(Luận văn) nghiên cứu tính chất quang của vật liệu zno pha tạp al chế tạo bằng phương pháp khuếch tán nhiệt

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUY NHƠN LÊ THỊ DIỄM HẰNG lu an n va NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA VẬT LIÊU ZnO tn to PHA TẠP Al CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP p ie gh KHUYẾCH TÁN NHIỆT oa nl w Chuyên ngành d : 8.44.01.04 m ll fu an v an lu Mã số : Vật lý chất rắn t n oi Người hướng dẫn 1: TS Tống Thị Hảo Tâm z Nguyễn Tư z Người hướng dẫn 2: TS gm @ m co l an Lu n va ac th si LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan, kết nghiên cứu riêng hướng dẫn Cô TS Tống Thị Hảo Tâm Thầy TS Nguyễn Tư, khơng trùng lặp với cơng trình khoa học khác Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chưa cơng bố cơng trình lu Học viên an n va Lê Thị Diễm Hằng p ie gh tn to d oa nl w m ll fu an v an lu t n oi z z gm @ m co l an Lu n va ac th si LỜI CẢM ƠN Trước tiên em xin trân trọng bày tỏ lòng biết ơn chân thành sâu sắc đến TS Tống Thị Hảo Tâm TS Nguyễn Tư, người thầy tận tình hướng dẫn, dạy, giúp đỡ hết lịng vật chất lẫn tinh thần cung cấp kiến thức khoa học quí giá giúp em hoàn thành tốt luận văn Em xin trân trọng cảm ơn Thầy TS Đỗ Quang Trung, TS Nguyễn Văn lu Quang người tận tình giúp đỡ, khích lệ em trình học tập an nghiên cứu, tạo điều kiện thuận lợi suốt trình thực đề n va tài tn to Em xin trân trọng cảm ơn Thầy PGS Phạm Thành Huy, người tạo ie gh điều kiện giúp đỡ nguồn kinh phí học tập, góp ý động viên em suốt p trình học tập q trình làm thực nghiệm, để hồn thành oa nl w luận văn Em xin gửi lời cảm ơn tới Trường Đại học PHENIKAA, Đại học d v an lu Sư phạm Hà Nội 2, Viện AIST trường Đại học Bách Khoa Hà Nội tạo điều kiện cho em làm thực nghiệm đo đạc, khảo sát tính chất vật liệu fu an Em xin chân thành cảm ơn Ban Giám Hiệu Trường Đại Học Quy Nhơn, m ll Ban Chủ nhiệm khoa Thầy Cơ giáo Khoa Vật lí - Trường Đại n oi Học Quy Nhơn tạo điều kiện giúp đỡ em suốt thời gian qua t Cuối xin gửi lời cảm ơn chân thành tới bố mẹ, xin cảm ơn chị z z hai em, bạn bè gần gũi, động viên chia sẻ, giúp tơi khắc phục khó @ m co l Xin trân trọng cảm ơn ! gm khăn trình học tập, nghiên cứu hoàn thành luận văn Quy Nhơn, ngày 25 tháng năm 2019 Lu Lê Thị Diễm Hằng an n va ac th si MỤC LỤC ỜI C ĐO ỜI C Ơ D H ỤC C C KÝ HIỆU, CHỮ VIẾT TẮT D H ỤC BẢ G BIỂU MỞ ĐẦU Chư ng T NG QUAN……………………………………………………6 1.1 C C CƠ CHẾ QU G HỌC 1.1.1 Cơ chế hấp thụ ánh sáng lu an 1.1.2 Cơ chế chuyển dời 12 n va 1.1.3 Quá trình tái hợp 13 1.3 C C TÍ H CHẤT CỦ VẬT IỆU ZnO VÀ ZnO: l 18 1.3.1 Tính chất nhiệt – điện 18 p ie gh tn to 1.2 CẤU TRÚC TI H THỂ ZnO 15 oa nl w 1.3.2 Tính chất quang vật liệu ZnO ZnO: l 21 Chư ng THỰC NGHIỆM CHẾ TẠO VÀ PHƯƠNG PHÁP KHẢO d SÁT Error! Bookmark not defined v an lu 2.1 THỰC GHIỆ CHẾ TẠO ẪU 28 fu an 2.1.1 Hóa chất thiết bị chế tạo mẫu 28 