Mục tiêu thí nghiệm: Sử dụng phần mềm mô phỏng để khÁo sát đáp ứng tần số của mạch BJT ghép E chung... Tính toán lý thuyết để kiểm chứng các kết quả mô phông: 1... Cac thi ngiém kiểm chứ
Trang 1
DAI HaC BACH KHOA TP Ha CHI MINH
KHOA DIEN-DIEN TU MON MACH DIEN TU
BAO CAO THI NGHIEM
Khảo sát đáp ứng tần sệ của mach BJT
chép E chung
Thực hiện bởi: Lê Hiểu Nhân - 1911752
Trần Lĩnh - 1910314
Vo Tan Léch - 1913972
Link ghi các phiên google meet:
https://drive.google.com/file/d/1G88BdUAyYUMCUAVtVfADpN_n982Eg24d f/view ?usp=sharing
TP Ha CHI MINH, NAM 2021
Trang 2
I Giới thiệu chung:
1 Mục tiêu thí nghiệm:
Sử dụng phần mềm mô phỏng để khÁo sát đáp ứng tần số của mạch BJT ghép E chung
@ 12V
& Re
Cobext £ 1k¢
1kQ
May 100uF 2
phat V, Rn >
sông 5.6kQ
Q
Rey 22Q Ce
100uF
Repo
390Q
| | 2SD468 100u
H.2.6a- Mach khuéch dai ghép E chung không hỏi tiếp
» 12V
e
Rai
I8kQ $
R € | Máy Ik 100uF ©
Sóng ụ 5.6k©]
=
Ve
L Ry
>
22Q
S Re TL C E
F 39002 “Ƒ`100ur
H.2.6b- Mạch khuếch đại ghép E chung có hôi tiếp
Trang 32 Phan mém thi ngiém: LT spice:
3 Module thi nghiém: BJTLABSNO007
II Tính toán lý thuyết để kiểm chứng các kết quả mô phông:
1 Khảo sát DC (ệ chế độ DC, 2 mạch giệng nhau):
Áp dụng Thevenin cho mạch trên ta được
©t,1:+©JH18 +5.6
— —=—=427(koh
©i2omu SS Olin 2.85 (V) GiA st mach hoat déng 6 chế độ tích cực, @ƑŠs@=0.6(V), 8 = 130
Ta có:
1
=> @#,= 4.87 (mA) OF: = O19 EO: - OF o nO Fon
> @Bcem= 5.12 (V) > @ÏÄ¿@mscc >Đúng với giÁ thiết
> Điểm tĩnh Q(@‡&, : @JÄ¿@p) = [ 4.87 (mA) ; 5.12 (V)]
Trang 42 Độ lợi dãy giữa:
a) Đệi với mạch không hái tiếp (hình 2.6a):
Ở tân sô dãy giữa, bỏ qua Ảnh hưông của các tụ, ta có sơ đá tương đương tín hiệu nhỏ sau:
Ta có:
đ672&lm
©Ftom=8
y= - * Re // RL * = -60.98(V/V
Gv=-gm “Re RL” OR omer // OFigg + CFOS (VN) b) Déi voi mach cé hai tiếp (hình 2.6b):
Ở tần số dãy giữa, bỏ qua Ánh hướng của các tụ, ta có sơ đá tương đương tín hiệu nhỏ sau:
Trố kháng vào (nhìn từ Ri):
©Ees¿ = ©lferzu // l@ÏEfegi + ( P+1)@ Re: | = 1.94 (K ohm)
Độ IHi áp ộ tần số dãy giữa:
Gv = -gm * Re /RL*~— 295 Bios + ORORO Mom +O Fox = OF on = -20.8(V/V (
Trang 53 Xác đệnh các tần sệ cắt:
a) _ Đệi với mạch không hái tiếp (hình 2.6a):
@ E ving tan sé thap:
Ở tần số thấp, chỉ có các tụ C¡, Co, Ce Ánh hướng đến đáp ứng tần số của mạch Khi xét Ảnh hưông của Ï tụ ta ngăn mạch các tụ còn lại
_ Tân số cắt gây ra bởi tu Ci:
Íc¡= 1
2©El:@J1:c@®
Với RI = Ri + (@Jlepsu // @ÏFRegi) = 1.56 (K ohm)
>fq=1.02 (Hz)
_ Tân số cắt gáy ra bởi tụ Co:
1
2©El:©Ji2+co
Với R2 = Re + RL = 6.6 (K ohm)
> fco= 0.24 (Hz)
Íco= =
_ Tan so cat ao ra boi tu Ce:
10-798 2oBI:QR5.cc với R3 - R; / ÊÊ m r /OFn 1 QF eR.)
