Đang tải... (xem toàn văn)
Tạp chí phân tích Hóa, Lý và Sinh học Tập 26, Số 3A/2021 NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH LƯỢNG VẾT CADIMI VÀ KẼM TRONG NƯỚC TỰ NHIÊN BẰNG PHƯƠNG PHÁP VON AMPE HÒA TAN ANOT XUNG VI PHÂN SỬ DỤNG ĐIỆN CỰC MÀNG BISMU[.]
Tạp chí phân tích Hóa, Lý Sinh học - Tập 26, Số 3A/2021 NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH LƯỢNG VẾT CADIMI VÀ KẼM TRONG NƯỚC TỰ NHIÊN BẰNG PHƯƠNG PHÁP VON-AMPE HÒA TAN ANOT XUNG VI PHÂN SỬ DỤNG ĐIỆN CỰC MÀNG BISMUT IN SITU Đến tòa soạn 08-05-2021 Nguyễn Mậu Thành Trường Đại học Quảng Bình Nguyễn Nho Dũng Trường Đại học Thể dục Thể thao Đà Nẵng Nguyễn Đình Luyện Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế Nguyễn Văn Hợp Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế SUMMARY STUDY ON DETERMINATION OF TRACE CADMIUM AND ZINC IN NATURAL WATER BY DIFFERENTIAL PULSE ANODIC STRIPPING VOLTAMMETRY USING IN SITU BISMUTH FILM ELECTRODE Heavy metal pollution (HgII, PbII, CdII, NiII and ZnII) has become one of the most critical environmental problems today Bismuth film electrode prepared in situ on glassy carbon disk surface (abbreviated to BiFE in situ) was used as working electorode for Differential pulse Anodic Stripping Voltammetry (DPASV) for the determination of cadmium (Cd) and zinc (Zn) in acetate buffer (pH 5) The influence of the factors on Cd and Zn stripping peak curent (Ip) such as: BiIII concentration, pH, deposition potential and deposition time, the electrode rotating speed, interferents… were investigated At the deposition potential of -1400 mV, the deposition time of 120s and other appropriate experimental conditions, the method gained high sensitivity (0.224 ± 0.021; 0.094 ± 0.023 μA/ppb for Cd and Zn, respectively), good reproducibility of the Ip: RSD = 1.7% and 2.6% (n 8) for Cd and Zn, respectively, low detection limit (3) (corresponding to Cd and Zn are 1.19 ppb and 1.62 ppb); linear correlation bewteen the Ip and the metal concentration was good in the range of ÷ 60 ppb (R ≥ 0.999) Keywords: Bismuth film, cadmium, zinc, Anodic Stripping Voltammetry chúng có khả gây hại đến sinh lý hệ thống sinh học người [1, 2] Với phát triển mạnh mẽ khoa học cơng nghệ địi hỏi ngành hố học phân tích phải phát triển hồn thiện phương pháp phân tích nhằm có độ nhạy độ chọn lọc cao để xác định xác lượng vết siêu vết kim loại nặng đối tượng môi trường đặc biệt nước tự nhiên, vơ quan ĐẶT VẤN ĐỀ Các kim loại nặng gây độc hại với môi trường thể sinh vật hàm lượng chúng vượt q tiêu chuẩn cho phép Q trình cơng nghiệp hóa làm tăng lên đáng kể việc thải chất ô nhiễm khác vào môi trường Trong số chất nhiễm đó, kim loại có khả gây độc hại, chẳng hạn CdII, CuII, PbII, HgII, ZnII, ảnh hưởng 110 trọng sống trái đất, sở cho sống sinh vật Các phương pháp phân tích điện hố đại, mà điển hình phương pháp Von - Ampe hồ tan có ưu