2.1.2 Quy trình chế tạo bột huỳnh quang ZnO: l phƣơng pháp m ll khuếch tán nhiệt 29 n oi 2.2 C C PHƢƠ G PH P KHẢO S T TÍ H CHẤT CỦ VẬT t IỆU 32 z z 2.2.1 Phƣơng pháp khảo sát hình thái bề mặt kích thƣớc hạt 32 @ gm 2.2.2 Phƣơng pháp khảo sát thành phần nguyên tố vật liệu….33 l 2.2.3 Phƣơng pháp khảo sát cấu trúc tinh thể thành phần pha m co vật liệu 34 Lu 2.2.4 Các phƣơng pháp khảo sát tính chất quang vật liệu 35 an 2.2.5 Các phƣơng pháp đo thông số điện quang ED 36 n va ac th si Chư ng KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 37 3.1 CẤU TRÚC TI H THỂ CỦ BỘT HUỲ H QU 3.2 HÌ H TH I BỀ HUỲ H QU G ZnO: l .37 ẶT VÀ KÍCH THƢỚC HẠT CỦ BỘT G ZnO: l 41 3.3 THÀ H PHẦ C C GUYÊ TỐ CÓ TRO G BỘT HUỲ H QUANG ZnO:Al 42 3.4 TÍ H CHẤT QU G CỦ BỘT HUỲ H QUANG ZnO:Al…….43 3.4.1 Ảnh hƣởng nhiệt độ thiêu kết đến tính chất quang bột ZnO:Al 45 l 3+ đến tính chất quang lu 3.4.2 Ảnh hƣởng nồng độ pha tạp ion an n va bột ZnO: l 48 GHIỆ TRÊ ED CỦ BỘT HUỲ H QUANG ZnO:Al 49 gh tn to 3.5 KẾT QUẢ THỬ p ie 3.6 KẾT UẬ CHƢƠ G 51 KẾT LUẬN 53 oa nl w KIẾN NGHỊ 54 DANH MỤC CƠNG TRÌNH CƠNG BỐ CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN d v an lu ĐẾN LUẬN VĂN 55 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO 56 m ll fu an t n oi z z gm @ m co l an Lu n va ac th si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CHỮ VIẾT TẮT Kí hiệu Tên Tiếng Anh Tên Tiếng Việt Thông số tách trƣờng tinh thể lu Dq Crystal field separation factor E Energy RC Critical distance Khoảng cách tâm tới hạn YAG Crystal Y3Al5O12 Tinh thể Y3Al5O12 Α Absorption coefficient Hệ số hấp thụ Λ Wavelength Bƣớc sóng an Chữ viết tắt ăng lƣợng Tên Tiếng Anh n va Color Rendering Index EDS Energy dispersive spectroscopy gh tn to CRI p ie EPR FESEM Hệ số hoàn màu X-ray Phổ tán sắc lƣợng tia X paramag-netic Phổ cộng hƣởng từ tính điện từ Electronic resonance Lập phƣơng tâm mặt oa nl w FCC Tên Tiếng Việt Face center cubic scanning Hiển vi điện tử quét phát xạ trƣờng d Field emission electron microscopy v an lu Độ rộng bán phổ Full-width half-maximum LED Light emitting diode Điốt phát quang NUV Near Ultraviolet Tử ngoại gần PL Photoluminescence spectrum PLE Photoluminescence spectrum RE Rare earth Đất RE3+ Ion divalent rare earth Ion đất hóa trị SEM Scanning electron microscopy Kính hiển vi điện tử quét m ll fu an FWHM n oi t Phổ huỳnh quang z z gm @ excitation Phổ kích thích huỳnh quang m co l an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an UV Ultraviolet Tử ngoại XRD X-ray Diffraction Nhiễu xạ tia X WLED White Light Emitting diode Điốt phát quang ánh sáng trắng PDMS Polydimethylsiloxane UV polymer lu an n va p ie gh tn to d oa nl w m ll fu an v an lu t n oi z z gm @ m co l an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 1.1: ăng lƣợng liên kết exciton bán dẫn Bảng 1.2 Các thông số vật lý thể tính chất vật liệu ZnO 19 Bảng 1.3 