BÁO CÁO ĐỀ XUẤT CẤP GIẤY PHÉP MÔI TRƯỜNG NHÀ MÁY HANSOL ELECTRONICS VIỆT NAM HO NAI

Công nghệ sản xuất của dự án xin cấp giấp phép môi trường: 1Quy trình sản xuất, gia công và lắp ráp bo mạch hiển thị Main board Trang 11 Hình 1.1Quy trình sản xuất, gia công và lắp ráp

THÔNG TIN CHUNG VỀ DỰ ÁN ĐẦU TƯ

Tên chủ cơ sở

- Tên chủ cơ sở: Công ty TNHH Hansol Electronics Vietnam Hochiminhcity

- Địa chỉ văn phòng: Đường số 6, Khu công nghiệp Hố Nai - giai đoạn 2, phường Phước Tân, thành phố Biên Hòa, tỉnh Đồng Nai

- Đại diện: Ông Kim ByungGi – Tổng giám đốc; Quốc tịch: Hàn Quốc;

- Hộ chiếu số: M81273323 cấp ngày 10/09/2020 tại Hàn Quốc

- Chức vụ: Tổng Giám đốc.

Tên dự án đầu tư

Tên cơ sở “Nhà máy Hansol electronics vietnam Ho Nai”

- Địa điểm thực hiện: Đường số 6, Khu công nghiệp Hố Nai - giai đoạn 2, phường Phước Tân, thành phố Biên Hòa, tỉnh Đồng Nai

- Quy mô của dự án đầu tư (phân loại theo tiêu chí quy định của pháp luật về đầu tư công): Dự án nhóm A

❖ Tóm tắt hình thành cơ sở:

+ Năm 2019, Công ty TNHH Hansol Electronics Vietnam Hochiminhcity đã được Ban Quản lý các Khu công nghiệp Đồng Nai cấp chứng nhận đầu tư số

+ Ngày 11 tháng 11 năm 2021, Công ty đã được Ban Quản lý các Khu công nghiệp Đồng Nai cấp Quyết định phê duyệt báo cáo đánh giá tác động môi trường số 07/QĐ-KCNĐN ngày 11 tháng 11 năm 2021 cho dự án “Sản xuất, gia công và lắp ráp mô-đun hiển thị tinh thể lỏng (LCM) với quy mô 5.400.000 sản phẩm/năm; Sản xuất, gia công và lắp ráp bản mạch điện tử PBA với quy mô 5.400.000 sản phẩm/năm”

Ngày 14 tháng 9 năm 2022 đã được UBND tỉnh đồng nai cấp Giấy phép môi trường số 212/GPMT-UBND cho dự án Sản xuất, gia công và lắp ráp mô- đun hiển thị tinh thể lỏng (LCM) với quy mô 5.400.000 sản phẩm/năm; sản xuất, gia công và lắp ráp bản mạch điện tử PBA với quy mô 5.400.000 sản phẩm/năm (không bao gồm công đoạn xi mạ)” tại đường số 6, KCN Hố Nai – Giai đoạn 2, P.Phước Tân, TP.Biên Hòa, tỉnh Đồng Nai

Năm 2023, công ty điều chỉnh chứng nhận đầu tư số 9951569887 thay đổi

PCB đã được in mạch dẫn lần thứ năm ngày 19 tháng 7 năm 2023 (nâng công suất Sản xuất, gia công và lắp ráp bản mạch điện tử PBA với quy mô 5.400.000 sản phẩm/năm lên 22.000.000 sản phẩm/năm tương đương 22.000 tấn sản phẩm/năm) và đã được

Bộ tài nguyên môi trường phê duyệt kết quả thẩm định báo cáo đánh giá tác động môi trường số 3262/QĐ-BTNMT ngày 7/11/2023 cho dự án “Nhà máy Hansol electronics vietnam Ho Nai” tại đường số 6, Khu công nghiệp Hố Nai - giai đoạn 2, phường Phước Tân, thành phố Biên Hòa, tỉnh Đồng Nai (sản xuất, gia công và lắp ráp bản mạch điện tử PBA với quy mô 22.000.000 sản phẩm/năm).

