báo cáo đồ án ii llc converter

B sộ ạc nằm bên trong xe điện, liên kết giữa Pin và lưới điện, bộ sạc cho phép người dùng có th ểsạc xe b t kở ấ ỳ đâu, hoạt động với dải điện áp phổ biến 85Vrms– 265Vrms với công suất d

MỤC LỤC

TÓM T ẮT ĐỀ TÀI 4

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN V B ONBOARD CHARGER VÀ B Ề Ộ Ộ LLC 5

1 Đặ ấn đề 5 t v 2 C u trúc và thông s k thu t c a b ấ ố ỹ ậ ủ ộ OBC 7

3 Lý do ch n b ọ ộ LLC 7

4 C u trúc m ấ ạch lực 9

5 Chuyển mạch m m ZVS ề 9

CHƯƠNG 2: LUẬT PHÁT XUNG PFM VÀ QUÁ TRÌNH CHUY N M Ể ẠCH TRONG BỘ BIẾN ĐỔI 12

1 Ý tưởng tạo xung PFM 12

2 Mô ph ng phát xung ỏ 12

3 Deadtime 14

4 Quá trình chuy n m ể ạch 15

CHƯƠNG 3: THÔNG SỐ TÍNH TOÁN VÀ THI T K Ế Ế Ộ B BIẾN ĐỔI LLC 18

1 Thông s tính toán ố 18

2 Các bướ c thi t k ế ế 19

2.1 Bộ Fullbridge 19

2.2 Bộ Halfbridge 21

3 Tính ch n m ch l c ọ ạ ự 22

3.1 Bộ Fullbridge 22

3.1.1 L a ch n t c ự ọ ụ ộng hưởng 23

3.1.2 L a ch n cu n c m c ự ọ ộ ả ộng hưở ng 24

3.1.3 L a ch n van Mosfet và Diode ự ọ 25

3.2 Bộ Halfbridge 27

3.2.1 L a ch n t c ự ọ ụ ộng hưởng 27

3.2.2 L a ch n cu n c m c ự ọ ộ ả ộng hưở ng 28

3.2.3 L a ch n van Mosfet và Diode ự ọ 29

CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG VÒNG H CHO CÁC B Ở Ộ BIẾN ĐỔI LLC FULLBRIDGE VÀ LLC HALFBRIDGE 31

1 Bộ biến đổi LLC Fullbridge 31

2 Bộ biến đổi LLC Halfbridge 34

3 So sánh b bi ộ ến đổi LLC Fullbridge và LLC Halfbridge 36

CHƯƠNG 5: TỔN HAO TRÊN B Ộ BIẾN ĐỔ I LLC 37

1 T n hao trên mosfet ổ 37

1.1 Tính toán t n hao chuy n m ổ ể ạch 37

1.2 Tính toán t n hao d ổ ẫn 38

2 T n hao trên diode th c p ổ ứ ấ 40

2.1 T n hao truy n d ổ ề ẫn 40

2.2 Tổn hao đóng cắt 41

CHƯƠNG 6: KẾT LUẬN 42

TÀI LI U THAM KH Ệ ẢO 43

TÓM T ẮT ĐỀ TÀI

V i s phát tri n nhanh chóng cớ ự ề ủa n n công nghiề ệp xe điện hiện nay, tầm quan tr ng cọ ủa b s c trên xe (Onboard Charger) là r t lộ ạ ấ ớn B sộ ạc nằm bên trong xe điện, liên kết giữa Pin và lưới điện, bộ sạc cho phép người dùng có th ểsạc xe b t kở ấ ỳ đâu, hoạt động với dải điện áp phổ biến (85Vrms– 265Vrms) với công suất danh định trong phạm vi 1.5kW đến 22kW

Trong c u trúc Onboard Charger, bấ ộ LLC đóng vai trò rất quan tr ng B ọ ộLLC cho phép điều chỉnh dải điện áp đầu ra rộng, cách ly điện áp đầu vào với điện áp đầu ra, cho phép các van đóng cắt mềm do đó tối đa hóa hiệu su t làm ấviệc của cả bộ sạc

Do đó, trong nội dung đồ án 2, chúng em đưa ra vị trí, cấu trúc, phương pháp thi t k cho b LLC và các vế ế ộ ấn đề ầ c n giải quy t xung quanh bế ộ biến đổi này

