TÍNH TOÁN THIẾT KẾ MẠCH OTL

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ BÁO CÁO ĐỒ ÁN NHÓM HỌC PHẦN KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ Sinh viên thực hiện Trần Quốc Đạt Msv 1911505410113 Lê Trần Minh Hiếu Msv 19115054.

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ BÁO CÁO ĐỒ ÁN NHÓM HỌC PHẦN KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ Sinh viên thực hiện: Trần Quốc Đạt Lê Trần Minh Hiếu Lớp học phần: 220KTMĐT01 Đà Nẵng, 5/2021 Msv: 1911505410113 Msv: 1911505410116 YÊU CẦU THIẾT KẾ Nội dung: Thiết kế mạch khuếch đại công suất âm tầng Yêu cầu: Loại mạch: OTL Ngõ vào: vi sai Trở kháng ra: 8ΩΩ Trở kháng vào:150KΩ Cơng suất: 45W Sinh viên thực hiện: TÍNH TỐN THIẾT KẾ Thiết kế tầng nguồn: 1.1 Biên độ tín hiệu loa: Tín hiệu vào mạch khuyếch đại có dạng sin: v=Vsinω t Xem hệ thống tuyến tính tín hiệu tải: v L =V L sinω t + V CE i L =I Lsinω t + I C với V L, I L biên độ điện áp dòng tải V CE 0, I C điện áp dịng điện DC tải Do tầng cơng suất làm việc chế độ AB nên dòng tĩnh điện áp tĩnh rơi tải không đáng kể Do vậy: v L =V L sinω t i L =I Lsinω t Gọi V Lhd, I Lhd điện áp hiệu dụng dòng điện hiệu dụng tải V Lhd= VL IL , I Lhd = √2 √2 Khi cơng suất tải : P L=R L I 2Lhd = V 2Lhd V 2L = R L RL => V L= √ R L P L =√ 2.100 8=40 ( V ) => I L = V L 40 = =5 ( A ) RL 1.2 Điện áp nguồn cung cấp Để đảm bảo mặt lượng tránh nhiễu phi tuyến điện áp nguồn phải hai lần điện áp loa Mặc khác, Q1 ,Q làm việc chế độ AB nên chọn hệ số sử dụng nguồn 0,8Ω Do vậy: V CC = V l 2.40 = =100 0.8 0,8 Ta chọn nguồn cung cấp là: V CC =100(V ) 1.3 Công suất nguồn cung cấp: Dịng cung cấp trung bình: π IL 1 I CCtb= ∫ I L sinωtωt d ω t= cosωt∨ π = 2π 2π π Công suất nguồn cung cấp: Sinh viên thực hiện: Pcc =V CC IL =100 =159,1(W ) π π 1.4 Hiệu suất mạch: Ƞ= P L 100 = 100 %=6 2,85 % P cc 159,1 Thiết kế tầng khuếch đại công suất Tầng khuyếch đại công suất có nhiệm vụ phát loa tín hiệu âm tầng xác định theo yêu cầu thiết kế P L=45 W Các BJT làm việc mức điện áp cao, dòng collector Q1 ,Q lớn Vì vậy, Q ,Q phải chọn phù hợp đồng thời phải chọn nguồn, dịng nguồn khơng vượt giá trị cho phép BJT phải đủ lớn để đảm bảo công suất hiệu suất mạch Để tránh méo xuyên tâm đồng thời đảm bảo hiệu suất mạch , ta chọn Q1 ,Q làm việc chế độ AB.Vì mạch làm việc chế độ AB nên dòng tĩnh collector nằm khoảng 20→50mA Ở ta chọn: I E =I E =I E =50 mA Q Q1 Q2 Dòng qua đỉnh Q1 ,Q là: I E =I E =I E + I L =50 10−3 +5=5,05 ( A ) P P