Công suất, công nghệ, sản phẩm sản xuất của dự án đầu tư

1.3.1 Công suất của cơ sở:

Hiên tại nhà máy đang hoạt động công suất 5.400.000 sản phẩm/năm tại tầng 1 của nhà xưởng đã được UBND tỉnh đồng nai cấp Giấy phép môi trường số 212/GPMT/UBND ngày 14 tháng 9 năm 2022 sản xuất, gia công và lắp ráp bản mạch điện tử PBA với quy mô 5.400.000 sản phẩm/năm (không bao gồm công đoạn xi mạ)

Các sản phẩm của Nhà máy khi đi vào hoạt động vận hành gồm:

Bảng 1.1 Danh mục sản phẩm và công suất sản phẩm của dự án

Công suất Hiện hữu Đề xuất GPMT Sản phẩm/năm Sản phẩm/năm

1 Bản mạch điện tử hiển thị 3.780.000 8.000.000

2 Bản mạch điện tử nguồn 1 620.000 8.000.000

Bảng mạch 3in1 (kết hợp giữa Bản mạch điện tử hiển thị và Bản mạch điện tử nguồn)

1.3.2 Công nghệ sản xuất của dự án đầu tư:

Công ty sử dụng công nghệ hiện đại, mức độ tự động hóa cao Chi tiết công nghệ sản xuất của dự án được trình bày như sau:

1.3.2.1 Công nghệ sản xuất của dự án xin cấp giấp phép môi trường:

(1)Quy trình sản xuất, gia công và lắp ráp bo mạch hiển thị (Main board)

Máy vệ sinh trên bề mặt PCB

Hình 1.1Quy trình sản xuất, gia công và lắp ráp bo mạch hiển thị (Main board)

- Nguyên liệu nhập về sản xuất chủ yếu là bo mạch in (được gọi tắt là PCB-printed circuit board) và các loại linh kiện điện tử như IC, Chip, sẽ được kiểm tra chất lượng và lưu vào kho chứa nguyên liệu Kho chứa nguyên liệu

Sửa chữa hàn thủ công

In lớp kem hàn trên bền mặt PCB

Máy quét kiểm tra chất lượng kem hàn sau khi quét Máy gắn linh kiện

Kiểm tra linh kiện đã gắn

Lỗi có thể sửa chữa S-AOI Kiểm tra linh kiện đã gắn

FT kiểm tra tính năng và nạp chương trình làm việc

Quét keo để bảo vệ linh kiện

Gắn nắp bảo vệ IC

Sửa chữa lỗi quét kem hàn

Thành phẩm được bảo quản theo một quy trình rất nghiêm ngặt trong các bao bì tốt để không làm hư hỏng hay thay đổi tính chính xác của các linh kiện

- Nguyên liệu bo mạch in PCB sẽ được xếp vào các bộ nạp điện tử và dựa vào quy trình sản xuất tự động bằng máy cấp bảng mạch nguồn Quá trình sản xuất được thực hiện tự động hóa hoàn toàn

- Máy vệ sinh bề mặt PCB: Trong quá trình vận chuyển và nạp liệu

PCB có thể bị bám bụi trên bề mặt, do yêu cầu sản xuất của ngành công nghiệp bán dẫn đòi hỏi vệ sinh nên các PCB được chuyển vào máy Dust để sử dụng khí nén làm sạch bụi bám dính trên PCB

- Quét kem hàn thiếc không chì: PCB sau khi được làm sạch được di chuyển vào máy quét kem hàn thiếc không chì để phủ kem hàn lên bề mặt, chuẩn bị cho công đoạn lắp ráp các linh kiện Máy quét kem hàn PCB sử dụng vi mạch xử lý nhằm điều khiển tốc độ quét Kem hàn được sử dụng trong quá trình sản xuất là thiếc hàn dạng kem không chì có tính dính (thành phần kem hàn: 96,5%Sn/3%Ag/0,5%Cu), kem hàn được mua về, Công ty không tiến hành pha trộn hỗn hợp kem hàn tại Nhà máy Quá trình đưa kem hàn vào máy được thực hiện hằng ngày, vào thời điểm máy ngừng hoạt động, ở nhiệt độ bình thường, ở nhiệt độ này kem hàn không bay hơi (nhiệt độ bay hơi – nhiệt độ sôi của Sn: 2.602°C, nhiệt độ bay hơi – nhiệt độ sôi của Ag: 2.435°C, nhiệt độ bay hơi — nhiệt độ sôi của Cu: 2.835°C)