điểm như: độ nhạy, độ xác, tính chọn lọc cao giới hạn phát thấp, đặc biệt chi phí thiết bị phân tích rẻ đó, thích hợp cho việc phân tích trực tiếp lượng vết siêu vết kim loại số đối tượng môi trường [4] Điện cực làm việc thường dùng phương pháp Von - Ampe hoà tan điện cực thủy ngân HDME điện cực giọt thủy ngân tĩnh (SMDE), điện cực màng hỗn hống Ag-Hg (Hg/AgFE) Nhưng độc tính cao thủy ngân muối nó, nên gây lo lắng ô nhiễm môi trường không thích hợp cho phân tích trường Tuy nhiên, độc tính cao thủy ngân muối nó, nên gây lo lắng nhiễm mơi trường Chính vậy, nhiều nhà khoa học tập trung nghiên cứu điện cực làm việc mới, thân thiện với môi trường thải bỏ trường như: Các điện cực màng kim loại (màng Bi, Ag, Sb…), vi điện cực (Ag, Au, Pt, C…), điện cực biến tính đặc biệt điện cực màng Bismut (BiFE) [5], nhằm mở rộng phạm vi phương pháp Đa số công bố đến cho rằng, điện cực BiFE tạo kiểu in situ có nhiều ưu điểm so với kiểu ex situ đạt độ nhạy cao hơn, thao tác thí nghiệm dễ dàng [9] Bài báo đề cập đến kết nghiên cứu chi tiết xác định đồng thời Cd Zn nước tự nhiên phương pháp VonAmpe hòa tan anot (ASV) sử dụng điện cực BiFE đệm axetat (pH = 5) sử dụng kỹ thuật Von-Ampe xung vi phân (DP) để ghi tín hiệu Von-Ampe hịa tan, phương pháp ký hiệu DP-ASV PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 2.1 Hóa chất thiết bị Các hóa chất sử dụng hóa chất tinh khiết phân tích hãng Merck, gồm: CH3COONa, CH3COOH, HNO3, NaOH, NaCl, Na2SO4, HCl, BiIII, CdII, ZnII, triton X-100 Nước cất hai lần (cất thiết bị cất nước Fistream Cyclon, England) sử dụng để pha chế hóa chất tráng, rửa dụng cụ thủy tinh Máy phân tích điện hóa CPA–HH5 Computerized Polarography Analyzer, Việt Nam; Hệ điện cực gồm điện cực: Điện cực đĩa rắn than thủy tinh (GC) đường kính 2,8 ± 0,1 mm tự chế tạo, điện cực so sánh Ag/AgCl/KCl 3M điện phụ trợ dây Pt Máy đo pH hãng Mettler Toledo; Cân phân tích Precisa XB 220A, Thụy Sĩ; Máy cất nước hai lần Aquatron, Bibby Sterilin, Anh; Máy siêu âm Cole – Parmer 8890; Micropipet loại: 10 ÷ 100 μL; 100 ÷ 1000 μL; 1000 ÷ 5000 μL, Labnet, Mỹ 2.2 Chuẩn bị điện cực làm việc BiFE in situ Điện cực đĩa rắn than thủy tinh (GC) đường kính 2,8 ± 0,1 mm mài bóng với bột nhơm oxit chun dụng có kích thước hạt 0,2 µm, sau rửa etanol nước để khô tự nhiên nhiệt độ phòng Điện cực BiFE tạo dung dịch nghiên cứu (chứa BiIII, CdII, ZnII đệm axetat (pH = 5) giai đoạn điện phân dung dịch thời gian xác định với điện cực làm việc (WE) điện cực rắn đĩa quay than thủy tinh Lúc này, BiIII bị khử tạo thành Bi kim loại bám đĩa rắn than thủy tinh, tạo thành điện cực BiFE in situ (điện cực làm việc/WE) đồng thời, CdII ZnII bị khử thành Cd Zn bám lên bề mặt điện cực WE 2.3 Tiến trình ghi đường Von-Ampe hịa tan Cho dung dịch nghiên cứu (chứa BiIII, CdII, ZnII đệm axetat với pH = 5) vào bình điện phân chứa ba điện cực, điện cực đĩa rắn than thủy