Transistor chưa phân cực2. Transistor có phân cực3. Các dòng điện trong transistor4. Mắc E chung (CE)5. Đặc tuyến ở cực nền6. Đặc tuyến ở cực thu7. Xấp xỉ transistor8. Đọc bảng dữ liệu9. Troubleshooting
Bipolar Junction Transistor (BJT) Từ Vựng (1) • Active region = miền tích cực • Base (B) = (miền/cực) nền • Bipolar transistor = transistor lưỡng cực • Breakdwon region = miền đánh thủng • Collector (C) = (miền/cực) thu (hay góp) • Collector diode = diode tạo bởi J C • Common base (CB) = nền chung • Common collector (CC) = thu chung • Common emitter (CE) = phát chung Từ Vựng (2) • Current gain = độ lợi dòng • Curve tracer = máy vẽ đặc tuyến • Cutoff region = miền tắt • Emitter (E) = (miền/cực) phát • Emitter diode = diode tạo bởi J E • H parameter = tham (thông) số hỗn hợp H (Hybrid) • Integrated circuit = vi mạch = mạch tích hợp = IC Từ Vựng (3) • Heat sink = tản nhiệt, giải nhiệt • Junction trasistor = trasistor tiếp xúc • Power trasistor = trasistor công suất • Saturation region = miền bão hòa • Small-signal trasistor = trasistor tín hiệu nhỏ • Switching circuit = mạch chuyển mạch, mạch xung • Thermal resistance = nhiệt trở Nội dung chương 6 1. Transistor chưa phân cực 2. Transistor có phân cực 3. Các dòng điện trong transistor 4. Mắc E chung (CE) 5. Đặc tuyến ở cực nền 6. Đặc tuyến ở cực thu 7. Xấp xỉ transistor 8. Đọc bảng dữ liệu 9. Troubleshooting Transistors (Transfer Resistor) Transistors Junction-FETs (JFETS) Field Effect Transistors Bipolar transistors Insulated Gate FET’s MOSFETs NPN,PNP N-channel, P-channel Enhancement, Depletion N-channel, P-channel Giới thiệu về BJT • BJT = transistor tiếp xúc lưỡng cực = transistor 2 mối nối (hay 2 tiếp xúc) • Lưỡng cực: do dòng điện chính được tạo bởi 2 hạt dẫn điện tử (-) và lỗ (+) • BJT được phát minh vào năm 1948 do Bardeen, Brattain và Shockley • BJT là dụng cụ có 3 cực: phát (E), nền (B) và thu (C). • Người ta gọi tiếp xúc PN giữa B và E là J E , giữa B và C là J C . • Có 2 loại: NPN và PNP Cấu tạo và ký hiệu BJT Cấu tạo và ký hiệu BJT N P P + B C E C B E P N N + B C E B C E B C E C B E NPN PNP Arrow always points away from base and toward emitter My pneumonic: No Point iN Arrow always points away from emitter towards base My pneumonic: Points IN Bipolar junction transistor (BJT) • The BJT is a “Si sandwich” Pnπ (P=p + ,π=p - ) or Npν (N=n + , ν=n - ) • BJT action: npn Forward Active when V BE > 0 and V BC < 0 P n π E B C V EB V CB Charge neutral Region Depletion Region [...]... hiện bão hòa Khóa BJT Phân cực phát Mạch lái LED Hiệu ứng của những thay đổi nhỏ Troubleshooting Nói thêm về dụng cụ quang ĐT Transistor loại SMT Giới thiệu • Có 2 cách để thiết lập điểm làm việc của BJT: – Phân cực [dòng] nền [hằng] – Phân cực [dòng] phát [hằng] • Phân cực nền thường được dùng trong các mạch xung/số (BJT làm khóa ĐT) • Phân cực phát thường được dùng trong các mạch KĐ (BJT ở chế độ KĐ)... transistor Hình 6-13 Xấp xỉ BJT: (a) Dụng cụ gốc; (b) Xấp xỉ lý tưởng; (c) Xấp xỉ bậc 2 6-8 Đọc bảng dữ liệu • BJT có công suất tiêu tán PD: < 1 W BJT tín hiệu nhỏ > 1 W BJT công suất • • • • • Định mức đánh thủng: VCB, VCEO, VEB Dòng và công suất cực đại: IC, PD@TA, PD@TC Hệ số giảm định mức [của công suất] Tản nhiệt Độ lợi dòng: hFE = βdc (hFE phụ thuộc IC) Cơ bản về BJT Từ Vựng (1) • Amplifying... khuếch đại (KĐ) • Base bias = phân cực [bằng dòng] nền [hằng] • Base-emitter voltage = điện áp nền-phát • Base voltage = điện áp (ở cực) nền • Circuit value = giá trị mạch • Collector voltage = điện áp (ở cực) thu • Correction factor = hệ số hiệu chỉnh • Cutoff point = điểm cắt Từ Vựng (2) • • • • • • • Emitter bias = phân cực [bằng dòng] phát [hằng] Emitter voltage = điện áp (ở cực) phát Fixed base current... the currents are positive quantities when the transistor is operated in forward active mode BJT circuit configurations and output characteristics BJT biasing modes BJT Operation Characteristics • IC vs VCE graph allows us to determine operating region • Works for any IB or VCE • VBE tops out around ~0.7V BJT Operation Regions Operation Region IB or VCE Char BC and BE Junctions Mode Cutoff IB = Very... Hoạt động của transistor NPN Large current Các phương trình dòng trong BJT (xét chế độ tích cực từ hình trước) iE = iC + iB iC I S vBE / VT iB = = e β β β +1 β + 1 vBE /VT iE = iC = ISe = ( I S / α )e vBE / VT β β Với: IS = dòng ngược bão hòa của JC β là độ lợi dòng CE; α là độ lợi dòng CB iC = α iE β α= β +1 α β= 1−α Possible Uses for BJT s • Can act as Signal Current Switch (Cutoff Mode) • Can act as... Forward Linear Amplifier Beyond Limits Overload Break-down VCE = Large Cutoff NPN BJT Collector current C n V2 Base current Reverse Biased B +++ p Reverse biased V1 n Emitter current E Saturated NPN BJT Collector current C n V2 B ++ V1 Forward biased - Base current Forward biased p n Emitter current E Active Linear NPN BJT Collector current C n V2 - Base current B V1 p - ++ - Reverse Biased Forward... as Signal Current Switch (Cutoff Mode) • Can act as Current Amplifier (Active Region) I = βI • Where: c B – Beta = intrinsic amp property (20 - 200) Khảo sát đặc tuyến của BJT mắc CE IC IB Output circuit Input circui t IE Đặc tuyến vào (đặc tuyến ở base) với mắc CE IB IB VBE 0.7V • Hoạt động như diode • VBE ≈ 0.7V (Si) Đặc tuyến ra (đặc tuyến ở C) với mắc CE IC IC IB = 40µA IB = 30µA IB = 20µA IB = 10µA...Schematic representation of pnp and npn BJTs Emitter is heavily doped compared to collector So, emitter and collector are not interchangeable The base width is small compared to the minority carrier diffusion length If the base is much larger, then this will behave like back-to-back diodes BJT circuit symbols I E = IB + IC and VEB + VBC + VCE = 0 VCE = − VEC As shown,... Phân cực nền thường được dùng trong các mạch xung/số (BJT làm khóa ĐT) • Phân cực phát thường được dùng trong các mạch KĐ (BJT ở chế độ KĐ) 7-1 Những biến đổi trong độ lợi dòng • βdc phụ thuộc: BJT, dòng IC, và nhiệt độ H.7-1 Sự biến đổi của độ lợi dòng . góp) • Collector diode = diode tạo bởi J C • Common base (CB) = nền chung • Common collector (CC) = thu chung • Common emitter (CE) = phát chung Từ Vựng (2) • Current gain = độ lợi dòng • Curve tracer. current Reverse biased Reverse Biased Saturated NPN BJT n p n V2 V1 + + - - - - C B E Emitter current Collector current Base current Forward biased Forward biased - - Active Linear NPN BJT n p n V2 V1 +. Switch Active Linear V CE = Moderate Reverse & Forward Linear Amplifier Break-down V CE = Large Beyond Limits Overload Cutoff NPN BJT n p n V2 V1 +++ C B E Emitter current Collector