Sau khi quét kem hàn thiếc không chì sẽ được chuyển qua máy SPI kiểm tra bề mặt lớp kem, đã quét đúng các vị trị cần quét và chất lượng quét của bề mặt lớp kem hàn không

Sau đó, bề mặt PCB sau khi phủ kem hàn sẽ đưa vào máy lắp linh kiện, các loại linh kiện như Chip, IC sẽ được nạp vào bộ nạp linh kiện và sẽ tự động lắp vào vị trí tương ứng đã được quét kem hàn Mỗi model sẽ có số điểm gắn khác nhau Sau đó chuyển saang công đoạn hàn đối lưu

Hàn đối lưu: Các linh kiện sau khi được lắp vào bề mặt PCB sẽ được chuyển tới khu vực máy hàn hồi lưu (máy hàn sử dụng điện) để bắt đầu quá trình hàn và sấy làm khô kem chì để kết dính linh kiện với PCB Hàn hồi lưu thích hợp đối với các linh kiện dán.Quá trình hàn và sấy (sấy khí nóng đối lưu) được thực hiện trong máy kín hoàn toàn Máy hàn tự động được thiết kế bộ lọc

3 lớp: bộ lọc trước lọc bụi có kích thước lớn, bộ lọc giữa giúp lọc bụi kích thước nhỏ, bộ lọc chính với lớp than hoạt tính dùng để hấp thụ khói hàn trước khi thải ra môi trường qua ống thoát trên thân máy

Sau đó qua máy S-AOI là kiểm tra mối hàn bằng quang học Nếu phát hiện mối hàn sản phẩm bị lỗi thì chuyển qua sửa chữa hàn thủ công

Sau khi PCB đã kiểm tra S-AOI được chuyển sang công đoạn FT sẽ kiểm tra tính năng của bo mạch xem các linh kiện có hoạt động và tiến hành nạp chương trình làm việc vào bo mạch

- Quét keo: Công nhân sẽ sử dụng thiết bị quét keo chuyên dụng để đổ keo che phủ toàn bộ tấm PCB, và tiến hành lắp nắp bảo vệ cho IC…

- Kiểm tra ngoại quan: công nhân sẽ thực thực kiểm tra ngoại quan lần cuối để kiểm tra trực quan nhằm kiểm tra sai sót trong việc lắp linh kiện bằng mắt trước khi đóng gói thành phẩm

- Đóng gói: Sản phẩm được đóng gói giao cho khách hàng

Máy cấp PBC Máy vệ sinh bụi bề mặt

Máy quét kem hàn thiếc không chì Kem hàn thiếc không chì

Máy M-AOI Máy hàn đối lưu

Máy S-AOI công đoạn FT

Hình 1.1 Hình ảnh sản xuất của dự án hiển thị (Main Board)

1 Quy trình công đoạn sửa chữa (Repair Process), tiến hành như sau:

+ Đối sản phẩm lỗi từ công đoạn gắn linh kiện sau khi quét kem hàn sẽ được chuyển sang công đoạn sửa chữa, (các bảng mạch đã được quét kem hàn và đã gắn linh kiện nhưng chưa qua công đoạn hàn đối lưu), tại đây các sản phẩm lỗi được ngâm trong dung dịch Ethanol trong thời gian là 1-2 phút, dưới tác dụng của ethalnol các linh kiện được tách khỏi bảng mạch và được thu hồi linh kiện, bảng mạch sau khi được làm sạch được quay lại sản xuất dung dịch Ethanol được giao chất thải nguy hại

Nguyên liệu, nhiên liệu, vật liệu, phế liệu (loại phế liệu, mã HS, khối lượng phế liệu dự kiến nhập khẩu), điện năng, hóa chất sử dụng, nguồn cung cấp điện, nước của dự án đầu tư

1.4.1 Nhu cầu nguyên liệu, nhiên liệu, vật liệu sử dụng của dự án

Tổng hợp nhu cầu sử dụng nguyên liệu phục vụ cho hoạt động của Nhà máy trong được trình bày trong Bảng sau:

Tên Khối lượng Nhà cung cấp Xuất xứ Hiện hữu GPMT

IC, MAIN 1,6 Samsung Hàn Quốc, Mexico 4.421.052,63 17.684.210,53

WUXI ETEK Microelectronics Co.,Ltd

IC, SWITCH 15.3mg TI Hồngkong 4.421.052,63 17.684.210,53

IC, OP-AMP 23.4mg TI Hồngkong 4.421.052,63 17.684.210,53

IC, EMMC 0,1729 Samsung Hàn quốc, mexico 4.421.052,63 17.684.210,53

IC, DDR4 SDRAM 0,1811 Samsung Hàn Quốc, Mexico 4.421.052,63 17.684.210,53

IC, EEPROM 506.600 mg STM Hàn Quốc, Mexico 4.421.052,63 17.684.210,53

IC 11.5mg Ti Hồng kông 4.421.052,63 17.684.210,53

IC-DC/DC LDO 11.8mg Ti Hàn quốc 4.421.052,63 17.684.210,53

IC-DDRM 0,154 Samsung Hàn quốc 4.421.052,63 17.684.210,53

IC-VOL DETECTOR 0.0886 g Gmt Đài loan 4.421.052,63 17.684.210,53

IC, NOR FLASH 0.129g WINBOND Đài loan 4.421.052,63 17.684.210,53

IC, NOR FLASH 0.069g WINBOND Hàn quốc 4.421.052,63 17.684.210,53

CONVERTER 11.5mg TI Hàn quốc 8.842.105,26 35.368.421,05

IC, AUDIO AMP 134.9mg TI Hàn quốc 4.421.052,63 17.684.210,53

RES, CHIP ARRAY, CT 2.45848mg ABCO Hàn quốc 4.421.052,63 17.684.210,53

RES, CHIP ARRAY, CT 0.93331mg ABCO Hàn quốc 57.473.684,21 229.894.736,84

RES, CHIP, CT 2.4734mg ABCO Hàn quốc 17.684.210,53 70.736.842,11

RES, CHIP, CT 2.4734mg YAGEO Hàn quốc 35.368.421,05 141.473.684,21

CAP, CERAMIC 0.0014g YAGEO Hàn quốc 4.421.052,63 17.684.210,53

CAP,TANTALUM - AVX IPC Hàn quốc 4.421.052,63 17.684.210,53

CAP,AL-ELECT,GP 0.000829KG SAMWAH Hàn quốc 4.421.052,63 17.684.210,53

TR, PNP 49.7mg SEMT Hàn quốc 13.263.157,89 53.052.631,58

FET 21.67mg SEMT Hàn quốc 4.421.052,63 17.684.210,53

FET 74mg Diodes Hàn quốc 4.421.052,63 17.684.210,53

FET-SILICON 8mg VISHAY Hàn quốc 13.263.157,89 53.052.631,58

N-MOSFET 340 mg AOS Hàn quốc 4.421.052,63 17.684.210,53

N-FET 8.4mg PANJIT Hàn quốc 30.947.368,42 123.789.473,68

BEAD-SMD - INPAQ Hàn quốc 17.684.210,53 70.736.842,11

CHIP-BEAD - INPAQ Hàn quốc 88.421.052,63 353.684.210,53

INDUCTOR 4.36kg/6,000/BOX COILMASTER Hàn quốc 17.684.210,53 70.736.842,11

3,000EA/box (net weight) 7.5kg/box (gross weight)