tinh, điện cực so sánh điện phụ trợ) Tiến hành điện phân dung dịch nghiên cứu điện phân -1400 mV (Eđp), khoảng thời gian 120 s (tđp) Trong giai đoạn điện phân, điện cực quay với tốc độ không đổi (ω), Bi kim loại bám bề mặt điện cực GC tạo điện cực màng BiFE in situ đồng thời Cd Zn làm giàu bề mặt điện cực (do nồng độ Cd Zn bề mặt điện cực lớn nhiều so với nồng độ chúng dung dịch) Kết thúc giai đoạn làm giàu, ngừng quay điện cực 10 ÷ 15 s (trest) tiến hành quét 111 biến thiên tuyến tính theo thời gian với tốc độ không đổi theo chiều anot (từ -1400 đến +300 mV) đồng thời ghi tín hiệu hịa tan kỹ thuật Von-Ampe xung vi phân với thông số kỹ thuật thích hợp, thu đường Von-Ampe hịa tan có dạng đỉnh Kết thúc giai đoạn hịa tan, tiến hành làm bề mặt điện cực sau: áp lên điện cực -1400 mV (Eclean1) thời gian 30s (tclean1), lúc kim loại (Cd, Zn, Bi kim loại khác có dung dịch Pb, Co, Ni, Cu…) bị khử bám lên bề mặt điện cực Sau đưa điện cực đến +300 mV (Eclean2) thời gian 30s (tclean2) để hịa tan hồn tồn Bi kim loại khác có mặt bề mặt điện cực Cuối cùng, xác định Ep Ip CdII ZnII từ đường Von-Ampe hòa tan thu Đường Von-Ampe hòa tan mẫu trắng (hay nền) mẫu chuẩn bị từ nước cất, có thành phần tương tự dung dịch nghiên cứu, không chứa CdII ZnII ghi tương tự Tiến hành định lượng Cd Zn phương pháp thêm chuẩn (3 ÷ lần thêm) Trong trường hợp, bỏ kết phép ghi đầu tiên, thường khơng ổn định Tồn q trình ghi đường Von-Ampe hòa tan xác định Ep, Ip thực tự động máy phân tích điện hóa CPA–HH5 Computerized Polarography Analyzer, Việt Nam theo chương trình phần mềm lập sẵn KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Ảnh hưởng nồng độ BiIII dùng để tạo điện cực BiFE in situ Bismut kim loại kết tủa in situ bề mặt điện cực đĩa than thủy tinh (điện cực GC) tạo điện cực BiFE kết tủa giai đoạn làm giàu, nên nồng độ BiIII ([BiIII]) yếu tố quan trọng ảnh hưởng đến tín hiệu hịa tan (Ip) kim loại Cd Zn Tiến hành nghiên cứu ảnh hưởng nồng độ BiIII khoảng 100 ÷ 1000 ppb, mỗi nồng độ BiIII ghi lặp lại đường Von-Ampe hòa tan (n=4), thu kết bảng Từ bảng cho thấy, [BiIII] tăng khoảng 100 ÷ 600 ppb, Ip Cd Zn tăng Nhưng [BiIII] = 700 ppb Ip Zn lại giảm sau tăng dần Bên cạnh [BiIII] ≥ 700 ppb Ip Cd tăng tăng chậm, mặt khác [BiIII] = 600 ppb, RSD Cd Zn thấp [BiIII] chọn 600 ppb Bảng Giá trị Ip,TB RSD [BiIII] khác (*) Cd Zn [BiIII], Ip(Cd), RSD, Ip(Zn), ppb RSD, % μA % μA 100 0,512 0,2 200 0,771 1,1 0,956 2,5 300 0,988 2,4 2,198 5,4 400 1,330 1,8 2,289 1,8 500 1,602 2,1 2,413 4,6 600 1,829 2,0 2,578 3,8 700 1,790 3,7 2,601 4,1 800 1,827 2,8 2,709 3,7 900 2,012 4,5 2,765 3,9 1000 2,315 3,4 2,892 5,2 (*) Điều kiện thí nghiệm (ĐKTN): [CdII] = [ZnII] = 15 ppb; pH = điện phân Eđp 1400 mV; thời gian điện phân tđp 120 s; tốc độ quay điện cực 2000 vòng/phút; kỹ thuật Von-Ampe xung vi phân (DP); biên độ xung E 25 mV; bước Ustep 10 mV; f 50 Hz; tốc độ quét v 25mV/s; khoảng quét Erange -1400 ÷ +300 mV; làm điện cực Eclean1 1400 mV; tclean1 30 s Eclean2 +300 mV; tclean2 30 s; thời gian làm tclean 30 s 3.2 Ảnh hưởng pH Điều chỉnh pH dung dịch nghiên cứu dung dịch NaOH 1M Kết cho thấy, pH khoảng ÷ Ip Cd Zn tăng Ở pH > 6, Ip Cd giảm mạnh, Ip Zn tăng nhẹ đến pH > giảm (hình 1) Do khoảng pH thích hợp ÷ 3.5 3.0 Ip, mA 2.5 Zn Cd 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 pH Hình Ảnh hưởng pH đến Ip Cd Zn ĐKTN: [BiIII] = 600 ppb; [CdII] = [ZnII] = 15 ppb; Các ĐKTN khác bảng 112 chuyển khối, dẫn đến làm tăng lượng kim loại kết tủa bề mặt WE Nhưng kết thúc giai đoạn điện phân chuyển sang giai đoạn hấp phụ làm giàu, ω lớn, làm cho dung dịch sát bề mặt WE chuyển động theo qn tính, làm giảm hiệu giai đoạn hấp phụ (chẳng hạn, làm tăng giải hấp), dẫn đến làm giảm Ip Do vậy, giá trị ω = 2000 rpm thích hợp 3.6 Ảnh hưởng biên độ xung vi phân Trong phương pháp Von-Ampe hịa tan, biên độ xung ảnh hưởng đến giá trị tín hiệu Ip kim loại cần phân tích Biên độ xung (∆E) tăng tín hiệu Ip tăng, bán chiều rộng đỉnh hòa tan kim loại tăng làm giảm độ phân giải đỉnh, thực tế phân tích người ta thường chọn giá trị ∆E từ 10 đến 100 mV Kết khảo sát cho thấy, biên độ xung tăng dịng đỉnh hịa tan Cd Zn tăng theo Tuy nhiên tăng biên độ xung mẫu dâng cao làm ảnh hưởng đến độ lặp lại phương pháp Ở biên độ xung 50 mV pic Cd Zn cân đối, chân pic thấp nên chọn biên độ xung 50 mV cho nghiên cứu Ở ∆E này, độ lặp lại Ip hai kim loại tốt với RSD ≤ 0,5 % (n = 4) 3.7 Ảnh hưởng tốc độ quét v ( mV/s) Tiến hành kháo sát ảnh hưởng tốc độ quét cách ghi đo dòng Von-Ampe hòa tan dung dịch chứa: [CdII] = [ZnII] = 15 ppb với ĐKTN : [Axetat] = 0,1 M (pH = 5); 3.3 Ảnh hưởng điện phân (Eđp) Kết khảo sát điện phân Eđp khoảng từ -1200 đến -1500 mV (cố định [CdII] = [ZnII] = 15 ppb, [BiIII] = 600 ppb; [Axetat] = 0,1 M; pH = 5; ĐKTN khác bảng 1) cho thấy: Khi tăng Eđp khoảng từ -1200 mV đến -1500 mV, Ip Cd Zn tăng gần tuyến tính, chúng bị khử mạnh tập trung nhiều lên bề mặt điện cực WE (BiFE in situ); Song, âm -1200 mV, nhiều ion kim loại khác (nếu có mặt dung dịch) CuII, PbII, CoII, NiII… bị khử thành kim loại kết tủa bề mặt điện cực WE, dẫn đến làm nhiễm bẩn điện cực cản trở phép đo Cd Zn (ảnh hưởng cản trở kim loại đề cập mục 3.9) Với mục đích thu giá trị Ip cao độ lặp lại Ip tốt Cd Zn, nên giá trị Eđp = -1400 mV chọn cho nghiên cứu Ở Eđp này, độ lặp lại Ip Cd Zn tốt với RSD = 0,3 ÷ 1,5 % (n = 4) 3.4 Ảnh hưởng thời gian điện phân (tđp) Khi thay đổi thời gian điện phân tđp khoảng 30 ÷ 180 s (với Eđp -1400 mV ĐKTN mục 3.3) lượng Cd Zn tích lũy bề mặt điện cực WE tăng, dẫn đến tăng hiệu làm giàu Ip Cd Zn tăng theo tđp Khi tđp tăng khoảng 150 ÷ 180 s, Ip Cd Zn không tăng Mặt khác, tđp tăng làm tăng thời gian phân tích đồng thời tăng lượng kim loại khác tích lũy bề mặt điện cực BiFE in situ, cản trở phép đo Giá