(Luận văn) nghiên cứu tính chất quang và khả năng ứng dụng của màng mỏng ôxit vanađi giàu vo2

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TRẦN THỊ MAI THANH lu an n va to gh tn NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG VÀ KHẢ NĂNG p ie ỨNG DỤNG CỦA MÀNG MỎNG ÔXIT VANAĐI GIÀU VO2 d oa nl w ll u nf va an lu oi m LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT LÝ z at nh z m co l gm @ an Lu Thái Nguyên - 2018 n va ac th si ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TRẦN THỊ MAI THANH lu an va n NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG VÀ KHẢ NĂNG p ie gh tn to ỨNG DỤNG CỦA MÀNG MỎNG ÔXIT VANAĐI GIÀU VO2 nl w Chuyên ngành: QUANG HỌC d oa Mã số: 8.44.01.10 u nf va an lu LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT LÝ ll oi m z at nh z an Lu Thái Nguyên - 2018 m co l gm @ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS ĐỖ HỒNG THANH n va ac th si i LỜI CAM ĐOAN Tác giả xin cam đoan công trình nghiên cứu thân hướng dẫn khoa học TS Đỗ Hồng Thanh Các kết nghiên cứu kết luận luận văn trung thực Việc tham khảo tài liệu trích dẫn ghi nguồn theo quy định Trường Đại học KHTN- ĐH Thái Nguyên không liên quan đến vi phạm tác quyền, quyền gây q trình thực (nếu có) lu Hải Phòng, ngày 05 tháng 10 năm 2018 an Tác giả luận văn n va tn to p ie gh Trần Thị Mai Thanh d oa nl w ll u nf va an lu oi m z at nh z m co l gm @ an Lu n va ac th si ii LỜI CẢM ƠN Với lòng kính trọng biết ơn, tơi xin bày tỏ lời cảm ơn tới TS Đỗ Hồng Thanh, người tận tình hướng dẫn bảo tơi suốt q trình làm luận văn Tơi xin gửi lời cảm ơn đến thầy, cô giáo giảng dạy hai năm qua hệ đào tạo sau đại học, chuyên ngành Quang học Trường Đại học KHTN- ĐH Thái Nguyên Những kiến thức, học mà nhận từ thầy, cô hành trang quý báu giúp tơi hồn thành luận văn trưởng thành công việc sống Tôi xin cảm ơn lu an Thầy Cô sơ sở nghiên cứu, đào tạo tận tình giúp đỡ tơi q n va trình thực nghiệm tơi công tác tạo điều kiện giúp đỡ xếp công việc thuận lợi gh tn to Tôi xin gửi lời cảm ơn đến Ban Giám hiệu trường THPT Kiến An- nơi p ie trình nghiên cứu Cuối cùng, muốn gửi lời cảm ơn sâu sắc tới tất bạn bè, đồng nl w nghiệp nơi tơi cơng tác tạo điều kiện cho tơi có thời gian học tập, làm việc d oa nghiên cứu Đặc biệt, xin cảm ơn người thân gia đình, an lu người ln động viên giúp đỡ tơi vượt qua khó khăn va trình nghiên cứu, học tập ll u nf Trong trình nghiên cứu thực đề tài, thời gian nghiên cứu có oi m hạn nên Tơi khơng tránh khỏi thiếu sót, Tơi mong thầy, cô Xin trân trọng cảm ơn! z at nh giáo góp ý để đề tài hồn thiện z Hải Phòng, ngày 05 tháng 10 năm 2018 @ m co l gm Tác giả luận văn an Lu Trần Thị Mai Thanh n va ac th si iii MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN i LỜI CẢM ƠN ii MỤC LỤC iii DANH MỤC CÁC CHỮ TẮT v MỞ ĐẦU CHƯƠNG ĐẶC TRƯNG CẤU TRÚC, TÍNH CHẤT QUANG VÀ CÁC PHƯƠNG PHÁP CHẾ TẠO MÀNG MỎNG ĐIÔXIT VANAĐI VO2 lu 1.1 Cấu trúc mạng tinh thể điện tử an va 1.1.1 Cấu trúc tinh thể đioxit vanađi (VO2) n 1.1.2 Cấu trúc điện tử ôxit vanađi gh tn to 1.2 Chuyển pha bán dẫn kim loại ie 1.3 Tính chất nhiệt sắc màng mỏng VO2 11 p 1.4 Các phương pháp chế tạo màng mỏng 15 nl w 1.4.1 Bốc bay chân không thuyền điện trở 15 d oa 1.4.2 Bốc bay chùm tia điện tử (electron-beam-deposition) 16 an lu 1.4.3 Phún xạ cao áp chiều cao tần (Dc-sputtering, Rf-sputtering) 16 u nf va 1.4.4 Lắng đọng pha hoá học (Chemical vapor deposition-CVD) 18 1.4.5 Phương pháp sol-gel 19 ll oi m 1.4.6 Phun thuỷ nhiệt 19 z at nh 1.4.7 Phun điện cao áp chiều 20 CHƯƠNG THỰC NGHIỆM CHẾ TẠO MÀNG MỎNG VÀ CÁC TÍNH CHẤT MÀNG MỎNG ĐIÔXIT z @ PHÉP ĐO NGHIÊN CỨU l gm VANAĐI VO2 22 m co 2.1 Cấu tạo hệ phun áp suất 22 2.2 Dung dịch phun 22 an Lu 2.3 Hoạt động hệ phun áp suất 23 n va ac th si iv 2.3.1 Các phận hệ phun áp suất 23 2.4 Các phép đo đạc sử dụng để khảo sát tính chất màng mỏng ôxit vanađi 26 2.4.1 Khảo sát cấu trúc tinh thể nhiễu xạ tia X 26 2.4.2 Phương pháp hiển vi điện tử truyền qua 27 2.4.3 Phương pháp hiển vi điện tử quét 29 2.4.4 Thiết bị Micro-Raman để khảo sát phổ dao động phân tử (tán xạ Raman) 33 2.4.5 Khảo sát phổ truyền qua 34 CHƯƠNG KHẢO SÁT CẤU TRÚC TINH THỂ, TÍNH CHẤT lu QUANG VÀ KHẢ NĂNG ỨNG DỤNG CỦA MÀNG MỎNG VO2 CHẾ an TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHUN ÁP SUẤT 37 va n 3.1 Khảo sát cấu trúc bề mặt cấu trúc tinh thể màng VO2 37 gh tn to 3.2 Phổ tán xạ Raman 40 ie 3.3 Tính chất quang cấu trúc vùng lượng màng VO2 41 p 3.4 Tính chất điện quang chuyển pha BD-KL - hiệu ứng nhiệt sắc nl w màng VO2 44 d oa 3.4.1 Tính chất điện 45 an lu 3.4.2 Tính chất nhiệt sắc 46 u nf va KẾT LUẬN 49 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO 50 ll oi m z at nh z m co l gm @ an Lu n va ac th si v DANH MỤC CÁC CHỮ TẮT BDKL Bán dẫn kim loại NĐP Nhiệt độ phòng NĐCP Nhiệt độ chuyển pha KL - ĐM Kim loại - điện môi lu an n va p ie gh tn to d oa nl w ll u nf va an lu oi m z at nh z m co l gm @ an Lu n va ac th si vi DANH MỤC HÌNH Hình 1.1 Hệ mạng đơn tà màng mỏng VO2 với ô sở (a) cấu trúc mạng (b) Hình 1.2 Cấu trúc tinh thể VO2 mạng đơn tà (a) mạng tứ giác (b) Hình 1.3 Độ dẫn điện phụ thuộc vào nhiệt độ tinh thể Hình 2.1 Cấu tạo hệ phun áp suất hoàn chỉnh 22 Hình 2.2 Bình phun áp suất 24 Hình 2.3 Sơ đồ đầu phun áp suất 25 lu Hình 2.4 Sự phản xạ tia X mặt phẳng Bragg 26 an Hình 2.5 Sơ đồ ngun lý kính hiển vi điện tử truyền qua chụp ảnh va n hiển vi điện tử 28 gh tn to Hình 2.6 Giản đồ kính hiển vi điện tử quét chụp ảnh bề mặt mẫu 30 ie Hình 2.7 Sơ đồ tán xạ Raman 33 p Hình 2.8 Sơ đồ nguyên lý đo phổ truyền qua phổ phản xạ 35 nl w Hình 2.9 Hệ đo phổ truyền qua UV/VIS-NIR Jasco V570 35 d oa Hình 3.1 Ảnh FE- SEM chụp mặt cắt màng VO2 đế thuỷ tinh chế tạo an lu phương pháp phun áp suất trước (a) sau ủ nhiệt (b) 38 u nf va Hình 3.2 Ảnh FE- SEM chụp bề mặt màng VO2 chế tạo phương pháp phun áp suất chưa ủ nhiệt (a) phun kết hợp ủ nhiệt (b) 38 ll oi m Hình 3.3 Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ôxit vanađi phun không ủ (A) z at nh phun kết hợp kết tinh ủ nhiệt 450oC 30 phút (B) 40 Hình 3.4 Phổ tán xạ Raman màng mỏng VO2 trước (a) sau ủ (b) 41 z Hình 3.5 Phổ truyền qua nhiệt độ phòng màng VO2 trước (a) sau @ l gm ủ nhiệt (b) 42 m co Hình 3.6 Đồ thị hàm (αhν)1/2 phụ thuộc lượng photon, để xác định độ rộng vùng cấm Eg màng VO2 43 an Lu n va ac th si vii Hình 3.7 Sơ đồ cấu trúc vùng VO2 NĐP nhỏ NĐCP (a) đốt lên nhiệt độ lớn NĐCP (b) 44 Hình 3.8 Điện trở phụ thuộc vào nhiệt độ màng VO2 phun kết hợp ủ nhiệt 450oC, 1/2 46 Hình 3.9 Phổ truyền qua nhiệt độ 30 oC (< τc) 100 oC (> τc) màng VO2 chế tạo phương pháp phun áp suất ủ nhiệt 450oC, 1/2 47 Hình 3.10 Sơ đồ mơ tả ứng dụng kính phủ lớp VO2 48 lu an n va p ie gh tn to d oa nl w ll u nf va an lu oi m z at nh z m co l gm @ an Lu n va ac th si MỞ ĐẦU Tính cấp thiết đề tài Trình độ cơng nghệ chế tạo màng mỏng nước giới ngày cao gắn liền với thực tiễn sản xuất Trong số vật liệu màng mỏng ơxit Vanađi quan tâm nghiên cứu ngày nhiều chúng có khả triển vọng ứng dụng phong phú [3; 10; 11] Có ba loại ơxit quan tâm nghiên cứu nhiều điôxit vanađi (VO2), penta-ôxit vanađi (V2O5) hỗn hợp ôxit vanađi (VOx) Trong vùng lu nhiệt độ chuyển pha, màng mỏng ôxit vanađi có khả biến đổi nhiệt - điện an - quang thuận nghịch [1; 2; 3] Do đó, chúng ứng dụng vào lĩnh va n vực: tự động hóa, vi điện tử, điều tiết ánh sáng, cửa sổ thơng minh Ơxit gh tn to vanađi khơng hợp thức có tính chất điện phụ thuộc nồng độ khí NO2 , CO ie cồn Do thay đổi đó, màng mỏng oxit vanađi cịn có triển vọng ứng p dụng lĩnh vực sensor khí để báo khí độc, báo khí dễ cháy góp phần giữ nl w gìn bảo vệ mơi trường Màng mỏng ơxit vanađi cịn có khả tích trữ d oa proton ion kích thước nhỏ Li+, việc chế tạo pin ion rắn u nf va việc cấy liti an lu linh kiện hiển thị điện sắc thực sở ôxit vanađi Do chất đa dạng hóa trị vanađi phức tạp thành ll oi m phần hóa học ơxit vanađi, việc nghiên cứu công nghệ chế tạo, z at nh hình thành cấu trúc tính chất quang nhiều vấn đề cần giải [10; 12] Nghiên cứu hình thành tinh thể màng mỏng ôxit vanađi giàu z VO2 cần thiết đóng góp vào hiểu biết công nghệ, lý thuyết lĩnh vực l gm @ ứng dụng thực tiễn loại ôxit m co So với phương pháp lắng đọng màng mỏng [2; 4; 13] lắng đọng phương pháp phun điện cao áp khơng khí điều kiện áp suất an Lu khí thơng thường cho phép sản xuất đại trà [6; 7; 8], mang tính thời n va ac th si 38 sau ủ dày lên cờ 430 nm Điều chứng tỏ sau ủ màng kết tinh tốt hơn, chiều dày tăng lên nhờ q trình ơxy hóa lu an Hình 3.1 va n Ảnh FE- SEM chụp mặt cắt màng VO2 đế thuỷ tinh chế tạo to Ảnh hiển vi điện tử quét (FE-SEM) bề mặt màng cho thấy, màng VO2 p ie gh tn phương pháp phun áp suất trước (a) sau ủ nhiệt (b) có cấu trúc submicro với kích thước hạt trung bình ≈ 200 nm Các hạt tinh thể d oa nl w màng trở nên to (Hình 3.2) ll u nf va an lu oi m z at nh z l gm @ Hình 3.2 m co Ảnh FE- SEM chụp bề mặt màng VO2 chế tạo phương pháp an Lu phun áp suất chưa ủ nhiệt (a) phun kết hợp ủ nhiệt (b) n va ac th si 39 Từ giản đồ nhiễu xạ tia X (Hình 3.2) nhận thấy, màng phun chưa ủ nhiệt có đỉnh đặc trưng cho tinh thể V6O11 đỉnh thấp thuộc tinh thể VO2 Như màng chưa hình thành cấu trúc VO2, phần lớn trạng thái vơ định hình, ngoại trừ lượng nhỏ tinh thể V6O11 (Hình 3.2, giản đồ “A”) Mẫu cần ơxy hóa để nhận thêm ơxy cho q trình hình thành tinh thể VO2 Trong trình ủ nhiệt, màng tái kết tinh, mầm tinh thể VO2 nhỏ bé phát triển thành hạt tinh thể VO2 Do giản đồ XRD xuất số đỉnh thuộc VO2, đỉnh thuộc V6O11 lu lớn chút Tuy lượng nhỏ tinh thể này, việc xuất đỉnh an va thuộc VO2 chứng tỏ màng ơxit vanađi giàu lượng VO2 (Hình 3.2, giản đồ n “B”) Để xác định kích thước hạt tinh thể (τ), áp dụng công thức Sherrer: tn to 0,9 × λ β × cos θ (3.1) p ie gh τ = Trong λ - bước sóng tia X ống phát sử dụng (ở ống phát oa nl w ống Cu, nên λ = 0.15406 nm) θ - góc nhiễu xạ β - độ rộng đỉnh vị trí d 1/2 chiều cao đỉnh nhiễu xạ lu an Giản đồ nhiễu xạ XRD, đỉnh giản đồ “B” (Hình u nf va 3.2) với 2θ = 26.20 tìm β = 0.0007 Thay vào cơng thức trên, kích thước ll hạt τ xác định vào khoảng 220 nm GIá trị phù hợp với kích thước oi m hạt VO2 đo từ ảnh FE-SEM z at nh Như trình bày phần trên, cơng nghệ phun áp suất kết tinh thích hợp chúng tơi nhận màng mỏng có hàm lượng chủ yếu VO2, z gm @ nhiệt độ phịng có cấu trúc mạng tinh thể thuộc hệ đơn tà Nhiều cơng