Transistor FET (Field Effect Transistor)
JFET
1.1.1 Đặc tuyến ra của JFET
Hình 1 Mạch đo đặc tuyến ra của JFET
Số liệu đo được và đặc tuyến vẽ trên excel:
Hình 2 Đặc tuyến ra của JFET
1.1.2 Đặc tuyến truyền đạt của JFET
Hình 3 Đặc tuyến truyền đạt JFET
D-MOSFET
1.2.1 Đặc tuyến ra của D-MOSFET
Hình 4 Mạch đo đặc tuyến ra của D-MODFET
Hình 5 Đặc tuyến ra của D-MOSFET
1.2.2 Đặc tuyến truyền đạt của D-MOSFET
Hình 6 Đặc tuyến truyền đạt của D-MOSFET
E-MOSFET
1.3.1 Đặc tuyến ra của E-MOSFET
Hình 7 Mạch đo đặc tuyến ra của E-MOSFET
Hình 8 Đặc tuyến ra của E-MOSFET
1.3.2 Đặc tuyến truyền đạt của E-MOSFET
Hình 9 Đặc tuyến truyền đạt của E-MOSFET
Các phương pháp phân cực
Từ mạch mô phỏng JFET 2N5452 ta xác định được IDSS = 3.3 mA (cho UGS=0); Up=-2V.
1.4.1 Phân cực bằng điện áp cố định
Hình 10 Mạch phân cực bằng điện áp cố định
Theo thông số đo được trên Multisim và thông số tính toán theo lý thuyết ta có điểm làm việc tĩnh Q (Các thông số như ở mạch mô phỏng trên): Đại lượng Lý thuyết Mô phỏng
IDQ(mA) = IDSS(1-UGS/UP)2=3,3*(1+1/2)^2=0,825 0,984
Hình 11 Điểm làm việc tĩnh Q của mạch phân cực bằng điện áp cố định
Nhận xét: Giá trị trên lý thuyết và giá trị mô phỏng gần bằng nhau, chênh lệch không đáng kể.
Hình 12 Mạch tự phân cực JFETCách tính UGS như sau, áp dụng ta tính được với các số liệu trong mạch thì UGS=-0.94V
Theo thông số đo được trên Multisim và thông số tính toán theo lý thuyết ta có điểm làm việc tĩnh Q: Đại lượng Lý thuyết Mô phỏng
Hình 13 Điểm làm việc tĩnh Q của mạch tự phân cực
1.4.3 Phân cực bằng phân áp
Hình 14 Mạch phân cực bằng phân áp JFET Cũng áp dụng tính UGS như trên, nhưng với c=RS*IDSS-UG.
UG =(EDS*R2)/(R1+R@)= 5(V) Từ đó tính được UGS = -0.22V.Theo thông số đo được trên MULTISIM và thông số tính toán theo lý thuyết ta có điểm làm việc tĩnh Q: Điểm làm việc tĩnh Q (Mạch phân cực bằng phân áp) Đại lượng Lý thuyết Mô phỏng
IDQ(mA) = (UG - UGS)/RS = 2,61 2,604
Hình 15 Điểm làm việc tĩnh Q của mạch phân cực bằng phân áp
1.4.4 Phân cực bằng hồi tiếp điện áp
Hình 16 Mạch phân cực bằng hồi tiếp điện áp
Dựa vào datasheet của E - MOSFET 2N7000G ta được: UT=2V; IDon 0.2A; UGSon = 4.5V Từ đó tính được K IDon/(UGSon - UT)^2=0,032(A/V^2) Điểm làm việc tĩnh Q Đại lượng Lý thuyết Mô phỏng
Ứng dụng OP-AMP
Mạch khuếch đại đảo
Hình 17 Sơ đồ mạch khuếch đại đảo -Sử dụng: LM 358AN
2.1.2 Kết quả lý thuyết và mô phỏng:
Hình 18 Đồ thị đo mạch khuếch đại đảo Bảng 1: Số liệu U vào và U ra theo lý thuyết và mô phỏng t(s) Uvlt(V) Urlt(V) K lt Uvmp(V) Urmp(V) Kmp
Nhận xét: Số liệu mô phỏng có sai số không đáng kể so với lý thuyết, lý thuyết được chứng minh.
Mạch khuếch đại không đảo
Hình 19 Sơ đồ mạch khuếch đại đảo -Sử dụng: 3554AM
2.2.2 Kết quả lý thuyết và mô phỏng:
Hình 20 Đồ thị đo mạch khuếch đại không đảo
Bảng so sánh t(s) Uvlt(V) Urlt(V) K lt Uvmp(V) Urmp(V) Kmp
Bảng 1: Số liệu U vào và U ra theo lý thuyết và mô phỏng
Nhận xét: Số liệu mô phỏng có sai số không đáng kể so với lý thuyết, lý thuyết được chứng minh.
Hình 21 Sơ đồ mạch Cộng đảo
- Hai nguồn 1 chiều 25V giới hạn.
- Tính toán theo lý thuyết : Ur ngược pha với Uv1 và Uv2.
2.3.2 Kết quả lý thuyết và mô phỏng:
Hình 22 Kết quả mô phỏng mạch cộng đảo t(ms) Uv1(
Bảng 2: Số liệu U vào và U ra theo lý thuyết và mô phỏng
Nhận xét: Số liệu mô phỏng có sai số không đáng kể so với lý thuyết, lý thuyết được chứng minh.
Hình 23 Sơ đồ mạch cộng không đảo
- Hai nguồn 1 chiều 25V giới hạn.
2.4.2 Kết quả lý thuyết và mô phỏng:
Hình 04 Đồ thị hình đo t(ms) Uv1(
Bảng 2: Số liệu U vào và U ra theo lý thuyết và mô phỏng
Nhận xét: Số liệu mô phỏng có sai số không đáng kể so với lý thuyết, lý thuyết được chứng minh.
Mạch tích phân
Hình 25 sơ đồ mạch tích phân
-Nguồn điện xoay chiều 10cos(100 πt)t)
Mạch trừ
2 nguồn xoay chiều 5cos(100πt)t) V, 10cos(100πt)t) V
Mạch vi phân
Nguồn điện xoay chiều 10cos(100 πt)t) Điện trở 1 kΩ
