Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 16 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
16
Dung lượng
1,01 MB
Nội dung
TRI HC BÁCH KHOA HÀ NI VIN VT LÝ K THUT BÁO CÁO MÔN HC TÀI: Giảng viên hướng dẫn: GS - c Huyn Sinh viên thực hiện: Lê Quc Hi 20090929 20092329 Ngô Quang Trung 20092863 Hà Nội, tháng 10/2013 MC LC Phn I. 3 I.1. Hiu sut ca quá trình bin 3 I.1.1. Các tham s n ch làm vic và hiu sut 4 i thin hiu sut pin mt tri 6 Phn II. ng c sáng 8 II.1. Các yu t ng c sáng 8 II.2. Khc phc hn ch c nâng cao hiu sut 10 Phn III. ng ca nhi 12 III.1. S ng ca nhi n b rng vùng cm ca vt liu 12 III.2. S ng ca nhi n dòng ngn mch 13 III.3. S ng ca nhi n th h mch 14 TÀI LIU THAM KHO 16 Phn I. PIN MT TRI - PH3370 HIU SUT CHUYN I NNG LNG CA PIN MT TRI 3 Phn I. I.1. Hiu sut ca quá trình bin Gii hn lý thuyt cu hiu sun ca h hai mc ng 0 0 ng s photon ti có c sóng trong khong ca photon. T s c ng hn t hp th ca photon trong n C u b hp th). Mu s là tng các photon ti ht hàm s ca E g i 1.2 Hình 1.1. Hiệusuất của quá trình biến đổi quang điện phụ thuộc vào độ rộng vùng cấm của vật liệu Hình 1.2. Nănglượng tổn hao và hiệusuất biến đổi quang điện của Si - c max = 0.44 xung quanh giá tr E g = 1.5eV. Kt qu này có tính tng quát và áp dng cho các h 2 mng bt k - ng tn hao trong mt quá trình bin ch yu do 2 nguyên nhân sau: ng < E g không b n t hp th mà truyn quan vt rn Phn I. PIN MT TRI - PH3370 HIU SUT CHUYN I NNG LNG CA PIN MT TRI 4 Do quá trình hi phn t và l trng gi-E g cho mng tinh th vt r tng - i vi bán dn Silicon Si, E g = 1,16eV, tính toán cho thy 23% m ng do photon truyn qua, 33% b mt do quá trình hi phc cn t và l trng c ch y i v n trên vt liu Si thì 0.44. I.1.1. Các tham s n ch làm vic và hiu sut - Có 5 tham s n ch làm vic và hiu sut ca pin mt tri: n tr nn tr ni tip) R S n tr sh Dòng bão hòa I S bc x mt tri E Nhi ca pin T - u kin bc x ng(không hi t) các tham s trên có th tham s c lp, tr n bão hòa I S và nhi T Hiu sut pin mt tri ph thun tr sh n tr ni (R S ) - n tr sh p tip xúc p-n, ph thuc công ngh ch to lp ting giá tr ca R sh khá ln, nên dòng dò có th b qua. - n tr R S là tng cn trn tr tip xúc gin ci và bán dn p, R 1 n tr lp bán dn kim lon tr lp bán dn n, R 3 n tr tip xúc gia bán dn n và cc kim loi trên , R 4 n tr ca ci kim loi mt trên ,R 5 và n tr ca các thanh góp kim loi mt trên , R 6 6 1 654321 i iS RRRRRRRR - S c gim R sh ng xn công sun ca pin mt tri. V m thn tr này s làm bin d-A, R S gây ra s gi nghiêng cn làm vit ngun th. Còn n tr sh n pin mt tri làm vic t ngun dòng Phn I. PIN MT TRI - PH3370 HIU SUT CHUYN I NNG LNG CA PIN MT TRI 5 Hình 2.1 Đặc trưng V-A của pinmặttrời phụ thuộc điện trở nội R S Hình 2.2 Đặc trưng V-A của pinmặttrời phụ thuộc điện trở sơn R Sh Hiu sut pin mt tri ph thuc vào vt liu ch to pin mt tri - Thông s quan trng n hiu sut bin ca pin mt tri rng vùng cm ca vt liu ch to pin mt tri.Lý thuyt và thc nghi thy r có hiu sut rng vùng cm ca vt liu phi trong khong n 1.6eV. Hình 2.3 cho thy s ph thuc cu hiu sut bin vào rng vùng cm Eg ca mt s vt liu 300K Hình 2.3 sự phụ thuộc của hiệusuất quang điện vào độ rộng của vùng cấm của vật liệu ở 300k - Ta thy rng, S có vùng cm Eg=1.16eV không phi vt liu tt nh sn xut pin mt tri. Các vt lim trong vùng Phn I. PIN MT TRI - PH3370 HIU SUT CHUYN I NNG LNG CA PIN MT TRI 6 cm cho gii hn cho hiu sut cao nói trên. Các pin mt tri t các vt ling c ch ti dng màng mnh hình. Bng 1 cho hiu sut bii quang n lý thuyt ca mt s vt liu pin mt tri Bảng 1. Hiệusuất lý thuyết của một số vật liệu pinmặttrời - Mt trong các công ngh trin v gim giá thành pin mt tri là công ngh pin mt tri màng m nh hình. Ngoài ra nh công ngh i ta không nhng ch tc các pin mt tri có mt lp tip xúc pn có din tích ln mà còn to c các pin mt tri có nhiu lp tip xúc pn cho hiu sut bin cao t 8%-15% Bảng 2. Các vật liệu chế tạo pinmặttrời màng mỏng I.1.2. i thin hiu sut pin mt tri - Gii hn thc t ca hiu sut bin ca pin mt tri 25 0 C trên 2 mc ng là 25%. Nguyên nhân là do h thng 2 m ng ch có th hpth các photon tng < Eg b truyn Phn I. PIN MT TRI - PH3370 HIU SUT CHUYN I NNG LNG CA PIN MT TRI 7 qua vt liu mà không gây ra hiu tn dng phng truy thng pin mt tri gm nhiu mng h thng gm 3 mng - Xét 1 h gm nhiu mng có vùng cm gim dn E g1 >E g2 >E g3 c chiu ti vt ling > E g1 s c h th nht hp thng < E g1 s c lp tip xúc th 2 hp th, các ng < E g2 s c lp th 3 hp thy, m th hp th c tt c các photon có mng E g3 < E g < E g1 và E g > E g1 thay vì ch ng >E g1 b hp thy hiu sut ca h thng này s ng 40%) Hình 2.4 Cấu trúc pinmặttrời nhiều mức nănglượng Hình 2.5 Sơ đồ nănglượng của lớp tiếp xúc của vật liệu có nănglượng vùng cấm giảm dần Pin mt tr rng vung cm gim dn (The graded band gap cell_GBGC) - H thng này là t hp gm rt nhiu lp ti ng ca h thng vùng cm gim dn t E g1 n E g2 g1 là lp b mt, E g2 là lp tip xúc pn. Vùng chuyn tip có th ng bii E g1 E g2 là mt máy phát quang - n. Hàng rào th mt máy phát quang-n th 2. Phn II. ng c sáng PIN MT TRI - PH3370 HIU SUT CHUYN I NNG LNG CA PIN MT TRI 8 Phn II. ng c sáng II.1. Các yu t ng c sáng - Ho ng ca pin mt tri c chiu sáng tp trung mang li hai li ích chính: o Th nht, s ng các tm pin mt tri phi thu ánh sáng mt tri ti mt khu vc , mà chi phí sn xut ca nhng tm pin này ng i các t c thit k chiu sáng không tp u qu). o Th hai, hoi ánh sáng tp trung cung cp li th trong hiu sut t ng mt tri. Nu ánh sáng mt trc tp trung bi mt h s X (X mt tri chiu sáng), ngn mch ti khu vc tp trung là - Gi nh rng các thông s ca cht bán dn không b ng bi ng chiu sáng và nhi ca các tm pin là ging nhau c hai c chiu sáng - không nht thit phi gi nh là X rt l > 100. Tuy nhiên, nhng gi nh này s cho phép th hin hiu sut tích tr ng ca các tm pin mt tri tp trung. - Ta có: - Thay th c: - Mt khác, - Suy ra, Phn II. ng c sáng PIN MT TRI - PH3370 HIU SUT CHUYN I NNG LNG CA PIN MT TRI 9 Vi FF là hàm ca V OC - - C hai h s nhân vi s u sut ca l mt trng chiu sáng y, hiu qu ca các tm pin mt tri t chiu sáng t Ta có th thy mi quan h - Tt nhiên, có rt nhiu tr ng u này. Các pin mt tri tp trung phc làm mát, vì s hong làm gim V OC , và hiu sut pin. FF Xsuns gidòng gim do n tr ký sinh. Phn II. ng c sáng PIN MT TRI - PH3370 HIU SUT CHUYN I NNG LNG CA PIN MT TRI 10 II.2. Khc phc hn ch c nâng cao hiu sut - nâng cao hiu sut pin mt tri ph thu i ta ci tin lp kính phía trên pin mt tr u sut hp thu, gim phn x ánh sáng. - Hình trên là các cu hình ca ng kính Fresnel (a) ng kính Fresnel tm cho mt tia chiu tp trung vào khu vc hong tròn ca các tm pin mt tri. (b) Tm thng, hoc mt trc, ng kính Fresnel tp trung vào mt s tm pin mt tri trong mt chui. (c) ng kính Fresnel hình vòm thng - Bên c dng các h thng g pin mt tri có th xoay thu nhn ánh sáng t mt tri là t [...]... phụ thuộc của đặc trưng sáng VA của pinmặttrời tinh thể Si vào nhiệt độ HIỆUSUẤTCHUYỂNĐỔINĂNGLƯỢNG CỦA PINMẶTTRỜI 15 TÀI LIỆU THAM KHẢO PINMẶTTRỜI - PH3370 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Pin mặttrời và Ứng dụng - PGS TS Đặng Đình Thống [2] Handbook of Photovoltaic Science and Engineering - Antonio Luque, Steven Hegedus HIỆUSUẤTCHUYỂNĐỔINĂNGLƯỢNG CỦA PINMẶTTRỜI 16 ... trưng VA của pin mặttrời phụ thuộc vào cường độ chiếu sáng Đường chấm chấm là đường nối các điểm làm việc tối ưu có công suất cực đại ở các cường độ bức xạ khác nhau HIỆUSUẤTCHUYỂNĐỔINĂNGLƯỢNG CỦA PINMẶTTRỜI 13 Phần III Ảnh hưởng của nhi độ III.3 Sự ảnh hưởng của nhi - PINMẶTTRỜI - PH3370 độ đến thế hở mạch Thế hở mạch VOC là hiệu điện thế được đo khi mạch ngoài của pin mặttrời hở (R= )...Phần II Ảnh hưởng củ ườn độ sáng PINMẶTTRỜI - PH3370 HIỆUSUẤTCHUYỂNĐỔINĂNGLƯỢNG CỦA PINMẶTTRỜI 11 Phần III Ảnh hưởng của nhi độ PINMẶTTRỜI - PH3370 Phần III Ả ởng c a nhi III.1 Sự ảnh hưởng của nhi - ộ độ đến bề rộng vùng cấm của v t li u Giống như tất cả các linh kiện bán dẫn khác, nhiệt độ có ảnh hưởng rất lớn đến pin mặttrời Nhiệt độ tăng sẽ làm giảm bề rộng vùng cấm của... khác nhau, có vật liệu giảm ít nhưng có vật liệu giảm khá nhiều HIỆUSUẤTCHUYỂNĐỔINĂNGLƯỢNG CỦA PINMẶTTRỜI 12 Phần III Ảnh hưởng của nhi độ PINMẶTTRỜI - PH3370 III.2 Sự ảnh hưởng của nhi - độ đến dòng ngắn mạch Dòng đoản mạch ISC là dòng điện trong mạch của pin mặttrời khi làm ngắn mạch ngoài Lúc đó, hiệu điện tehes mạch ngoài của pin V = 0V Khi đó, dòng ngắn mạch được biểu diễn bởi công thức... lên và Vo càng gần HIỆUSUẤTCHUYỂNĐỔINĂNGLƯỢNG CỦA PINMẶTTRỜI 14 Phần III Ảnh hưởng của nhi độ PINMẶTTRỜI - PH3370 tới giá trị Eg/q Ngoài ra, VOC tăng theo hàm loga với donmgf quang điện Iph mà đến lượng nó lại tăng tuyến tính với cường độ bức xạ chiếu sáng Kết quả là thế hở mạch VOC tăng theo hàm loga theo cường độ bức xạ chiếu sáng và giảm tuyến tính theo nhiệt độ tấm pin - Hình dưới cho... của pinmặttrời ( /m2) n là hệ số l tưởng phụ thuộc vào mức độ hoàn thiện công nghệ chế tạo pinmặttrời Rsh điện trở sơn (điện trở dòng dò) ( /m2) - các điều kiện chiếu sáng bình thường (không có hội tụ) thì hiệu ứng điện trở nối tiếp RS có thể bỏ qua, và ID = 0 và do đó có thể suy ra: - Trong đó: E là cường độ sáng là hệ số t lệ - Như vậy, ở điều kiện bình thường, dòng đoản mạch ISC của pinmặt trời. .. bán dẫn Giảm bề rộng vùng cấm của chất bán dẫn cùng sự tăng nhiệt độ có thể được thể hiện như sự tăng nănglượng của điện tử trong vật liệu Do đó mà chỉ cần một lượngnănglượng thấp hơn để phá vỡ liên kết Trong chế độ liên kết của vùng cấm bán dẫn, nănglượng liên kết giảm cũng chính là giảm nănglượng vùng cấm Vì vậy, khi nhiệt độ tăng sẽ làm giảm bề rộng vùng cấm - Bề rộng vùng cấm giảm theo định... tiếp xúc Khi nhiệt độ của pinmặttrời tăng, dòng bão hòa IS cũng tăng theo hàm mũ: ( ) Trong đó: A là diện tích bề mặt tiếp xúc pn gth là mật độ hạt dẫn được tạo thành do kích thích nhiệt trong lớp tiếp xúc go = gth khi T = gọi là hệ số kích thích nhiệt - Đặt biểu thức trên vào VOC ta được: - Sự khác nhau về điện thế khi T=0 và T>0 phụ thuộc hệ số kích thích nhiệt g o và hiệusuất góp K Khi chiếu sáng . n pin mt tri làm vic t ngun dòng Phn I. PIN MT TRI - PH3370 HIU SUT CHUYN I NNG LNG CA PIN MT TRI 5 Hình 2.1 Đặc trưng V-A của pin. của pin mặt trời phụ thuộc điện trở sơn R Sh Hiu sut pin mt tri ph thuc vào vt liu ch to pin mt tri - Thông s quan trng n hiu sut bin ca pin. sn xut pin mt tri. Các vt lim trong vùng Phn I. PIN MT TRI - PH3370 HIU SUT CHUYN I NNG LNG CA PIN MT