Q1 2.1 Tính chọn R1 , R Vì R1 , R có tác dụng cân dịng , ổn định nhiệt nên phải có kích thước lớn để chịu cơng suất lớn Dạng tín hiệu R1 , R là: i e1 =ie2=I L sinω t Nếu R1 , R chọn lớn tổn hao loa nhiều phải chọn cho tín hiệu loa lớn Để tránh tổn thất tín hiệu loa ta thường chọn: V R1 V L 20 ≥ =¿ V R ≥ = =1 ( V ) VL 20 20 20 VL => R1=R 2= I E 1P = =0,39(Ω) 5,05 Ta chọn: R1=R 2=0,39(Ω) Công suất tiêu hao R1 , R là: 1 IL 52 P R 1=PR 2= R I Lhd = R1 =0,39 =0,6( W ) 2 Chọn R1=R 2=0,39 Ω/5 W 2.2 Tính chọn cặp Q1 ,Q Sinh viên thực hiện: Công suất nguồn cung cấp: PCC =V CC I TB =V CC IL π 2 Công suất loa: P L=R L I Lhd = R L I L 2 Công suất tiêu tán R1 , R 2: P R= R1 I L Vậy công suất tiêu tán hai BJT Q1 ,Q là: Ptt =P cc −P L−P R=V CC IL 1 2 − R L I L − R1 I L π 2 Công suất tiêu tán BJT, chẳng hạn BJT Q1 là: Ptt IL =V CC − I (R + R ) 2π L L Ta thấy công suất tiêu tán BJT Q phụ thuộc vào I L theo hàm bậc hai Để tìm Ptt /Q =P tt/ Q 2= cơng suất tiêu tán cực đại ta lấy đạo hàm Ptt /Q theo I L cho d Ptt / Q V CC = − I ( R + R )=0 d IL 2π L L V CC 100 => I L = π R + R = 3,14 (8+0,39) =3,79( A) ( L 1) => Pttmax/ Q 1=V CC IL0 − I ( R + R )=100 − ( 8+0,39 ) =27,1 ( W ) 2π L0 L 2.3,14 Công suất tiêu tán tĩnh trênQ , : P DC/ Q 1=V CE/ Q I C /Q ≈ V CC 100 I EQ= 0,05=2, 5(W ) 2 Vậy công suất tiêu tán cực đại Q1 là: 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥=𝑃ttmaxQ1+𝑃𝐷𝐶𝑄1=27,1+2,5=29,6(W) Vì Q1 ,Q cặp BJT bổ phụ nên ta chọn Q1 ,Q thỏa mãn điều kiện: I C > I CE =5,05 A V CE 0> V CC=100 V PC > ( ÷3 ) Ptt ∑ max =( 2÷ ) 29,6=31,9 ÷ 47,5 W Chọn Q1 : BD 711, Q2 : BD 712 Tên BD 711 Sinh viên thực hiện: P(W) F T °C V CE IC β 75 3MHZ 150 100 12 15 ÷150 75 BD 712 3MHZ 150 100 12 15 ÷150 2.3 Tính chọn R3 , R β Q1 = β Q2 = β = 15 Dòng base tĩnh Q1: I EQ 50 =3,125 mA = 1+ β 1+ 15 IBQ1 = Dòng base cực đại Q1: IBQ1P = I EQ P 5,05 =315,625 mA = 1+ β 1+ 15 Để R3, R4 không ảnh hưởng đến dịng chế độ xoay chiều R3, R4 phải thỏa mãn điều kiện: ZB1M (ac)  R3, R4  ZB1M (dc) R3, R4  ZB1M (dc): để rẽ dòng nhiệt R3, R4  ZB1M(ac): để giảm tổn thất tín hiệu Với ZB1M(ac), ZB1M(dc): điện trở xoay chiều chiều từ cực Base Q1 đến M Từ đặc tuyến vào Q1 ta có: IBQ1 = 0,3125 mA => VBEQ1 =0,6V IBQ1P = 315,625 mA => VBEQ1P = 1,5V Vậy: ZB1(dc) = V B MQ V BEQ 1+ V R 0,6+0,05 0,39 = = = 198Ω,24 () I BQ I BQ 3,125 103 ZB1M(ac) = V B Mp −V B MQ I BQ P −I BQ = (V ¿ ¿ BEQ P+ V R P )−(V EQ 1+V R ) ¿ I BQ p −I BQ ( 1, 6+ 0,9.3,4 )−(0,6+ 0,39.0,05) ( 