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN V B Ề Ộ ONBOARD

Đặc điểm: Lấy nguồn AC 1 pha từ ới, tốc độ sạc chậm hơn nhiều so với phương lưpháp sạc từ nguồn DC từ các trụ sạc Nhưng được tích hợp ngay trên xe thuận tiện cho việc sử dụng ở mọi lúc, mọi nơi

Hình 1.2: “BorgWarner best-in-class power density” 1 phase 7.4kW – 3 phase 11kW/22kW

Vì vậy mục tiêu khi thiết kế Onboard Charger không chỉ dừng lạ ở việc đạt hiệu i suất cao, mà còn phải xem xét tới kích thước và khối lượng cũng như độ bền, giá thành hợp lí do bộ OBC được đặt trực tiếp trên xe

Công suất của các bộ OBC

Hình 1.3 Công suất các b OBC ộ

Bộ OBC 3.3kW đượ sử dụng trong các loại xe điện cỡ nhỏ Mini e-car và c các dòng xe lai điệ HEV, PHEVvới dung lượng pin nhỏ từ 3-20kWhn

Bộ OBC 6.6kW và 11kW được sử dụng trong các xe thuần điệ có dung n lượng pin lớn hơn trong khoảng từ 20-100kWh để giảm thời gian sạc của

2 Cấu trúc và thông số k thu t cỹ ậ ủa bộ OBC

Hình 1.5 C u trúc b OBC ấ ộ

Thông s k thu t c a b OBC ố ỹ ậ ủ ộ

Công suất định mức: 3.3kW

Dải điện áp vào 180 - 240VAC

Tần s c a ố ủ điện áp đầu vào: 43 - 67Hz

Dải điện áp ra: 270 - 465 VDC

Hiệu suất: 92 %

3 Lý do ch n bọ ộ LLC

Hoàn c nh l ch s : C u trúc b chuyả ị ử ấ ộ ển đổ ộng hưởng LLC được phát minh l n i c ầđầu tiên vào năm 1988, nhưng do điều khiển ph c t p, t n sứ ạ ầ ố đóng cắt các van lớn và thi t k tham s ế ế ố phức t p nên nó không nhạ ận được đủ s ự quan tâm và cũng không được sử dụng nhiều trong các ng d ng th c t trong m t thứ ụ ự ế ộ ời gian dài Sau này với s phát tri n và hoàn thiự ể ện của các bộ điều khi n, s phát tri n v ể ự ể ề

mặt công ngh của các van bán d n ệ ẫ như SiC, GaN giúp chúng có thể hoạt động

ở tần s ố đóng cắt lớn thì b ộ biến đổi LLC m i nh n lớ ậ ại được sự quan tâm và được

áp d ng vào trong các thi t b có mụ ế ị ật độ công su t cao ấ

Hình 1.6 Thông s , m ch l c c a b ố ạ ự ủ ộ LLC đầu tiên

Ưu điểm của b LLC: ộ

Cho dải điện áp đầu ra rộng, cách li điện áp đầu vào

Hiệu suất cao với chuy n mể ạch mềm ZVS ở sơ cấp và ZCS phía thở ứ c p ấNhược điểm của b LLC: ộ

Hoạt động t n s cao s gây biở ầ ố ẽ ến đổ ại d ng sóng, làm mất tính năng đạt chuyển m ch mạ ềm

Có 3 vùng làm việc: dưới tần số cộng hưởng, t n s cầ ố ộng hưởng và trên tần s cố ộng hưởng, dẫn đến việc khó điều khiển

Để van đạt ZVS khi mở, điện áp VDS trên van ph i bả ằng 0 trước khi van mở ra

Để đưa điện áp trên van v 0 c n tề ầ ạo dòng ngược ch y qua van thông qua diode ảmắc ngược Dòng điện cần đủ ớn để ạp đầ l n y tụ điện ký sinh trên van trước khi chảy qua diode

Đồ ị th được chia làm 3 vùng b ng 2 t n s cằ ầ ố ộng hưởng khi có Lm và L tham gia s

cộng hưởng (f1) và ch có Lỉ s tham gia cộng hưởng (f ) [1] 2

Hình 1.10 Vùng 1, trên t n s c ầ ố ộng hưởng

- Vùng 1: chỉ đạ ZVS trên van sơ cấp, không có ZCS trên diode thứ cấp t

Ở vùng này, việc giảm tổn hao năng lượng vẫn khá t t do hố ầu như tổn hao đều ở trên van phía sơ cấp Tuy nhiên van phải làm việc ở tần s lố ớn

