Nghiên cứu đặc tính cấu trúc của các dải băng nano ge một chiều pha tạp nguyên tố b khi có điện trường ngoài sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM –––––––––––––––––––– AIR XAYYADETH NGHIÊN CỨU ĐẶC TÍNH CẤU TRÚC CỦA CÁC DẢI BĂNG NANO Ge MỘT CHIỀU PHA TẠP NGUYÊN TỐ B KHI CĨ ĐIỆN TRƯỜNG NGỒI SỬ DỤNG LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ THÁI NGUYÊN - 2022 ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM –––––––––––––––––––– AIR XAYYADETH NGHIÊN CỨU ĐẶC TÍNH CẤU TRÚC CỦA CÁC DẢI BĂNG NANO Ge MỘT CHIỀU PHA TẠP NGUN TỐ B KHI CĨ ĐIỆN TRƯỜNG NGỒI SỬ DỤNG LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ Ngành: Vật lý chất rắn Mã số: 8440104 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ Người hướng dẫn khoa học: TS Hoàng Văn Ngọc PGS TS Chu Việt Hà THÁI NGUYÊN - 2022 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan luận văn thạc sĩ “Nghiên cứu đặc tính cấu trúc dảy băng nano Ge chiều pha tạp nguyên tố B có điện trường ngồi sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ” cơng trình nghiên cứu riêng tơi hướng dẫn TS Hồng Văn Ngọc PGS.TS.Chu Việt Hà Các số liệu tài liệu luận văn trung thực chưa cơng bố cơng trình nghiên cứu Tất tham khảo kế thừa trích dẫn tham chiếu đầy đủ Thái Nguyên, tháng 06 năm 2022 Học viên Air XAYYADETH i LỜI CẢM ƠN Tơi xin bày tỏ lịng biết ơn sâu sắc đến TS Hoàng Văn Ngọc PGS.TS.Chu Việt Hà tận tình hướng dẫn, giảng giải chi tiết để tơi hồn thành luận văn Người thầy thương u tơi, tận tình bảo giảng giải cho vấn đề liên quan đến luận văn Tôi xin chân thành cảm ơn thầy cô khoa Vật lí, trường Đại học Sư Phạm – Đại học Thái Ngun, tận tính giảng dạy để tơi có đủ kiến thức vận dụng chúng vào luận văn tạo điều kiện thuận lợi cho suốt trình học tập nghiên cứu đề tài luận văn Tôi xin chân thành cảm ơn thầy cô khoa Ngữ văn, trường Đại học Sư Phạm - Đại học Thái Nguyên, tận tình giảng dạy cho học dự bị tiếng Việt thời gian học Tôi cảm ơn bạn học viên cao học Vật Lý khóa 28B (2020 - 2022) hỗ trợ tơi suốt q trình học tập thực luận văn Cuối cùng, tơi cảm ơn gia đình, bạn bè, đồng nghiệp động viên giúp đỡ hồn thành luận văn Mặc dù có nhiều cố gắng, xong luận văn khó tránh khỏi thiếu sót định giới hạn kiến thức khả lý luận thân nhiều thiếu sót hạn chế, mong nhận nhận xét, góp ý phản hồi từ phía hội đồng khoa học quý thầy cô để luận văn hoàn thiện Xin chân thành cảm ơn ạ! Lời cuối xin kính chúc thầy nhiều sức khỏe, thành công hạnh phúc Thái Nguyên, tháng 06 năm 2022 Học viên Air XAYYADETH ii MỤC LỤC Lời cam đoan i Lời cảm ơn ii Mục lục iii Danh mục bảng iv Danh mục hình v MỞ ĐẦU 1 Lời mở đầu .1 Mục tiêu nghiên cứu Đối tượng phạm vi nghiên cứu Nội dung phương pháp nghiên cứu Bố cục luận văn .3 Chương 1: LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ (DFT) VÀ PHÂN MỀM VASP 1.1 Lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) 1.1.1 Khái niệm 1.1.2 Lý thuyết phiếm hàm mật độ 1.1.3 Mật độ điện tử 1.1.4 Gần Thomas - Fermi .7 1.1.5 Định lý Hohenberg - Kohn 1.1.6 Phương trình Kohn - Sham 10 1.1.7 Năng lượng tương quan trao đổi 12 1.1.8 Giả 13 1.2 Phần mềm VASP 14 1.2.1 Giới thiệu 14 1.2.2 Chức file nhập VASP .15 Chương 2: VẬT LIỆU GERMANENE VÀ VẬT LIỆU GERMANENE MỘT CHIỀU 24 iii 2.1 Vật liệu germanene .24 2.1.1 Germanene .24 2.1.2 Các tính tốn lý thuyết vật liệu germanene 26 2.1.3 Tổng hợp germanene .29 2.2 Các băng nano germanene chiều 32 Chương 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 39 3.1 Cấu trúc hình học cấu hình 39 3.2 Cấu trúc vùng lượng mật độ trạng thái 42 3.3 Mật độ điện tích khơng gian .50 KẾT LUẬN .54 CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CƠNG BỐ .56 TÀI LIỆU THAM KHẢO .57 iv DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT STT Viết tắt Viết đầy đủ Nghĩa tiếng Việt DFT Density funtional Thoery Lý thuyết phiếm hàm mật độ GeNRs Germanene nanoribbons Vật liệu gecmany chiều aGeNRs Armchair germanene Vật liệu gecmany chiều nanoribbons VASP LDA dạng ghế bành Vienna Ab initio Simulation Gói mơ Vienna Ab Package Initio Local-density Xấp xỉ độ cục approximations 2D Two-dimensional Vật liệu hai chiều DOS Density of states Mật độ trạng thái PDOS Partial density of states Mật độ trạng thái riêng phần LEEM Low-energy electron Kính hiển vi điện tử microscopy lượng thấp iv DANH MỤC BẢNG Bảng 3.1 Cấu trúc hình học cấu hình .41 Bảng 3.2 Cấu trúc hình học cấu hình 1-1 điện trường với hướng khác 42 DANH MỤC HÌNH Hình 2.1 Cấu hình germanene đơn lớp 25 Hình 2.2 (a): Cấu trúc xếp chồng AA germanene; (b): Cấu trúc xếp chồng AB germanene 28 Hình 2.3 Cấu trúc aGeNRs (a) zGeNRs (b) 33 Hình 2.4 Phần ảo hàm điện mơi với loại 3P 33 Hình 2.5 Phần ảo hàm điện môi với loại 3P+1 34 Hình 2.6 Phần ảo hàm điện môi với loại 3P+2 34 Hình 2.7 Kích thước vùng cấm aGeNRs cho chiều rộng khác băng n = 9, 10 11, thuộc loại 3P, 3P+1 3P+2 hàm biến dạng nén kéo đơn trục 35 Hình 2.8 Phần ảo hàm điện mơi cho loại aGeNR 3P+2 với chiều rộng n=11 (a): Biến dạng nén (-2, -4, -6 -8%), (b): Biến dạng kéo (2, 4, 8%) 37 Hình 3.1 (a) Cấu hình ngun thủy ứng với đơn vị aGeNRs; (b) Cấu hình top; (c) Cấu hình valley; (d) Cấu hình ortho; (e) Cấu hình meta; (f) Cấu hình para; (g) Cấu hình 1-1 39 Hình 3.2 Cấu trúc vùng lượng mật độ trạng thái cấu hình (a) Nguyên thủy, điện trường có độ lớn E=Ez=0.4V/Å cấu hình: (b) Top; (c) Valley; (d) Ortho 43 Hình 3.3 Cấu trúc vùng lượng mật độ trạng thái điện trường có độ lớn E=Ez=0.4V/Å cấu hình: (a) Meta; (b) Para; (c) 11 (d) Cấu trúc vùng lượng mật độ trạng thái cấu hình 1-1 E=0 44 Hình 3.4 Cấu trúc vùng lượng mật độ trạng thái cấu hình 1-1 với: (a) E=Ex=0.4V/Å; (b) E=Ey=0.4V/Å; Cấu trúc vùng lượng mật độ trạng thái cấu hình nguyên thủy với: (c) E=Ex=0.4V/Å; (d) E=Ey=0.4V/Å; 45 Hình 3.5 (a) Cấu hình nguyên thủy với Ez=0,4V/Å; (b) Sự phụ thuộc lượng cấu hình 1-1 vào cường độ điện trường ngồi 46 Hình 3.6 Các trạng thái phần cấu hình 1-1 với: (a) E=0; (b) Ex=0,4V/Å; (c) Ey=0,4V/Å; (d) Ez=0,4V/Å 47 Hình 3.7 Sự lai hóa s-p cấu hình 1-1 với hướng khác điện trường ngoài: (a) E=0; (b) E=Ex=0,4V/Å; (c) E=Ey=0,4V/Å; (d) E=Ez= 0,4V/Å 49 Hình 3.8 Mật độ điện tích khơng gian cấu hình ngun sinh (a), top (b), valley (c), ortho (d), meta (e), para (f) Mật độ điện tích khơng gian cấu hình 1-1 với: (g) E=Ex=0,4V/Å, (h) E=Ey=0,4V/Å, (i) E=Ez=0,4V/Å 51 Hình 3.9 Sự dịch chuyển điện tích cấu hình 1-1 với: (a) E=0; (b) E=Ex=0,4V/Å; (c) E=Ey=0,4V/Å; (d) E=Ez=0,4V/Å 52 Hình 3.10 Điện tích va ion cấu hình 1-1 với: (a) E=0; (b) E=Ex=0,4V/Å; (c) E=Ey=0,4V/Å; (d) E=Ez=0,4V/Å 53 vii a) b) c) d) Hình 3.4 Cấu trúc vùng lượng mật độ trạng thái cấu hình 1-1 với: (a) E=Ex=0.4V/Å; (b) E=Ey=0.4V/Å; Cấu trúc vùng lượng mật độ trạng thái cấu hình nguyên thủy với: (c) E=Ex=0.4V/Å; (d) E=Ey=0.4V/Å; Cấu trúc vùng lượng hệ thống thay đổi hoàn toàn hướng điện trường thay đổi Điện trường vng góc ngang gây thay đổi tính chất điện từ vật liệu, cấu trúc sắt từ hình thành, độ từ hóa tương ứng 0,381A/m (Hình 3.4a: E=Ex=0,4V/Å) 0,124A/m (Hình 3.4b: E=Ey=0,4V/Å), cấu trúc kim loại Điện trường dọc tác dụng song song với mặt phẳng chứa aGeNR dọc theo chiều dài aGeNR, tạo lực theo hướng tự electron, ảnh hưởng đến tính chất điện từ hệ Trong hệ có pha tạp chất, điện trường ngang đặc biệt điện trường vng góc ảnh hưởng lớn đến tính chất điện từ hệ, nguyên nhân điện trường có xu hướng bẻ gãy liên kết Ge-B, kéo dài liên kết này, làm suy yếu liên kết σ liên kết π chúng, vấn đề giải thích kỹ phần sau giải thích mật độ điện tích hệ Vai trị ngun tố pha tạp B hệ thể rõ việc phá vỡ cấu trúc trật tự từ tính hệ, từ tính hệ chủ yếu nguyên tố pha tạp tạo nên a) b) Hình 3.5 (a) Cấu hình nguyên thủy với Ez=0,4V/Å; (b) Sự phụ thuộc lượng cấu hình 1-1 vào cường độ điện trường ngồi Vai trị điện trường ngồi thể rõ ràng nghiên cứu hệ nguyên thủy, cấu hình nguyên sơ đặt điện trường có hướng khác (Hình 3.2a: E = 0; Hình 3.4c: E=Ex=0,4V/Å; Hình 3.4d: E=Ey=0,4V/Å; Hình 3.6a: E=Ez=0,4V / Å) So với hệ ngun sinh khơng có điện trường (Hình 3.2a), khe lượng xiên hệ nguyên sinh mở rộng với giá trị 0,45eV (Hình 3.4c), 0,25eV (Hình 3.4d) ứng với điện trường vng góc điện trường ngang, thu hẹp với điện trường thẳng đứng tương ứng với khe hở lượng 0,18eV (Hình 3.5a) Điều giải thích sau, phương vng góc phương ngang hai phương bị giới hạn kích thước nano hệ, đặt điện trường vào hai phương này, electron chịu thêm giam giữ, giới hạn mở rộng vùng cấm hệ thống, cản trở di chuyển electron Do đó, ứng dụng điện trường ngang, đặc biệt điện trường vng góc, để mở rộng vùng cấm hệ ngun sinh, tạo ứng dụng bóng bán dẫn nhiệt độ phịng a) b) c) d) Hình 3.6 Các trạng thái phần cấu hình 1-1 với: (a) E=0; (b) Ex=0,4V/Å; (c) Ey=0,4V/Å; (d) Ez=0,4V/Å Nếu khoảng trống lượng mở khoảng 1,6eV, hệ thống nguyên sinh áp dụng thiết bị quang điện tử Hơn nữa, thấy hướng từ trường không ảnh hưởng đến độ từ hóa hệ thống, với ba chiều điện trường, hệ thống nguyên thủy có từ hóa khơng Kết luận hồn tồn khác với cấu hình 1-1 có độ từ hóa khác theo hướng khác điện trường Vì kết luận độ từ hoá liên quan chặt chẽ đến nguyên tử B pha tạp, hướng từ trường ảnh hưởng đến lai hoá B Ge Như hình 3.4b, tổng lượng hệ pha tạp 1-1 tỷ lệ nghịch với độ lớn điện trường ngoài, điện trường tăng, lượng hệ giảm, dẫn đến giảm lượng hình thành hệ thống Kết cho thấy liên kết Ge-B bền điện trường, phần liên kết σ bền lai hóa sp , phần nhờ liên kết π Ảnh hưởng điện trường lên hệ nghiên cứu trạng thái riêng phần (PDOS), đặc biệt trạng thái riêng phần hệ thống 1-1 điện trường đặt theo hướng khác Sự xuất điện trường theo hướng khác gây trạng thái cục dịch chuyển từ vùng sang vùng khác Ví dụ, obitan B-2px di chuyển đến vùng dẫn nhiều hệ thống đặt điện trường dọc (Hình 3.6d), obitan B-2py di chuyển đến vùng dẫn nhiều hệ thống đặt phương vng góc điện trường (Hình 3.6b) Sự phân bố lại trạng thái phần cho thấy ảnh hưởng điện trường đến mật độ trạng thái lai hóa nhiều quỹ đạo, điều chứng tỏ tính ổn định hệ pha tạp phụ thuộc vào hướng điện trường ngồi Sự lai hố s-p liên kết Ge-B lai hoá nhiều obitan phức tạp, liên kết σ liên kết π tạo nên ổn định hệ có pha tạp chất Với ba liên kết σ mạnh để lai hóa sp ba liên kết π yếu bổ sung, hệ Ge-B khơng bị phá vỡ điện trường ngồi Sự lai hóa s-p thể rõ ràng vùng lượng sâu (Hình 3.7, chấm màu đỏ xanh lục thể trạng thái s B trạng thái p Ge) Đối với điện trường khác nhau, lai hoá xảy dải lượng khác nhau, lai hoá thể rõ điện trường vng góc vùng lượng từ -5eV đến -7eV (Hình 3.7b), cịn lai hố khơng rõ ràng điện trường ngang (Hình 3.7c) a) b) c) d) Hình 3.7 Sự lai hóa s-p cấu hình 1-1 với hướng khác điện trường ngoài: (a) E=0; (b) E=Ex=0,4V/Å; (c) E=Ey=0,4V/Å; (d) E=Ez= 0,4V/Å Có nhiều điểm tương đồng lai hóa s-p khơng có điện trường điện trường dọc (Hình 3.7a Hình 3.7d), điều cho thấy điện trường dọc ảnh hưởng đến lai hóa hệ pha tạp Điện trường dọc tạo thành trường dọc theo bang nano pha tạp, làm thay đổi mật độ điện tích nhiều so với lai hóa nhiều quỹ đạo Với điện trường ngang vng góc, loại điện trường này, đề cập trước đây, tạo lực điện theo hướng lượng tử hóa, lực kéo đám mây điện tích lại gần không gian lượng tử, điều làm tăng lai hóa nhiều quỹ đạo hệ thống 3.3 Mật độ điện tích khơng gian Mật độ điện tích khơng gian đóng vai trị quan trọng liên kết hóa học, tranh phân bố điện tích cho thấy đóng góp nguyên tử việc hình thành liên kết Với aGeNR nguyên sinh (Hình 3.8a), mật độ điện tích tập trung cao độ hai nguyên tử (vùng màu đỏ phần tiếp giáp hai nguyên tử germani), điều cho thấy liên kết σ bền obitan Ge (4s, 4px, 4py, 4pz) mạng tổ ong Ngồi liên kết σ, có liên kết π yếu tạo thành từ electron đơn độc (vùng màu xanh bên giáp với đường nối hai nguyên tử germani) Liên kết π yếu liên kết σ quan trọng việc hình thành lai hóa nhiều obitan hệ pha tạp Sự phân bố điện tích mặt phẳng y0z thay đổi đáng kể với thay B, chứng rõ ràng minh họa Hình 3.9b-i Mật độ điện tích tăng cường gần nguyên tử B (có dịch chuyển vùng màu đỏ phía nguyên tử B) Kết có nghĩa có số điện tích di chuyển từ nguyên tử Ge sang nguyên tử B Điều phù hợp nghiên cứu chênh lệch mật độ điện tích thể Hình 3.10 Ảnh hưởng hướng điện trường đến phân bố mật độ điện tích khơng gian thể Hình 16g-i Sự khác biệt lớn thể Hình 16h với điện trường nằm ngang, mật độ điện tích xung quanh liên kết Ge-B giảm nhiều, điều cho thấy điện trường nằm ngang làm suy yếu liên kết σ Ge-B Điện trường nằm ngang sinh lực điện, lực kéo electron vỏ phương 0y điện tích có hướng tập trung vùng khơng gian ngồi tiếp điểm liên kết Ge-B nên làm liên kết σ yếu Do đó, kết luận hệ có pha tạp chất ổn định điện trường dọc vng góc a) b) c) d) e) f) g) h) i) Hình 3.8 Mật độ điện tích khơng gian cấu hình ngun sinh (a), top (b), valley (c), ortho (d), meta (e), para (f) Mật độ điện tích khơng gian cấu hình 1-1 với: (g) E=Ex=0,4V/Å, (h) E=Ey=0,4V/Å, (i) E=Ez=0,4V/Å Sự khác biệt mật độ điện tích cấu hình pha tạp 1-1 với điện trường khác cho thấy rõ ràng ảnh hưởng điện trường lên hệ pha tạp (Hình 3.9, vùng màu vàng nơi điện tích tăng cường, vùng màu xanh nơi tích điện bị suy giảm) Các hình ảnh chứng minh rõ ràng điện tích tập trung nhiều xung quanh nguyên tử B, điều phù hợp với dịch chuyển điện tích khảo sát Hình 3.8 Trong điều kiện khơng có điện trường (Hình 3.9a), biến thiên mật độ điện tích xung quanh nguyên tử Ge (được bao quanh hình vng màu đỏ) gần nhau, điều cho thấy tương tác nguyên tử lân cận chúng cân a) b) c) d) Hình 3.9 Sự dịch chuyển điện tích cấu hình 1-1 với: (a) E=0; (b) E=Ex=0,4V/Å; (c) E=Ey=0,4V/Å; (d) E=Ez=0,4V/Å Khi có điện trường (Hình 3.9b-d), biến thiên mật độ điện tích khơng gian khác nhiều so với khơng có điện trường Điện trường bên làm cho liên kết Ge-B vị trí khác khác nhau, điều thể qua biến dạng đám mây điện tích xung quanh nguyên tử Sự khác biệt lớn hệ chịu điện trường ngang (Hình 3.9c), phù hợp với phân tích dịch chuyển điện tích điện trường ngang Hình 3.8h Các kết cho thấy điện trường làm cho lai hóa nhiều quỹ đạo (4s, 4px, 4py) - (2s, 2px, 2py) 4pz-2pz phức tạp hơn, biến thiên mật độ điện tích điện trường cho thấy ảnh hưởng điện trường độ ổn định vật liệu Điện trường thẳng đứng khó phá vỡ cấu trúc liên kết Ge-B, điện trường ngang hồn tồn khác, nghiên cứu cho thấy điện trường ngang lớn 0,5V/Å phá vỡ cấu trúc hệ 1-1 Hình 3.10 điện tích ion bán kính RWIGS (trong Wigner-Seitz) ngun tử cấu hình 1-1 khơng có điện trường tác dụng điện trường theo hướng khác Khi khơng có điện trường, tổng điện tích 22.320e, có điện trường tổng điện tích tăng lên (27.523e với điện trường vng góc, 27.385e với điện trường ngang, 27.802e với điện trường dọc) Điều chứng tỏ điện trường làm cho đám mây điện tích dịch chuyển vào Wigner-Seitz làm điện tích tổng cộng hệ vùng tăng lên đáng kể Các nguyên tử hidro hai cạnh có dịch chuyển trung bình lớn (cỡ 0.4e), điều dễ hiểu liên kết hidro nguyên tử lân cận yếu Điện trường dọc có xu hướng tạo dịch chuyển điện tích lớn hơn, điều hoàn toàn phù hợp với lý luận đây, điện trường dọc tác dụng theo hướng khơng giam cầm, điện tích chịu ngun tử tinh thể nên dễ dàng dịch chuyển a b c d Hình 3.10 Điện tích va ion cấu hình 1-1 với: (a) E=0; (b) E=Ex=0,4V/Å; (c) E=Ey=0,4V/Å; (d) E=Ez=0,4V/Å KẾT LUẬN Các đặc tính cấu trúc đặc tính aGeNR pha tạp chất B điện trường nghiên cứu phép tính nguyên tắc (DFT) Cấu trúc vùng lượng, mật độ trạng thái, phân bố điện tích khơng gian ảnh hưởng điện trường bên chứng minh cách phong phú độc đáo, đặc biệt ảnh hưởng điện trường đến đặc tính điện từ hệ Lai hóa đa obitan, đồ thị biểu diễn tính chất lí hoá đa dạng nguyên tử pha tạp B điện trường gây Cấu trúc pha tạp B trở nên phẳng so sánh với cấu trúc nguyên sinh, điều thể chỗ góc hai liên kết liền kề mở rộng pha tạp B (hệ nguyên thủy có α=109.320, hệ 1-1 khơng có điện trường có α=117.280) Góc α hệ 1-1 tăng có điện trường (đặc biệt điện trường ngang với α=119,97 ), điều cho thấy ảnh hưởng điện trường đến độ phẳng cấu trúc pha tạp Độ dài liên kết Ge-B dài có điện trường (đặc biệt điện trường ngang với độ dài liên kết Ge-B trung bình 2,063Å), độ dài liên kết lớn chứng tỏ điện trường làm suy yếu liên kết mạng tinh thể, điều hoàn toàn phù hợp với điện trường ngang lớn 0,5V/Å, cấu trúc hệ thống pha tạp chất bị phá vỡ Các cấu trúc pha tạp khác cho đặc tính cấu trúc khác nhau; cấu trúc ortho chất bán dẫn có vùng cấm rộng hơn, cấu trúc khác khơng có vùng cấm Độ từ hóa thay đổi với cấu trúc khác nhau, độ từ hóa tối đa tương ứng với cấu trúc meta 0,989A/m Với cấu hình nguyên sinh, độ từ hóa khơng phụ thuộc vào