guồn gốc màu phát xạ vật liệu nano ZnO 25 Bảng 3.1 Các thông số mạng tinh thể bột ZnO ZnO: l 40 lu an n va p ie gh tn to d oa nl w m ll fu an v an lu t n oi z z gm @ m co l an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1 Sơ đồ chuyển mức điện tử vật liệu bán dẫn hấp thụ ánh sáng [1] ………………………………………………………………………….8 Hình 1.2 Các chuyển mức điện tử vẽ khơng gian vectơ sóng k… 10 Hình 1.3 Sơ đồ chuyển mức điện tử phát xạ photon 14 Hình 1.4: Cấu trúc kiểu wurtzite lục giác xếp chặt 16 Hình 1.5: Cấu trúc tinh thể ZnO dạng lập phƣơng rocksalt.Cấu trúc lập lu phƣơng giã kẽm đơn giản kiểu aCl 17 an n va Hình 1.6: Cấu trúc lập phƣơng giả kẽm Blend 18 cực đại 380 nm 510 nm 22 gh tn to Hình 1.7 Phổ huỳnh quang vật liệu ZnO ứng với hai vùng phát xạ với p ie Hình 1.8 Phổ huỳnh quang đo nhiệt độ thấp (10 K) dây nano ZnO 23 oa nl w Hình 2.1 Các thiết bị để chế bột huỳnh quang ZnO: l phƣơng pháp khuếch tán nhiệt: cân phân tích (a), máy khuấy từ (b), cối mã não (c) d v an lu tủ sấy (d), lò nung abertherm (e), máy cất nƣớc hai lần (f)………… 29 Hình 2.2 Quy trình cơng nghệ chế tạo bột huỳnh quang ZnO pha tạp l fu an phƣơng pháp khuếch tán nhiệt 30 m ll Hình 2.3 Ảnh mơ tả q trình kết tủa hydroxit nhôm khuếch tán nhiệt n oi ion l vào hạt bột ZnO 31 t Hình 2.4 Phổ chip UV ED 310 nm, bảng chèn hình thông số z điện, quang ED, ảnh chụp ED ảnh chụp keo UV silicon 32 z EDS gm @ Hình 2.5 Thiết bị FESE -JEOL/JSM-7600F tích hợp đo FESE l Viện Tiên tiến Khoa học Công nghệ ( IST)- Đại học Bách khoa Hà Hình 2.6 Hệ đo giản đồ nhiễu xạ tia X(D/ m co ội 33 X-2500/PC) Viện Lu an (KICET), Hàn Quốc 35 n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Hình 2.7 Hệ huỳnh quang kích thích huỳnh quang viện Tiên tiến Khoa học Công nghệ ( IST), Trƣờng Đại học Bách khoa Hà ội 35 Hình 2.8 Hệ đo thơng số điện quang Gamma Scientific RadO GS- 1290 spectroradiometer 36 Hình 3.1 Phổ XRD bột ZnO ZnO pha tạp 3% l ủ nhiệt độ khác (a), phổ XRD quan sát góc nhiễu xạ hẹp mặt (002) (b)… 37 Hình 3.2 Phổ XRD ZnO pha tạp 3% l ủ 800oC với nồng độ pha tạp khác 40 Hình 3.3 Ảnh FESE vật liệu nguồn ZnO (a), ZnO pha tạp l lu ([Al3+]/[Zn2+] = 3%mol) ủ nhiệt độ 600 oC (b), 800oC (c), 1000oC (d) 41 an n va Hình 3.4 Phổ EDS ZnO: l ([ l3+]/[Zn2+] = 3% mol) ủ 1000°C 43 800oC 44 gh tn to Hình 3.5 Phổ P E (a)và P (b) bột ZnO: l ([ l3+]/[Zn2+] = 3% mol) ủ p ie Hình 3.6 Phổ P bột ZnO ZnO pha tạp 3% l ủ nhiệt độ từ 600 - 1000oC 45 oa nl w Hình 3.7 Phổ P chuẩn hóa bột ZnO ZnO: l (3% mol) ủ nhiệt độ từ 600oC 46 d v an lu Hình 3.8 Phổ P bột ZnO: l ủ 800oC với nồng độ khác ảnh chèn đồ thị biểu diễn phụ thuộc đỉnh phát xạ 542 nm vào fu an nồng độ l 48 m ll Hình 3.9 Ảnh chụp ED phủ bột ZnO: l (3%mol) ủ 800°C: a) ED n oi trạng thái tắt; b) ED sau đƣợc cấp nguồn 49 t Hình 3.10 Phổ ED sử dụng chip 310 nm phủ bột ZnO: l (3%mol) ủ z nhiệt độ 800oC 50 z gm @ Hình 3.11 Giản đồ CIE