Bài tập chương 4 cấu kiện điện tử

M T ữ ê n W - Ổ Họ tên M ãsv BJT linh kiện có ba chân: a B, c, E b G, D, s c A, K, G d E, Bi, B "> BJT có cấu tạo gồm: a mối nối P-N b mối nói P-N c mối nối P-N d mối nối P-N BJT có cấu tạo gồm: a lớp bán dẫn b lớp bán dẫn c lóp bán dẫn d lớp bán dẫn Hình ký hiệu của: a BJT loại NPN b BJT loại PNP c JFET kênh N d JFET kênh p Hình ký hiệu của: a BJT loại NPN b BJT loại PNP c JFET kênh N d JFET kcnh p BJT chừ viết tắt của: a Field Effect Transistor b Bipolar Junction Transistor c Uni Junction Transistor d Silicon Controlled Rectifier BJT transistor: a Hiệu ứng trường b Lưỡng nối c Đơn nối d Quang BJT transistor: a Hiệu ứng trường b Lưỡng cực c Đơn nối d Ọuang BJT transistor: a Hiệu ứng trường b Mối nối lưỡng cực M Ỉ M J Y : c Dơn nối d Quang 10 BJT transistor: a Hiệu ứng trường b Tiếp xúc lưỡng cực c Đưn nối d Quang 11 BJT transistor: a Hiệu ứng trường b Tiếp giáp hai cực c Dơn nối d Quang 12 Diều kiện để BJT dẫn điện mối nối P-N giữa: a B E phải phân cực thuận b B c phải phân cực thuận c B E phải phân cực nghịch d G s phải phân cực thuận 13 Điều kiện đế BJT dần điện mối nối P-N giữa: a B E phải phân cực nghịch b B c phái phân cực thuận c B c phải phân cực nghịch d G s phải phân cực thuận 14 Diều kiện để BJT loại NPN dẫn: a V b > V e > Vc b V c > V b > V e c Vc > V E > VB d VE > V B > Vc 15 Điều kiện để BJT loại PNP dần: a V b > V e > Vc b Vc > V B > V e c Vc > V E > VB d V e > V b > Vẹ 16 Diều kiện để BJT loại NPN dẫn: a V b > V e > Vc b Vc > VB> VE c V b -> v c > V e d Vjí > V B > v V e d V Ệ > V B > V c 19 Điều kiện để BJT loại PNP dẫn: nrr * *r» a V e > v c > V B b Vc > V B > VÚ c VB> v c > VE d V Ẽ > V B> v ệ 20 Điều kiện để BJT loại NPN dẫn: a V be > 0; V bc > b V bh< 0; VB < e c V be > ; V bc < d V be < 0; V BC> 21 Điồu kiện để BJT loại PNP dẫn: 3- V be 5“ 0; V bc > b V be < 0; V bc < c V be > 0; V bc < d V be < 0; V BC> 22 Điều kiện để BJT loại NPN dẫn: a V be > 0; V b c> b V be < 0; VBC< c B c phải phân cực thuận d B E phải dược phân cực thuận 23 Điều kiện để BJT loại PNP dẫn: a V be 5, 0; V bc > b V be < 0; V bc^ c B c phải phân cực nghịch d B E phải phân cực nghịch 24 Khi BJT có V be = 0,8v BJT : a Ngung dẫn b Hoạt động vùng khuếch đại tuyến tính c Dần bão hồ d Có dịng Ic = (3Ib 25 Khi BJT dẫn diện có dịng: a Ic > 1b > Ie b Ie > Ic > Ib c Ic = Ib = Ie d Ĩ b > ỈE > Ic 26 Trong vùng khuếch đại tuyến tính, BJT có: a IB = pic b Ic = piE c Ic = PIb d I b = PỈE khuếch đại tuyến tính, BJT có: 28 BJT có hiệu điện cực cực phát là: a V bf b V bc c V ce d V ds 29 BJT cỏ hiệu điện cực cực thu là: a V be b V bc c