> fce= 146.9 (Hz)
Suy ra tần số cắt thấp:
Trang 6fL=fcit fce + feo = 148.16(Hz)
@ E ving tan sé cao:
Ở tân sô cao, chỉ có các tụ ký sinh Ảnh hưông đến đáp ứng tân số của mach (tl hướng dẫn yêu cầu không gắn tụ Cobext) Tir datasheet cua 2SD592 ta
c6 Cop = 22 (pF)
Theo thuyét Miller ta phan tach Co» thanh C1 và C2 như hình dưới:
V6i Cl =Con* (1+Gy) = 3.41*1029(F) C2 = Con* (141/Gy)
Trang 7Do (1+1/Gy) << (1+Gy) nén C2<<€CIl nên chỉ có C1 và Cgay anh hudng chH yếu
tội tần số cạt trên
Từ datasheet ta có:
@lBH
fr =200 (MHZ) => Se (Con +Co Et) = C@gI=145.53(pF)
Tần số cắt gây ra bối tụ C1 va Coy la:
_ 1
~ 2% (C1 +CO HB) « @FBCB
V6i Rtd = @/Fggy // Ri // Rin = 360 (ohm)
>Tan sé cat cao: fy= fc=124.2 (kHz)
fc
b) Déi voi mach cé hai tiép (hinh 2.6b):
@ Ê vùng tần sệ thấp:
Ở tần số thấp, chỉ có các tụ C¡, Co, Ce Ánh hướng đến đáp ứng tân sô của mạch Khi xét Anh hưông của l tụ ta ngăn mạch các tụ còn lại
_ Tan sô cắt gây ra bôi tụ CI:
Ci” 22m 2©Šlx:@FR1:c@#2
Với RI=Ri+[Ru//( @ƑFEeg + (B + 1)R+i)] =2.94(k ohm)
=> fci = 0.54 (Hz)
Trang 8_ Tân số cắt gây ra bối tụ Co:
2©El:©lE2+co
Với R2 = Re + RL = 6.6 (k ohm)
> fco= 0.24 (Hz) _ Tần số cắt gây ra bối tu Ce:
1
2©8I:©JR3xcc
Với R3=Rpz/(Rpi+- 9F 7" = LOO Re
Íce= =
=> fce= 48.8(Hz)
=> Tan số cắt dưới fL =fci + foo + fee =49.58(Hz)
@ E ving tan sé cao:
Ở tân sô cao, chỉ có các tụ ký sinh Ảnh hưông đên đáp ứng tân sô của mạch (tl hướng dẫn yêu cầu không gắn tụ Co:) Từ đatasheet của 2SD592 ta
có Cos= 20 (pF)
Theo thuyết Miller ta phân tách Co thành C1 và C2 như hình dưới:
Trang 9
CI= (I+|Av|) * Coo
C2= (1+1/|Av|) * Cop
V6i |Av| = |Vo/Vo| <em* Re//RL * ——2 Bee = 31
(B+DOF emit OF ex -
— 0H omrronmori ©/E3c@si
Áp đHng phương pháp thội hạng hộ mạch:
R[I là trộ tương đương nhìn từ CI:
RI =Ri// Ru//[(B + D@ÏERem: + ©fegj] =660(ohm)
R[I là trộ tương đương nhìn từ C2:
R2=Re // RL = 848.5 (ohm) R3 là trộ tương đương nhin tir C@ HI:
R3= @iezi // [Ri // Ru+ (B + I)@ em: l = 565 ( ohm)
=> fu= on / 2B = 297.974 (kHz)
Trang 10Ill Cac thi ngiém kiểm chứng:
1 Khảo sát điểm phân cực tĩnh:
Tiến hành lắp mạch mô phồng:
Trang 11
Kết quả mô phông:
[& * E\BAO CAO MDT\DOPHANCUCBIT asc
Vv(nc 05)
v(nc 09)
V(nc_08)
V(nc_11)
V(nc 15)
V(nc 16)
0.00481581 3.71323e-005
-0.00534023
0.00477868
voltage
voltage
device current
device_current
device current
H x É h »
H * E h a ~
Im(ul:11):
wee feet te
0.000561549 1.12906e-029
°
subckt_current subckt_current -2.52498e-O14 subckt_current
subckt_current
subckrt_current
subckt cutrent
+ mm
[2F * E\BAO CAO MDT\DOPHANCUCBIT.ase
- Operating Point -
V(nc_14):
V(nc_13) :
V(n003) :
V(n001) :
V(nc 02)
V(n002) :
V(nc_ 03):
v(nc_04) :
V(nc_ O5):
v(nc_09) :
V(nc 07):
V(nc_08) :
