1 Hiện nay, graphene được xem là vật liệu điện tử rất hấp dẫn nhờ vào các đặc tính nổi trội của nó như tính cơ học, dẫn điện, dẫn nhiệt và dẫn quang Graphene đã mở ra những khả năng mới không chỉ đối[.]
Hiện nay, graphene xem vật liệu điện tử hấp dẫn nhờ vào đặc tính trội tính học, dẫn điện, dẫn nhiệt dẫn quang Graphene mở khả không nghiên cứu vật lý mà cịn nhiều ứng dụng cơng nghiệp Ngày nay, đế đơn tinh thể bán dẫn Si đóng vai trị quan trọng linh kiện điện tử bán dẫn vi mạch, việc tích hợp graphene cơng nghệ Si mong đợi Sự kết hợp graphene Si giải vấn đề tiếp tục thu nhỏ kích thước linh kiện điện tử mà công nghệ Si phải đối mặt Graphene/Si có lẽ ứng viên hứa hẹn cho công nghệ CMOS tương lai Do đó, việc tìm quy trình chế tạo trực tiếp màng graphene đế Si đề tài quan trọng cấp thiết Trong luận án này, đế Si(111) chọn để nghiên cứu thành lập màng graphene sử dụng phương pháp bay chùm điện tử tính ổn định bề mặt Si(111) với mạng tinh thể lục giác bề mặt có khả tái cấu trúc để tối thiểu hóa liên kết dangling Bề mặt tái cấu trúc Si(111) đánh giá ổn định so với bề mặt khác tinh thể Si Do đó, kỳ vọng đế phù hợp cho việc chế tạo màng graphene Tuy nhiên, sai lệch mạng tinh thể bề mặt Si(111) graphene lớn nên khó chế tạo màng graphene đế Si(111) Cho nên lớp đệm xem giải pháp làm giảm thiểu sai lệch mạng Trong bối cảnh đó, chúng tơi đề xuất mơ hình cấu trúc sử dụng carbon vơ định hình và/hoặc silicon carbide lớp đệm đế Si(111) cho mục đích với bốn thiết kế theo thứ tự sau C/a-C/Si(111), C/a-C/3CSiC/Si(111), C/3C-SiC/Si(111) C/Si/3C-SiC/Si(111) Chất lượng màng graphene phụ thuộc không vào nhiệt độ nung mà phụ thuộc vào thời gian mọc bề dày lớp đệm Chúng tơi tìm thấy khuếch tán nguyên tử Si lớp đệm SiC suốt trình hình thành màng graphene yếu tố làm giảm chất lượng màng Do đó, mơ hình tính tốn xây dựng cho phép xác định đánh giá ảnh hưởng thông số khác đến chất lượng màng graphene đế Si(111) Thesis book can be found at: http://agenda.unamur.be/upevent.2015-1001.9180155637 Tp HCM, ngày 29 tháng năm 2016 Tác giả Phạm Thành Trung