INDUCTOR 2.16kg/4,000/1BOX GET Hàn quốc - 35368421,05

INDUCTOR 2.184kg/4,000/1BOX GET Hàn quốc - 35368421,05

INDUCTOR 5.02kg/8,000/BOX COILMASTER Hàn quốc 8.842.105,26 70736842,11

INDUCTOR 5.05kg/8,000/BOX COILMASTER Hàn quốc 13.263.157,89 35368421,05

DIODE, SWITCHING 8mg BLUERO Hàn quốc 4.421.052,63 17684210,53

DIODE, SCHOTTKY 5.63mg SEMT Hàn quốc 8.842.105,26 53052631,58

DIODE, TVS 6.99mg SEMT Hàn quốc 4.421.052,63 88421052,63

DIODE, TVS 18.32mg SEMT Hàn quốc 4.421.052,63 17684210,53

DIODE, TVS 0.4mg PANJIT Hàn quốc 13.263.157,89 17684210,53

DIODE, SCHOTTKY 27.34mg SEMT Hàn quốc 22.105.263,16 53052631,58

DIODE, SCHOTTKY 107mg PANJIT Hàn quốc 4.421.052,63 17684210,53

DIODE, ZENER 8mg BLUERO Hàn quốc 4.421.052,63 70736842,11

DIODE, ZENER 18.32mg SEMT Hàn quốc 13.263.157,89 35368421,05

DIODE, ZENER 7.91mg NXPRIA Hàn quốc 4.421.052,63 17684210,53

THERMISTOR-NTC - Thinking Hàn quốc 17.684.210,53 17684210,53

PCB, TU8000 LIKE-L 0.088Kg APEX Hàn quốc 4.421.052,63 17684210,53

JACK, LAN 5.56G FREPRT Hàn quốc 4.421.052,63 17684210,53

CONNECTOR, HDMI 2.39g vast Hàn quốc 4.421.052,63 35368421,05

CONNECTOR, HDMI 2.39g FREPRT Hàn quốc 4.421.052,63 17684210,53

JACK, PIN 6.45G GOUGUA Hàn quốc 4.421.052,63 17684210,53

HEAT SINK 23g SAMJINTECH Hàn quốc 4.421.052,63 17684210,53

ZheJiang Casting Metalproduct Co.Ltd

GASKET 0.0003Kg JOINSET Hàn quốc 4.421.052,63 88421052,63

GASKET-SMD 0.00035Kg - Hàn quốc 17.684.210,53 17684210,53

SOLDER-CREAM 0.5KG BNF Hàn quốc 4.421.052,63 99031,57895

LABEL, BOX 884g THAI SUNG JIN

TECH CO.,LTD Hàn quốc 4.421.052,63 804631,5789

S/W BOX LABEL 372.8g THAI SUNG JIN

TECH CO.,LTD Hàn quốc 24.757,89 17684210,53

EMMC LABEL 219.6g THAI SUNG JIN

TECH CO.,LTD Hàn quốc 79,47 17684210,53

BARCODE LABEL 498g THAI SUNG JIN

TECH CO.,LTD Hàn quốc 201.157,89 17684210,53

JS ALL SUPPLY AND SERVICE CO.,LTD

Nguyên liệu sản xuất Mạch 3IN 1

Khối lượng Thành phần Xuất xứ Sau khi nâng công suất

RES, CHIP, CT, 2007-000066 17.3334g Ceramic, Ag, RuO2, Ni YAGEO 126000000

RES, CHIP, CT 21,3816 Ceramic, Ag, RuO2, Ni YAGEO 252000000

RES, CHIP, CT, 2007-000772 3,4286 Ceramic, Ag, RuO2, Ni YAGEO 252000000

RES, CHIP, CT 17.3334g Ceramic, Ag, RuO2, Ni YAGEO 504000000

BaTiO3, Ni, Cu, Sn YAGEO 705600

SOLDER, WIRE, 0202-001463 3,4286 96.5(SN)+3(AG)+0.5(Cu) BNF 126000000

CAP, DISC CERAMIC 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn HONGMING 126000000

CAP, DISC CERAMIC 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn WANMING 126000000

CAP, DISC CERAMIC 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn HONGMING 126000000

CAP, DISC CERAMIC 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn WANMING 126000000

CAP, AL-ELECT, G.P 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn SAMYOUNG 126000000

CAP, AL-ELECT, G.P 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn SAMWHA 126000000

CAP, AL-ELECT,G.P 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn SAMYOUNG 126000000

CAP, AL-ELECT, G.P 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn SAMWHA 126000000

BEAD CORE 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn BOSUNG 126000000