Hình 1.11 Vùng 2, dưới tần s c ố ộng hưởng

- Vùng 2: đạ ả ZVS trên van sơ cấp và ZCS trên diode thứ cấp t c

Ở vùng này, việc giảm tổn hao năng lượng là tối ưu nhất, c n thi t k sao cho van ầ ế ếhoạt động nhi u nh t trong vùng này ề ấ

- Vùng 3: chỉ đạt ZCS trên van sơ cấp

Ở vùng này, tần s ố đóng cắ ủt c a mạch bé hơn tần s cố ộng hưởng khi có Lm cùng tham gia cộng hưởng Khi đó Zc= 1

𝜔𝑐 > Z= 𝜔(Ls+Lm), điều này dẫn đến m ch LLC ạ

có tính dung kháng, dòng điện không thể duy trì sau khi điện áp v 0 Khi van ềhoạt động trong vùng này, ở phía sơ cấp vẫn giảm đượ ổn hao do đạc t t ZCS Tuy nhiên trong quá trình đóng cắt, van ph i chả ịu dòng ngược r t l n, d gây h ng ấ ớ ễ ỏvan

Để đả m b o quá trình thi t k van luôn làm viả ế ế ệc ở vùng 1 và 2 thì khi xây d ng ựvòng kín, với mỗi điện áp đầu ra ta s ẽ thu được 2 nghiệm là t n s ầ ố đóng cắt tương ứng Lúc này cần lấy t n s lầ ố ớn hơn đưa và điều khiển van để van luôn đạt được điều ki n ZVS( do n a bên ph i cệ ử ả ủa đồ thị luôn n m trong vùng 1 và 2 ằ

CHƯƠNG 2: LUẬT PHÁT XUNG PFM VÀ QUÁ

1 Ý tưởng tạo xung PFM

- Trong b LLC, ộ điện áp đầu ra thay đổi bởi tần số đóng cắ ủa van phía sơ t ccấp Vì thế cần điều khiển được tần s ố đóng cắ ủa van để điều khiển điện t c

áp đầu ra mong muốn

- Ý tưởng tạo xung răng cưa với tần số điều khiển được:

Để tạo xung PFM v i t n sớ ầ ố thay đổi và dutycycle không đổi, cần co dãn được trục hoành của xung răng cưa trong khi giữ nguyên độ cao của đỉnh xung

Hình 2.1 Ý tưởng tạo xung răng cưa

Để tạo xung răng cưa, cộng dồn các giá tr G l i vị ạ ới nhau cho đến khi đạt giá trị đỉnh xung, sau đó reset xung về 0

Nguyên lý tạo xung răng cưa là cộng d n các giá trồ ị đầu vào(G) để ạo sườ t n lên cho xung Do đó nếu ta tăng giảm giá trị đầu vào đồng th i gi nguyên giá tr ờ ữ ịđỉnh xung thì s lố ần cộng d n trong 1 xung s ồ ẽ thay đổi theo C ng vộ ới việc tần s ốtrích mẫu và cộng d n là c nh, tr c hoành cồ ố đị ụ ủa xung răng cưa sẽ co dãn hay t n ầ

số xung răng cưa sẽ thay đổi

Với G là h s khuệ ố ếch đại điện áp c a b ủ ộ

2 Mô phỏng phát xung

Kịch b n mô phả ỏng:

Tín hiệu điều khi n là tín hiể ệu có dạng sin : U = 1 + 0.6 sin(50t) Udk dkmax = 1.6,

Udkmin = 0.4

Mô ph ng phát xung trên Matlab: ỏ

Hình 2.2 Sơ đồ mô ph ng phát xung trên Matlab ỏ

- Khối trigger: m b o tín hiđả ả ệu đầu vào không thay đổi trong 1 chu kỳ phát xung N u tín hiế ệu điều khi n bể ị thay đổi trong 1 chu kỳ xung, d ng ạ sườn xung tam giác sẽ không còn là đường thẳng gây khó khăn trong việc xác định dutycycle

- Khối delay(1𝑍): trích mẫu tín hiệu đầu vào, c ng d n các tín hiộ ồ ệu đó cho đến khi đạt đỉnh xung