V(nc 11) :
V(nc 12) :
V(nc 16) :
V(n004) :
V(nc_19) :
V(nc 20):
6.74345
0075
- 70075
2.72775e-009 2.7277Se-009
6.74345
0
§ " ; Q ®
< ° B a Q 0
2.0865 1.97208
0 voltage
ˆ^ mAA¬=
Từ kết quÁ mô phỏng trên ta xác định được:
Ic=I(Ac)=0.00478 (A)
Ib=I(Ab)=3.71*1025 (A)
B = Ic/Ib=128.84
@)Bco@m= V(c) - Vie) = 4.66 (V)
=> Qic ; @/Acess) = [0.00478(A) ; 4.66(V)]
Trang 122 Khảo sát độ lợi áp tại tần sệ dãy giữa:
a) _ Mạch mô phỏng để khảo sát độ lợi dãy giữa hình 2.6a trong tài liệu hướng dẫn (mạch ghép E chung không hái tiếp):
LAA, Li LAA, NAA
FEEE - BEE
C&M LAB S/N BITLABSNDO7
2SD592 /2
25D592/1 Ke
Kết quả mô phỏng:
V(in)
§74.98818I1s,313.22246mV
Trang 13
Từ kết quÁ mô phỏng trên ta xác định được:
Vout pp = 313.22 - (-317.16) =630.28 (mv)
Vin p-p= 10 (mv)
=> Độ lợi day gitta Gy = -(Vout p-p/Vin p-p )= -63.028 (V/V)
b)_ Mạch mô phỏng để khảo sát độ lợi dãy giữa hình 2.6b trong tài liệu hướng dẫn (mạch ghép E chung có hái tiếp):
.tran 1m vi
SINE(0 5m 10k)
2SD592/3
ae
Trang 14
Kết quả mô phỏng:
V(in)
V(out)
975,33888ys,101.10742mVv
924.92271 us,-100,61369mV
Từ kết quÁ mô phỏng trên ta xác định được:
Vout pp = L00.11 - (-100.81) =201.92 (mv)
Vinp.p= l0 (mv)
=> Độ loi day gitta G, =- (Vout p-p/Vin pp ) = -21.192 (V/V)
Trang 15
3 Khảo sát đáp ứng tần sệ:
a) Mạch mô phỏng để khảo sát đáp ứng tần sệ của hình 2.6a trong tài liệu hướng dẫn (mạch ghép E chung không hái tiếp):
vi .„ac dec 100 1 1G
3
2m /2
my
Trang 16
Kết quả mô phỏng:
V(out)/V(in)
§.020303KHz,36.052414dB
Từ kết quÁ mô phỏng, ta xác định được:
Tần số cắt thấp :147,19 Hz
Tân số cắt cao :136,47 Khz
Độ lợi dãy giữa: 36.05 (dB) =63.46(V/V) (xấp xỉ độ lợi dãy giữa ô phần 2)
Trang 17b) Mạch mô phỏng để khảo sát đáp ứng tần sé của hình 2.6b trong tài liệu hướng dẫn (mạch ghép E chung có hái tiếp)
VCC
.ac đec 100 1 1G | V7 >
L-
=
INE()
E
R23
R21 FEEE - BEE
C&M LAB 25D592/3
Qi
25D592/1 Ko
š c2 R9 R11 3
LÒ
Trang 18
Kết quả mô phỏng:
354B V(out)/V(in) 60°
B.5529728KHz,26.135412dB 28dB- 49.782911Hz,23.119263đB 403.49617KHz,23.126099dB r 790° 21dB- -120° 14dB- \ -150° 7dB- I + F-180° 0dB- F-210° -7dB- 240°
-21dB- F-300° -28dB- F-330°
-42dB T T 1 1 1 1 -390° 1Hz 10Hz Từ kết quÁ mô phỏng, ta xác định được: 100Hz 1KHz 10KHz 100KHz 1MHz 10MHz 100MHz 1GHz
Tần số cắt thấp :49.8 Hz Tần số cắt cao :403.5 Khz D6 loi day gitra: 26.14 (dB) = 20.27(V/V) (xấp xỉ độ lợi dãy giữa ô phần 2)
Trang 19IV Kết luận chung:
_ Kết quÁ mô phỏng gần đúng với kết quÁ lý thuyết _ Khi đưa ngõ vào có tần số càng thấp hơn tần số cắt thấp hoặc càng cao hơn tần số cắt cao, ngõ ra sẽ có biên độ tiến dần về 0 (do độ lợi tiến dần về 0)
_ Mạch có hái tiếp có khoÁng tần số dãy giữa rộng hơn mạch không hái tiếp
1
2
3
4