315,625−3,125 ) 10−3 = 12,6096() Vậy: 12,6096 I E p /Q =344,5 PC > ( ÷3 ) Ptt ∑ Q 3=( ÷ ) 39,66=8 ÷ 12 Chọn Q3 :TIP 41, Q4 :TIP 41 Tên P(W) F(MHZ) T °C V CE IC β TIP 41 65 150 100 75 Sinh viên thực hiện: TIP 41 65 150 100 75 Tính tầng lái Để tính tốn tầng lái ta chọn β Q3 = 75  IB3p = I Ep/ Q 344,915 = = 4,53 (mA) 1+ βQ 1+75  IB3Q = I EQ / Q 9,31 = =0,1225 (mA) 1+ βQ 1+75 3.1 Tính chọn R12 , D5 , D6 , D7 Để tránh méo tín hiệu xuyên tâm đồng thời ổn định điểm làm việc cho cặp BJT khuyếch đại cơng suất tổ hợp phải làm việc chế độ AB Vì vậy, ta dùng R12 , D5 , D6 , D7 để tạo áp ban đầu cho BJT để có tín hiệu vào BJT khuyếch đại cơng suất dẫn Chọn D5 , D , D7 loại 1N4007 Để Q1, Q2 làm việc chế độ dịng tĩnh 50mA điện áp tiếp giáp BE tổ hợp BJT chế độ tĩnh 0,6V Ta có: VB3B4Q = VBE3 + VBE1 + VBE2 +VBE4 + VR1 + VR2 = 0,6 +0,6 +0,6+0,6+0,05.0,39+ 0,05.0,39 = 2,44 (V) Để dịng tĩnh Q5 thay dổi tránh méo tính hiệu ta chọn: ICQ5 = 20IBQ3P = 20 4,53= 90,6 (mA) Như vậy, ba diode D5, D6, D7 R12 đảm bảo cho Q1, Q3 Q2, Q4 làm việc chế độ AB, tức VB3B4Q = 2,44V có tín hiệu vào Lợi dụng tính chất ghim áp diode (dịng qua diode tăng áp đặt lên diode không đổi Muốn ta chọn cho điểm làm việc nằm đoạn tuyến tính (đoạn thẳng)) Lúc này: R12 = V B B Q−3 V D 2,44−3.0,7 = = 55,8Ω() I CQ 6,2.10−3 Chọn R12 =55 sau hiệu chỉnh lại 3.2 Tính tốn transistor Q8 làm nguồn dòng: Q8Ω tạo dòng điện ổn định phân cực cho Q5 ổn định điểm làm việc cho hai cặp Dalington tầng khuyếch đại cơng suất Chính nội trở nguồn dịng chế độ xoay chiều lớn nên tăng hệ số khuyếch đại tầng lái, phối hợp trở kháng với trở kháng vào lớn cặp Dalington làm nâng cao hiệu suất mạch Dòng collector qua Q8Ω: ICQ/Q8Ω = ICQ/Q5 = 62 (mA) Sinh viên thực hiện: Chọn D3, D4 diode 1N4007 Chọn dòng qua hai diode dòng phân áp cho Q8Ω Chọn dòng phân áp Ipa=12mA Lúc VD= 0,7V Sụt áp R14 VR14 = VCC – VD4 – VD3 = 70-0,7-0,7 = 68Ω,6 (V) => R14 = V R 14 98,6 = = 9,8Ω (k) I pa 12.10−3 Chọn R14 = (k) Tính chọn R13: R13 = V D +V D 3−V BE 0,7+ 0,7−0,6 = = 25,47 () I CQ /Q 12.10−3 Chọn R13 = 50 sau hiệu chỉnh lại Do Q8Ω hoạt động chế độ A dùng làm nguồn dịng nên cơng suất tiêu tán lớn cơng suất tiêu tán tĩnh Điện áp DC tiếp giáp CE Q8Ω là: V cc – VR13 – VBE/Q3 – VBE/Q1 – VR1 10 = – (0,7 + 0,7 – 0,6) – 0,6 – 0,6 – 0,05 0,39 = 47,98Ω (V) VCE/Q8Ω =  PDC/Q8Ω = VCE/Q8Ω Ipa = 47,98Ω 12.10-3 = 0,5 (W) Chọn Q8Ω thỏa mãn điều kiện: I C > I C Q =12mA V CE 0> V CE/Q 8=32,98 V PC > P DC/ Q 8=0, W Chọn Q8Ω 2SA715 Tên 2SA715 P(W) F(MHZ) T °C V CE IC β 10 160 150 100 2,5 60 ÷ 320 3.3 Tính chọ BJT thúc Q Transistor Q7 làm nhiệm vụ nâng cao tín hiệu đủ lớn để kích cho tầng thúc làm việc đảo pha cho tầng công suất Q chọn làm việc chế độ A Q6 có tải lớn nên hệ số khuyếch đại lớn,ta phải chọn điểm làm việc Q cho khơng có tín hiệu vào điện vào cực E Q 1, Q2  0, lúc sụt áp tải  Trở kháng tải Q6: Zt/Q7 = RC0/Q8Ω // (rbe3 + (1+3) Zt/Q3 Zt/Q7 = rbe3 + (1 +3) Zt/Q3= 3 Sinh viên thực hiện: VT I EQ /Q + (1+3) Zt/Q3 = 75 25 + (1+75) 135,53 9,31 = 10,5 (k) Do đó: Zt/Q7 = 10,5 RCo/ Q ≫ 10,5 k Vì Q7 có điện trở tải lớn nên dễ dàng rơi vào vùng bão hoà gây méo tín hiệu, cần phải mắc hồi tiếp âm chiều lẫn xoay chiều để ổn định điểm làm việc Điện trở R10 , R11 làm nhiệm vụ hồi tiếp âm DC, riêng R 10 làm nhiệm vụ hồi tiếp âm AC cho Q7 Do Q5 làm việc chế độ A, Chọn điện áp tĩnh điện trở hồi tiếp chiều R10 , R11 0,7V R10 V R 10 = R11 V R 11 Ta có: V R 10 +V R 11=0,7 V { Để tránh hồi tiếp âm nhiều làm giảm hệ số khuếch đại Q6, ta chọn: R10 < R11  VR10 < VR11 V =0,3V { Chọn V R 10=0,4 V R 11 V R 10 0,3 = =25() I pa /Q 12.10−3  V 0,4 R11 = R 11 = =33() I pa/ Q 12.10−3 { R10= { R10=25 Chọn R =33 11 Với giá trị điện áp rơi R10, R11 là: VR10R11 = (R10+R11) Ipa/Q7 = (25+33) 12.10-3 = 0,7V Điện cực CE Q7: V cc −¿ VR13 – VBE/Q4 – VBE/Q2 – VR10R11 10 = – (0,7 + 0,7 - 0,6) - 0,6 - 0,6 - 0,7=47,3 (V) VCE/Q7 = Công suất tiêu tán tĩnh Q7: PDC/Q7 = VCE/Q7 Ipa/Q7 = 47,3 12.10-3 = 0,56 (W) Do ta chọn I C/ Q ≫ I BQ / Q nên có tín hiệu vào dịng I BQ /Q khơng ảnh hưởng nhiều đến dòng dòng cực đại qua Q7.=> I Cmax/ Q 7=20 mA Vì Q7 làm việc chế độ A nên: Pttmax / Q 7=P DC /Q =0,56 W Từ tính tốn ta chọn Q phải thõa điều kiện sau: PC > Pttmax/ Q 7=0,56 W I C > I Cmax /Q =20 mA Sinh viên thực hiện: V CE Ptt/Q11 = 138ΩmA I C > I C /Q 11 =8 mA VCE < VC =100V Chọn Q11 :2 SA 715 Tên 2SA715 Sinh viên thực hiện: P(W) F(MHZ) T °C V CE IC β 10 160 150 100 2,5 60 ÷ 320 RD = RD1 + RD2 Tính nội trở nguồn dòng: RD1 = Vγ 0,7 = = 70 () I D 10 10−3 rbe/Q11 = β VT I EQ /Q 11 =250 25 = 1,5 (k) = −5 =10 rce/Q11 = h 10 oe/ Q 11 5 Tính tầng khuếch đại vi sai Do Q9, Q10 cặp BJT khuyếch đại vi sai tín hiệu đầu vào nên tầng định mức độ tạp âm cho mạch Để giảm tạp âm ta chọn Q 9, Q10 làm việc chế độ A có hệ số khuyếch đại nhỏ R23 C4 tạo thành mạch lọc thông thấp Chọn tụ C4 =100uF Chọn R23 = 1k ; Vcc/visai = 99V Để mạch làm việc ổn định Q khơng ảnh hưởng đến tầng ta chọn I C/ Q ≫ I C /Q Với I C/ Q 5=0,2 mA ta chọn I C/ Q 9=2 mA R18 có nhiệm vụ phân cực đưa đến chân B/Q5 VR18Ω = VR17 = VBE/Q5 + VE/Q5 = 0,7 + 1,38Ω = 2,08Ω (V) IE/Q9 = IC/Q9/2 = 2/2 = mA Để phối hợp trở kháng tầng thúc tầng vi sai ta chọn: R18Ω = R17 = 2,08 = 2,08Ω (k) 1.10−3 Chọn R18Ω = R17 = k Q9, Q10 làm việc chế độ khuếch đại vi sai nên: VCEQ8Ω = V cc/ visai 9 = = 44,5 V 2 Do đó, cần chọn Q9, Q10 Q11 Chọn Q9 , Q10 :2 SA 715 Tên 2SA715 P(W) F(MHZ) T °C V CE IC β 10 160 150 100 2,5 60 ÷ 320 Biến trở VR4 dùng để cân dòng Emitor cho Q Q 10 ta chọn VR4 có giá trị nhỏ Chọn VR4 =100 Ω Sinh viên thực hiện: R 24 V ,Z/ Z Ta có V B / Q 10= R24 + R22 Vì mạch khuếch đại vi sai thiết kế cho chế độ tĩnh hai nhánh cân { V cc 70 = 2 R22 /¿ R24=R 15 V B /Q 10= 20 R =50 R {  R /¿24R =R22 (1) 22 24 15 Mặt khác, chế độ tín hiệu + Khi chưa có hồi tiếp âm trở kháng vào tầng vi sai Zind + Khi có hồi tiếp âm điện áp nối tiếp thơng qua R15, C trở kháng tầng vi sai tăng lên n lần, với n độ sâu hồi tiếp Zindf = nZind với n = + A0Aht A0: độ lợi vòng hở Aht: hệ số hồi tiếp Do tổng trở vào tồn mạch có hồi tiếp là: Zin = (R22 // R24) // Zindf  R22 // R24 Zindf >> (R22 // R24) Vì R15 // R18Ω định trở kháng vào mạch Theo yêu cầu thiết kế Z in = 150k nên chọn R22 // R24 = 150 (k) (2) R22=420 (k ) Từ (1) (2) => R24=240(k ) R15=150(k ) { Tính thong số cịn lại 6.1 Tính chọn Q5 ,Q Dòng đỉnh qua R1 , R : I E p=5,05 (A ) Chọn dòng để mạch bảo vệ hoạt động là: : I ' E p=7 A Sụt áp trên: V ' R 1=I ' E p R1=7 0,39=2,73V Chọn dòng tĩnh: V CE/ Q 5=I C /Q =1mA Nên ta có V CE/ Q 5=V CE /Q =V BE /Q 3+V BE /Q +V ' R 1=0,6+ 0,6+2,73=3, 93 V Công suất tiêu tán Q5 ,Q là: Ptt /Q =Ptt/ Q 6=V CE/Q V CE/ Q 5=3, 93 10−3=3, 93 mW Chọn Q5 ,Q thỏa mãn điều kiện: I C > I C /Q =1 mA V CE >2V CE /Q =2.3,93=7,86 v P> Ptt /Q =3, 93 mW Sinh viên thực hiện: Chọn Q :BC 182, Q6 :BC 211 Tên P(W) F(MHZ) T °C V CE IC β BC 182 0,35 150 150 50 0,1 120 BC 211 0,35 150 150 50 0,1 120 6.2 Tính R5 , R , R7 , R8 Dòng tĩnh cực B Q 5: I B /Q = I C /Q 1.10−3 = =4 uA β ¿Q 250 Dòng qua R5 , R : I R =I R 7=I pa=0,5 mA ≫ I QB5 =4 uA Khi mạch hoạt động bình thường Q5 ,Q 6tắt, nên: V BE / Q=0,4 V , I R max =I R p=3,4 A =>V R max=I R 1max R 1=3,4.0,39=1,33 V => R5 + R7 = V R max 1,33 = =2,66( k Ω) I R5 0,5.10−3 Ta có: R7 = V BE/ Q 0,4 = =0,8(k Ω) I R7 0,5.10−3 Chọn R6 =R 7=1(kΩ) R5=R 8=2,66−1=1,66( kΩ) 6.3 Tính tụ *Tính tụ C 12: Ta chọn C12 cho tầng số thấp sụt áp tụ nhỏ so với sụt áp loa để khơng ảnh hưởng