V ce d V ds 30 BJT có hiệu điện cực thu cực phát là: a V bf b V bc c V ce d V ds 31 Các kiểu mắc BJT là: a B chung, D chung, s chung b CB, c c , CE c G chung, c chung, E chung d CG, CD, c s 32 Các kiểu mắc bán BJT là: a B chung, D chung, s chung b Nền chung, thu chung, phát chung c G chung, c chung, E chung d Cổng chung, thoát chung, nguồn chung 33 Các kiểu mắc BJT là: a B chung, D chung, s chung b B chung, c chung, E chung c G chung, c chung, E chung d G chung, D chung, s chung 34 Các kiểu mắc BJT là: a CA, CK, CG b CB, c c , CE C.c E,CB,,C B2 d CG, CD,CS 35 BJT mắc kiếu cực phát chung gọi mắc kiếu: a CB b cc c CE d cs 36 BJT mắc kiểu cực chung gọi mắc kiểu: a CB b c c c CE d CG 37 BJT mắc kiểu cực thu chung gọi mắc kiểu: a CB b c c c C E d CD 38 Các kicu mắc bân BJT là: a CB, CD, c s b CB, c c , CE c c G, c c , CE d CG, CD, c s 39 Các kiêu mắc BJT là: a CB, CD, c s b Nen chung, thu chung, phát chung c c G, c c , CE d Cổng chung, thoát chung, nguồn chung 40 Các kiểu mắc BJT là: a CB, CD, c s b B chung, c chung, Echung c c G, CC, CE d G chung, D chung, s chung 41 Các kiểu mắc cúa BJT là: a Nen chung, Ihoát chung, nguồn chung b CB, c c , CE c Cổng chung, thu chung, phát chung d CG, CD, c s 42 Các kiểu mắc BJT là: a Nen chung, thoát chung, nguồn chung b Nền chung, thu chung, phát chung c Cổng chung, thu chung, phát chung d Cổng chung, thoát chung, nguồn chung 43 Các kiểu mắc BJT là: a Nen chung, thoát chung, nguồn chung b B chung, c chung, E chung c Cổng chung, thu chung, phát chung d G chung, D chung, s chung 44 Khi BJT mắc kiểu CB tín hiệu ngõ so với tín hiệu ngõ vào là: a Đảo pha, tín hiệu vào cực B, cực E b Cùng pha, tín hiệu vào cực E, cực c c Cùng pha, tín hiệu vào cực B, cực E d Đảo pha, tín hiệu vào cực B, cực c 45 Khi BJT mắc kiểu c c tín hiệu ngõ so với tín hiệu ngõ vào là: a Đảo pha, tín hiệu vào cực B, cực E b Cùng pha, tín hiộu vào cực E, cực c c Cùng pha, tín hiệu vào cực B, cực E d Dảo pha, tín hiệu vào cực B, cực c 46 Khi BJT mắc kiểu CE tín hiệu ngõ so với tín hiệu ngõ vào là: a Đáo pha, tín hiệu vào cực B, cực E b Cùng pha, tín hiệu vào cực E, cực c c Cùng pha, tín hiệu vào cực B, cực E d Đảo pha, tín hiệu vào cực B, cực c 47 Mạch khuếch đại mắc kiểu CB có hệ số khuếch đại: a Dòng điện gần b Điện áp gần c Dòng hộ số khuếch đại áp d Dòng hệ số khuếch dại áp gần 48 Mạch khuếch đại mắc kiểu c c có hệ số khuếch đại: a Dịng điện gần b Điện áp gần c Dòng hệ số khuếch đại áp d Dòng hệ số khuếch đại áp gần bàng 49 Khi B.