1/72 Lession 3 : Diode ☺ 2/72 Nội dung • CÊu t¹o vµ nguyªn lý lµm viÖc cña §iot b¸n dÉn • C¸c tham sè chÝnh cña §iot b¸n dÉn • S¬ ®å t−¬ng ®−¬ng cña §iot b¸n dÉn • Mét sè øng dông phæ biÕn cña §iot b¸n dÉn 3/72 Tiếp giáp PN 4/72 5/72 Dũng khuch tỏn I kt Do chênh lệch nồng độ hạt dẫn giữa hai phía của khu vực mặt ghép PN: p p >> p n và n n >> n p nên xảy ra quá trình khuyếch tán lỗ trống từ bán dẫn P sang bán dẫn N và điện tử từ N sang P tạo thành dòng khuyếch tán I kt I kt = I pkt + I nkt : dòng của hạt dẫn đa số 6/72 ðiện thế tiếp xúc U tx 7/72 8/72 U tx Do tồn tại lớp điện tích kép Q, hình thành một điện thế tiếp xúc U tx tại vùng tiếp giáp. Giá trị U tx tính theo công thức sau: Với chất bán dẫn Ge: Utx 0,3V Si: Utx 0,7V I trôi = I n trôi + I p trôi : dòng của hạt dẫn thiểu số I = I kt - I trôi = 0 : ? p n n p tx n n ln q KT = P P ln q KT =U 9/72 Phân cực cho diode 10/72 [...]... IS > 0,1mA Nhiệt độ tăng, điện áp ngợc đánh thủng tăng Nếu giữ dòng ID thuận không đổi thì điện áp trên Điot sẽ phải giảm đi khi nhiệt độ tăng (ngời ta nói hệ số nhiệt - điện áp l âm) v bằng khoảng: UD T = I = const D - 2 mV 0 K 21/72 Các tham số chính của Điot bán dẫn Các tham số giới hạn Các tham số điện Các tham số cơ khí Các họ đờng cong đặc tuyến của tham số điện www.datasheetcatalog.com... Zener 33/72 Các tham số chính của Điot Zener - UZ: Điện áp danh định - l điện áp trung bình tiêu biểu của Điot Zener ở vùng l m việc Thông thờng đối với các loại Điot Zener UZ nằm trong khoảng từ 1,8V đến 200V, công suất tiêu tán ở chế độ Zener từ 0,25W đến 50W - IZ min: Dòng điện tối thiểu - l dòng đủ để Điot duy trì đợc ở chế độ Zener - IZ max: Dòng điện tối đa cho phép - nếu I > IZ max Điot sẽ chuyển... Dòng danh định - l dòng ứng với 1/4 công suất cực đại v đợc tính bằng công thức I zo I z max + I z min = 2 34/72 RZ: Điện trở tĩnh rZ: Điện trở xoay chiều (điện trở động) Z: Hệ số ổn định Z= dI z dU z R z : = Iz Uz rz TZ: Hệ số nhiệt - đợc xác định bằng sự thay đổi tơng đối của điện áp UZ tính bằng % khi nhiệt độ thay đổi 10C TZ = U Z x 100% UZ (T - T0 ) %/ 0 C PZ max: Công suất tiêu tán cực... tham số điện 24/72 Các họ đờng cong đặc tuyến của tham số điện 25/72 Ví dụ Ví dụ 2-1: PDmax = 500mW ở nhiệt độ 250C PDmax = 4mW/0C H y xác định PDmax ở nhiệt độ 1000C Giải: Theo công thức (2-63) sẽ có: PDmax (1000C) = 500mW - 4mW/0C x (1000C - 250C) = 500mW - 300mW = 200mW Nh vậy khi nhiệt độ tăng từ 250C lên 1000C công suất tiêu tán cực đại của Điot giảm đi chỉ còn 200mW (giảm đi 2,5 lần) 26/72 Điện. .. 500mW - 300mW = 200mW Nh vậy khi nhiệt độ tăng từ 250C lên 1000C công suất tiêu tán cực đại của Điot giảm đi chỉ còn 200mW (giảm đi 2,5 lần) 26/72 Điện trở của Điot - Điện trở một chiều: UD RD = ID - Điện trở xoay chiều rD: hay còn gọi l điện trở động, đợc xác định bởi đạo h m tại điểm Q: dU D UD rD = dID ID dI D 1 d = = rD dU D dU D UD UD 1 mU T 1 e mU T = I 1 ID + 1 = (ID + I S ) I S (e - 1)... ỏp ủ t vo ủi t D UT : th nhi t (=KT/q) Is : dũng ủi n ng c bóo hũa m : h s t l (1ữ2) K=1,38.10-23J/oK q= 1,6.10-19 C rD =m.UT/ID 16/72 c tuy n V-A 17/72 Điện áp mở của Điot Ge nhỏ hơn so với Điot Si: UD0 = 0,3V (Ge) UD0 = 0,7V (Si) Điot Si có điện áp ngợc đánh thủng lớn hơn Điot Ge, (Điot Si giá trị n y có thể đạt tới 1000V còn Điot Ge chỉ cỡ khoảng 400V.) Điot Si có dải nhiệt độ l m việc lớn hơn . ? p n n p tx n n ln q KT = P P ln q KT =U 9/72 Phân cực cho diode 10/72 11/72 Figure 3: Structure of a vacuum tube diode Figure 2: Various semiconductor diodes. Bottom: A bridge rectifier Figure 1: Closeup of a diode, showing the. a diode, showing the square shaped semiconductor crystal 12/72 Light Emitting Diode 13/72 14/72 Ph©n lo¹i diode 15/72 ðặc tuyến V-A 16/72 ðặc tuyến V-A • I=I s [exp( ) -1] • U D : ñiện áp. 1/72 Lession 3 : Diode ☺ 2/72 Nội dung • CÊu t¹o vµ nguyªn lý lµm viÖc cña §iot b¸n dÉn • C¸c tham sè chÝnh cña §iot