trị tđp = 120 s chọn cho nghiên cứu 3.5 Ảnh hưởng tốc độ quay điện cực Tốc độ quay điện cực WE (ω) điều kiện thủy động học quan trọng, ảnh hưởng đến chuyển khối tác động đến q trình điện phân làm giàu Kết khảo sát ảnh hưởng ω khoảng 1600 ÷ 2800 vịng/phút (rpm) ĐKTN thích hợp cho thấy: Khi ω lớn 2000 rpm, Ip Cd Zn có xu giảm dần độ lặp lại Ip hơn: Trong khoảng ω = 1600 ÷ 2000 rpm, RSD Cd Zn tương ứng 2,8 ÷ 6,3% 1,4 ÷ 4,5% (n 4); với ω = 2000 rpm, RSD Cd Zn khoảng 1,1 ÷ 1,6% (n 4) Khi tăng ω tăng Edep = -1400 mV; v = 25 mV/s; tdep= 120 s; khoảng quét (-1400 mV ÷ +300 mV); biên độ xung 50 mV, thay đổi tốc độ quét từ 15 mV/s đến 30 mV/s Khi tốc độ quét nhanh cường độ pic lớn pic Cd lại không cân đối Tại tốc độ quét 25 mV/s, pic ion có hình dạng cân đối, đỉnh pic cao, tách biệt pic rõ ràng nên chúng tơi chọn tốc độ qt thích hợp 25 mV/s Ở giá trị đó, độ lặp lại Ip Cd Zn tốt, với RSD ≤ 2,5 % (n = 4) 3.8 Ảnh hưởng chế độ làm bề mặt điện cực 113 Tiến hành khảo sát chế độ làm điện cực GC trường hợp: Không làm bề mặt điện cực, làm điện cực giai đoạn làm điện cực giai đoạn, kết thể bảng 2: Bảng Ảnh hưởng chế độ làm đến Ip kim loại (n 7) (*) Cd Zn Chế độ làm bề mặt Ip , RSD, Ip , RSD, điện cực μA % μA % Không làm bề mặt 0,671 10,3 0,524 6,5 điện cực Làm điện cực 1,035 6,8 0,715 5,7 giai đoạn Làm điện cực 1,462 3,2 1,107 3,6 giai đoạn (*) Ip bảng giá trị Ip trung bình thu phép đo lặp lại (n = 7) ĐKTN: [CdII] [ZnII] 15 ppb Các ĐKTN khác hình RE Cd > 22% với Zn > 18% (n 3) Do vậy, Pb Cu ảnh hưởng đến tín hiệu hịa tan Cd Zn, nên phân tích mẫu thực tế, thiết phải kiểm tra độ tin cậy phương pháp phân tích qua độ lặp lại độ Bên cạnh đó, kết khảo sát ảnh hưởng aninon Cl- đến Ip Cd Zn khoảng nồng độ 300 ÷ 5000 ppm, Ip Zn thay đổi không đáng kể với RE tương ứng < 13%, RE Cd > 27% Như vậy, phân tích Cd Zn mẫu có nồng độ Cl- lớn, cần có biện pháp loại Cl- khỏi mẫu Mặt khác, kết khảo sát ảnh hưởng Triton X-100 cho thấy, nồng độ Triton X-100 cỡ n - 10 ppb (n = - 9), ảnh hưởng mạnh đến Ip Zn Cd (p < 0,05); Khi tăng nồng độ Triton X từ 10 đến 150 ppb, Ip Zn Cd giảm khoảng 40 60 % Như vậy, thiết phải loại trừ chất hoạt động bề mặt chất hữu khác có mặt mẫu, trước tiến hành định lượng cách phân hủy mẫu với hỗn hợp axit chiếu xạ xạ UV vi sóng 3.10 Độ lặp lại, độ nhạy, giới hạn phát khoảng tuyến tính - Độ lặp lại: Phương pháp DP-ASV đạt độ lặp lại tốt Ip: RSD Cd Zn tương ứng 1,7% 2,6% (n = 8) ĐKTN ([BiIII] 600 ppb; [Axetat] 0,1M; pH 5; Eđp -1400 mV; tđp 120 s; 2000 rpm; v 25 mV/s; ∆E = 50 mV; Erange = -1400 mV ÷ +300 mV) - Độ nhạy: Độ nhạy đánh giá qua độ dốc (b) đường hồi quy tuyến tính Ip [MeII] khoảng [MeII] ÷ 60 ppb Ở điều kiện thí nghiệm thích hợp (nêu hình 2b), phương pháp DP-ASV đạt độ nhạy cao, tương ứng Cd Zn (0,224 ± 0,021) μA/ppb (0,094 ± 0,023) μA/ppb - Khoảng tuyến tính: Trong khoảng nồng độ [MeII] ÷ 60 ppb, Ip [MeII] có