ĨT loại NPN dẫn, đa SO electron di chuyển từ: a c đến E b E đến c c B đến E d E đến B 50 Khi BJT loại PNP dần, đa số electron di chuyển từ: a c đến E b E đến c c B đến E d c đến B 51 BJT có ß gọi hệ số khuếch đại: a Dòng b Áp c Công suất d Pha 52 Tọa độ điểm phân cực Q BJT xác định bởi: a* I b, I c>V be b Vos, Id , V ds c Ib, I c, V ce d- Ig, Id, Vos 53 Tọa độ đicm phân cực Q BJT là: a Q(Vce; Ic) b Q(Vbe; Ib) c Ọ(V ce; Ib) c].Ọ(VBE; Ic) 54 Tọa độ điểm phàn cực BJT có: a IB tăng, Ic tăng, VCE tăng b IB tăng, Ic tăng, VCE giám c IB giám, Ic giảm, VCE giảm d Ib giảm, Ic tăng, V ce tăng 55 Tọa độ đicm phân cực BJT có: a IB tăng, Ic tăng, VCE lăng b IB tăng, Ic giảm, VCE giảm c Ib giảm, Ic giảm, V ce giảm, ci Ib giảm, Ic giảm, VCE tăng 56 BJT có điêm làm việc trạng Ihái tĩnh Q(6v; 2mA) nghĩa là: a Ibq = 2mA; V ceq = 6v b Ibq —2mA; V bhq = 6v c Icq = 2mA; V beq = 6v d Icq = 2mA; Vceq = 6v 57 BJT có điểm làm việc trạng thái tĩnh Ọ(8,4v; 4,8mA) nghĩa là: a I bq = 4,8mA; VCbQ = M v b I bq = ,8 m A ; V beq = 8,4v c Icq = 4,8mA; V beq = 8,4v d Icọ = 4,8mA; V ceq = 8,4v 58 BJT có điêm làm việc trạng thái tĩnh Q(6v; 2mA); p =100, nghĩa là: a ỈBQ = 2mA; V beq = 6v b I bq = 0,02niA; V beọ = 6v c Ibq = 2mA; V ceq = 6v d Ibq = 0,02mA; V chq = 6v 59 BJT có điểm làm việc trạng thái tĩnh Q(8,4v; 4,8mA); p =80, nghĩa là: a Ibq - 4,8mA; V beq = 8,4v b Ibq —0,06mA; V beq = 8,4v c I bq = 4,8mA; V ceq = 8,4v d Ibq = 0,06mA; VCEQ = 8,4v 60 Hình mạch phân cực BJT dạng dùng: a Một nguôn với điện trở giảm áp R b b Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp R b c Một nguồn với cầu phân d Hai nguồn riêng biệt 61 Hình mạch phân cực BJT dạng dùng: a Một nguồn với điện trở giảm áp R q b Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp R|ị c Một nguôn với cầu phân d Hai nguồn riêng biệt 62 Hình mạch phân cực BJT dạng dùng: a Một nguồn với điện trở giảm áp R b b Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp Rii c Một nguồn với câu phân d Hai nguồn riêng biệt 63 Hình mạch phân cực BJT dạng dùng: a Một nguồn với điện trở giảm áp Ru b Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp R|ị c Một nguôn với cầu phân d Hai nguồn riêng biệt 64 Hình mạch phân cực BJT dạng dùng: a Một nguồn với điện trơ giảm áp R b, cực E nối massc b Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp R b, cực E nối masse c Một nguồn với cẩu phân thế, cực E nối massc d Hai nguồn riêng biệt, cực E nối masse 65 Hình mạch phân cực BJT dạng dùng: a Một nguôn với điện trở giảm áp R b, cực E nối inasse b Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp Ru, cực E nối masse C Một nguồn với cầu phân thế, cực E nối masse, d Hai nguồn riêng biệt, cực E nối masse 66 Hình mạch phân cực BJT dạng dùng: a Một nguồn với điện trở giảm áp R b, cực E nối masse b Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp Rii, cực E nối masse c Một nguôn với cẩu phân thố, cực E nối masse d Hai nguồn ricng biệt, cực E nối masse 67 Hình 10 mạch phân cực BJT dạng dùng: a Một nguồn với điện trở giảm áp R b, cực E nối masse b Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp R b, cực E nối masse c Một nguồn với cầu phân thế, cực E nối masse d Hai nguồn riêng biệt, cực E nối masse 68 Mạch phân cực BJT dạng dùng hai nguồn riêng biệt có biếu thức xác định điện cực B.ĨT: a V e = I bR eĩ V b = V e + V beỉ Vc = Vcc "IcRc b V e —IrR r; V b —V e + V beì V c —IcRc c V e = I eR-eỉ V b - IbR b; V c - IcRc d V e —IkR h; V b = IbR bỉ V c = Vcc - IcR-c 69 Mạch phân cực BJT dạng dùng nguồn với điện trở giảm áp R b có biếu thức xác định điện cực BJT: a V e = IeReỉ V b = V e + V beỉ V c = Vcc -TcRc b VE = IeR e; V b = V e + VBE; v c = IcRc c V e = IeR e; V b = IrR b; V c = IcRc d V e = T R e; V b = ĨbR b; V c = Vcc - ĩcRc e 70 Mạch phân cực BJT dạng dùng nguồn với điện trở hồi tiếp áp R b có biểu thức xác định điện cực BJT: a V e = I eR-eỉ V b = V e + V be; V c = V cc -I cR c b V e — I eR eì V b —V e + V beỉ V c — IcR-c c V e = I eR eỉ V b = T R b; V c = IcRc b d V e = IeR eỉ V b = IbR bỉ V c = Vcc - IcRc 71 Mạch phân cực BJT dạng dùng nguồn với cầu phân có biểu thức xác định điện cực BJT: a V E = IeR e; V b = V E + VBE; Vc = Vẹc -IcRc b V e —IeR e; V b - V e + V be; V c —Ic^c c V e = Ie R e; V b = IbR bỉ V c = I(;R( d V e - Ie R e; V b = IbRb; V c - Vcc - IcRc 72 Mạch phân cực BJT dạng dùng hai nguồn riêng biệt có tọa độ điểm phàn cực xác định: a V «í? - V ÍỈP V D D - Vp p b- =T T ^ T ' ßV frCE= v c c - ‘ Rc + V d - V / = _ — - —— B R b + £ ( R c + R e )' Ị =e> ỉ V B' V c =v - ỉ cb cc (R + R ) c 73 rnạcn pnan cực L J I uạng uung nguon V uiẹn irư giam ap Kr co tọa độ điêm phàn cực > Ư đu = vf ' - f e a' b‘ V p V v c*= r c c - ' A + Jv Ỉ£ = R + ßÄ ’ Ỉ C= ^ ỈB’ v CE= v cc~ 1C^Rc + R * ;a = T T d ỉ = - — - — B Ra + K R c + * j V ^ r ; zc = p V ^ = ^ c c - ¡¿ * C + R ¿ - V / = ß / V =V - ỉ (R + R ) c p B’ CE c c é c 74 iviạcn pnan cực ttj I uạng ũung nguon V '1 uiẹn irơ noi uep ap Kß có tọa độ điêm phân O cụ ' a- '« = v f ~ b /„ = c-!B = ~ d —; / - = p , aD ’ V d ! c = e> ¡R- 'A + v „ = v „ - 1„(R„+R,) ! c = ß l B' V CE= v c c ~ Ỉ Ặ R C+ R S^} - V / = — _— _ _ B r rs= r rr.~ /=ß/ RB + V(RC + Rs y -V - l Œ cc (R + R ) c s) 73 iviạcn pnan cực t>j I uạng uimg m ọi nguon V cau prian ine co lọa uọ uiem phản cực Ư xá a - > = vf H »■ 1‘ ~ V r r“ -V P V IIr vc - v rr- - ‘ c = ệ ‘B- v