gọi là máy phát trễ
Ví dụ: Bộ vi xử lý muốn truyền tín hiệu ra bên ngoài cho máy bên
ngoài để in một nội dung cần thiết nhưng vì động cơ bên ngoài khởi động
mất một thời gian nên sẽ chậm hơn tín hiệu xung truyền ra.Chính vì thế mà
bộ vi xử lý cần một tín hiệu xung truyền ra ngoài tré một thời gian, do đó sẽ
mắc thêm bộ dao động đa hài đơn ổn để làm trễ tín hiệu xung truyền ra ngoài Đó là ứng dụng của xung đơn ổn.
1 MACH DON ON DUNG TRANSISTOR BJT:
1 Sơ đồ mạch điện :
SVTH: Nguyễn Thị Thanh Hảo Trang 39