đến tín hiệu loa R 10 L 1 XC12 = f C 12 = 10 R L = = 0,8Ω 10 minωt Ta chọn XC12 =  C12 = = 1000 μF 2.3,14 20.0,8 Chọn C12 = 1000 μF/50V *Tính tụ C 14 C 14 tụ liên lạc ngõ vào nên sụt áp tụ khơng ảnh hưởng đến tín hiệu vào chất lượng mạch, ta chọn C5 cho X C 14 = 10 10  C 14 = π f Z = = 0,5 μF 2.3,14 20 150.10−3 minωt ¿ Ta chọn C 14= 0,5 μF/50V Sinh viên thực hiện: Z 10 ¿ *Tính tụ C 15 Tụ C15 tụ liên lạc tầng vào vi sai tầng khuếch đại đẩy kéo nên chọn C 13 cho sụt áp tụ không ảnh hưởng đến tín hiệu vào tầng khuếch đại đẩy Z 10 ¿/ Q 10 10  C15 = π f Z = = 7,6 μF 2.3,14 20 10,5 10−3 minωt ¿/Q kéo Ta chọn tụ C6 cho XC15 = Ta chọn C5 = 7,6 μF/50V *Tính tụ C 13 Tụ C13 kết hợp với R15, R16 tạo thành mạch hồi tiếp âm để ổn định thông số mạch Chọn tụ C4 cho tỉ số hồi tiếp tín hiệu phụ thuộc vào R 15, R16 sụt áp xoay chiều C13 nhỏ R16 nhiều R 10 16 Với R16=2 kΩ 10 10  C13 = π f R = = 0,4 μF 2.3,14 20 , 103 minωt 16 XC4 = Ta chọn C13 = 0,4 μF/50V *Tính tụ C Tụ C4 R23 tạo thành mạch lọc thông thấp lọc nhiễu từ nguồn để tránh hồi tiếp với tạo thành dao động tự kích XC4 = R 10 23 Với R12=1(kΩ) 10 10  C4 = π f R = = 0,8Ω μF 2.3,14 20 103 minωt 23 Ta chọn C4 = 100 μF/70V *Tính tụ C 11 X11 = R 10 10 10 10  C11 = π f R = 2.3,14 20 25 =318Ω4 μF minωt 10 Ta chọn C11 = 318Ω4 μF/50V 6.4 Tính mạch lọc Zobel Cấu tạo loa gồm cuộn cảm điện trở có Z L= RL + jL Như vậy, trở kháng loa phụ thuộc vào tần số Khi tần số cao trở kháng loa lớn dẫn đến méo tín hiệu Mạch lọc Zobel mạch ổn định trở kháng loa không đổi tần số cao C mắc nối tiếp với R L tất mắc song song Sinh viên thực hiện: với tải RL Ở tần số cao tụ ngắn mạch giảm tải ngõ tức X L , XC  → RL khơng đổi Ta có: Ztđ = (R+ ) // (RL+ jL) jC Để không phụ thuộc vào tần số R = RL = 8Ω chọn tụ C1 cho X C1 = RL 10 10  C1 = π f R = = 10 μF 2.3,14 20 10−3 max L Với f max= 20KHz Chọn R0 = 8Ω C1 = 10 μF/50V Sinh viên thực hiện: 10 Mô tín hiệu Protues R9 10k D1 R20 1N4007 D3 R13 1N4007 50 200 C4 100uF R22 B1 70V D2 D4 1N4007 420k 1N4007 Q11 2SA715 Q8 2SA715 R21 6k Q3 R14 TIP41 5k Q1 BD711 Q5 D5 1N4007 R5 1N4007 C3(1) C3 VR41 VR42 100 100 Q9 2SA715 A 1k D6 B C BC182 R6 D7 R3 R1 110 0.39 D 1.66k 1N4007 Q10 C2 R15 2SA715 150k 0.1uF 1000uF C13 R7 R4 R2 1.66k 110 0.39 C1 10uF Q6 0.4uF R12 LS1 R8 55 1k R16 2k Q2 BC211 SPEAKER BD712 C15 Q4 7.6uF TIP42 Q7 R0 2N3019 R11 33 R24 R18 R17 240k 2k 2k Kết mô điện áp vào ra: Sinh viên thực hiện: R10 C11 25 3184uF Sinh viên thực hiện: Sinh viên thực hiện: