Thông tin tài liệu
ĐẠI HỌC HUẾ TRUONG DAI HOC SU PHAM NGUYEN QUANG CUONG NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC VÙNG NĂNG LƯỢNG CỦA VAT LIBU HAI CHIEU SnSe, DON LỚP BẰNG LY THUYET PHIEM HAM MAT ĐỘ LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ THEO DINH HƯỚNG NGHIÊN CỨU NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC TS LẼ THỊ THỦ PHƯƠNG 'Thừa Thiên Huế, năm 2019 ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM NGUYÊN QUANG CƯỜNG NGHIÊN CỨU CAU TRUC VUNG NANG LUQNG CUA VAT LIEU HAI CHIBU SnSe DON LỚP BẰNG LÝ THUYET PHIEM HAM M AT DO Chuyên ngành: VAY LY LY THUYET VA VAT LY TOAN Mã số - :84.40103 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ THEO ĐỊNH HƯỚNG NGHIÊN CỨU NGƯỜI HƯỚNG DAN KHOA HOC TS LẺ THỊ THU PHƯƠNG “Thừa Thiên Huế, năm 2019 LỜI CAM ĐOAN Toi xin e n doan diy số liệu kết nghiên cũu đồng tắc giả cho phép sử cơng trình nghiền cơng trình nghiền cứu riêng tồi, nêu luận văn trung thực, đụng chưa công bổ cứu khác Thủa Thiên Huế, điểng 1Í năm 2019 “Tác giả luậ Nguyễn Quang Cường LỜI CẮM ƠN' ‘Toi xin chm on si giúp đỡ, bảo tận tình người hướng đân khoa học, TS Lê Thị Thu Phương, suốt q trình thực luận văn để hồn thành tốt luận văn tốt nghiệp nay, Ti xin bày tỏ lồng biết ơn TS N uyễn Văn Chương (Học viên Kỹ thuật Quan 3W) giúp đồ hỗ trợ tơi q trình thực tính tốn mơ phống luận văn Con ln ghỉ nhỏ biết ơn gia đình Ba - Mẹ sư khuyến „ động Viên Và hỗ trợ tài cho suốt q trình học Ben cạnh đó, tơi gữ lời cảm du dếu q thầy, cõ giáo khoa Vật Lý đồng hành tạo điều kiện cho tơi suốt q trình học tập thực luận văn Thự Thiên Huế, thing nam 2019 “Tác giả luận văn Nguyễn Quang Cường MỤC LỤC “Trang py bla Tời cam đoan Lai cảm on Mục lục Danh mục kí hiệu chữ viết tất Danh mục cơng bó liên quan dén luận văn Danh sách hình vê MỞ ĐẦU NOI DUNG Chương TỒNG QUAN VỀ NGHIÊN CỨU u ¬ 1.2 Tổng au tính chất điện tử đơn lớp SnSe» Chương LÝ THUYẾT PHIÊM HẦM MẬT ĐỘ, 2.1 Phương pháp lý thuyết cầu trúc điện tử chất rấn 39, Lý thuyết phiếm hàm mật độ 2.2.1, Tính chất lượng tử cần chất rấn 322 DET dựa mơ hình Thomas-FEermi phương pháp gần dia phương 323 Các định 2.24, Phương pháp Kohn-Sha 335 Phiểm hàm gần mật độ địa phương 2.26 Phương pháp gần gradient suy rộng " w Ww ữ 1s lô 11 Graphene vật Hậu bai chiêu m loại chuyển tiếp dichalco 20 a 23 26 „ KẾT QUÁ NGHIÊN CỨU VÀ THẢO LUẬN, a1 3.3, Lý thuyết phiếm hàm mật độ Quantuan Espresso “Chương3 3.1 Cấu trúc hình học đơn lớp SuSe; 32 Tú chất điện tử dou lop Susi 313 Ảnh hướng cũa biên dang lớn ính chất điện tử đơn lo SiS 34 Dam lip SuSe; đất điện trường KẾT LUẬN TÀI LIỆU THAM KHẢO PHY LUC Phụ lục 1: Chương trình mư cấu trúc vùng lượng đơn lớp SnSe; Pa DANH MỤC KÍ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT 2D (word nional) DPT (Density functional theory) PPE (Perdew-Burke-Eruserhof) GGA (Generalized gradient apprasimation) LDA (Local density approximation) TFS (Hartree-Fock Slater) SCF (Self consistent field) Pwo Hai chiều Lý thuyết phiếm hàm độ Hàm Perdew- Durke-ErnserhoF Gain ding gradient tng quát Gần mật độ địa phương Phương pháp, Hartree-Fock-Slater Trưởng tự hợp Ham Perdew Wang (1991) DANH MỤC CÁC CÔNG BỒ LIÊN QUAN DEN LUAN VAN NguyênD Hien, Nguyen Q Cuong, Le M Bui, Pham © Dinh, Chong V Nguyen, Huynh V Phuc, NguyenV Hien, HR, Jap: por, Le T.T Phong, Bui D Hoi, Le C Nhan, and NenyenN Hien (2019), “First principles study of single-layer Suey under bias ial strain and electric field: Modulation of electronic properties", Phystea Bs Low-dimensional Systems and Nenostructures (111), pp 201-205 DANH SÁCH HÌNH VẼ Hình L2 iu trite nguyen tử vật ign MX: (a) dom lp va (b) bai lp [6 Cu trúc vùng lượng tử cũn đơn lắp Hình L3 Cấu trúc hình học căa dị cấu trúc van der Waals Hình L1 Hình 31 Hình 31 Hình 32 AMoS; MoSc; ị w (GaBe/MoBea theo gúc nhìn khác nhau: (a) whi từ xuống, (b) nhìn từ mặt bêm, (c) nha từ phía trước [3] Sơ dồ thuật tốn giải phương trình Kohu-Sham vịng lấp Lự hợp 29 Cấu trúc nguyên tử đan lớp SnSe; trạng thái cănbằng theo góc nhàn khác nhan (5) Nhĩntừ xuống, side view (b) nhận từ mật bên cạnh, va (c) ml tỉ mặt trước, Các bóng mầu xanh nhạt va mau vàng dùng để nguyên tử Sn va Se Phổ phonen đơn lập SuSep tr ig thai cân 3a Hình 33 Hình 34 Hình 35 Hình 36 Hình 37 Hình 35 Hình 39 (s] Cấn trúc vùng lượng điện tứ (b) mật độ trang thái riêng phần (PDOS) đơn lớp SnSex trang thấi tân Sự phụ thuộc lượng toàn phần đơn lip SnSe; vào biển dạng Cấu trúc vùng lượng diện tử đơn lớp SnSsạ khí bị biến dạng với Ía) sy = =5, [b} ~8%, (6) %i (ð trang thái cân bằng), (đ) y— 3%, va (e) 64 = 5%, Năng lượng Fermi duige chon giá trị lượng không, Su phu thuộc lượng vùng cấm đơn Ốp SnSc; vào biến dạng Ảnh hưởng cân điện trường lẽn lương toàn phần đơn lớp SnSes, Cần vùng lượng cũn đơn lớp SuSn; khỉ có mặt điện trường EE = V/um (a), B= 38 39 40 a =3V /om (b), B= Vom (e), viB= Vn (a) Sự phụ thuộc lượng vùng cấm đơn lớp SuSc; vào điện trường E
Ngày đăng: 03/08/2023, 02:00
Xem thêm:
