Untitled 0 ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM NGUYỄN THANH TÙNG NGHIÊN CỨU TĂNG CƯỜNG TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CHẤM LƯỢNG TỬ CdZnS BẰNG CÁC NANO KIM LOẠI LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ Thái Nguyên, nă[.]
ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM NGUYỄN THANH TÙNG NGHIÊN CỨU TĂNG CƯỜNG TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CHẤM LƯỢNG TỬ CdZnS BẰNG CÁC NANO KIM LOẠI LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ Thái Nguyên, năm 2018 ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM NGUYỄN THANH TÙNG NGHIÊN CỨU TĂNG CƯỜNG TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CHẤM LƯỢNG TỬ CdZnS BẰNG CÁC NANO KIM LOẠI Ngành: VẬT LÝ CHẤT RẮN Mã số: 8.44.01.04 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ Người hướng dẫn khoa học: TS Vũ Thị Hồng Hạnh TS Vũ Đức Chính Thái Nguyên, năm 2018 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng tơi hướng dẫn TS Vũ Thị Hồng Hạnh TS Vũ Đức Chính Các số liệu kết luận văn trung thực chưa cơng bố cơng trình khác Tác giả luận văn Nguyễn Thanh Tùng Xác nhận Xác nhận khoa chuyên môn người hướng dẫn khoa học TS Vũ Thị Hồng Hạnh i LỜI CẢM ƠN Với kính trọng lịng biết ơn sâu sắc, xin gửi lời cảm ơn chân thành tới TS Vũ Thị Hồng Hạnh, giảng viên khoa Vật Lý – Đại học Sư Phạm – Đại học Thái Nguyên TS Vũ Đức Chính – Viện Khoa học Vật liệu – Viện Hàn lâm KH&CN Việt Nam tận tình hướng dẫn, bảo, giúp đỡ tơi hồn thành luận văn Tôi xin cảm ơn anh chị, em, bạn nhóm nghiên cứu giúp đỡ tơi suốt thời gian hồn thành luận văn Thạc sĩ Chúng xin gửi lời cảm ơn tới Ban Giám Hiệu nhà trường, Ban chủ nhiệm khoa Vật Lý - Trường Đại học Sư phạm – Đại học Thái Nguyên thầy cô giáo khoa tạo điều kiện thuận lợi giúp tơi hồn thành luận văn Dù thân cố gắng hạn chế kiến thức chuyên ngành nên đề tài khơng tránh khỏi thiếu sót, tơi mong nhận góp ý, bảo thầy cô giáo, bạn để đề tài hồn thiện Tơi xin chân thành cảm ơn! Thái Nguyên, tháng năm 2018 Tác giả luận văn Nguyễn Thanh Tùng ii MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN i LỜI CẢM ƠN ii MỤC LỤC iii DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT v DANH SÁCH CÁC BẢNG, BIỂU vi DANH MỤC CÁC HÌNH vii MỞ ĐẦU 1 Lý chọn đề tài Mục tiêu nghiên cứu Nội dung nghiên cứu Phương pháp nghiên cứu Cấu trúc luận văn CHƯƠNG TỔNG QUAN LÝ THUYẾT VỀ CHẤM LƯỢNG TỬ 1.1 Giới thiệu chấm lượng tử 1.1.1 Cấu trúc vùng lượng chấm lượng tử 1.1.1.1 Chế độ giam giữ lượng tử yếu 1.1.1.2 Chế độ giam giữ trung gian 1.1.2 Các dịch chuyển quang học chấm lượng tử 1.2 Tính chất quang chấm lượng tử 10 1.2.1 Tính chất quang chấm lượng tử hai thành phần 11 1.2.1.1 Tính chất hấp thụ 11 1.2.1.2 Tính chất phát quang 13 1.2.2 Tính chất quang chấm lượng tử hợp kim 15 1.2.3 Tính chất quang chấm lượng lượng ba thành phần ZnxCd1-xS 17 iii 1.3 Hiệu ứng Plasmon bề mặt 20 CHƯƠNG THỰC NGHIỆM CHẾ TẠO 26 2.1.1 Thực nghiệm chế tạo chấm lượng tử CdZnS 27 2.2 Các phương pháp thực nghiệm nghiên