đánh dấu vị trí tọa độ màu ED bảng thông m co l số ED 51 an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 46 Trên Hình 3.6 phổ PL bột ZnO ZnO:Al (3% mol) ủ nhiệt độ 600-1000°C đƣợc kích thích bƣớc sóng 325 nm đèn Xenon Đối với bột ZnO (Hình 3.6-(1)), phổ PL cho thấy đỉnh phát xạ UV có cƣờng độ yếu có nguồn gốc từ chuyển mức phát xạ gần bờ vùng dải phát xạ vùng nhìn thấy có đỉnh bƣớc sóng 527 nm Khi pha tạp 3%mol Al ủ 600°C, có cƣờng độ phát xạ UV (385 nm) tăng mạnh dải phát xạ vùng nhìn thấy mở rộng vùng đỏ so với mẫu ZnO ban đầu (Hình 3.6(2)) Kết phù hợp với kết phân tích XRD (Hình 3.1) lu nhiệt độ ủ ion Al3+ bắt đầu khuếch tán vào mạng lớp bề mặt tạo an nút khuyết oxi gây phát xạ vùng đỏ Ngoài nhiệt độ ủ n va làm chất lƣợng tinh thể tăng nên làm tăng phát xạ bờ vùng [33] Để gh tn to so sánh, tiến hành chuẩn hóa phổ huỳnh quang vùng ánh sáng ie khả kiến bột ZnO bột ZnO:Al (3%mol) ủ nhiệt độ 600°C, kết p đƣợc thể hình 3.7 d oa nl w m ll fu an v an lu t n oi z z gm @ m co l Lu an Hình 3.7 Phổ PL chuẩn hóa bột ZnO ZnO:Al(3%mol) ủ nhiệt độ từ 600oC n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 47 Khi ủ nhiệt độ 800°C (Hình 3.6-(3)), cƣờng độ đỉnh phát xạ NBE 385 nm khơng tăng mà giảm nhẹ, thay vào cƣờng độ phát xạ vùng nhìn thấy tăng mạnh, phổ phát xạ vùng nhìn thấy mở rộng với bán độ rộng (FWHM) ~ 186 nm lớn ~ lần (64 nm) so với công bố tác giả B Sundarakannanthu đƣợc mẫu ZnO [10] Khi Al3+ vào mạng ZnO tạo liên kết với oxi mạng lền (Al-O) liên kết ban đầu mạng Zn-O oxi hình thành nút khuyết oxi (VO)[11,30,38] ngồi tƣơng tác bề mặt Al với hạt ZnO hình thành lu liên kết Al-O làm lớp bề mặt khuyết thêm oxi nguyên nhân tạo an phát xạ sai hỏng liên quan đến nút khuyết oxi mở rộng vùng phổ n va phát xạ sang vùng đỏ Tiếp tục tăng nhiệt độ ủ lên 1000°C, phổ huỳnh gh tn to quang Hình 3.6-(4) cho thấy cƣờng độ phát xạ vùng nhìn thấy giảm ie đỉnh phát xạ NBE bị dập tắt Kết cho thấy nhiệt độ ủ cao chất lƣợng p tinh thể giảm ứng suất nhiệt gây tạo nhiều sai hỏng Mặt oa nl w khác nhiệt độ lƣợng ion Al3+ khuếch tán vào mạng lớn hình thành nên pha tinh thể ZnAl2O4 (là chất điện mơi) nên khơng đóng góp d v an lu cho phát xạ mẫu Kết nhận đƣợc phù hợp với kết đo đƣợc m ll fu an phổ XRD ảnh FESEM phần t n oi z z gm @ m co l an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 48 Ảnh hưởng nồng độ pha tạp ion Al3+ đến tính chất quang bột ZnO:Al lu an n va p ie gh tn to Hình 3.8 Phổ PL bột ZnO:Al ủ 800oC với nồng độ khác ảnh oa nl w chèn đồ thị biểu diễn phụ thuộc đỉnh phát xạ 542 nm vào nồng độ Al d Để khảo sát ảnh hƣởng nồng độ pha tạp đến tính chất quang bột v an lu ZnO:Al, giữ nhiệt độ ủ 800°C thời gian thay đổi fu an nồng độ tạp đƣa vào từ - 7% mol (Hình 3.8) Kết thu đƣợc cho thấy: i) l đƣa vào tăng lƣợng lớn Al khuếch tán vào mạng n oi với nồng độ tạp m ll vùng UV mẫu 1% mol cho cƣờng độ huỳnh quang