kỹ thuật điện tử
Chương 3 CHẤT BÁN DẪN – LINH KIỆN BÁN DẪN 1 ĐẠI CƯƠNG VỀ CHẤT BÁN DẪN DIODE BÁN DẪN TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG JFET NỘI DUNG CHÍNH 2 3.1.1. ĐẶC TÍNH CỦA CHẤT BÁN DẪN 3.1.2. CẤU TẠO NGUYÊN TỬ CỦA CHẤT BÁN DẪN 3.1.3. PHÂN LOẠI CHẤT BÁN DẪN 3.1 ĐẠI CƯƠNG VỀ CHẤT BÁN DẪN 3 3.1.1 ĐẶC TÍNH CỦA CHẤT BÁN DẪN 4 H1. Bảng tuần hoàn Mendeleev Tham số của vật liệu điện tử là điện trở suất (ρ) và điện dẫn suất (σ) Vật liệu bán dẫn là vật liệu trung gian có điện trở suất và điện dẫn suất giữa kim loại và điện môi 5 3.1.1 ĐẶC TÍNH CỦA CHẤT BÁN DẪN Kim loại Bán dẫn Điện môi ρ (Ω.cm) < 10-4 10-4 – 1010 >1010 σ (Ω-1.cm- 1) > 10-4 10-10 – 104 <10-10 3.1.2. CẤU TẠO NGUYÊN TỬ CỦA CHẤT BÁN DẪN 6 Silic và Gecmanium là hai chất bán dẫn điển hình thuộc nhóm 4 bảng tuần hoàn Mendeleev H2. Cấu trúc nguyên tử của Si và Ge 7 3.1.2. CẤU TẠO NGUYÊN TỬ CỦA CHẤT BÁN DẪN H3. Cấu trúc tinh thể đơn chất của Si 8 . DUNG CHÍNH 2 3. 1.1. ĐẶC TÍNH CỦA CHẤT BÁN DẪN 3. 1.2. CẤU TẠO NGUYÊN TỬ CỦA CHẤT BÁN DẪN 3. 1 .3. PHÂN LOẠI CHẤT BÁN DẪN 3. 1 ĐẠI CƯƠNG VỀ CHẤT BÁN DẪN 3 3.1.1 ĐẶC TÍNH CỦA CHẤT BÁN DẪN 4 H1. Bảng. Chương 3 CHẤT BÁN DẪN – LINH KIỆN BÁN DẪN 1 ĐẠI CƯƠNG VỀ CHẤT BÁN DẪN DIODE BÁN DẪN TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG JFET NỘI DUNG CHÍNH 2 3. 1.1. ĐẶC TÍNH. kim loại và điện môi 5 3. 1.1 ĐẶC TÍNH CỦA CHẤT BÁN DẪN Kim loại Bán dẫn Điện môi ρ (Ω.cm) < 10-4 10-4 – 1010 >1010 σ (Ω-1.cm- 1) > 10-4 10-10 – 104 <10-10 3. 1.2. CẤU TẠO NGUYÊN TỬ