cứu tính chất vật liệu 32 2.2.1 Hiển vi điện tử truyền qua 32 2.2.2 Nhiễu xạ tia X 33 2.2.3 Phân tích huỳnh quang tia X 35 2.2.4 Hấp thụ quang 35 2.2.5 Quang huỳnh quang 37 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 40 3.1 Hình dạng cấu trúc chấm lượng tử CdxZn1-xS 40 3.1.1 Ảnh TEM chấm lượng tử CdxZn1-xS 40 3.1.2 Thành phần cấu trúc chấm lượng tử Cdx Zn1-x S 42 3.2 Tính chất quang chấm lượng tử Cdx Zn1-x S 45 3.2.1 Phổ hấp thụ nano tinh thể Cdx Zn1-x S 45 3.2.2 Phổ huỳnh quang chấm lượng tử Cdx Zn1-x S 49 3.3 Tính chất quang nano tinh thể Cdx Zn1-x S pha tạp ion kim loại 52 3.3.1 Tính chất quang chấm lượng tử Cdx Zn1-x S pha tạp Mn 52 3.3.2 Tính chất quang chấm lượng tử Cdx Zn1-x S pha tạp Cu 59 3.4 Ảnh hưởng nano Au lên tính chất quang chấm lượng tử CdZnS 62 KẾT LUẬN 67 TÀI LIỆU THAM KHẢO 69 iv DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT STT Chữ viết tắt Chữ viết đầy đủ AFM Kính hiển vi nguyên tử lực CdS Cadimi Sunfua CdSe Cadmium Selenide CLT Chấm lượng tử EDS Phổ tán sắc lượng Eg Năng lượng vùng cấm HQ Huỳnh quang KLCT Kim loại chuyển tiếp LSPR Ảnh hưởng cộng hưởng plasmon bề mặt 10 NIR Cận hồng ngoại 11 OA Acid Oleic 12 ODE Octadecene 13 SPR Hiện tượng cộng hưởng plasmon bề mặt 14 TEM Kính hiển vi điện tử truyền qua 15 UV Vùng tử ngoại 16 VIS Vùng khả kiến 17 XRD Nhiễu xạ tia X 18 ZnS Zins Sulfide v DANH SÁCH CÁC BẢNG, BIỂU Trang Bảng 1.1 Các giá trị a1, a2, b1, b2 CLT A2B6 Bảng 1.2 Tính chất huỳnh quang tinh thể nanơ thuộc nhóm II-VI I-III-VI2 16 vi DANH MỤC CÁC HÌNH Trang Hình 1.1 Ảnh chụp nano tinh thể với hình dạng khác tuỳ thuộc vào điều kiện chế tạo Hình 1.2 cấu trúc vùng lượng CdSe khối Hình 1.3 Sự thay đổi mật độ trạng thái vật liệu theo số chiều không gian mà hạt tải bị giam giữ 0, 1, 3D CLT, dây lượng tử, giếng lượng tử vật liệu khối Hình 1.4 Sự tăng mức lượng lượng tử hóa mở rộng lượng vùng cấm CLT so với tinh thể khối Hình 1.5 Các dịch chuyển quang học phép CLT với mơ hình cặp điện tử-lỗ trống 10 Hình 1.6 Mô tả mở rộng vùng cấm, liên quan chặt chẽ tới đặc tính quang CLT CdSe 12 Hình 1.7 Phổ hấp thụ CLT CdSe với kích thước khác 13 Hình 1.8 Phổ HQ CLT CdSe với kích thước khác 14 Hình 1.9 Hiện tượng cộng hưởng Plasmon bề mặt 21 Hình 1.10 Quá trình hình thành cấu trúc nano CLT-Au 23 Hình 1.11 Phổ hấp thụ (a) phổ huỳnh quang (b) CLT ZnCdSeS, (c) phổ hấp thụ phổ huỳnh quang (d) nano Au mẫu lai 24 Hình 2.1 Phổ hấp thụ (a) phổ huỳnh quang (b) CLT (c) phổ hấp thụ phổ huỳnh quang (d) nano Au mẫu lai 28 Hình 2.2 Hình ảnh hệ chế tạo CLT CdxZn1-xS 31 vii Hình 2.3 Kính hiển vi điện tử truyền qua JEM 1010 đặt Viện Vệ sinh Dịch tễ Trung ương 32 Hình 2.4 Hiện tượng tia X nhiễu xạ mặt mạng tinh thể 34 Hình 2.5 Ảnh chụp hệ máy quang phổ UV-visible-Nir Absorption Spectrophotometer (nhãn hiệu Cary 5000, Varian) 36 Hình 2.6 Hệ đo huỳnh quang nhãn hiệu FS 920 39 Hình 3.1 Ảnh TEM hệ mẫu Cd0.5Zn0.5S chế tạo 280oC với thời gian chế tạo mẫu 15 phút (a), 60 phút (b) 40 Hình 3.2 Giản đồ phân bố kích thước chấm lượng tử Cd0.5Zn0.5S chế tạo 280oC với thời gian chế tạo mẫu 15 phút (a), 60 phút (b) 41 Hình 3.3 Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu CLT Cdx Zn1-x S với tỷ lệ Cd/Zn khác nhau: 0,3/0,7 ; 0,5/0,5; 0,6/0,4; 0,7/0,3 42 Hình 3.4 Mơ hình xếp lớp (a) wurtzite, (b) cấu trúc zinc blence, (c) lập phương khơng hồn hảo (d) CdS đa cấu trúc 44 Hình 3.5 Phổ hấp thụ CLT Cd0.5Zn0.5S(a) Cd0.7Zn0.3S(b) chế tạo nhiệt độ 280oC với thời gian chế tạo mẫu khác từ 15 phút đến 9h 46 Hình 3.6 Đồ thị biểu diễn phụ thuộc bờ hấp thụ chấm lượng tử CdZnS theo thời gian chế tạo mẫu từ 15 phút đến 47 Hình 3.7 Phổ hấp thụ CLT CdxZn1-xS với tỷ lệ Cd:Zn thay đổi từ 1:0 đến 0:1, mẫu chế tạo nhiệt độ 280oC 48 Hình 3.8 Phổ huỳnh quang chấm lượng tử CdZnS chế tạo nhiệt độ 280oC với thời gian lấy mẫu khác 49 viii 3.3.2.1 Phổ hấp thụ chấm lượng tử Cdx Zn1-x S pha tạp Cu 2.5 Cu/[Zn+Cd] % 0% 0,2% 0,5% Độ hấp thụ (đ.v.t.y) 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 400 500 600 B- íc sãng (nm) Hình 3.17 Phổ hấp thụ CLT Cd0,5Zn0,5S pha tạp Cu với tỉ lệ 0%, 0,2%, 0,5% Hình 3.17 trình bày phổ hấp thụ CLT Cd0,5Zn0,5S pha tạp Cu với nồng độ tạp chất 0,2%, 0,5%, phân tán toluene đo nhiệt độ phòng Phổ hấp thụ CLT Cd0,5Zn0,5S pha tạp Cu với nồng độ tạp chất 0,2%, 0,5% thể bờ đỉnh hấp thụ rõ nét So với CLT Cd0,5Zn0,5S không pha tạp, phổ hấp thụ Cd0,5Zn0,5S:Cu nồng độ 0,2% 0,5% khơng thay đổi Vị trí đỉnh hấp thụ thứ phổ hấp thụ quy cho hấp thụ exciton từ trạng thái lên trạng thái kích thích thứ hấp thụ cặp donor – acceptor nano tinh thể hợp kim Vị trí đỉnh hấp thụ thứ quan sát thấy mờ, đỉnh hấp thụ chồng chập hấp thụ exciton từ trạng thái lên trạng thái kích thích cao 60 C- êng ®é hnh quang (®.v.t.y) 3.3.2.2 Phổ huỳnh quang chấm lượng tử Cdx Zn1-x S pha tạp Cu 0.5 CdZnS:Cu - 15 428 nm 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 350 400 450 500 550 600 650 700 B- íc sãng (nm) Hình 3.18 Phổ huỳnh quang CLT Cd0,5Zn0,5S:Cu theo tỷ lệ 0,2% chế tạo 15 phút Trên hình 3.18 cho thấy phổ huỳnh quang CLT Cd0,5Zn0,5S pha tạp 0,2% Cu xuất hai dải phổ rõ rệt, dải phổ huỳnh quang hẹp (độ rộng bán phổ cỡ khoảng 22nm), phía lượng cao có đỉnh phát xạ 2,90 eV (~ 428nm) quy cho phát xạ exiton CLT Cd0,5Zn0,5S từ trạng thái kích thích thứ trạng thái Độ rộng bán phổ dải phát xạ không thay đổi tăng thời gian chế tạo mẫu Dải phát xạ thứ hai rộng phía lượng thấp, có cực đại phát xạ cỡ 2,05 eV (~ 605nm) quy cho chuyển dời phát xạ từ trạng thái liên quan đến mức lượng tạp chất Cu (mức T2) trạng thái So sánh với phổ huỳnh quang CLT Cd0,5Zn0,5S, ta thấy dải phổ huỳnh quang CLT Cd0,5Zn0,5S:Cu bị dịch phía bước sóng ngắn (năng lượng cao) Nguyên nhân dịch phía bước sóng ngắn phát xạ Cu phụ thuộc nhiều vào bán dẫn nền, lượng độ rộng vùng cấm nano tinh thể tăng kéo theo lượng phát xạ tạp chất Cu tăng ion Cu phân tán mạng 61 3.4 Ảnh hưởng nano Au lên tính chất quang chấm lượng tử CdZnS Trong trình chế tạo nghiên cứu tính chất quang chấm lượng tử CdZnS, ta thấy có mẫu chế tạo có cường độ huỳnh quang tốt, có mẫu có cường độ huỳnh quang chưa tốt Thực tế mẫu phát quang tốt có khả ứng dụng tốt nên nhu cầu tăng cường tính chất quang chấm lượng tử quan tâm Chúng thử nghiệm khả tăng cường tính chất quang chấm lượng tử nano Au cách phủ lên nano vàng lớp chấm lượng tử khảo sát phổ huỳnh quang chúng Trong trình đo phổ huỳnh quang, chúng tơi sử dụng loại đế: (1) đế Silic tinh khiết (2) đế Silic phủ lớp nano Au Để chuẩn bị đế phủ nano Au, sử dụng phương pháp phủ dung dịch có chứa nano Au lên đế Silic, sau sấy khơ để tạo thành đảo Au đế Silic 13.45 nm 2.5 Z[nm] 1.5 0.5 200nm 0 0.00 nm 200 400 600 800 1000 X[nm] Hình 3.19 Ảnh AFM đế Si-Au Hình 3.19 ảnh AFM đế Si phủ Au sấy khơ Qua ảnh AFM ta quan sát thấy rõ đảo Au có kích thước nano phủ đế Silic Những đảo Au có kích thước cỡ 40-50nm phân bố đồng đều, đảm bảo nhỏ mẫu chứa CLT lên đế CLT tiếp xúc với nano Au nhiều 62 Sau chuẩn bị đế xong, tiến hành nhỏ mẫu chấm lượng tử CdZnS lên đế đo phổ huỳnh quang điều kiện C- êng ®é huúnh quang (®.v.t.y) 1000 Si Si-Au 980 960 940 350 400 450 500 550 600 650 700 B- íc sãng (nm) Hình 3.20 Phổ huỳnh quang đế Si đế Si-Au Hình 3.20 phổ huỳnh quang đo trực tiếp đế Silic đế Silic phủ nano Au Qua phổ huỳnh quang ta thấy đế Silic phủ Au đế Silic tinh khiết khơng phát quang dải bước sóng khảo sát (từ 375 nm đến 675 nm) Hình 3.21 phổ huỳnh quang chấm lượng tử Cd0,5Zn0,5S chế tạo nhiệt độ 2200C đo đế Si đế Si phủ nano Au Ta thấy phổ huỳnh quang đo đế Si đo đế Si-Au có vị trí đỉnh phát xạ khơng thay đổi, đỉnh phát xạ chấm lượng tử CdZnS, điều chứng tỏ việc phủ nano Au đế đo huỳnh quang khơng làm ảnh hưởng đến vị trí cực đại huỳnh quang chấm lượng tử 63 C- êng ®é huúnh quang (®.v.t.y) 45000 CdZnS/Si CdZnS/Si-AU 40000 35000 30000 25000 20000 15000 10000 5000 350 400 450 500 550 600 650 700 B- íc sãng (nm) Hình 3.21 Phổ huỳnh quang CdZnS chế tạo nhiệt độ 2200 đế Si đế Si-Au Cường độ đỉnh phổ huỳnh quang CLT Cd0,5Zn0,5S phủ đế Si-Au so với phổ huỳnh quang CLT phủ đế Silic tăng lên ~ 3,5 lần, kết tốt khả tăng cường cường độ huỳnh quang nano Au Ngồi cường độ huỳnh quang tăng lên, ta cịn thấy đỉnh phổ huỳnh quang đo đế Si-Au rõ ràng so với phổ huỳnh quang chấm lượng tử CdZnS đo đế Si Việc tăng cường cường độ huỳnh quang CLT nano vàng phủ đế Silic mở định hướng ứng dụng CLT linh kiện phát quang 64 C- êng ®é huúnh quang (®.v.t.y) QDs2/Si QDs2/Si-Au 25000 20000 15000 10000 5000 350 400 450 500 550 600 650 700 B- íc sãng (nm) Hình 3.22 Phổ huỳnh quang Cd0,5Zn0,5S chế tạo nhiệt độ 2350 đế Si đế Si-Au Hình 3.22 phổ huỳnh quang chấm lượng tử Cd0,5Zn0,5S chế tạo nhiệt độ 2350C đo đế Si đế Si phủ nano Au Tương tự phổ huỳnh quang hình 3.21, phổ huỳnh quang chấm lượng tử Cd0,5Zn0,5S đế Si-Au có cường độ tăng lên mạnh đỉnh phát xạ giữ nguyên so với đỉnh phát xạ chấm lượng tử Cd0,5Zn0,5S Hình 3.23 phổ huỳnh quang Cd0,5Zn0,5S pha tạp Cu đế Silic đế Si-Au Khi chấm lượng tử Cd0,5Zn0,5S pha tạp ion kim loại chuyển tiếp Cu, tính chất quang chấm lượng tử CdZnS:Cu thay đổi so với chấm lượng tử Cd0,5Zn0,5S Khi đo phổ huỳnh quang chấm lượng tử Cd0,5Zn0,5S pha tạp Cu đế Si đế Si-Au ta thấy tượng tăng cường độ huỳnh quang thể rõ ràng, cường độ phổ huỳnh quang tăng mạnh vị trí đỉnh phổ hấp thụ khơng thay đổi 65 C- êng ®é huúnh quang (®.v.t.y) 2000 CdZnS:Cu/Si CdZnS:Cu/Si-Au 1800 1600 1400 1200 1000 800 350 400 450 500 550 600 650 700 B- íc sãng (nm) Hình 3.23 Phổ huỳnh quang CLT Cd0,5Zn0,5S pha tạp Cu đế Si đế Si-Au Qua phổ huỳnh quang chấm lượng tử đo đế Si Si phủ màng nano Au, ta thấy khả tăng cường tính chất quang bảo tồn phát xạ nội chấm lượng tử nano Au tốt Tuy nhiên muốn có kết xác hiệu ứng tăng cường cường độ huỳnh quang, ta cần phải tiến hành đo hiệu suất lượng tử Mục tiêu nghiên cứu tượng tăng cường cường độ huỳnh quang đế phủ nano Au tập trung ứng dụng, điều khiển khả phát quang chấm lượng tử, tăng cường tính chất phát quang CLT đế Si phủ nano Au tạo thành lớp tiếp xúc dạng rắn phục vụ cho mục đích chế tạo thiết bị phát quang, LED, pin mặt trời 66 KẾT LUẬN Sau thời gian nghiên cứu đề tài khố luận, chúng tơi thu số kết sau: Đã tìm hiểu tổng quan lí thuyết vật liệu nano, hiệu ứng đặc biệt, tính chất quang chấm lượng tử hai thành phần, CLT ba thành phần, CLT pha tạp ion KLCT vài ứng dụng CLT kỹ thuật cơng nghệ Từ thấy phụ thuộc độ rộng vùng cấm vào kích thước CLT dẫn đến thay đổi tính chất hấp thụ phát xạ huỳnh quang theo kích thước CLT Đã nghiên cứu, tìm hiểu số phương pháp chế tạo CLT tiến hành chế tạo thành công CLT CdZnS, CdZnS:Mn, CdZnS:Cu phương pháp hóa học ướt dung mơi ODE Đã khảo sát tính chất quang chấm lượng tử hợp kim CdZnS, CdZnS:Mn, CdZnS:Cu chế tạo Kết cho thấy: - Phổ hấp thụ CLT hợp kim CdZnS có bờ hấp thụ nằm độ rộng vùng cấm bán dẫn CdS ZnS Kết thực nghiệm anh TEM nhiễu xạ tia X thấy CLT hợp kim CdZnS hình thành kết tinh pha tinh thể Wurtzite - Từ phổ hấp thụ, chúng tơi ước tính độ rộng vùng cấm CLT mà chế tạo phụ thuộc thành phần cấu tạo hợp kim, dịch phía bước sóng ngắn phổ hấp thụ CdZnS pha tạp ion KLCT (Mn, Cu) ion KLCT ức chế phát triển kích thước hạt nano tinh thể - Kích thước CLT phụ thuộc vào nồng độ pha tạp ion KLCT, tăng nồng độ tạp kích thước CLT giảm xuống - Đỉnh phổ huỳnh quang CLT dịch phía bước sóng ngắn pha tạp ion KLCT, ngồi dải phổ HQ cịn mở rộng so với CLT pha tạp ion KLCT - Khi thời gian chế tạo tăng ta thấy cường độ dải phát xạ tạp chất tăng theo lớn nhiều so với cường độ dải phát xạ nội chứng 67 tỏ thời gian chế tạo tinh thể lớn giúp cho ion KLCT phân tán ổn định mạng - So với phổ huỳnh quang chấm lượng tử phủ đế Silic, phổ huỳnh quang CLT phủ đế Si-Au có cực đại không thay đổi cường độ huỳnh quang cực đại huỳnh quang tăng lên rõ rệt (~3,5 lần), chứng tỏ khả tăng cường tính chất huỳnh quang nano Au * ĐỀ XUẤT HƯỚNG NGHIÊN CỨU - Nghiên cứu sâu ảnh hưởng thành phần cấu tạo, chế vật lý xảy bên chấm lượng tử, đặc biệt CLT hợp kim ba bốn thành phần - Khảo sát cách hệ thống chế chuyển dời quang học tính chất từ CLT hợp kim pha tạp ion Mn Cu - Nghiên cứu chế vật lý tổ hợp nano Au - CLT từ đưa vai trị nano Au việc tăng cường tính chất quang CLT từ có định hướng ứng dụng CLT khoa học, kỹ thuật 68 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tài liệu tham khảo Tiếng Việt [1] Vũ Thị Hồng Hạnh (2011), Nghiên cứu chế tạo tính chất chấm lượng tử CdSe với cấu trúc lõi vỏ định hướng ứng dụng, Luận văn tiến sĩ, Viện Vật lý, Viện Hàn Lâm KH&CN Việt Nam [2] Vũ Đức Chính (2011), Nghiên cứu chế tạo tính chất chấm lượng tử CdSe, CdSe/ZnS CdSe/ZnSe/ZnS, Luận văn tiến sĩ, Viện Khoa học Vật liệu, Viện Hàn Lâm KH&CN Việt Nam [3] Vũ Thị Hồng Hạnh, Vũ Thị Thu Thuỷ, Nguyễn Hữu Quân, “Nghiên cứu chế tạo tính chất quang vật liệu nano ZnSe1-xSx (hoặc Cd1-xZnx S) pha tạp Mn Cu cho ứng dụng sinh học.” Đề tài cấp Đại học Thái Nguyên, trường Đại học Sư phạm, Đại học Thái Nguyên [4] Vũ Thị Hồng Hạnh (2005), nghiên cứu chế tạo tính chất quang chấm lượng tử bán dẫn pha tạp với cấu trúc lõi/vỏ, Luận văn thạc sĩ Vật lý, Viện Vật lý, Viện Hàn lâm KH&CN Việt Nam [5] Lê Thị Lành (2015),” Nghiên cứu chế tạo vàng nano số ứng dụng” Luận án Tiến sĩ, Đại học Huế - 2015 [6] Hoàng Thị Lan Hương , Nguyễn Huyền Trang , Vũ Thị Hồng Hạnh , Nguyễn Thị Thu Trang , Nguyễn Thị Thúy Liễu , Nguyễn Xuân Nghĩa (2015), “Nghiên cứu tính chất quang nano tinh thể bán dẫn Zn xCd1-xS : Cu với hàm lượng tạp Cu lớn”, Advances in Applied and engineering physics IV, Publishing House for Science and Technology, tr 349-353 [7] Nguyễn Thị Minh Thủy (2014), “Nghiên cứu chế tạo tính chất quang chấm lượng tử bán dẫn hợp chất ba nguyên tố I – III - VI2 (CuInS2)”, Luận án tiến sĩ, Viện Khoa Học Vật Liệu [8] Nguyễn Ngọc Hải (2014), “Nghiên cứu chế tạo tính chất chấm lượng tử bán dẫn cấu trúc nhiều lớp CdSe/ZnSe/ZnS, chức hóa bề mặt nhằm ứng dụng chế tạo cảm biến huỳnh quang xác định số 69 loại thuốc trừ sâu” - Luận án tiến sĩ, Viện Khoa Học Vật Liệu, Viện Hàn Lâm KH&CN Việt Nam [9] Trần Anh Quang (2015), Nghiên cứu quy trình cơng nghệ quang khắc phòng sử dụng chế tạo linh kiện kích thước micro, Luận văn thạc sĩ vật liệu linh kiện nano, Đại học Công nghệ, Đại học Quốc gia Hà Nội [10] Đỗ Thị Như Quỳnh, Trần Thị Thoa Vượng (2016), “Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang chấm lượng tử CdZnS”, Đề tài NCKH Sinh viên, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Thái Nguyên Tài liệu tham khảo Tiếng Anh [11] Gerhard Holzapfel, Ellen Kuhl (2012), Computer Models in Biomechanics: Nano to Macr, Stanford University, California, USA, pp [12] Xu Y (2005), “Synthesis and Characterization of Silica Coated CdSe/CdS core/shell quantum dots”, Ph D Thesis, Blacksburg, Virginia, chapter [13] A John Petera and Chang Woo Leea “Electronic and optical properties of CdS/CdZnS nanocrystals” Korea, India (Received 17 November 2011; revised manuscript received April 2012 pp 1-5 [14] Chaudhery Mustansar Hussain, Boris Kharisov (2016), Advanced Environmental Analysis: Applications of Nanomaterials, Volume 2, Royal Society of Chemistry, pp 183 [15] Gerhard Holzapfel, Ellen Kuhl (2012), Computer Models in Biomechanics: Nano to Macr, Stanford University, California, USA, pp [16] John Wiley & Sons Selective Nanocatalysts and Nanoscience: Concepts for Heterogeneous and Homogeneous Catalysis, 15 August, 2011 pp.169 [17] Nguyen Hai Yen, Willy Daney de Marcillac, Clotilde Lethiec, Phan Ngoc Hong, Catherine Schwob, Agnès Mtre, Nguyen Quang Liem a, Le Van Vu, Paul Bénalloul, Laurent Coolen, Pham Thu Nga (2014), “170 Synthesis and optical properties of core-shell ternary-ternary CdZnSeZnSeS quantum dots”, Optical Material 36, pp 1531-1541 [18] Rajaventhan Srirajaskanthan, Victor R Preedy (2011), Nanomedicine and Cancer, CRC Press [19] Shuming Nie, Robert E Bailey (2013), “Alloyed semiconductor quantum dots and concentration-gradient alloyed quantum dots”, series comprising the same and methods related thereto, pp 16 – 20 [20] Xu Y (2005), Synthesis and Characterization of Silica Coated CdSe/CdS Core/Shell Quantum Dots, Ph D Thesis, Blacksburg, Virginia, chapter [21] Salman A A (2007), Spectroscopy and Kinetic Studies of Electron-Hole Recombination in CdSe Nanoparticles: Effect of Size, Shape, and Lattice Structure, Ph D Thesis, Lausanne, EPFL, chapter [22] Lu H C (2008), Luminescent Semiconductor Quantum Dots: Synthesis, Charac-terization and Biological Applications, Thesis, pp 6-7 [23] S Sapra and D D Sarma, Physical Review, B 69 (2004) , 125304 [24]A K Chawla, S Singhal, S Nagar, H O Gupta, R Chandra, J Appl Phys, 108, pp 123519 (2010) [25 J Bleusea, S Carayona, P Reissa (2004), “Optical properties of core/multishell CdSe/Zn(S, Se) Nanocrystals”, Physica E 21, 331-335 [26] M D Regulacio, M Y Han (2010), “Composition-Tunable Alloyed Semiconductor Nanocrystals”, Acc Chem Res 43, 621-630 [27] J U Kim, J J Lee, H S Jang, D Y Jeon, H Yang (2011), “Widely Tunable Emissions of Colloidal ZnxCd1−xSe Alloy Quantum Dots Using a Constant Zn/Cd Precursor Ratio”, J Nanosci Nanotechnol 1, 725-729 [28] Luan W., Yang H., Tu S T., Wang Z (2007), “Open-to-air synthesis of monodies-perse CdSe nanocrystals via microfluidic reaction and its kinetics”, Nanotechnology, 18, pp.175603-175608 71 [29] Bullen C R., Mulvaney P (2004), “Nucleation and Growth Kinetics of CdSe Nanocrystals in Octadecene”, Nano Lett., 4, pp 2303-2307 [30] Yu W W., Peng X (2002), “Formation of High-Quality CdS and Other II-VI Semiconductor Nanocrystals in Noncoordinating Solvents:T unable Reactivity of Monomers”, Angew Chem Int Ed 41, pp 2368-2371 [31] Rastar A., Yazdanshenas M E., Rashidi A., Bidoki S M (2013), “Theoretical Review of Optical Properties of Nanoparticles”, Journal of Engineered Fibrers and Fabrics, 8, pp 85-97 [32] Zhen W (2013), “Plasmon-resonant gold nanoparticles for cancer optical imaging”, Science China: Physics, Mechanics Astronomy, 56, pp 506513 [33] Seoudi R., Said D A (2011), “Studies on the Effect of the Capping Materials on the Spherical Gold Nanoparticles Catalytic Activity”, World Journal of Nano Science and Engineering, 1, pp 51-61 [34] Vigderman L., Bishnu P K., Euger R Z (2012), “Functional Gold Nanorods: Synthesis, Self-assembly and Sensing Applications”, Advanced Materials, 24, pp 4811-4841 [35] Giovannozzi A M , A Nastro, A M Rossi (2012), “A surface enhanced Raman scattering investigation using gold nanoparticles for melamine detection”, Analyst: The Royal Soceity of Chemistry, 77, pp 321- 324 [36] Huang X., Jain P K, El-Sayed I H., El-Sayed M A (2007), “Gold nanoparticles: interesting optical properties and recent applications in cancer diagnostics and therapy”, Nanomedicine, (5), pp 681-693 [37] Huang H J., Yu C P., Chang H C., Chiu K P., Chen H M., Liu R S., Tsai D P (2007), “Plasmonic optical properties of single gold nanorod”, Optics Express, 15 (12), pp 7132-7139 [38] Qianqian Huang, Jing Chen, Jian Zhao, Jiangyong Pan, Wei Lei and Zichen Zhang (2015) “Enhanced Photoluminescence Property for 72 Quantum Dot-Gold Nanoparticle Hybrid” Research Letters Huang et al Nanoscale [39] Ji X, Peng F, Zhong Y, Su Y, He Y Fluorescent quantum dots: synthesis, biomedical optical imaging, and biosafety assessment Colloids Surf B: Biointerfaces 2014 [40] Jin L-H, Li S-M, Kwon B-J, Cho Y-H Quenching dynamics in CdSe/ZnS core/ shell quantum dots-gold nanoparticle conjugates in aqueous solution J Appl Phys 2011 [41] Yin J, Yue C, Zang Y, Chiu CH, Li J, Kuo HC, et al “Effect of the surface-plasmon-exciton coupling and charge transfer process on the photoluminescence of metal–semiconductor nanostructures Nanoscale” 2013 [42] Smith A M., Nie S (2009), "Semiconductor Nanocrystals: Structure, Properties, and Band Gap Engineering", Accounts of Chemical Research 43, pp 190-200 [43] Cao Y C, Wang J (2004), “One – Pot Synthesis of High – Quality Zinc Blence CdS Nanocrystal”, J Am, Chem Soc 126, 14336 – 14337 [44] Xinhua Zhong, Yaoyu Feng, Wolfgang Knoll, and Mingyong Han (2013), “Alloyed ZnxCd1-xS Nanocrystals with Highly Narrow Luminescence Spectral Width”, Contribution from the Department of Materials Science and Chemistry and the Department of Civil Engineering, National University of Singapore, Singapore 117543, and Institute of Materials Research and Engineering, pp 237 – 243 [45] Sapra S., Prakash A., Ghangrekar A., Periasamy N., Sarma D D., "Emission properties of Manganese-Doped ZnS Nanocrystals", J Phys Chem B 109, 1663-1668 (2005) 73 74 ... tạo tính chất quang CLT CdZnS với thành phần hợp kim thay đổi Nghiên cứu tăng cường tính chất quang CLT CdZnS cách pha tạp ion Cu Mn Nghiên cứu tăng cường tính chất quang CLT CdZnS nano vàng phủ... phát quang, pin mặt trời Chính lý chúng tơi chọn hướng nghiên cứu cho luận văn là: “ Nghiên cứu tăng cường tính chất quang CLT CdZnS nano kim loại” Mục tiêu nghiên cứu Nghiên cứu chế tạo tính chất. .. SƯ PHẠM NGUYỄN THANH TÙNG NGHIÊN CỨU TĂNG CƯỜNG TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CHẤM LƯỢNG TỬ CdZnS BẰNG CÁC NANO KIM LOẠI Ngành: VẬT LÝ CHẤT RẮN Mã số: 8.44.01.04 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ Người hướng