DIODE, S.F.R 21,3816 Si,silicon, germanium DACHANG 126000000

DIODE, S.F.R 3,4286 Si,silicon, germanium PINGWEI 126000000

RES, M.O.R 17.3334g Ceramic, Ag, RuO2, Ni ABCO 126000000

SURGE ABSORBER 17.3334g Ceramic, Ag, RuO2, Ni WOOSUNG 126000000

SURGE ABSORBER 21,3816 Ceramic, Ag, RuO2, Ni SMART 126000000

WIRE, LEAD 3,4286 Al+Cu+Sn, Pb KISTRON 126000000

PCB 21,3816 CCL, CCL COPPER FOIL HUIHO 126000000

DIODE, U.F.R 3,4286 Si,silicon, germanium DACHANG 126000000

IC, PFC 17.3334g silicon, GaAs, GaN, Sic FUJI 126000000

IC, LLC 21,3816 silicon, GaAs, GaN, Sic FUJI 126000000

IC, LED 3,4286 silicon, GaAs, GaN, Sic MAGNACHIP 126000000

IC, REGULATOR 17.3334g silicon, GaAs, GaN, Sic LRC 126000000

THERMISTOR, PTC 21,3816 polymer, ceramics BYLETECHNOLOGY 126000000

PHOTO COUPLER 3,4286 GaAs, Air Gap LITEON 126000000

PHOTO COUPLER 17.3334g GaAs, Air Gap EVERLIGHT 126000000

TR, NPN 21,3816 (Core=Diiron trioxide- Fe2O3,

Trimanganese tetraoxide- Mn3O4, Zinc Oxide- ZnO), (Bobbin = Phenol resin, Bin =

Fe+Cu+Sn),(Wire = Cu), (Tape = PET Film,adhesive-CuH20O2)

DIODE 3,4286 Si,silicon, germanium SENSITRON 126000000

DIODE, SW 17.3334g Si,silicon, germanium LRC 126000000

DIODE, SW 21,3816 Si,silicon, germanium KEC 126000000

DIODE, SW 3,4286 Si,silicon, germanium LRC 126000000

DIODE 17.3334g Si,silicon, germanium DACHANG 126000000

DIODE, 0402-001795 21,3816 Si,silicon, germanium DACHANG 126000000

DIODE, ZENER 3,4286 Si,silicon, germanium LRC 126000000

DIODE, ZENER 17.3334g Si,silicon, germanium KEC 126000000

DIODE, ZENER 21,3816 Si,silicon, germanium SENSITRON 126000000

BEAD, CHIP 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn TRIGON 126000000

BEAD, CHIP 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn SAMWHA 126000000

CAP, CERAMIC (MLCC) 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn YAGEO 126000000

CAP, CERAMIC (MLCC) 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn YAGEO 126000000

CAP, CERAMIC (MLCC) 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn YAGEO 126000000 CAP, CERAMIC (MLCC), 2203-

RES, CHIP, CT (SURGE) 3,4286 Ceramic, Ag, RuO2, Ni YAGEO 126000000

RES, CHIP, CT, 2007-000287 17,3334g Ceramic, Ag, RuO2, Ni YAGEO 126000000

SMD GLUE 17.3334g UV adhesive ALPHASOLUTION 126000000

VARISTOR 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn WANMING 126000000

VARISTOR 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn HONGMING 126000000

TRANS, LED CHOKE 3,4286 (Core=Diiron trioxide- Fe2O3,

TRANS, PFC 3,4286 (Core=Diiron trioxide- Fe2O3,

TRANS, L/F 17.3334g (Core=Diiron trioxide- Fe2O3,

TRANS, L/F 21,3816 (Core=Diiron trioxide- Fe2O3,

CAP, AL-ELECT,G.P 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn SAMWHA 126000000

CAP, AL-ELECT,G.P 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn SAMWHA 126000000

CAP, AL-ELECT,G.P 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn SAMYOUNG 126000000 CAP,METALZ-

FUSE 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn CONQUER 126000000

CONNECTOR, WAFER 17.3334g "Housing : LCP+30%GF YEONHO 126000000

CONNECTOR 17.3334g "Housing : LCP+30%GF HEFENG 126000000

LUG TERMINAL 17.3334g Metal, al, DAERIN 126000000

CONFORMAL COATING 21,3816 Metal, al, NOROO 126000000

SILICONE, 0201-001982 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn TOPLA 126000000

SOLDER, WIRE 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn KOKI 126000000

FLUX 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn KOKI 126000000

N-FET 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn MAGNACHIP 126000000

DIODE, BRIDGE 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn DACHANG 126000000