tương quan tuyến tính tốt với R ≥ 0,999 (hình 2a) Trong khoảng nồng độ đó, phương pháp DPAdSV đạt tương quan tuyến tính tốt với R ≥ 0,999 [2] Kết xác định LOD theo quy tắc 3 áp dụng hồi quy tuyến tính cho thấy, ĐKTN thích hợp, phương pháp DPASV đạt LOD thấp Cd Zn tương ứng 1,19 ppb 1,62 ppb Các kết thu bảng cho thấy: Làm bề mặt điện cực GC theo kiểu giai đoạn cho dòng đỉnh hòa tan (Ip) cao độ lặp lại Ip tốt Cd Zn so với kiểu làm giai đoạn Nên chọn chế độ làm gian đoạn cho nghiên cứu 3.9 Ảnh hưởng chất cản trở Khi đánh giá ảnh hưởng chất cản trở đến tín hiệu dịng đỉnh hồ tan, giá trị sai số tương đối (RE%) độ lệch tương đối tín hiệu dịng đỉnh có khơng có mặt chất cản trở, với giá trị RE ≤ 5% cho không ảnh hưởng [8] Pb Cu kim loại thường kèm với Cd Zn, nên chúng ảnh hưởng đến phép xác định Me (Cd, Zn) Để đánh giá ảnh hưởng Pb Cu, tiến hành thí nghiệm với tỉ lệ [PbII]/[MeII] (ppb/ppb) khác cách thêm dần PbII vào dung dịch nghiên cứu chứa 15 ppb CdII 15 ppb ZnII (ở ĐKTN thích hợp) Eđp -1400 mV Thí nghiệm tương tự cho [CuII]/[MeII] (ppb/ppb) Các kết thu cho thấy: Khi nồng độ PbII CuII gấp lần nồng độ [MeII], Ip Me có độ lặp lại khơng đạt u cầu 114 18 3.11 Phân tích mẫu thực tế Các mẫu nước tự nhiên lấy từ sông Kiến Giang, sông Nhật Lệ sông Gianh thuộc địa phận tỉnh Quảng Bình Mẫu sau lấy bảo quản cách axit hóa HNO3 đặc (2 ml HNO3 / lít mẫu, pH = 2) đựng chai nhựa polietylen – phtalat Sau phân hủy mẫu chiếu xạ UV để phá hủy hợp chất hữu cơ, lọc qua màng lọc tiêu chuẩn có kích thước lỡ 0,45 µm để loại bỏ chất lơ lửng, phần nước lọc chia làm hai phần Phần phân tích trực tiếp thiết bị phân tích điện hóa CPA–HH5 Computerized Polarography Analyzer, Việt Nam Phần phân tích theo tiêu chuẩn TCVN 6496:2009, máy quang phổ hấp thụ nguyên tử Zeenit 700P hãng Analytika Jena (Đức), thu kết bảng Cd 60 ppb 16 I / mA 14 12 (a) Zn 10 ppb -1.3 14 -1.2 -1.1 -1.0 E/V -0.9 -0.8 -0.7 I p (0,29 0,66) (0,224 0,021).[Cd ], R 0,999 II 12 I p (0,47 0,06) (0,094 0,023).[Zn II ], R 0,999 Ip, mA 10 Zn Cd (b) 0 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 [MeII], ppb Hình (a) Các đường Von-Ampe hịa tan Cd Zn ứng với [MeII] tăng dần 5; 10; 15; 20; 25; 40 60 ppb; (b) đường hồi quy tuyến tính biểu diễn phụ thuộc Ip [MeII] ĐKTN: ([BiIII] 600 ppb; [Axetat] 0,1M; pH 5; Eđp -1400 mV; tđp 120 s; 2000 rpm; v 25 mV/s; ∆E = 50 mV; Erange = -1400 mV ÷ +300 mV; kỹ thuật DP; Eclean1 = 300 mV; tclean1 = 30 s; Eclean2 = -1400 mV; tclean2 = 30 s Bảng Hàm lượng Cd Zn mẫu thật phân tích phương pháp DP-ASV GF-AAS Mẫu phân tích Sơng Kiến Giang DP-ASV GF-AAS Cd (ppb) 3,6 ± 0,6 (a) Zn (ppb) Cd (ppb) Zn (ppb) 13,2 ± 2,4 4,1 ± 0,6 12,3 ± 1,1 Sông Nhật Lệ 2,8 ± 0,2 8,1 ± 1,8 3,2 ± 0,5 11,8 ± 1,5 Sông Gianh 3,2 ± 1,2 6,7 ± 0,8 2,7 ± 0,3 5,6 ± 0,9 (a) Giá trị trung bình ± SD (độ lệch chuẩn) (n=3) Qua bảng cho thấy, hàm lượng Cd Zn đồng thời CdII ZnII điện cực làm việc mẫu nước nằm phạm vi BiFE in situ đệm axetat Phương cho phép theo tiêu chuẩn QCVN 08 : pháp nghiên cứu đạt độ nhạy cao (hay 2008/BTNMT Việt Nam chất lượng LOD thấp) cho kết phân tích CdII nước sơng Đồng thời, kết hai phương ZnII số mẫu nước tự nhiên pháp phân tích DP-ASV GF-AAS khơng sơng thuộc tỉnh Quảng Bình với kết đáng khác mặt thống kê sử dụng Paired tin cậy so sánh với phương pháp chuẩn – sample t-test để so sánh giá trị Cd phương pháp GF-AAS Zn (Cd: t (2) = 0,12, p = 0,92; Zn: t (2) = 0,36, p TÀI LIỆU THAM KHẢO = 0,75) Nguyễn Văn Hợp, Nguyễn Hải Phong, Đặng KẾT LUẬN Văn Khánh, Từ Vọng Nghi Nghiên cứu BiFE Phương pháp Von-Ampe hòa tan anot xung vi cho phương pháp Von-Ampe hòa tan: Áp dụng phân (DP-ASV) sử dụng để tối ưu hố để xác định lượng vết chì cadimi Tạp chí điều kiện thí nghiệm với mục đích xác định Hóa học, 2009, tập 57, số 5A, 253-258 115 J Pan, J A Plant, N Voulvoulis, C J Wang J., Lu J., Hocevar S., Farias P., Oates, and C Ihlenfeld, “Cadmium levels in Bismuth-Coated Carbon Electrodes for Anodic Europe: implications for human health,” Stripping Voltammetry, Analytical Chemistry, Environmental 2000, 72, 3218-3222 Geochemistry and Health, 2010, vol 32, no 1, pp 1–12, Horwitz W., Albert R., The Concept of Simultaneous determination Uncertainty ascorbic acid and uric acid at electrochemically as Applied to Chemical L.Yang, D.Liu, J Huang, T You, of dopamine, Measurement, Analyst, 1997, 122, 615-617 reduced graphene oxide modified electrode, Kefala G., Economou A., Polymer-coated Sensors Actuators B Chem, 2014, 193, 166– bismuth film eletrodes for the determination of 172 trace injection Wang J., Lu J., Hocevar S B., Farias P A voltammetry, M., Ogorevc B 2000, Bismuthcoated carbon metals by analysis/anodic sequential stripping - Analytica Chemica Acta, 2006, 576, 283-289 electrodes for anodic stripping voltammetry, Pauliukaite R., Brett C., Characterization Analytical chemistry, 72(14), pp 3218-3222 and application of bismuth-film modified carbon film electrodes, Electroanalysis, 2005, 17, 1354-1359 Stozhko N U., Malakhova N A., Fyodorov M V., Brainina carboncontaining K electrodes Z., in Modified stripping voltammetry of metal, Journal of Solid State Electrochemistry, 2008, 12, 1185-1204 116 ... Khánh, Từ Vọng Nghi Nghiên cứu BiFE Phương pháp Von- Ampe hòa tan anot xung vi cho phương pháp Von- Ampe hòa tan: Áp dụng phân (DP-ASV) sử dụng để tối ưu hố để xác định lượng vết chì cadimi Tạp chí... đến kết nghiên cứu chi tiết xác định đồng thời Cd Zn nước tự nhiên phương pháp VonAmpe hòa tan anot (ASV) sử dụng điện cực BiFE đệm axetat (pH = 5) sử dụng kỹ thuật Von- Ampe xung vi phân (DP)... đệm axetat với pH = 5) vào bình điện phân chứa ba điện cực, điện cực đĩa rắn than thủy tinh, điện cực so sánh điện phụ trợ) Tiến hành điện phân dung dịch nghiên cứu điện phân -1400 mV (Eđp), khoảng