- Khối reset counter: g i tín hiử ệu reset đầu ra v b ng 0 sau khi xung tam ề ằgiác đạt đỉnh đồng thời g i tín hi u cho khử ệ ối trigger để lấy giá trị đầu vào mới

Hình 2.3 Kết quả mô ph ng d ng xung ỏ ạ

3 Deadtime

Để đả m bảo điều ki n ZVS khi mệ ở van phía th cở ứ ấp Cần đảm bảo có đủ thời gian cho dòng ngược nạp đầy tụ ký sinh trên van trước khi chảy qua diode mắc ngược và đưa điện áp trên van v b ng 0 Kho ng thề ằ ả ời gian này được gọi là deadtime

Hình 2.4 Phát xung cho các van

Giữa thời điểm ng t xung phát cho 1 c p van và c p xung m c p van còn lắ ặ ấ ở ặ ại, tạo khoảng deadtime đủ cho dòng ngược nạp đầy tụ ký sinh

Điều ki n để đảệ m bảo điều ki n ZVS: ệ

Để đạt điều kiện ZVS, năng lượng đi qua 2 cuộn c m cả ần đủ để nạp năng lượng cho t ký sinh trên van ( t gi a c c D và S) ụ ụ ữ ự

1

2𝑖𝑚_𝑝𝑒𝑎𝑘2 (𝐿𝑚+ 𝐿𝑠) ≥1

2𝑉𝑖𝑛2(2𝐶𝑜𝑠𝑠)

Td ≥ 16 ∗ 𝐶𝑒𝑞∗ 𝑓𝑠𝑤∗ 𝐿𝑚Với: 𝐶𝑜𝑠𝑠 : t ký sinh trên van ụ

Từ t1 2-t : Cuối trạng thái 1, i = iLm Ls Do đó, dòng điện qua bi n áp b ng 0, ế ằ

Diode D1,D4 khóa khi dòng điện bằng 0 do đó đạt chuyển m ch mạ ềm ZCS

Từ t2 3-t : Van Q1,Q4 đóng Dòng điện phía sơ cấp vẫn giữ nguyên chiều cũ, nạp cho t ký sinh trên Q1,Q4, x t ký sinh trên Q2,Q3 ụ ả ụ Đây là khoảng thời gian

Hình 2.5.2: Quá trinh chuy n m ể ạch từ t1-t2

Hình 2.5.3: Quá trinh chuy n m ể ạch từ t2-t3

deadtime nhằm đưa điện áp trên Q2,Q3 v 0 khi mề ở van.Khoảng thời gian này

thường rất nhỏ so với 1 chu k vì tỳ ụ ký sinh bé

Từ t3 4-t : Sau khi các tụ được nạp xả xong, dòng điện ngay lập t c chứ ảy qua các

diode ngược trên van Q2,Q3 tạo điều kiện ZVS khi m van ở

Từ t4 5-t : Van Q2,Q3 mở, năng lượng truy n qua phía th c p thông qua diode ề ứ ấ

D2,D3 Điện áp trên Lm b ghim bị ởi điện áp sơ cấp, dòng qua Lm giảm tuyến

tính

Hình 2.5.4: Quá trinh chuy n m ể ạch từ t3-t4

Hình 2 5.5 Quá trinh chuyển mạ ch t t4-t5 ừ

CHƯƠNG 3: THÔNG SỐ TÍNH TOÁN VÀ THIẾT

KẾ BỘ BIẾN ĐỔI LLC

1 Thông số tính toán

fres = 200 kHz

Po_rated = 3.3kW

Kload = 1 Chú thích

𝜔 Tỉ s gi a t n s chuy n m ch và t n s cố ữ ầ ố ể ạ ầ ố ộng hưởng

√( 𝑚 + 1) × 𝜔 − 1( 2 )2+ 𝜔 × (𝜔 − 1)2 × 𝑚 × 𝑄2 2 2 2

Hình 3 1 Các bước thiết kế

Kết qu mô phả ỏng

Đầu tiên ta cần ch n m v a ph i không lọ ừ ả ớn quá cũng không nhỏ quá vì: Khi m nhỏ, đường đặc tính gain sẽ cao hơn, dả ầi t n s hố ẹp hơn, khó thiết kế hơn Khi m lớn, độ cảm từ hóa cao hơn ẫn đếd n dòng từ hóa thấp hơn, hiệu suất cao hơn nhưng dả ần s lại rộng hơn ẫn đế khó điềi t ố d n u ch nh và ch n lỉ ọ ựa hơn, nhưng tăng hiệu quả tạo ZVS

Hình 3.2 Đă c ti nh hê số biến đô i điê n a p khi m = 9

Hình 3.3 Đă c ti nh hê s bi ố ến đô i điê n ap khi m = 4

Do đó ta chọn m = 4, v i m = 4 ta sớ ẽ tiế ụp t c chọn hệ số chất lượng Q sao cho đường đồ thị thỏa mãn cắ ảt c Gdc_min, Gdc_max và có độ dốc nhỏ, nằm ở phía bên phải nhi u nhề ất có thể => chọn Q = 0.5

Hình 3.5 Đồ thị dòng điện t có th ụ ể chịu đự ng ng v ứ ới các t n s khác nhau ầ ố

- Từ đồ thị do hãng KEMET cung c p có thấ ể thấy:

Dòng điện mà t có thụ ể chịu đựng không vượt quá 10A nên ta ph i ch n nhiả ọ ều

tụ Film m c song song v i nhau ắ ớ

Ở khoảng t n s 150kHz-ầ ố 400kHz dòng điện mà t có thụ ể chịu đựng không chênh l ch nhau quá lệ ớn.

Hãng cũng cung cấp 1 bảng cho th y các giá tr dấ ị òng điện mà t có thụ ể chịu đựng được ở tần số 100kHz

- Ta ch n 4 tọ ụ 0.01𝜇𝐹 v ới:

Điện áp AC chịu đựng 700 VAC ( do khi điện áp chịu đựng tăng thì dòng điện tối đa đi qua tụ cũng tăng)

Tổng điện dung 0.04𝜇𝐹( thiết kế là 0.0405𝜇𝐹)

Tổng dòng điện chịu đựng 10.4A( tính toán là 9.13A)

Nhập dữ liệu vào excel để thực hiện tính toán

Hình 3.7 Tính toán các thông s b ng excel ố ằ

- Thông số cuộn c m cả ộng hưởng sau tính toán

Dong điê n xung qua van: 𝐼𝐷_𝑝𝑢𝑙𝑠𝑒 = 90A Điê n áp đong mơ van: 𝑉𝐺𝑆 = -8/+19V

=> Số lượng: 4 van

Hình 3.8 Van mosfet C3M0065090D c a h ủ a ng CREE

Diode

Điện áp ngược max: 𝑉𝑅𝑅𝑀> 𝑉𝑑

Dòng điện qua van:

𝐼𝐷_𝑅𝑀𝑆> 𝐼𝑑

Lựa ch n diode IDV15E65D2 cọ ủa hang Infineon với các thông s sau: ốĐiện áp ngược lớn nhất trên diode 𝑉𝑅𝑅𝑀= 650𝑉

Điện áp thuận max: 𝑉𝐹= 2.2𝑉

Dong điê n d n tâ ôi đa qua diode: 𝐼𝐷=15A

Dong điê n xung qua diode: 𝐼𝐷_𝑝𝑢𝑙𝑠𝑒 = 45A

=> Số lượng: 4 diode

Hình 3.9 Diode IDV15E65D2 của ha ng Infineon

𝐼𝐿𝑚= 0.901 ∗ 𝑛𝑉0

𝜔𝐿𝑚= 12.86 Giá trị dòng điện cộng hưởng RMS:

𝐼𝑟= √𝐼𝑜𝑒2 + 𝐼𝑚2 = 18.26A Giá trị dòng điện RMS phía thứ cấp:

𝐼𝑜𝑒_𝑠= 𝑛 ∗ 𝐼𝑜𝑒=6.48A Điện áp qua diode:

Hình 3.11 Thông s t c ố ụ ủa hãng KEMET

- Ta ch n 3 tọ ụ 0.047𝜇𝐹 và 1 tụ 022𝜇𝐹 v 0 ới:

Điện áp AC chịu đựng 700 VAC ( do khi điện áp chịu đựng tăng thì dòng điện cũng tăng)

Tổng điện dung 0.163𝜇𝐹( thiết kế là 0.162𝜇𝐹)

Tổng dòng điện chịu đựng 23.3A( tính toán là 18.26A)

Hình 3.13 Tính toán các thông s b ng excel ố ằ

- Thông số cuộn c m cả ộng hưởng sau tính toán

Dong điê n xung qua van: 𝐼𝐷_𝑝𝑢𝑙𝑠𝑒 = 90A

Điê n áp đong mơ van: 𝑉𝐺𝑆 = -8/+19V

=> Số lượng: 4 van

Hình 3.13 Van mosfet C3M0065090D c a h ủ a ng CREE

Diode

Điện áp ngược max: 𝑉𝑅𝑅𝑀> 𝑉𝑑

Dòng điện qua van:

𝐼𝐷_𝑅𝑀𝑆> 𝐼𝑑

Lựa ch n diode IDV15E65D2 cọ ủa hang Infineon với các thông s sau: ốĐiện áp ngược lớn nhất trên diode 𝑉𝑅𝑅𝑀= 650𝑉

Điện áp thuận max: 𝑉𝐹= 2.2𝑉

Dong điê n d n tâ ôi đa qua diode: 𝐼𝐷=15A

Dong điê n xung qua diode: 𝐼𝐷_𝑝𝑢𝑙𝑠𝑒 = 45A

=> Số lượng: 4 diode

Hình 3.14 Diode IDV15E65D2 c a h ủ a ng Infineo

CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG VÒNG HỞ CHO CÁC

Các k t qu mô ph ng c a bế ả ỏ ủ ộ biến đổi LLC fullbridge

Hình 4.1 Dạng dòng điện cộng hưởng, dòng điệ , điệ n n áp qua van

Dong điê n cô ng hương đươc hiên thi  la đương mau đo, nhâ n th y dâ ong điê n co da ng sin Dong điê n qua van la đương màu xanh dương, điê n áp qua van la đương mau t m, i thời điểm van sơ cấp mở, dòng điện qua van bé hơn 0 và có giá trị khá lớn(𝐼𝑝𝑒𝑎𝑘~10A) Điều này đảm bảo điều kiện ZVS trên van

1

𝑖2 (𝐿𝑚+ 𝐿𝑠) = 3.9 ∗ 10−4≥1 𝑉2(2𝐶 ) = 1.05 10∗ −5

Hình 4.2 Dạng dòng điện qua điện c m c ả ộng hưởng, điện c m t ả ừ hóa và dòng điện qua t ụ

Da ng dong điê n qua điê n cam cô ng hương (mau xanh lá) va dong điê n tư hoa (mau xanh dương) như hinh 5.2 Nhận thấy dòng điện từ hóa tăng chậm hơn dòng điện cộng hưởng và đúng theo như lý thuyết

Hình 4.3 Dòng điện chỉnh lưu qua diode và điện áp ngược trên diode

Dòng điện trên diode gi m v không ả ề trướ khi điện áp trên van tăng dầc n, vì v y ậdiode chỉnh lưu đạt được chuy n m ch mể ạ ềm ZCS

Hình 4.4 Điện áp qua các ph n t m ầ ử ạch l c ự

Điện áp qua tụ điện cộng hưởng có d ng hình sin ạ được hiển thị là đường màu đỏ, điện áp qua cu n c m t hóa có d ng xung vuông ộ ả ừ ạ được hi n thể ị là đường màu xanh dương và điện áp phía sơ cấp có dạng xung vuông được hiển thị là đường màu xanh lá

Hình 4.5 Điệ n áp, công su ất và dòng điện đầu ra khi t n s chuy ầ ố ển m ch ạ đạt 200kHz

Điện áp đầu ra được hiển thị là đường màu xanh dương, công suất đầu ra được hiển thị là đường màu đỏ, dòng điện đầu ra được hiển thị là đường màu tím Khi

mô ph ng vòng h t i t n s chuyỏ ở ạ ầ ố ển mạch 200kHz, điện áp đầu ra t 400Vđạ , công suất đầu ra là 3300W và dòng điện đầu ra đạt 8.25A Tuy nhiên, do chưa có các bộ điều khiển nên các giá trị về dòng điện, điện áp và công su t v n còn b ấ ẫ ịquá độ lớn Khi th c hiứ ện t i các d i t n s chuy n mạ ả ầ ố ể ạch khác thì b ộ biến đổi v n ẫchưa bám theo các giá trị định mức

Thực hiện mô phỏng t i nh ng d i t n s khác nhau ta có k t qu ạ ữ ả ầ ố ế ả: