Nghiên cứu chế tạo điốt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng

BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP. HỒ CHÍ MINH PHÒNG THÍ NGHIỆM CÔNG NGHỆ NANO ĐỀ TÀI ĐỘC LẬP CẤP NHÀ NƯỚC NGHIÊN CỨU KHOA HỌC VÀ PHÁT TRIỂN CÔNG NGHỆ BÁO CÁO TỔNG HỢP KẾT QUẢ KHOA HỌC CÔNG NGHỆ ĐỀ TÀI NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO ĐIÔT PHÁT SÁNG (LED) DÙNG TRONG CÔNG NGHIỆP CHIẾU SÁNG Mã số: ĐTĐL.2007G/42 Cơ quan chủ trì đề tài: Phòng Thí Nghiệm Công Nghệ Nano Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS. Đặng Mậu Chiến TP. Hồ Chí Minh, 10 - 2010 BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP. HỒ CHÍ MINH PHÒNG THÍ NGHIỆM CÔNG NGHỆ NANO ĐỀ TÀI ĐỘC LẬP CẤP NHÀ NƯỚC NGHIÊN CỨU KHOA HỌC VÀ PHÁT TRIỂN CÔNG NGHỆ BÁO CÁO TỔNG HỢP KẾT QUẢ KHOA HỌC CÔNG NGHỆ ĐỀ TÀI NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO ĐIÔT PHÁT SÁNG (LED) DÙNG TRONG CÔNG NGHIỆP CHIẾU SÁNG Mã số: ĐTĐL.2007G/42 Chủ nhiệm đề tài: Cơ quan chủ trì đề tài: Phó Giám Đốc PGS.TS. Đặng Mậu Chiến TS. Tống Duy Hiển Ban chủ nhiệm chương trình Bộ Khoa học và Công nghệ (ký tên) (ký tên và đóng dấu khi gửi lưu trữ) TP. Hồ Chí Minh, 10 - 2010 LỜI CẢM ƠN Trước tiên chúng tôi xin tỏ lòng biết ơn đến Bộ Khoa học và Công nghệ đã hỗ trợ và cấp kinh phí thực hiện đề tài này. Nhóm nghiên cứu xin chân thành ghi nhận sự đóng góp hữu hiệu của các đối tác nước ngoài và trong nước: - Trung tâm Quang điện tử (COE) thuộc Đại học Quốc gia Singapore (NUS) đã hợp tác đào tạo cán bộ và hỗ trợ thiết bị MOCVD cho phần thực nghiệm chế tạ o cấu trúc LED, - Viện Nghiên cứu Vật liệu và Công nghệ (IMRE), Singapore đã hỗ trợ thử nghiệm và đánh giá cấu trúc, chíp và bóng LED chế tạo, - Công ty Cổ phần Năng lượng Mặt Trời Đỏ (RSE – JSC) và Công ty Cổ phần Xuất nhập khẩu Điện tử Việt (Viettronimex) đã phối hợp ứng dụng kết quả nghiên cứu và nhận xét đánh giá chất lượng các sản phẩm chi ếu sáng, và mong muốn được tiếp tục cộng tác trong tương lai. Chúng tôi xin chân thành cảm ơn: - Vụ Khoa học Xã hội và Tự nhiên – Bộ KH&CN, - Ban Giám đốc Đại học Quốc gia TP. Hồ Chí Minh, - Ban Khoa học Công nghệ - ĐHQG TP. HCM, - Phòng Thí nghiệm Công nghệ Nano, - Và các cộng sự đã chỉ đạo, tạo điều kiện thuận lợi, và động viên khích lệ chúng tôi hoàn thành tốt đề tài này. TP. Hồ Chí Minh, tháng 8 – 2010 Chủ nhiệm đề tài PGS. TS. Đặng Mậu Chiến Đề tài NCKH: “Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng” Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS. Đặng Mậu Chiến - PTN CN Nano - ĐHQG TP. HCM 1 MỤC LỤC MỤC LỤC 1 Danh mục các ký hiệu, các chữ viết tắt 6 Danh mục các bảng 7 Danh mục các hình vẽ, đồ thị 9 MỞ ĐẦU 20 A. Tình hình nghiên cứu trên thế giới và trong nước 20 B. Mục tiêu đề tài 22 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN 24 1.1. Điôt phát sáng (LED) và lịch sử phát triển 24 1.2. Cấu trúc LED 25 1.2.1. Cấu trúc p-n 25 1.2.2. Cấu trúc tinh thể GaN 36 1.2.3. Giếng lượng tử trong cấu trúc LED 37 1.2.4. Các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu suất phát sáng 38 1.3. Ứng dụng của bóng LED trong công nghiệp chiếu sáng 41 CHƯƠNG 2: NGHIÊN CỨU LÝ THUYẾT VỀ CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO CẤU TRÚC LED, CHÍP LED VÀ BÓNG LED 43 2.1. Phương pháp chế tạo các màng bán dẫn bằng công nghệ MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 43 2.1.1. Hệ thống điều khiển khí 44 2.1.2. Lò phản ứng đĩa quay 46 2.1.3. Các tiền chất sử dụng cho việc ngưng phủ của Gallium Nitride 48 2.1.4. Các đế cho heteroepitaxy 50 2.1.5. Tráng phủ GaN bằng MOCVD 52 Đề tài NCKH: “Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng” Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS. Đặng Mậu Chiến - PTN CN Nano - ĐHQG TP. HCM 2 2.2. Chíp LED (LED chip) 52 2.2.1. Cấu tạo chíp LED 52 2.2.2. Nguyên lý hoạt động 53 2.3. Lý thuyết chế tạo vi điện cực cho wafer LED 55 2.3.1. Lý thuyết quang khắc (photolithography) 56 2.3.2. Lý thuyết bốc bay chùm điện tử 59 2.3.3. Kỹ thuật khắc ICP (Inductively Coupled Plasma) 63 2.4. Bóng LED (LED lamp) 64 2.4.1. Cấu tạo bóng LED 64 2.4.2. Vật liệu đóng nắp LED 65 2.4.3. Phương pháp phủ phốtpho tạo bóng LED ánh sáng trắng 68 2.4.4. Một số khái niệm về các tính chất điện - quang của bóng LED 69 2.4.5. Đánh giá tuổi thọ bóng LED 75 CHƯƠNG 3: NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ ĐÁNH GIÁ CẤU TRÚC LED 77 3.1. Thiết bị MOCVD EMCORE D125 77 3.2. Chế tạo cấu trúc LED trên đế sapphire – cấu trúc dạng 1 79 3.3. Chế tạo cấu trúc LED trên đế sapphire – cấu trúc dạng 2 83 3.3.1. Chế tạo màng GaN không pha tạp 84 3.3.2. Chế tạo màng GaN pha tạp loại n 84 3.3.3. Chế tạo màng InGaN 85 3.3.4. Chế tạo cấu trúc đa giếng lượng tử InGaN/GaN 85 3.3.5. Chế tạo màng AlGaN 86 3.3.6. Chế tạo màng GaN pha tạp loại p 87 3.3.7. Chế tạo cấu trúc LED dạng 2 87 Đề tài NCKH: “Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng” Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS. Đặng Mậu Chiến - PTN CN Nano - ĐHQG TP. HCM 3 3.4. Nghiên cứu đánh giá bề mặt các màng bán dẫn chế tạo 88 3.4.1. Kết quả đánh giá bề mặt mẫu bằng kính hiển vi lực nguyên tử (Atomic Force Microscopy - AFM) 88 3.4.2. Kết quả đánh giá bề mặt mẫu bằng kính hiển vi điện tử quét (Scanning Electron Microscopy - SEM) 92 3.5. Nghiên cứu đánh giá cấu trúc các màng bán dẫn chế tạo 95 3.5.1. Kết quả đánh giá cấu trúc mẫu bằng nhiễu xạ tia X độ phân giải cao (High-Resolution X-ray Diffraction - HR-XRD) 95 3.5.2. Kết quả phân tích phổ Raman 100 3.6. Nghiên cứu đánh giá tính chất quang của mẫu bằng phương pháp đo phát xạ quang học (photoluminescence) ở nhiệt độ phòng (RT- PL) 102 3.7. Nghiên cứu tính chất điện của các màng bán dẫn chế tạo 107 3.7.1. Kết quả đánh giá độ linh động của hạt tải bằng phương pháp đo Hall 107 3.7.2. Kết quả đo điện trở bằng phương pháp đo điện trở 4 đầu dò 109 CHƯƠNG 4: NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO CHÍP LED ÁNH SÁNG XANH 112 4.1. Thiết kế bộ mặt nạ (mask) cho các công đoạn quang khắc bằng phần mềm CleWin 112 4.1.1. Giới thiệu phần mềm CleWin 112 4.1.2. Thiết kế bộ Mask cho chíp LED 114 4.2. Quy trình công nghệ chế tạo chíp LED ánh sáng xanh 116 4.2.1. Làm sạch wafer LED 119 4.2.2. Công đoạn tạo mesa cho n-contact 120 4.2.3. Công đoạn chế tạo n-contact 130 4.2.4. Công đoạn chế tạo p-contact 138 4.2.5. Công đoạn chế tạo p-bond pad 143 Đề tài NCKH: “Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng” Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS. Đặng Mậu Chiến - PTN CN Nano - ĐHQG TP. HCM 4 4.2.6. Nung ủ nhiệt các màng kim loại 148 4.3. Đánh giá các tính chất điện-quang của chíp LED chế tạo 150 4.3.1. Đánh giá đặc tuyến I-V và đặc tuyến quang - điện của chíp LED 152 4.3.2. Đánh giá tính chất quang của chíp LED 155 CHƯƠNG 5: QUY TRÌNH CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO BÓNG LED ÁNH SÁNG TRẮNG 159 5.1. Công nghệ chế tạo bóng LED ánh sáng trắng 159 5.1.1. Cắt wafer LED ra từng chíp riêng lẻ 160 5.1.2. Dán chíp lên cốc (cup) phản xạ 165 5.1.3. Hàn dây vàng vào hai điện cực (Wire bonding) 169 5.1.4. Phủ chất huỳnh quang tạo bóng LED phát ánh sáng trắng 171 5.1.5. Đóng nắp bóng LED 174 5.1.6. Chạy thử nghiệm bóng LED 176 5.2. Kiểm tra tính chất điện - quang và thử nghiệm bóng LED chế tạo 177 5.2.1. Tính chất điện của bóng LED 180 5.2.2. Tính chất quang của bóng LED 182 5.2.3. Thử nghiệm đánh giá tuổi thọ bóng LED chế tạo 187 CHƯƠNG 6: THIẾT KẾ VÀ CHẾ TẠO CÁC SẢN PHẨM CHIẾU SÁNG SỬ DỤNG BÓNG LED 199 6.1. Đèn sạc điện xách tay sử dụng 24 và 28 bóng LED (model: LNT- SLL01, LNT- SLL02) 199 6.1.1. Thiết kế kết cấu 199 6.1.2. Nguyên lý hoạt động và quy trình vận hành 201 6.1.3. Một số hình ảnh các chi tiết chế tạo 204 6.1.4. Sản phẩm chế tạo và thương mại hóa sản phẩm 206 6.2. Đèn sạc điện sử dụng 60 bóng LED (model: LNT-SLL04) 208 Đề tài NCKH: “Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng” Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS. Đặng Mậu Chiến - PTN CN Nano - ĐHQG TP. HCM 5 6.2.1. Thiết kế và các chi tiết được chế tạo 208 6.2.2. Sản phẩm đèn sạc điện sử dụng 60 bóng LED 209 6.3. Đèn chiếu sáng tự động sử dụng 56 bóng LED (model: LNT- LAL01) 210 6.3.1. Thiết kế 210 6.3.2. Nguyên lý hoạt động 213 6.3.3. Ảnh một số chi tiết của đèn LNT-LAL01 được chế tạo 215 6.3.4. Sản phẩm chế tạo và hiệu quả ứng dụng 217 6.4. Đèn dài tiết kiệm năng lượng sử dụng 108 bóng LED (model: LNT-LLL01) 221 6.4.1. Thiết kế kết cấu 221 6.4.2. Nguyên lý hoạt động đèn LNT-LLL01 223 6.4.3. Một số hình ảnh các chi tiết chế tạo 223 6.4.4. Sản phẩm chế tạo 225 KẾT LUẬN 226 TÀI LIỆU THAM KHẢO 234 PHỤ LỤC: DANH MỤC CÁC VĂN BẢN TÀI LIỆU MINH CHỨNG 240 Đề tài NCKH: “Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng” Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS. Đặng Mậu Chiến - PTN CN Nano - ĐHQG TP. HCM 6 Danh mục các ký hiệu, các chữ viết tắt AFM Kính hiển vi lực nguyên tử (Atomic Force Microscopy) ccm Đơn vị đo lưu lượng: centimét khối trên phút (Cubic centimeter per minute) cd Đơn vị đo cường độ sáng (candela) CIE Ủy ban quốc tế về chiếu sáng (tiếng Pháp: Commission International de l’Eclaire, tiếng Anh: International Commssion on Illumination) COE Trung tâm Quang Điện Tử (Center for Optoelectronics) - Đại học Quốc Gia Singapore (National University of Singpore - NUS) E g Năng lượng vùng cấm (Energy gap) FWHM Độ bán rộng (Full Width at Half Maximum) HR-XRD Nhiễu xạ tia X độ phân giải cao (high-resolution X-ray diffraction) ICP Khắc plasma cao tần cảm ứng (Inductively Coupled Plasma) IMRE Viện Nghiên cứu Vật liệu và Công nghệ (Institute of Materials Research and Engineering) - Singapore LED Điôt phát quang (Light Emitting Diode) LNT Phòng Thí Nghiệm Công Nghệ Nano (Laboratory of Nanotechnology) – Đại học Quốc gia TP. HCM lm Đơn vị đo quang thông (lumen) LPE Liquid Phase Epitaxy MFC Bộ điều khiển theo khối lượng dòng (Mass Flow Controller) MOCVD Phủ màng vật liệu bằng thể hóa kim cơ (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) MQW Cấu trúc đa giếng lượng t ử (Multiple-Quantum Well) PC Chuyển đổi huỳnh quang (Phosphor Converter) PL Phổ phát quang (Photoluminescence) PRS LED Phương pháp Schuber (Photon-recycling Semiconductor LED) RT-PL Phổ phát quang ở nhiệt độ phòng (Room Temparature – Photoluminescence) SEM Kính hiển vi điện tử quét (Scanning Electron Microscope ) TMAl TrimethylAluminum TMGa TrimethylGallium TMIn TrimethylIndium UV Cực tím (Ultra Violet) YAG:Ce Ytrium Allumium Garnet pha tạp Cedium Đề tài NCKH: “Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng” Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS. Đặng Mậu Chiến - PTN CN Nano - ĐHQG TP. HCM 7 Danh mục các bảng Bảng 1.1 Thông số cấu trúc và tính chất vật lý của tinh thể GaN cấu trúc Wurtzite [1] 37 Bảng 1.2 So sánh một số tính chất của InGaN/GaN sử dụng khí mang là hyđrô và nitơ 40 Bảng 2.1 Hệ số A và B cho các hợp kim kim cơ nhóm III phổ biến nhất 49 Bảng 2.2 Tốc độ phân hủy ammonia ở điều kiện cân bằng nhiệt động áp suất khí quyển và áp suất yếu hơn 50 Bảng 2.3 Nguồn sáng sử dụng cho chiếu sáng 59 Bảng 3.1 Các thông số công nghệ chế tạo cấu trúc LED dạng 1 82 Bảng 3.2 Các thông số công nghệ chế tạo màng GaN không pha tạp 84 Bảng 3.3 Các thông số công nghệ chế tạo màng GaN pha tạp loại n 84 Bảng 3.4 Các thông số công nghệ chế tạo màng InGaN 85 Bảng 3.5 Các thông số công nghệ chế tạo cấu trúc đa giếng lượng tử InGaN/GaN 86 Bảng 3.6 Các thông số công nghệ chế tạo màng AlGaN 86 Bảng 3.7 Các thông số công nghệ chế tạo màng GaN pha tạp loại p 87 Bảng 3.8 Các thông số công nghệ chế tạo cấu trúc LED dạng 2 88 Bảng 3.9 Giá trị điện trở màng thu được 111 Bảng 4.1 Các đặc tính vật lý và hóa học của photoresist dương AZ 5214E 120 Bảng 4.2 Độ dày tương ứng với tốc độ quay phủ 121 Bảng 4.3 Thông số công nghệ của quá trình quang khắc n-contact 131 Bảng 4.4 Tính chất vật lý của các vật liệu bốc bay 133 Bảng 4.5 Thông số công nghệ sử dụng cho quá trình quang khắc p- contact 138 [...]... bán dẫn phát sáng được chế tạo, bước đầu chế tạo thử nghiệm chíp LED ánh sáng Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS Đặng Mậu Chiến - PTN CN Nano - ĐHQG TP HCM 21 Đề tài NCKH: Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng xanh dương. Việc thực hiện đề tài này sẽ hoàn thiện quy trình chế tạo điôt bán dẫn phát sáng bắt đầu từ nguyên liệu đầu vào và kết thúc là sản phẩm chiếu sáng sử dụng... LED chế tạo, - Nghiên cứu chế tạo sản phẩm chiếu sáng sử dụng bóng LED Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS Đặng Mậu Chiến - PTN CN Nano - ĐHQG TP HCM 23 Đề tài NCKH: Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN 1.1 Điôt phát sáng (LED) và lịch sử phát triển LED đơn giản là một loại điôt bán dẫn tương tự như những loại điôt khác, gồm hai lớp bán dẫn ghép lại tạo. .. dẫn phát sáng, nắm vững quy trình công nghệ chế tạo chíp LED và công đoạn chế tạo đèn LED ứng dụng Đề tài này tập trung nghiên cứu sử dụng hệ thống MOCVD để chế tạo wafer LED, sử dụng các thiết bị hiện đại trong môi trường phòng sạch để chế tạo chíp LED, chế tạo bóng LED, đèn LED ứng dụng và đánh giá chất lượng của đèn LED chế tạo B Mục tiêu đề tài Quy trình chế tạo đèn LED bao gồm bốn công đoạn: a) Chế. .. công nghệ chế tạo điôt bán dẫn phát sáng giai đoạn 1, chế tạo wafer LED, bước đầu đã đạt được những kết quả khả quan Do công nghệ chế tạo MOCVD là một công nghệ mới, hiện đại trên thế giới nên nhóm nghiên cứu đã gửi cán bộ nghiên cứu đi đào tạo chuyên sâu tại nước ngoài (Singapore) về công nghệ MOCVD Nhóm nghiên cứu đã bước đầu nắm vững quy trình công nghệ MOCVD để chế tạo cấu trúc bán dẫn phát sáng, đánh... đạt được trên 10% Công trình nghiên cứu này đem lại nhiều thay đổi sâu sắc đến kỹ thuật chế tạo bóng LED [1], dẫn đến Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS Đặng Mậu Chiến - PTN CN Nano - ĐHQG TP HCM 24 Đề tài NCKH: Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng sự phát triển của điôt phát quang ánh sáng trắng đầu tiên Năm 2006, giáo sư Nakamura đã được nhận giải thưởng Công nghệ thiên... Đề tài NCKH: Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng MỞ ĐẦU A Tình hình nghiên cứu trên thế giới và trong nước • Tình hình nghiên cứu trên thế giới Với sự gia tăng nhanh chóng nhu cầu sử dụng năng lượng và sự cạn kiệt dần các nguồn nhiên liệu không thể tái tạo được thì vấn đề năng lượng đang là một trong những thách thức của thế giới hiện nay Khoa học công nghệ cũng... c) Chế tạo bóng LED ánh sáng trắng theo phương pháp phủ phốtpho (LED packaging), d) Chế tạo sản phẩm đèn chiếu sáng sử dụng bóng LED Đề tài này hướng đến các mục tiêu chế tạo cấu trúc bán dẫn phát sáng trên cơ sở vật liệu GaN (với cấu trúc đa giếng lượng tử InGaN/GaN) trên tấm đế sapphire, chế tạo chíp LED, chế tạo bóng LED và ứng dụng bóng LED làm đèn chiếu sáng: - Nghiên cứu quy trình công nghệ chế. .. một nền công nghiệp sản xuất LED phát triển ở mức độ rất cao Trong phạm vi khu vực Đông Nam Á, với việc trang bị các hệ thống MOCVD phục vụ cho các nghiên cứu điôt bán dẫn phát sáng, Singapore trở thành nước đi đầu khu vực trong nghiên cứu ứng dụng lĩnh vực này • Tình hình nghiên cứu trong nước Hiện nay trong nước chưa có ngành công nghiệp vi điện tử, và cũng chưa có nhiều nghiên cứu ứng dụng trong lĩnh... LED bao gồm bốn công đoạn: a) Chế tạo cấu trúc bán dẫn phát sáng trên tấm đế sapphire (wafer LED) Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS Đặng Mậu Chiến - PTN CN Nano - ĐHQG TP HCM 22 Đề tài NCKH: Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng sử dụng phương pháp phủ màng vật liệu bằng thể hóa kim cơ hiện đại trên hệ thống MOCVD, b) Chế tạo chíp LED ánh sáng xanh bằng phương pháp quang... Nghiên cứu quy trình công nghệ chế tạo cấu trúc bán dẫn phát sáng trên tấm đế sapphire (wafer LED), - Đánh giá các tính chất điện - quang của vật liệu để tối ưu hóa cấu trúc bán dẫn phát sáng chế tạo, - Nghiên cứu quy trình công nghệ chế tạo chíp LED, - Đánh giá các tính chất điện - quang và chất lượng của chíp LED được chế tạo, - Nghiên cứu quy trình công nghệ chế tạo bóng LED, - Kiểm tra và đánh giá . AlGaN 86 3.3.6. Chế tạo màng GaN pha tạp loại p 87 3.3.7. Chế tạo cấu trúc LED dạng 2 87 Đề tài NCKH: Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng Chủ nhiệm. Công đoạn chế tạo p-contact 138 4.2.5. Công đoạn chế tạo p-bond pad 143 Đề tài NCKH: Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS. Đặng. tránh ánh sáng nhiễu từ bên ngoài 152 Hình 4.51 Hình ảnh chíp LED phát sáng khi cấp dòng 20 mA 152 Đề tài NCKH: Nghiên cứu chế tạo điôt phát sáng (LED) dùng trong công nghiệp chiếu sáng Chủ