HEAT SINK 3,4286 LCP, Brass YUWONNRT 126000000

DIODE, S.B 3,4286 96.5(SN)+3(AG)+0.5(Cu) SENSITRON 126000000

DIODE, S.B 17.3334g KOH, AL, HF DACHANG 126000000

HEAT SINK 21,3816 Si, SiO2 YUWONNRT 378000000

CAP, DISC CERAMIC 17.3334g Si,silicon, germanium WANMING 630000000

CAP, DISC CERAMIC 21,3816 AL HONGMING 126000000

IC, PFC 17.3334g NaCl, CuSO4, Na2CO3 FUJI 126000000

IC, LLC 21,3816 Si,silicon, germanium FUJI 126000000

IC, LED 3,4286 Si,silicon, germanium MAGNACHIP 126000000

GAP, SUPPORT 21,3816 Ceramic, Ag, RuO2, Ni GNETEC 126000000

IC, PFC 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn TI 126000000

DIODE, S.F.R 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn DACHANG 126000000

N-FET 21,3816 silicon, GaAs, GaN, Sic KEC 126000000

N-FET 3,4286 silicon, GaAs, GaN, Sic UTC 126000000

DIODE, BRIDGE, 0402-001224 17.3334g silicon, GaAs, GaN, Sic DACHANG 126000000

CAP, AL-ELECT,G.P 3,4286 silicon, GaAs, GaN, Sic SAMYOUNG 126000000

DIODE, U.F.R 3,4286 Si,silicon, germanium DACHANG 126000000

DIODE, S.F.R 3,4286 Si,silicon, germanium DACHANG 126000000

RES, M.O.R 17.3334g Ceramic, Ag, RuO2, Ni ABCO 126000000

CAP, AL-ELECT,G.P 21,3816 Si,silicon, germanium SAMYOUNG 126000000

THERMISTOR 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn DSC 126000000

CAP, AL-ELECT,G.P 21,3816 Si,silicon, germanium SAMWHA 126000000

CAP, DISC CERAMIC 3,4286 Ceramic, Ag, RuO2, Ni WANMING 126000000

CAP, DISC CERAMIC 3,4286 Ceramic, Ag, RuO2, Ni HONGMING 126000000

BEAD CORE, DB27-00034A 21,3816 polymer, ceramics FEELUX 126000000

CAP, DISC CERAMIC 3,4286 Ceramic, Ag, RuO2, Ni HONGMING 126000000

RES, M.O.R 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn ABCO 126000000

SURGE ABSORBER 3,4286 Ceramic, Ag, RuO2, Ni WOOSUNG 126000000

THERMISTOR 17.3334g Ceramic, Ag, RuO2, Ni WANMING 126000000

THERMISTOR 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn DSC 126000000

IC, LED 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn MAGNACHIP 126000000

IC, LED 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn MAGNACHIP 126000000

RES, CHIP, CT 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn YAGEO 126000000

RES, CHIP, CT 3,4286 polymer, ceramics YAGEO 126000000

RES, CHIP, CT 21,3816 polymer, ceramics YAGEO 126000000

RES, CHIP, CT, 2007-000394 3,4286 silicon, GaAs, GaN, Sic YAGEO 126000000

RES, CHIP, CT, 2007-009366 17.3334g silicon, GaAs, GaN, Sic YAGEO 126000000

RES, CHIP, CT (SURGE) 21,3816 Ceramic, Ag, RuO2, Ni YAGEO 126000000

CAP,METALZ-POLYESTER 3,4286 Ceramic, Ag, RuO2, Ni SUNIL 126000000 CAP,METALZ-

CAP, CERAMIC (MLCC) 17.3334g Ceramic, Ag, RuO2, Ni YAGEO 126000000

CAP, AL-ELECT, G.P 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn SAMYOUNG 126000000

CAP, AL-ELECT,G.P 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn SAMYOUNG 126000000

TR, PNP 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn LRC 126000000

TR, PNP 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn LRC 126000000

TR, NPN 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn LRC 126000000

TR, NPN 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn KEC 126000000

N-FET 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn MAGNACHIP 126000000

TRANS, PFC 17.3334g (Core=Diiron trioxide- Fe2O3,

TRANS, MULTI 21,3816 (Core=Diiron trioxide- Fe2O3,

TRANS, MULTI 3,4286 (Core=Diiron trioxide- Fe2O3,

TRANS, PFC 21,3816 Si, SiO2 MST 126000000

TRANS, PFC 17.3334g Si, SiO2 MST 126000000

TRANS, PFC 21,3816 Si, SiO2 MST 126000000

LED INDUCTOR 3,4286 (Core=Diiron trioxide- Fe2O3,

(Core=Diiron trioxide- Fe2O3, Trimanganese tetraoxide- Mn3O4, Zinc Oxide- ZnO), (Bobbin = Phenol resin, Bin =