trình l lý thuyết thực nghiệm chứng tỏ VO2 có chuyển pha BDKL nhiệt độ an Lu pháp chế tạo chất vật liệu đế m co khoảng 650C ÷ 680C, độ thăng giáng NĐCP phụ thuộc vào phương n va ac th si 40 180 160 + VO2 V6O11 (011) 140 INTENSITY(Cps) + 120 (200) 100 (210) + (211) + 80 + B 60 + 40 A 20 lu 25 30 35 40 45 50 55 60 an n va 2Theta (degree) to gh tn Hình 3.3 p ie Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ôxit vanađi phun không ủ (A) phun nl w kết hợp kết tinh ủ nhiệt 450oC 30 phút (B) d oa 3.2 Phổ tán xạ Raman an lu Phổ tán xạ Raman phổ dao động phân tử, Hình 3.4 phổ Raman u nf va màng VO2 sau ủ Đối với màng chưa ủ, đỉnh đỉnh đặc trưng liên kết V-O mạng đơn tà xuất không nhiều phổ Raman ll oi m màng ủ nhiệt Phổ Raman màng sau ủ: vị trí số sóng 192, z at nh 220, 304, 386, 420, 610 968 cm-1, đỉnh đặc trưng hoàn toàn phù hợp với đỉnh đặc trưng phổ Raman nêu cơng trình [23] Phổ z tán xạ Raman nhận chứng tỏ sau ủ nhiệt, màng có lượng @ m co l gm kết tinh tăng lên rõ rệt, phù hợp với kết phân tích nhiễu xạ tia X an Lu n va ac th si 41 968 610 420 304 800 386 1000 220 192 Cờng độ tơng đối (a.u) 1200 600 400 200 lu 200 400 600 800 an Sè sãng (cm 1000 1200 -1 ) va n Hình 3.4 to ie gh tn Phổ tán xạ Raman màng mỏng VO2 p 3.3 Tính chất quang cấu trúc vùng lượng màng VO2 nl w Khi màng VO2 đốt nóng đến nhiệt độ lớn NĐCP (τc) xảy oa chuyển pha BDKL, độ rộng vùng cấm quang chúng bị thu hẹp d vùng cấm pha kim loại Tại nhiệt độ phòng, độ rộng vùng cấm an lu va quang Eg màng mỏng VO2 tính tốn từ hệ số hấp thụ (α) phụ thuộc oi m nm đến 1100 nm (Hình 3.5) ll u nf vào lượng photon sở phổ truyền qua (T) dải sóng từ 400 z at nh Tại NĐP, độ rộng vùng cấm quang Eg màng mỏng VO2 cấu trúc nanơ tính tốn từ phổ hấp thụ α phụ thuộc vào lượng phôtôn z sở phổ phản xạ R truyền qua T dải sóng từ 400 nm đến 1100 nm @ l gm (Hình 3.3) Mối liên hệ hệ số hấp thụ với cường độ ánh sáng tới Io(λ) cường độ ánh sáng suy giảm IT(λ) qua mẫu tuân theo định luật m co Bougver-Lamber [24]: an Lu IT = I0e-αx (3.2) n va ac th si Độ truyền qua (%) 42 lu an n va Bước sóng (nm) to gh tn Hình 3.5 sau ủ nhiệt (b) p ie Phổ truyền qua nhiệt độ phòng màng VO2 trước (a) oa nl w Để thiết lập mối liên hệ hệ số hấp thụ α với phổ phản xạ R d truyền qua T, chúng tơi tính cường độ ánh sáng qua mẫu IT(λ) để ý đến an lu tượng phản xạ bên mẫu hai bề mặt góc khúc xạ thoả u nf va mãn điều kiện sinθ τc) màng VO2 chế m co tạo phương pháp phun áp suất ủ nhiệt 450oC, 1/2 an Lu Từ phổ truyền qua phụ thuộc nhiệt độ Hình 3.9 nhận thấy: Đối với mẫu (màng VO2) hiệu ứng nhiệt sắc xảy rõ ràng, vùng hồng n va ac th si 48 ngoại gần Ở vùng khả kiến, độ truyền qua mẫu đốt nóng (T100 > τc) lớn so với mẫu nguội (T30 < τc) Ngược lại, vùng hồng ngoại, từ 1100 nm đến 1800 nm, T > τc, độ truyền qua giảm mạnh, thí dụ bước sóng λ = 1800 nm độ truyền qua giảm từ 62 % xuống 28% Khi làm nguội mẫu xuống τc phổ truyền qua lặp lại hoàn toàn trùng với phổ ban đầu Như vậy, hiệu ứng nhiệt sắc mang tính thuận nghịch Khi màng VO2 đốt nóng lên nhiệt độ cao NĐCP độ truyền qua giảm đáng kể, có nghĩa độ phản xạ vùng hồng ngoại tăng lên Điều chứng tỏ xạ vùng hồng ngoại (bức xạ nóng) phổ xạ mặt trời “cản” phần lớn lớp lu an phủ màng VO2 Nói cách khác, xạ hồng ngoại khơng xun qua kính n va phủ lớp màng Trên Hình 3.10 sơ đồ ứng dụng hiệu ứng nhiệt sắc p ie gh tn to (kính phản quang) tịa nhà kính cao tầng Bên nl w Phía ngồi: Bức xạ nóng (hồng ngoại) Ánh sáng d oa Tia UV ll u nf va an lu oi m z at nh Hình 3.10 Sơ đồ mơ tả ứng dụng kính phủ lớp VO2 Nếu cửa sổ tòa nhà cao tầng phủ lớp màng VO2 z (như hình 3.10) vào ngày mùa hè phịng nhiệt độ @ gm khơng bị nâng cao (do xạ nóng bị cản lại) phịng khơng sử l dụng kính phủ VO2 Vì điện cung cấp cho điều hịa hay quạt m co điện giảm thiểu Lớp phủ VO2 lên kính cịn gọi lớp phản xạ an Lu nhiệt, cửa sổ phủ lớp VO2 gọi cửa sổ nhiệt sắc thông minh n va ac th si 49 KẾT LUẬN Bằng phương pháp phun áp suất từ dung dịch muối VOCl2, môi trường khơng khí điều kiện áp suất khí thông thường, tiến hành chế tạo màng mỏng VO2, qua so sánh cấu trúc tinh thể hiệu ứng nhiệt sắc chúng Màng phun ủ nhiệt có chiều dày ~ 430 nm Từ kết phân tích cấu trúc (XRD), hình thái học (FE-SEM), đo điện trở suất phổ quang học (T%), nhận thấy màng phun kết hợp ủ nhiệt kết lu tinh cho chất lượng tăng lên, chưa đơn pha giàu VO2 an va Nhiệt độ chuyển pha BD-KL màng VO2 xác định xác n thơng qua hai phép đo điện trở suất độ truyền qua phụ thuộc nhiệt độ gh tn to Trong phép đo điện nhận thấy, nhiệt độ ~ 67 0C độ dẫn màng tăng đột p ie ngột (hay điện trở suất giảm) ứng với tỷ số điện trở suất (tức ρ(BD)/ ρ(KL) gần bậc oa nl w Đã nhận độ phản xạ cao vùng xạ hồng ngoại, với tính d chất màng nhiệt sắc VO2 ứng dụng làm lớp phủ cho kính phản nhiệt an lu điều tiết lượng mặt trời truyền qua cửa kính (cửa sổ nhiệt sắc thông minh) u nf va Việc nghiên cứu hình hành cấu trúc tinh thể, hình thái bề mặt tính ll chất quang màng mỏng VO2 chế tạo phương pháp phun áp suất, oi m mơi trường khơng khí, điều kiện áp suất khí thơng thường z at nh cho phép hướng tới chế tạo cửa sổ thông minh với diện tích tùy ý Kết mang lại giá trị mặt khoa học thực tiễn z m co l gm @ an Lu n va ac th si 50 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO Nguyễn Năng Định (1996),“Hiệu ứng nhiệt sắc công nghệ kính phản xạ nhiệt“, Tuyển tập cơng trình Hội nghị Khoa học Trường Đại học Bách khoa Hà nội 40 năm thành lập trường Nguyễn Năng Định, Đỗ Hồng Thanh, Phạm Duy Long, Vũ Thị Bích Phan văn Ánh(1998), " Nghiên cứu chuyển pha bán dẫn-kim loại màng mỏng VO2 chế tạo chùm tia điện tử", Tạp chí khoa học Đại học quốc lu gia Hà Nội, tr 165-168 an Nguyễn Năng Định, Đỗ Hồng Thanh, Vũ Thị Bích, Phạm Gia Ngữ, va n Phan Văn Ánh(1998), " Tổng hợp oxit vanađi chế tạo màng mỏng penta- gh tn to đioxit vana đi", Hóa học nghiệp cơng nghiệp hóa đại hóa đất ie nước, Tuyển tập báo cáo Hội nghị Hóa học tồn quốc, Hà nội 10/1998, p tr.597-600 nl w Nguyễn Thị Hải,“Chế tạo màng mỏng ZnO, ZnO: Al phương pháp d oa phun áp suất nghiên cứu tính nhạy khí chúng”, Luận văn Thạc sĩ an lu khoa học vật lý, Trường Đại học Sư phạm Hà nội u nf va Lê Văn Hiếu, Trần Tuấn, Nguyễn Hiếu Hải, Trần Quang Hiền, " Cấu trúc tính chất điện sắc màng mỏng vanadium pentoxide chế tạo ll oi m phương pháp phún xạ magnetron dc nhiệt độ phịng" tạp chí phát z at nh triển khoa học công nghệ, T 14, S4 (2011) Đỗ Hồng Thanh, Phan Văn Ánh, Phạm Gia Ngữ Nguyễn Năng Định z (1997), " Nghiên cứu chuyển tiếp bán dẫn-kim loại màng mỏng ôxit @ l gm vana chế tạo phương pháp phun điện", Những vấn đề đại m co vật lý chất rắn, Tuyển tập cơng trình hội nghị Khoa học Đồ sơn- Hải phòng 8/1997, Nhà xuất Khoa học ký thuật, tập 1,tr 594-600 an Lu n va ac th si 51 Đỗ Hồng Thanh, Phan văn Ánh, Nguyễn Văn Hùng, Phạm Gia Ngữ Nguyễn Năng Định(1998), "Một số tính chất màng mỏng penta ôxit vanađi chế tạo phương pháp phun điện", Tuyển tập cơng trình Hội nghị Khoa học ngành vật lý, Trường Đại học sư phạm Hà Nội 11/1998, tr.105-108 Đỗ Hồng Thanh, Nguyễn Văn Hùng, Đinh Mạnh Hùng, Phan Văn Ánh Nguyễn Năng Định (2001), “Chế tạo màng mỏng V2O5 khảo sát tính chất chuyển mạch chúng”, Tuyển tập báo cáo Hội nghị Vật lý chất rắn toàn quốc lần thứ III, Nha trang 8/2011 lu Đỗ Hồng Thanh, Công nghệ chế tạo nghiên cứu tính chất màng an mỏng ơxyt vanađi, luận án tiến sĩ vật lý, Hà nội 2003 va n 10 Do Hong Thanh, Pham Duy Long, Phan Van Anh and Nguyen Nang Dinh beam deposition and high dc- voltage spraying", pro of the third ie gh tn to (1999), "Characterization of VO2 and V2O5 thin film made by electron p Intenational Workshop on Materials Sciene (I WOMS' 99), Ha noi, nl w November 2-4 1999, pp.427-430 oa 11 Aetukur, N.B.; Gray, A.X.; Drouard, M.; Cossale, M.; Gao, L.; Reid, d A.H.; Kukreja, R.; Ohldag, H.; Jekins, C.A.; Arenholz, E.; et al Control of lu va an the metal-insulator transition in vanadium dioxide by modifying orbital u nf occupancy Nat Phys 2013, 9, 661–666 ll 12 Cao, J.; Ertekin, E.; Srivasan, V.; Fan, W.; Huang, S.; Zheng, H.; Yim, m oi J.W.L.; Khanal, D.R.; Ogletree, D.F.; Grosman, J.C.; et al Strain engineering z at nh and one-dimensional organization of metal–insulator domains in single-crystal z vanadium dioxide beams Nat Nanotechnol 2009, 4, 732–737 @ gm 13 Cao, J.; Wu, J Strain effect in low-dimensional transition metal oxides l Mat Sci Eng 2011, R71, 35–52 Nakano, N.; Shybaya, S.; Okuyama, m co D.; Hatano, T.; Ono, S.; Kawasaki, M.; Iwasa, Y.; Tokura, Y Collective accumulation Nature 2012, 487, 459–462 an Lu bulk carrier delocalization driven by electrostatic surface charge n va ac th si 52 14 Duplan Carole Alfred, Masso Jean, Gavarri Jean-Raymond and Cesari Claude (1994), ''Variable electrical properties in composites: Application to vanadium dioxide pigments in a polyethylene host'', Journal of Solid state Chemistry 110, pp 6-14 15 D Yoon, Y.-W Son and H Cheong, Nano letters, 2011, 11, 3227-3231 16 Marcelli, A Phase Separations in Highly Correlated Materials Acta Phys Polonica A 2016, 129, 264–269 17 M C Rao, K R Rao (2014), "Themal Evaporated V2O5 thin films: lu Thermodynamic Properties", Int J Chem Tech Res, 2014-S, (7), pp an 3931-3934 va n 18 M J Powell, R Quesada-Cabrera, A Taylo (2016), " Intelligent gh tn to Multifunctional VO2/SiO2/TiO2 Coatings for Self- Cleaning, Energy ie 19 Geenrt Rampelberg, Bob De Schtter, Woulder, Koen Martens, Luliana p Radu and Christophe Detavernier (2015), "In situ X-ray diffraction study of nl w the controlled oxidation and redution in the V-O system for the synthesis of d oa VO2 and V2O3 thin films", J Matter Chem C, 2015, 3, pp 11357-11365 an lu 20 H Yang, J Heo, S Park, H J Song, D H Seo, K.-E Byun, P Kim, I u nf va Yoo, H.-J Chung and K Kim, Science, 2012, 336, 1140-1143 21 Parker John C., Gelser Urs W., Lam Daniel J., Xu Yongnian and Ching ll oi m Wai Yim (1990), ''Optical properties of the Vanadium Oxide VO2 and V2O5 z at nh '', J Am Ceram Soc 73 (11) pp 3206-3208 22.W He, H.-K Kim, W G Wamer, D Melka, J H Callahan and J.-J Yin, z Journal of the American Chemical Society, 2013, 136, 750-757 @ l gm 23 Yoon, H.; Choi, M.; Lim, T.; Kwon, H.; Ihm, K.; Kim, J.K.; Choi, S.; m co Son, J Reversible phase modulation and hydrogen storage in multivalent VO2 epitaxial thin films Nat Mater 2016, 15, 1113–1119 an Lu n va ac th si