1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx

179 3 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 179
Dung lượng 4,38 MB

Nội dung

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI - TRẦN NGỌC DŨNG Nghiên cứu cấu trúc tính chất số hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh silic ứng dụng chế tạo vật liệu quang điện LUẬN ÁN TIẾN SĨ Hà Nội - 2022 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI - TRẦN NGỌC DŨNG Nghiên cứu cấu trúc tính chất số hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh silic ứng dụng chế tạo vật liệu quang điện Chuyên ngành: Hóa lý thuyết Hóa lý Mã số: 9440119 Người hướng dẫn khoa học : PGS.TS Nguyễn Thị Minh Huệ PGS.TS Nguyễn Hiển Hà Nội - 2022 i LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan luận án kết nghiên cứu cá nhân Các số liệu tài liệu trích dẫn luận án thực cách trung thực Kết nghiên cứu không trùng với công trình cơng bố trước Tơi xin chịu trách nhiệm với lời cam đoan Hà Nội, tháng năm 2022 Nghiên cứu sinh Trần Ngọc Dũng ii LỜI CẢM ƠN ===**=== Trước tiên, em xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc trân trọng tới cô PGS.TS Nguyễn Thị Minh Huệ thầy PGS.TS Nguyễn Hiển bảo, hướng dẫn, động viên giúp đỡ em tận tình suốt thời gian thực hoàn thành luận án Em xin chân thành cảm ơn hỗ trợ nhiệt tình NCS Nguyễn Văn Tráng, Viện Kỹ thuật nhiệt đới, Viện Hàn lâm Khoa học Công nghệ Việt Nam suốt thời gian em hồn thành luận án Em xin tỏ lịng biết ơn sâu sắc chân thành đến toàn thể Thầy, Cơ Bộ mơn Hóa lý thuyết Hóa lý Bộ Mơn Hố học Hữu Thầy, Cô, anh chị làm việc Trung tâm Khoa học tính tốn, Trường Đại học Sư phạm Hà Nội tạo điều kiện cho em trình thực đề tài Cuối cùng, em xin gửi lời biết ơn sâu sắc tới người thân gia đình ln động viên hỗ trợ em để em tập trung trí lực hồn thành luận án Xin trân trọng cảm ơn! Hà Nội, tháng năm 2022 Nghiên cứu sinh Trần Ngọc Dũng iii iv MỤC LỤC MỤC LỤC .iii DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VIẾT TẮT v MỤC LỤC HÌNH ẢNH vii MỤC LỤC BẢNG x MỞ ĐẦU 1 Lý chọn đề tài .1 Mục đích, nhiệm vụ nghiên cứu 3 Đối tượng phạm vi nghiên cứu Ý nghĩa khoa học thực tiễn luận án Những điểm luận án CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN 1.1 Cơ sở lý thuyết vật liệu quang điện hữu 1.1.1 Cấu tạo chế hoạt động đi-ốt phát quang hữu .5 1.1.2 Cấu tạo chế hoạt động pin mặt trời chất màu nhạy quang 11 1.2 Cơ sở lý thuyết hoá học lượng tử 16 1.3 Cơ sở lý thuyết phản ứng Heck 19 1.4 Hệ chất nghiên cứu .22 1.4.1 Hệ chất ngưng tụ chứa lưu huỳnh 22 1.4.2 Hệ chất ngưng tụ chứa silic 28 1.4.3 Tình hình nghiên cứu hợp chất ngưng tụ chứa lưu huỳnh .33 1.4.4 Tình hình nghiên cứu hợp chất ngưng tụ chứa silic .36 CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 39 2.1 Phương pháp nghiên cứu lý thuyết .39 2.1.1 Phương pháp phiếm hàm mật độ 39 2.1.2 Phương pháp phiếm hàm mật độ phụ thuộc thời gian 43 2.1.3 Bộ hàm sở .45 2.1.4 Khả truyền dẫn điện tích .45 2.1.5 Phương pháp tính tốn hóa học lượng tử .46 2.2 Phương pháp nghiên cứu thực nghiệm .47 2.2.1 Hóa chất 48 v 2.2.2 Dụng cụ thiết bị 48 2.2.3 Quy trình phản ứng alkenyl hóa BDT 48 2.2.4 Phân tích cấu trúc sản phẩm 49 CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU VÀ THẢO LUẬN .50 3.1 Hệ chất ngưng tụ chứa lưu huỳnh .50 3.1.1 Nghiên cứu cấu trúc tính chất hợp chất lưỡng cực dựa dibenzothiophene ứng dụng làm vật liệu chất mang OLED hệ thứ hai 50 3.1.2 Tổng hợp 2-Alkenylbenzo[1,2-b:4,5-b’]dithiophene hệ xúc tác Pd/ Cu/Ag nghiên cứu cấu trúc phương pháp phổ thực nghiệm tính tốn lý thuyết 61 3.1.3 Thiết kế hệ chất bithiophene liên hợp chứa silole số dị vòng năm cạnh cho vật liệu quang điện 69 3.2 Hệ ngưng tụ chứa silic 94 3.2.1 Nghiên cứu cấu trúc tính chất quang điện số dẫn suất dithienosilole 94 3.2.2 Nghiên cứu lý thuyết ảnh hưởng cầu nối π hệ chất hữu dạng D-π-A ứng dụng cho pin mặt trời polymer 111 KẾT LUẬN CHUNG 120 ĐỊNH HƯỚNG NGHIÊN CỨU TIẾP THEO .121 DANH MỤC CƠNG TRÌNH ĐÃ CƠNG BỐ .122 TÀI LIỆU THAM KHẢO 123 vi DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VIẾT TẮT Viết tắt Nguyên tiếng Anh HOMO Highest occupied Tạm dịch Orbital phân tử bị chiếm cao LUMO molecular orbital Lowest unoccupied Orbital phân tử không bị OLED molecular orbital Organic light emitting chiếm thấp Đi-ốt phát quang hữu DSSC diode Dye sensitized solar cell Pin mặt trời chất màu nhạy OPV OFET Organic photovoltaics Organic field effect quang Quang điện hữu Transistor hiệu ứng trường OTFT transistor Organic thin-film hữu Transistor màng mỏng hữu OSC AIE transistor Organic semiconductors Chất bán dẫn hữu Aggregation induced Phát xạ tập hợp ACQ emission Aggregation caused Dập tắt tập hợp HBMC quench Heteronuclear Multiple Phổ tương quan liên kết HSQC Bond Correlation Heteronuclear Single Phổ tương quan lượng tử đơn DFT Quantum Coherence Density functional nhân Thuyết phiếm hàm mật độ TD-DFT theory Time-dependent Thuyết phiếm hàm mật độ density functional phụ thuộc thời gian TTA theory Triplet-triplet Triệt tiêu triplet-triplet HLCT annihilation Hybridized local and Lai hoá cục chuyển TADF charge transfer Thermally activated điện tích Huỳnh quang trễ hoạt hóa vii IQE delayed fluorescence Internal quantum nhiệt Hiệu suất lượng tử nội EQE efficiency External quantum Hiệu suất lượng tử ngoại PLQE efficiency Photoluminescence Hiệu suất phát quang lượng SOMO quantum efficiency Singly occupied tử Orbital phân tử singlet bị SUMO molecular orbital Singly unoccupied chiếm Orbital phân tử singlet không LDA molecular orbital Local density bị chiếm Xấp xỉ mật độ địa phương GGA approximation Generalized gradient Gradient tổng quát EA IP EHOMO ELUMO Egap S0 S1 approximation Electron affinity Ionization potential HOMO energy LUMO energy Band-gap energy Singlet ground state First singlet excited Ái lực electron Thế oxi hoá Năng lượng HOMO Năng lượng LUMO Năng lượng HOMO-LUMO Trạng thái singlet Trạng thái kích thích singlet T1 state First triplet excited thứ Trạng thái kích thích triplet ES0 state Singlet ground state thứ Năng lượng trạng thái singlet ES1 energy First singlet excited Năng lượng trạng thái kích ET1 state energy First triplet excited thích singlet thứ Năng lượng trạng thái kích λh state energy Hole reorganization thích triplet thứ Năng lượng tái tổ hợp cho λe energy Electron reorganization electron Năng lượng tái tổ hợp cho lỗ energy trống

Ngày đăng: 14/11/2023, 00:41

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.2: Cơ chế phát huỳnh quang của vật liệu hữu cơ: a) Huỳnh quang thông thường; b) Triệt tiêu triplet-triplet; c) Lai hoá - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 1.2 Cơ chế phát huỳnh quang của vật liệu hữu cơ: a) Huỳnh quang thông thường; b) Triệt tiêu triplet-triplet; c) Lai hoá (Trang 26)
Hình 1.4: Sơ đồ cấu tạo pin mặt trời chất màu nhạy quang - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 1.4 Sơ đồ cấu tạo pin mặt trời chất màu nhạy quang (Trang 31)
Hình 1.5: Cấu trúc chất màu N3 (bên trái) và N719 (bên phải) - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 1.5 Cấu trúc chất màu N3 (bên trái) và N719 (bên phải) (Trang 34)
Hình 1.7: Cơ chế phản ứng Heck được đề xuất bởi Carbi và Candiani Trong đó: - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 1.7 Cơ chế phản ứng Heck được đề xuất bởi Carbi và Candiani Trong đó: (Trang 41)
Hình 1.9: Một số cấu trúc ngưng tụ chứa thiophene - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 1.9 Một số cấu trúc ngưng tụ chứa thiophene (Trang 44)
Hình 1.11: Cấu trúc của một chất màu nhạy quang chứa BDT - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 1.11 Cấu trúc của một chất màu nhạy quang chứa BDT (Trang 47)
Hình 1.12: Cấu trúc một dẫn xuất của BDT sử dụng trong thiết bị quang điện Rất nhiều nghiên cứu đã chứng minh việc  thay đổi các nhóm thế bên ngoài vòng là một phương pháp hiệu quả để điều chỉnh các tính chất của vật liệu chứa - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 1.12 Cấu trúc một dẫn xuất của BDT sử dụng trong thiết bị quang điện Rất nhiều nghiên cứu đã chứng minh việc thay đổi các nhóm thế bên ngoài vòng là một phương pháp hiệu quả để điều chỉnh các tính chất của vật liệu chứa (Trang 47)
Hình 1.1: Một số hợp chất ngưng tụ chứa silic được ứng dụng làm vật liệu phát xạ - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 1.1 Một số hợp chất ngưng tụ chứa silic được ứng dụng làm vật liệu phát xạ (Trang 61)
Hình 3.22: Đồ thị của IP và EA của các hợp chất được nghiên cứu được so sánh với các hợp chất tham chiếu (eV). - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.22 Đồ thị của IP và EA của các hợp chất được nghiên cứu được so sánh với các hợp chất tham chiếu (eV) (Trang 87)
Hình 3.23: Sơ đồ tổng hợp và hiệu suất - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.23 Sơ đồ tổng hợp và hiệu suất (Trang 89)
Hình 3.25: Phổ HSQC (bên trái) và phổ HMBC (bên phải) của hợp chất 3a. - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.25 Phổ HSQC (bên trái) và phổ HMBC (bên phải) của hợp chất 3a (Trang 93)
Hình 3.26: Phổ NOESY của 3a 3.1.2.3.   Tính toán hóa học lượng tử - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.26 Phổ NOESY của 3a 3.1.2.3. Tính toán hóa học lượng tử (Trang 95)
Bảng 3.7: Giá trị năng lượng HOMO, LUMO, E gap , EA và IP của các hợp chất được nghiên cứu (eV) - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Bảng 3.7 Giá trị năng lượng HOMO, LUMO, E gap , EA và IP của các hợp chất được nghiên cứu (eV) (Trang 98)
Hình 3.28: Cấu trúc các hợp chất bithiophene được nghiên cứu. - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.28 Cấu trúc các hợp chất bithiophene được nghiên cứu (Trang 101)
Bảng 3.8: Giá trị về góc nhị diện φ ( o ) và độ dài liên kết cầu nối C-C của các hợp chất r (Å) ở dạng trung hoà, anion, cation và trạng thái kích thích singlet thứ - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Bảng 3.8 Giá trị về góc nhị diện φ ( o ) và độ dài liên kết cầu nối C-C của các hợp chất r (Å) ở dạng trung hoà, anion, cation và trạng thái kích thích singlet thứ (Trang 102)
Hình 3.30: Độ dài cầu nối trong các hợp chất DTSPh ở dạng trung hoà, anion và cation. - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.30 Độ dài cầu nối trong các hợp chất DTSPh ở dạng trung hoà, anion và cation (Trang 105)
Hình 3.29: Góc nhị nhiện của các hợp chất DTSPh ở dạng trung hoà, anion và cation - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.29 Góc nhị nhiện của các hợp chất DTSPh ở dạng trung hoà, anion và cation (Trang 105)
Hình 3.31: Hình dạng và mức năng lượng HOMO, LUMO của các hợp chất (eV) a) CPDT; b) DTP; c) DTSH; d) DTSMe; e) DTT; f) DTSPh. - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.31 Hình dạng và mức năng lượng HOMO, LUMO của các hợp chất (eV) a) CPDT; b) DTP; c) DTSH; d) DTSMe; e) DTT; f) DTSPh (Trang 109)
Hình 3.32: Phổ hấp thụ được mô phỏng của các hợp chất bằng tính toán TD- TD-B3LYP/6-31G(d, p) với mô hình PCM trong dung môi THF: a) CPDT; b) DTP; c) - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.32 Phổ hấp thụ được mô phỏng của các hợp chất bằng tính toán TD- TD-B3LYP/6-31G(d, p) với mô hình PCM trong dung môi THF: a) CPDT; b) DTP; c) (Trang 122)
Hình 3.33: Phổ phát xạ của các hợp chất thu được từ tính toán TD- TD-DFT/B3LYP/6-31G (d, p) với mô hình PCM trong dung môi THF - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.33 Phổ phát xạ của các hợp chất thu được từ tính toán TD- TD-DFT/B3LYP/6-31G (d, p) với mô hình PCM trong dung môi THF (Trang 129)
Hình 3.34: Cấu trúc các hợp chất trong hệ dithienosilole. - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.34 Cấu trúc các hợp chất trong hệ dithienosilole (Trang 131)
Bảng 3.14: Góc nhị diện của hợp chất 3, 10 và 11. - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Bảng 3.14 Góc nhị diện của hợp chất 3, 10 và 11 (Trang 135)
Hình 3.35: Mức năng lượng HOMO và LUMO của các hợp chất CBP, DTS và các hợp chất 1-11. - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.35 Mức năng lượng HOMO và LUMO của các hợp chất CBP, DTS và các hợp chất 1-11 (Trang 138)
Bảng 3.16: Phần trăm đóng góp của các hợp phần trong hợp chất 1-11 vào HOMO và LUMO - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Bảng 3.16 Phần trăm đóng góp của các hợp phần trong hợp chất 1-11 vào HOMO và LUMO (Trang 139)
Hình 3.36:a) Phổ hấp thụ của các hợp chất DTS, 1 – 5; b) Phổ phát xạ của các hợp chất DTS, 1 – 5; c) Phổ hấp thụ của các hợp chất 6 – 11;d) Phổ phát xạ của - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.36 a) Phổ hấp thụ của các hợp chất DTS, 1 – 5; b) Phổ phát xạ của các hợp chất DTS, 1 – 5; c) Phổ hấp thụ của các hợp chất 6 – 11;d) Phổ phát xạ của (Trang 145)
Hình 3.37: Cấu trúc các hợp chất 10a-10d - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.37 Cấu trúc các hợp chất 10a-10d (Trang 149)
Hình 3.38: Hình ảnh HOMO và LUMO của các hợp chất 10a-10d. - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.38 Hình ảnh HOMO và LUMO của các hợp chất 10a-10d (Trang 150)
Bảng 3.22: Giá trị năng lượng HOMO và LUMO của các hợp chất (eV) - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Bảng 3.22 Giá trị năng lượng HOMO và LUMO của các hợp chất (eV) (Trang 156)
Hình 3.40: Phân bố HOMO và LUMO của các hợp chất được thiết kế. - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Hình 3.40 Phân bố HOMO và LUMO của các hợp chất được thiết kế (Trang 157)
Bảng 3.24: Bươc sóng hấp thụ (nm), cường độ dao động f và bước chuyển orbital của các hợp chất - Luận Án nghiên Cứu Cấu Trúc Và Tính Chất Một Số Hệ Vòng Ngưng Tụ Chứa Lưu Huỳnh Và Silic Ứng Dụng Trong Chế Tạo Vật Liệu Quang Điện.docx
Bảng 3.24 Bươc sóng hấp thụ (nm), cường độ dao động f và bước chuyển orbital của các hợp chất (Trang 160)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w