đỉnh UV lớn nhất, t ảnh hƣởng đến chất lƣợng tinh thể ZnO dẫn đến làm giảm phát xạ bờ l đƣa vào 7% mol dƣờng nhƣ phát xạ bờ vùng bị dập z z vùng, nồng độ l đƣa vào tăng cƣờng độ gm @ tắt.ii) vùng khả kiến, nồng độ tạp l huỳnh quang tăng đạt cực đại nồng độ Al 3% mol, sau tăng nồng m co độ Al tiếp cƣờng độ huỳnh quang giảm Nguyên nhân cƣờng độ huỳnh an Lu quang giảm tƣợng dập tắt huỳnh quang nồng độ gây n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 49 Hình chèn Hình 3.8 đồ thị biểu diễn phụ thuộc cƣờng độ đỉnh phát xạ 542 nm vào nồng độ pha tạp ion Al3+ ủ nhiệt độ 800°C thời gian 3.5 KẾT QUẢ THỬ NGHIỆM TRÊN LED CỦA BỘT HUỲNH QUANG ZnO:Al lu an n va p ie gh tn to oa nl w Hình Ảnh chụp LED phủ bột ZnO:Al (3%mol) ủ 800°C: a) LED trạng thái tắt; b) LED sau cấp nguồn d Để nghiên cứu khả ứng dụng vật liệu công nghệ chiếu v an lu sáng rắn (LED), tiến hành thử nghiệm phủ bột ZnO:Al(3%mol) kết fu an hợp với UV polymer phủ lên chip UV LED Trên Hình 3.9 cho thấy LED m ll đƣợc cấp nguồn cho phát xạ ánh sáng trắng ấm Phổ phát xạ thông số n oi ED đƣợc thể phần sau t Trên Hình 3.10 phổ ED đƣợc phủ bột ZnO:Al 3% mol ủ nhiệt độ z 800°C chip UV 310 nm đƣợc bơm với dòng 0.25 mA đƣợc đo hệ z @ m co l AIST-Trƣờng Đại học Bách Khoa Hà Nội gm thiết bị Gamma Scientific RadOMA GS-1290 s pectroradiometer Viện an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 50 lu an n va p ie gh tn to Hình 3.10 Phổ LED sử dụng chip 310 nm phủ bột ZnO:Al (3%mol) ủ nhiệt oa nl w độ 800oC d Trên phổ phát xạ LED cho thấy đỉnh phát xạ cƣờng độ yếu v an lu bƣớc sóng 310 nm (phát xạ nguồn chip UV) dải phát xạ rộng từ 400 đến fu an 800 nm có đỉnh khoảng gần 600 nm Phổ phát xạ LED có hình m ll dạng bán độ rộng tƣơng đƣơng với phổ phát xạ huỳnh quang đo đƣợc t 3.11 n oi Hình 3.6 Kết khảo sát thông số ED đƣợc thể Hình z Hình 3.11 giản đồ CIE đƣợc đánh dấu tọa độ màu LED phủ bột z gm @ ZnO:Al 3% ủ 800°C thông số ED đƣợc thể bảng l chèn hình LED phủ bột ZnO:Al (3%mol) ủ 800°C kết hợpvới UV m co polymer có tọa độ màu (x, y) 0.3840, 0.4002 với nhiệt độ màu 4067 hệ an vùng ánh sáng trắng ấm với hệ số hoàn trả màu cao Lu số hoàn trả mầu cao Ra~ 87 Với kết ED thu đƣợc phát xạ nằm n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 51 lu an n va p ie gh tn to d oa nl w fu an v an lu m ll Hình 3.11 Giản đồ CIE đánh dấu vị trí tọa độ màu LED bảng thông số 3.6 KẾT LUẬN CHƯƠNG t n oi LED z z Trong nghiên cứu này, phƣơng pháp khuếch tán nhiệt đơn giản, @ gm chế tạo đƣợc bột huỳnh quang ZnO:Al cho hiệu suất phát quang l với cƣờng độ phát xạ lớn Mẫu tối ƣu đƣợc ủ 800°C có cƣờng độ phát xạ m co mạnh với bán độ rộng lớn (~186 nm) bao trùm tồn vùng ánh sáng nhìn an Lu thấy Khi đƣợc kích thích chip LED UV cho phát xạ ánh sáng trắng ấm n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 52 với hệ số trả màu cao (~87) Các kết nghiên cứu cho thấy ZnO: Al phƣơng pháp khuếch tán nhiệt vật liệu hứa hẹn chế tạo điốt phát quang ánh sáng trắng sử dụng nguồn kích NUV lu an n va p ie gh tn to d oa nl w m ll fu an v an lu t n oi z z gm @ m co l an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 53 KẾT LUẬN Bằng phƣơng pháp khuếch tán nhiệt đơn giản chế tạo thành công bột huỳnh quang ZnO pha tạp Al Các kết nghiên cứu cho thấy bột huỳnh quang không đất ZnO:Alhứa hẹn vật liệu tiềm cho ứng dụng công nghệ chiếu sáng rắn để chế tạo LED phát xạ ánh sáng trắng ấm hiệu suất cao, hệ số trả màu cao, tiết kiệm lƣợng, giá thành thấp Các kết thu đƣợc nhƣ sau : lu an Chế tạo thành công bột huỳnh quang ZnO:Al phƣơng pháp n va khuếch tán nhiệt đó: i) trƣớc tiên kết tủa lớp tiền chất chứa ion Al tn to bề mặt hạt ZnO; ii) sau dùng lƣợng nhiệt khuếch tán ion Al vào ie gh mạng p Bột ZnO :Al sau tối ƣu hóa điều kiện công nghệ phải thỏa mãn oa nl w yêu cầu sau: nồng độ pha tạp tối ƣu 3% mol, ủ nhiệt độ 800°C thời gian d v an lu LED chế tạo thử nghiệm sở sử dụng bột huỳnh quang ZnO:Al fu an 3%mol ủ nhiệt độ 800°C cho phát xạ ánh sáng trắng ấm với nhiệt độ màu 4067 hệ số hoàn trả mầu cao Ra ~ 87 m ll t n oi z z gm @ m co l an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 54 KIẾN NGHỊ Với kết đạt đƣợc bột huỳnh quang ZnO pha tạp Al cho thấy tầm quan trọng ỹ nghĩa to lớn việc ứng dụng chiếu sáng rắn nay, đặc biệt chế tạo điốt phát quang ánh sáng trắng Chúng tiếp tục nghiên cứu với mạng với mong muốn nâng cao hiệu suất phát quang điều chỉnh dải hấp thụ kích thích gần với vùng ánh sáng xanh lam (blue) lu an n va p ie gh tn to d oa nl w m ll fu an v an lu t n oi z z gm @ m co l an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 55 DANH MỤC CƠNG TRÌNH CƠNG BỐ CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN Do nhóm tác giả: N.V Quang, L.T D Hang, N.T Tuan, N Tu, N.D Hung, T.T.H Tam, D.X Viet, P.T Huy D.Q, Bột huỳnh quang đơn pha ZnO:Al chế tạo phương pháp khuếch tán nhiệt ứng dụng cơng nghệ chiếu sáng rắn, Tạp chí khoa học Công nghệ – Đại học Thái guyên 24, Tr 163-167, 2019 lu an n va p ie gh tn to d oa nl w m ll fu an v an lu t n oi z z gm @ m co l an Lu n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 56 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Phùng Hồ, Phan Quốc Phơ (2008), Giáo trình Vật liệu bán dẫn, NXB Khoa học Kỹ thuật [2] Nguyễn Tƣ, guyễn Trí Tuấn, Đồn inh Thủy, guyễn Duy Hùng, guyễn Thị Khơi, Phạm Thành Huy (2015), Phát xạ màu đỏ bột lu ZnO chế tạo phương pháp nghiền bi hành tinh lượng cao, an Hội nghị Vật lý chất rắn khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ 9, Tr n va 791-794 guyễn Tƣ, Trần Mạnh Trung, (2019), Vật liệu nano cấu trúc chiều ZnS, p ie gh tn to [3] Phạm Thành Huy (chủ biên), Đỗ Quang Trung, Bùi Văn Hào, oa nl w ZnO, SnS/ZnO: cơng nghệ chế tạo, tính chất quang ứng dụng, Nhà Xuất Bản Bách Khoa Hà Nội d [4] Nguyễn Duy Phƣơng (2006), Nghiên cứu chế tạo khảo sát số tính v an lu chất màng mỏng ZnO khả ứng dụng chúng, uân văn fu an tiến sĩ khoa học, Trƣờng ĐH Khoa học Tự nhiên Hà Nội, Hà Nội t n oi sol-gel m ll [5] Dƣơng Thị Thanh Trúc (2009), Tạo màng ZnO:Al phƣơng pháp [6] Y Liu, H Zhang, X An, C Gao, Z Zhang, J Zhou, M Zhou, E Xie, z z Effect of Al doping on the visible photoluminescence of ZnO @ gm nanofibers, J Alloys Compd 506 (2010) 772–776 l [7] N Srinatha, P Raghu, H.M Mahesh, B Angadi, Spin-coated Al-doped m co ZnO thin films for optical applications: Structural, micro-structural, Lu optical and luminescence studies, J Alloys Compd 722 (2017) 888– an n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 57 895 [8] T Voss, S.R Waldvogel, Hybrid LEDs based on ZnO nanowire structures, Mater Sci Semicond Process 69 (2017) 52–56 [9] Q Shi, Z Wang, Y Liu, B Yang, G Wang, W Wang, J Zhang, Singlephased emission-tunable Mg-doped ZnO phosphors for white LEDs, J Alloys Compd 553 (2013) 172–176 [10] B Sundarakannan, M Kottaisamy, Synthesis of blue light excitable white light emitting ZnO for luminescent converted light emitting lu an diodes (LUCOLEDs), Mater Lett 165 (2016) 153–155 n va [11] B Sundarakannan, M Kottaisamy, ZnO:Al – A yellowish orange to Diode (WLEDs), Ceram Int 44 (2018) 14518–14522 ie gh tn emitting phosphor for Blue Light -Converted White Light Emitting p [12] N Bao, Y Liu, Z.W Li, H Yu, H.T Bai, L Xia, D.W Feng, H.B oa nl w Zhang, X.T Dong, T.Y Wang, J Han, R.Y Wu, Q Zhang, Construction of order mesoporous (Eu-La)/ZnO composite material and d v an lu its luminescent characters, J Lumin 177 (2016) 409–415 fu an [13] S.A Dayeh, E.T Yu, D Wang, Surface diffusion and substratenanowire adatom exchange in inas nanowire growth, Nano Lett m ll n oi (2009) 1967–1972 t [14] M ZHANG, X hai LI, Z xing WANG, Q yang HU, H jun GUO, z Synthesis of Y O 3  :Eu 3+ phosphors by surface diffusion and their z (English Ed 20 (2010) 115–118 gm @ photoluminescence properties, Trans Nonferrous Met Soc China l of cadmium magnesium zinc oxide Lu properties m co [15] O Kalu, J.A Duarte Moller, A Reyes Rojas, Structural and optical (CdMgZnO) an nanoparticles synthesized by sol–gel method, Phys Lett Sect A Gen n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 58 At Solid State Phys 383 (2019) 1037–1046 [16] Y Wang, X Zhang, C Hou, Facile synthesis of Al-doping 1D ZnO nanoneedles by co-precipitation method for efficient removal of methylene blue, Nano-Structures and Nano-Objects 16 (2018) 250–257 [17] J.S Tawale, A Kumar, G Swati, D Haranath, S.J Dhoble, A.K Srivastava, Microstructural evolution and photoluminescence performanance of nickel and chromium doped ZnO nanostructures, Mater Chem Phys 205 (2018) 9–15 lu an [18] J Hua, Q Wei, Y Du, X Yuan, J Wang, J Zhao, H Li, Controlling n va electron transfer from photoexcited quantum dots to Al doped ZnO (2018) 178–183 ie gh tn to nanoparticles with varied dopant concentration, Chem Phys Lett 692 p [19] Z Lu, J Zhou, A Wang, N Wang, X Yang, Synthesis of aluminium- oa nl w doped ZnO nanocrystals with controllable morphology and enhanced electrical conductivity, J Mater Chem 21 (2011) 4161–4167 d v an lu [20] E.L Foletto, S Battiston, J.M Simões, M.M Bassaco, L.S.F Pereira, É.M De Moraes Flores, E.I Müller, Synthesis of ZnAl 2O nanoparticles by fu an different routes and the effect of its pore size on the photocatalytic process, m ll Microporous Mesoporous Mater 163 (2012) 29–33 n oi t [21] P.S Kolhe, A.B Shinde, S.G Kulkarni, N Maiti, P.M Koinkar, K.M z Sonawane, Gas sensing performance of Al doped ZnO thin film for H2S z gm @ detection, J Alloys Compd 748 (2018) 6–11 [22] Y Fangli, H Peng, Y Chunlei, H Shulan, L Jinlin, Preparation and l Mater Chem 13 (2003) 634–637 m co properties of zinc oxide nanoparticles coated with zinc aluminate, J Lu an [23] P Jood, R.J Mehta, Y Zhang, G Peleckis, X Wang, R.W Siegel, T n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an 59 Borca-Tasciuc, S.X Dou, G Ramanath, Al-doped zinc oxide nanocomposites with enhanced thermoelectric properties, Nano Lett 11 (2011) 4337–4342 [24] Y.J Choi, S.C Gong, C.S Park, H.S Lee, J.G Jang, H.J Chang, G.Y Yeom, H.H Park, Improved performance of organic light-emitting diodes fabricated on al-doped Zno anodes incorporating a homogeneous al-doped ZnO buffer layer grown by atomic layer deposition, ACS Appl Mater Interfaces (2013) 3650–3655 lu an [25] L Kong, X Yin, F Ye, Q Li, L Zhang, L Cheng, Electromagnetic n va wave absorption properties of ZnO-based materials modified with ZnAl tn to O nanograins, J Phys Chem C 117 (2013) 2135–2146 ie gh [26] M Isik, N.M Gasanly, Thermoluminescence properties of Al doped p ZnO nanoparticles, Ceram Int 44 (2018) 13929–13933 oa nl w [27] J Li, X Zhu, Q Xie, D Yang, Surface nanosheets evolution and enhanced photoluminescence properties of Al-doped ZnO films induced d v an lu by excessive doping concentration, Ceram Int 45 (2019) 3871–3877 [28] J Wang, R Chen, L Xiang, S Komarneni, Synthesis, properties and fu an applications of ZnO nanomaterials with oxygen vacancies: A review, m ll Ceram Int 44 (2018) 7357–7377 n oi t [29] C Belkhaoui, N Mzabi, H Smaoui, P Daniel, Enhancing the structural, z optical and electrical properties of ZnO nanopowders through z gm @ (Al  +  Mn) doping, Results Phys 12 (2019) 1686–1696 [30] K.M Sandeep, S Bhat, S.M Dharmaprakash, Structural, optical, and l Chem Solids 104 (2017) 36–44 m co LED characteristics of ZnO and Al doped ZnO thin films, J Phys Lu an [31] X Zhang, J Qin, Y Xue, P Yu, B Zhang, L Wang, R Liu, Effect of n va ac th Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn si C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn