http://hqhuy.wordpress.com 1 Tranzito tr êng Field Effect Transistor - FET http://hqhuy.wordpress.com 2 Néi dung 1. Kh¸i niÖm, ph©n lo¹i 2. JFET 3. MOSFET 4. Ph©n cùc cho JFET vµ MOSFET 5. Mô hình tương đương của FET 6. Chế độ chuyển mạch của FET http://hqhuy.wordpress.com 3 FET Tranzito tr ờng - FET (Field Effect Transistor) là một cấu kiện điện tử gồm 3 cực, trong đó có một cực điều khiển. Khác với BJT sử dụng hai loại hạt dẫn đồng thời (n và p) và điều khiển bằng dòng thì FET chỉ dùng một loại hạt dẫn (hoặc n hoặc p) và điều khiển bằng điện áp. FET đặc biệt có nhiều u điểm nh tiêu thụ rất ít năng l ợng, trở kháng vào lớn, thuận tiện trong công nghệ chế tạo. http://hqhuy.wordpress.com 4 http://hqhuy.wordpress.com 5 Tranzito tr êng dïng chuyÓn tiÕp pn (JFET) http://hqhuy.wordpress.com 6 http://hqhuy.wordpress.com 7 Nguyªn lý lµm viÖc http://hqhuy.wordpress.com 8 U GS = 0, U DS = Var > 0 http://hqhuy.wordpress.com 9 http://hqhuy.wordpress.com 10 §Æc tuyÕn [...]... kênh bằng lớp cách điện SiO2 nên có trở kháng vào rất lớn cỡ 1010 (lớn hơn JFET) MOSFET tiêu thụ năng lợng nhỏ, thời gian chuyển mạch nhanh, nên rất phù hợp với công nghệ chế tạo vi mạch số cỡ lớn MOSFET cũng có tính chất của một điện trở tuyến tính điều khiển bằng điện áp nh JFET tại vùng tuyến tính (U < 1Vữ 1,5V) DS MOSFET rất nhạy với tác động của điện tích, đặc biệt là loại E-MOSFET Vì vậy việc... =I Dmax Dmax DSS Điện áp máng - nguồn cực đại: Là điện áp cực đại cho phép giữa cực D và cực S để JFET cha bị đánh thủng Thông thờng chọn U DSmax = 80%U DS Thủng Điện áp đánh thủng U DS Thủng Điện áp D-G cực đại U DGmax Điện áp G-S cực đại U : Để giới hạn tránh đánh thủng tiếp giáp PN GSmax http://hqhuy.wordpress.com 19 Các tham số của JFET (2) Điện áp đánh thủng G-S U : Điện áp đánh thủng... mA/V S = gm = I D U GS U DS = const http://hqhuy.wordpress.com 21 So sánh JFET và BJT http://hqhuy.wordpress.com 22 Tranzito trờng MOSFET Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor IGFET (Isolated Gate FET) MOSFET kênh đặt sẵn: Còn đợc gọi là loại D-MOSFET (viết tắt từ tiếng Anh: Depletion type MOSFET - tức là MOSFET loại nghèo) - Đây là loại có kênh đợc hình thành sẵn trong quá trình chế... làm nghèo và chế độ làm giầu hạt dẫn MOSFET kênh cảm ứng: Còn đợc gọi là E-MOSFET (viết tắt từ tiếng Anh: Enhancement type MOSFET - tức là MOSFET loại giầu hoặc loại tăng cờng) - Trong E-MOSFET kênh không đợc chế tạo trớc mà hình thành khi đặt một điện áp nhất định lên cực G Quá trình hình thành kênh chính là quá trình làm giầu hạt dẫn nhờ hiện tợng cảm ứng tĩnh điện từ cực G - Loại này chỉ làm việc... số của MOSFET Tham số giới hạn 25Vdc UDS max (điện áp UDS cực đại): 30Vdc UGS max (điện áp UGS cực đại): 30Vdc UDG max (điện áp máng - cửa cực đại): 30mAdc ID max (dòng điện ID cực đại): PD max (công suất tiêu tán cực đại trên cực D ở 25oC): 300mW PD max (hệ số giảm công suất tiêu tán cực đại trên cực D khi > 25oC): 1,7mW/oC http://hqhuy.wordpress.com 34 Tham số cắt dòng: thủng (điện áp đánh... (E-mode) http://hqhuy.wordpress.com 23 D-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 24 D-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 25 Nguyên lý hoạt động của D-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 26 Đặc tuyến http://hqhuy.wordpress.com 27 E-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 28 http://hqhuy.wordpress.com 29 Đặc tuyến của E-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 30 Đặc tuyến của E-MOSFET http://hqhuy.wordpress.com 31 http://hqhuy.wordpress.com... GS I (dòng điện cực cửa khi U = 15V, U = 0V): GSS GS DS I (dòng điện cực máng khi U = 0V, U = 10V, t = 25oC): DSS GS DS U DS 25Vdc 10pAdc 10nAdc Tham số làm việc: U (điện áp ngỡng G-S khi U = 10V, I = 10à A): 5Vdc T DS D I (dòng cực máng tại điểm ON, U = 10V, U = 10V): D (on) DS GS U (Điện áp D-S tại điểm ON, U = 10V, I = 2mA): DS(on) GS D http://hqhuy.wordpress.com 3mAdc 1Vdc 35 MOSFET có cực... cực G và S) GS Thủng Điện áp khóa U : điện áp giữa G và S để I = 0 GS off D Dòng điện cực máng bão hòa I : Là dòng cực máng bão hòa khi U =0 DSS GS Nhiệt độ tiếp giáp tối đa cho phép T j Nhiệt độ cất giữ T stg Công suất tiêu tán cực đại cho phép tại cực máng P : Dmax P =U I Dmax DS D http://hqhuy.wordpress.com 20 Các tham số làm việc Điện trở vào : r = dU /dI , khoảng 109 v GS G Điện trở ra : r =... đặc tuyến truyền đạt của JFET http://hqhuy.wordpress.com 14 Phơng trình Shockley Vùng điện trở thuần Tại vùng bão hòa : I = 0 khi: |U | = |U |= |U | D GS GS off P http://hqhuy.wordpress.com 15 Phơng trình Shockley (2) http://hqhuy.wordpress.com 16 ứng dụng của JFET http://hqhuy.wordpress.com 17 Điểm hệ số nhiệt bằng không http://hqhuy.wordpress.com 18 Các tham số của JFET Các tham số giới hạn: ... ta thấy có 3 vùng rõ rệt: Vùng U Vùng U < U . tuyến tính. Kênh dẫn điện giống nh một điện trở nên vùng này đ ợc gọi là vùng tuyến tính hay vùng điện trở thuần. Vùng U P < U DS < U DS thủng : Là vùng bão hoà, dòng điện cực máng gần. p) và điều khiển bằng dòng thì FET chỉ dùng một loại hạt dẫn (hoặc n hoặc p) và điều khiển bằng điện áp. FET đặc biệt có nhiều u điểm nh tiêu thụ rất ít năng l ợng, trở kháng vào lớn, thuận. http://hqhuy.wordpress.com 3 FET Tranzito tr ờng - FET (Field Effect Transistor) là một cấu kiện điện tử gồm 3 cực, trong đó có một cực điều khiển. Khác với BJT sử dụng hai loại hạt dẫn đồng