hướng điện trường, với cấu hình pha tạp 1-1, độ từ hóa phụ thuộc vào hướng điện trường Sự đóng góp trạng thái riêng phần, lai hóa đa quỹ đạo, phân bố mật độ điện tích không gian cho thấy rõ ảnh hưởng điện trường bên hệ pha tạp Điện trường nằm ngang hướng điện trường gây thay đổi rõ rệt tính chất Việc nghiên cứu pha tạp B ảnh hưởng điện trường lên hệ pha tạp chứa đặc tính thiết yếu phong phú cho ứng dụng quy mô nano Khung lý thuyết nghiên cứu phát triển dựa nguyên tắc ban đầu (DFT) khái quát hóa cho vật liệu khác CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CÔNG BỐ Hoang Van Ngoc, Trieu Quynh Trang, Air Xayyadeth, Chu Viet Ha, Doping two boron atoms in germanene nanoribbons in an external electric field, J Phys.: Conf Ser 2070 012130, 2021 (Thuộc danh mục Scopus, DOI: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2070/1/012130 ) Hoang Van Ngoc, Air Xayyadeth, Chu Viet Ha, Structural and electrical properties of germanene nanoribbons doped with boron-A DFT study, Kỷ yếu Hội nghị Vật lý khoa học vật liệu lần thứ nhất, Nhà xuất tài chính, Số ISBN: 978-604-79-2986-3 Hoang Van Ngoc, Nguyen Thanh Tung, Huynh Thi Phuong Thuy, Trieu Quynh Trang, Air Xayyadeth, Chu Viet Ha, Vo Van On, Zinc-doped silicene nanoribbons under the influence of constant electric field: A DFT study, Kỷ yếu Hội nghị Vật lý khoa học vật liệu lần thứ hai, Nhà xuất đại học Huế, Số ISBN: 978-604-337-371-4 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Arash Karaei Shiraza, Arash Yazdanpanah Goharrizi, Seyedeh Mehri hamidi, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 107, 50-153, 2019 [2] B van den Broek, M Houssa, E Scalise, G Pourtois, V Afanasev, and A Stesmans, Applied Surface Science 291, 104-108, 2014 [3] Bampoulis P, Zhang L, Safaei A, van Gastel R, Poelsema B and Zandvliet H J W, J Phys.: Condens Matter 26, 442001, 2014 [4] C Kamal, Aparna Chakrabarti, Arup Banerjee, S K Deb, J Phys.: Condens Matter 25, 085508, 2013 [5] Cheng-Cheng Liu, Wanxiang Feng, and Yugui Yao, Phys Rev Lett 107, 076802, 2011 [6] Derivaz M, Dentel D, Stephan R, Hanf M-C, Mehdaoui A, Sonnet P and Pirri C, Nano Letters 15, 2510–2516, 2015 [7] Fermi Enrico, Rend Accad Naz Lincei 6, 602–607, 1927 [8] G Liu , W W Luo, X Wang, X L Lei, B Xu, C Y Ouyang and S B Liu, Journal of Materials Chemistry C 22, 5937-5948, 2018 [9] H Oughaddou, S Sawaya, J Goniakowski, B Aufray, G Le Lay, J Gay, G Tréglia, J Bibérian, N Barrett, and C Guillot, Physical Review B 62, 16653, 2000 [10] https://www.vasp.at/ [11] Huang B, Deng H-X, Lee H, Yoon M, Sumpter B G, Liu F, Smith S C and Wei S-H, Phys Rev X 4, 021029, 2014 [12] J C Boettger and S B Trickey, Phys Rev B 75, 121402(R), 2007 [13] Katsnelson M I and Fasolino A, Acc Chem Res 46, 97-105, 2013 [14] L Li, S z Lu, J Pan, Z Qin, Y q Wang, Y Wang, G y Cao, S Du, and H J Gao, Advanced Materials 28, 4820-4824, 2014 [15] Li, Linfei; Shuang-zan Lu; Jinbo Pan; Zhihui Qin; Yu-qi Wang; Yeliang Wang; Geng-yu Cao; Shixuan Du; Hong-Jun Gao, Advanced Materials 26, 4820–4824, 2016 [16] Linfei Li,Shuang-zan Lu,Jinbo Pan,Zhihui Qin,Yu-qi Wang,Yeliang Wang,Geng-yu Cao, Shixuan Du,Hong-Jun Gao, Adv Mater 26, 4820, 2014 [17] Liu H, Han N and Zhao J, J Phys.: Condens Matter 26, 475303, 2014 [18] M Dávila, L Xian, S Cahangirov, A Rubio, and G Le Lay, New Journal of Physics 16, 095002, 2014 [19] M Dávila, L Xian, S Cahangirov, A Rubio, and G Le Lay, New Journal of Physics 16, 095002, 2014 [20] M Derivaz, D Dentel, R Stephan, M C Hanf, A Mehdaoui, P Sonnet, and C Pirri, Nano letters 15, 2510-2516, 2015 [21] M Gmitra, S Konschuh, C Ertler, C Ambrosch-Draxl, and J Fabian, Phys Rev B 80, 235431, 2009 [22] M M Monshi, S M Aghaei, and I Calizo, RSC Advances 7, 1890018908, 2017 [23] Matthew N Brunetti, Oleg L Berman, and Roman Ya Kezerashvili, Phys Rev B 98, 125406, 2018 [24] Matthias Hofmann, Henry F SchaeferIII, Encyclopedia of Physical Science and Technology (Third Edition), 2003 [25] N J Roome and J D Carey, ACS Appl Mater Interfaces 6, 7743-7750, 2014 [26] Parr, Robert G., Yang, Weitao, Oxford University Press, 1989 [27] Paul Pflugradt, Lars Matthes, and Friedhelm Bechstedt, Phys Rev B 89, 205428, 2014 [28] Q Pang, Y Zhang, J M Zhang, V Ji, and K W Xu, Nanoscale 3, 43304338, 2011 [29] Qing Pang, Yan Zhang, Jian-Min Zhang, Vincent Jib and Ke-Wei Xuc, Nanoscale 3, 4330-4338, 2018 [30] Raad Chegel & Somayeh Behzad, Scientific Reports 10, 1-12, 2020 [31] Roome N.J and Carey J.D., ACS Applied Materials & Interfaces 6, 77437750, 2014 [32] S Datta, Cambridge University Press, 2013 [33] S Kurth, M.A.L Marques, and E.K.U Gross, Encyclopedia of Condensed Matter Physics, 395-402, 2005 [34] Samir Abdelouahed, A Ernst, J Henk, I V Maznichenko, and I Mertig, Phys Rev B 82, 125424, 2010 [35] Supriya Ghosal, Arka Bandyopadhyaya and Debnarayan Jana, Physical Chemistry Chemical Physics 35, 19957-19968, 2020 [36] Thomas, L H., Mathematical Proceedings of the Cambridge Philosophical Society, 23 (5), 542–548, 1927 [37] W Kohn and L J Sham, Physical review A1133, 140 (4A), 1133-1138, 1965 [38] W Xia, W Hu, Z Li, and J Yang, Physical Chemistry Chemical Physics 16, 22495-22498, 2014 [39] Xue-Sheng Ye, Zhi-Gang Shao, Hongbo Zhao, Lei Yang and Cang-Long Wang, RSC Adv 4, 21216, 2014 [40] Ye M, Quhe R, Zheng J, Ni Z, Wang Y, Yuan Y, Tse G, Shi J, Gao Z and Lu J, Physica E 59, 60-65, 2014 [41] Z Ni, Q Liu, K Tang, J Zheng, J Zhou, R Qin, Z Gao, D Yu, and J Lu, Nano Letters 12, 113-118, 2011