TRANS, L/F 17.3334g (Core=Diiron trioxide- Fe2O3,

DIODE, SCR 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn ST 126000000

DIODE, SCR 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn ST 126000000

DIODE, S.F.R 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn DACHANG 126000000

DIODE, TVS 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn VISHAY 126000000

DIODE, U.F.R 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn SENSITRON 126000000

DIODE, SCHOTTKY 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn LRC 126000000

DIODE, ZENER 3,4286 Si,silicon, germanium LRC 126000000

THERMISTOR 17.3334g Si,silicon, germanium SMART 126000000

THERMISTOR 21,3816 Si,silicon, germanium WANMING 126000000

THERMISTOR 3,4286 Si,silicon, germanium WANMING 126000000

THERMISTOR 17.3334g Si,silicon, germanium SMART 126000000

SURGE ABSORBER 21,3816 Si,silicon, germanium SMART 126000000

PCB 3,4286 Si,silicon, germanium LEUCHTEK 126000000

PCB 17.3334g Si,silicon, germanium HUIHO 126000000

PCB 21,3816 Si,silicon, germanium HUIHO 126000000

CONNECTOR, WAFER 17.3334g Ceramic, Ag, RuO2, Ni YEONHO 126000000

FUSE 21,3816 CCL, CCL COPPER FOIL LITTELFUSE 126000000

CAP COVER 3,4286 CCL, CCL COPPER FOIL C&TECH 126000000

CAP HOLDER 17.3334g CCL, CCL COPPER FOIL C&TECH 126000000

HEAT SINK 21,3816 CCL, CCL COPPER FOIL YUWONNRT 126000000

HEAT SINK 3,4286 CCL, CCL COPPER FOIL YUWONNRT 126000000

HEAT SINK 17.3334g CCL, CCL COPPER FOIL YUWONNRT 126000000

HEAT SINK 21,3816 Metal, al, YUWONNRT 126000000

HEAT SINK 3,4286 "Housing : LCP+30%GF YUWONNRT 126000000

HEAT SINK 3,4286 BaTiO3, Ni, Cu, Sn YUWONNRT 126000000

HEAT SINK 17.3334g BaTiO3, Ni, Cu, Sn YUWONNRT 126000000

TRANS, L/F 21,3816 BaTiO3, Ni, Cu, Sn SAMHYUNG 126000000

Bảng 1.3 Nhu cầu sử dụng hóa chất

Tên hóa chất sử dụng của nhà máy Đơn vị tính Hiện hữu Nâng công suất

Sau khi nâng công suất

I Nguyên liệu hoá chất sản xuất:

2 Ethanol (rửa bo mạch) Lit/tháng 498 1494 1992

Chất làm sạch bo (công đoạn hàn sửa chữa lỗi thủ công)

(chất chống ẩm) Kg/tháng 17,82 53,46 71,28

(mực in lên linh kiện) Lít/tháng 0,8 2.4 3,2

Nhựa thông phun lên bo nguồn

Liên kết linh kiện điện tử Kg/tháng 6,2 18,6 24,8

Hợp chất sillicon Kg/tháng 30,8 92,4 123,2

Hợp chất sillicon Kg/tháng 431,64 1294,92 1726.56

Bảng 1.4 Thành phần, đặc tính của các loại hoá chất sử dụng

STT Hoá chất sử dụng Thành phần chính Mục đích sử dụng

Dùng để gắn kết chi tiết điện tử lên bảng mạch

2 Ethanol (rửa bo mạch lỗi ) Ethanol 80~90% Rửa bản mạch lỗi

Chất làm sạch bo, khi sửa chữa lỗi

Chống ẩm cho bản mạch

Thiếc: cân bằng Đồng 0,15%~0,25% Công đoạn hàn

Nhựa thông phun lên bo nguồn

Dán linh kiện điện tử

Thiếc: cân bằng Niken:

Định dạng
Số trang	515
Dung lượng	28,81 MB