1. Trang chủ
  2. » Tất cả

Luận văn thạc sĩ kỹ thuật nghiên cứu và xây dựng mô hình máy phát xung sét tiêu chuẩn

20 0 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Nội dung

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP HCM NGUYỄN THỊ HƯƠNG TRANG NGHIÊN CỨU VÀ XÂY DỰNG MÔ HÌNH MÁY PHÁT XUNG SÉT TIÊU CHUẨN LUẬN VĂN THẠC SĨ Chuyên ngành KỸ THUẬT ĐIỆN Mã số ngành 605202[.]

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP HCM - NGUYỄN THỊ HƯƠNG TRANG NGHIÊN CỨU VÀ XÂY DỰNG MƠ HÌNH MÁY PHÁT XUNG SÉT TIÊU CHUẨN LUẬN VĂN THẠC SĨ Chuyên ngành: KỸ THUẬT ĐIỆN Mã số ngành: 60520202 TP HỒ CHÍ MINH, tháng 01 năm 2016 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP HCM - NGUYỄN THỊ HƯƠNG TRANG NGHIÊN CỨU VÀ XÂY DỰNG MƠ HÌNH MÁY PHÁT XUNG SÉT TIÊU CHUẨN LUẬN VĂN THẠC SĨ Chuyên ngành : KỸ THUẬT ĐIỆN Mã số ngành: 60520202 CÁN BỘ HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS TS QUYỀN HUY ÁNH TP HỒ CHÍ MINH, tháng 01 năm 2016 CƠNG TRÌNH ĐƯỢC HỒN THÀNH TẠI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP HCM Cán hướng dẫn khoa học : PGS TS QUYỀN HUY ÁNH (Ghi rõ họ, tên, học hàm, học vị chữ ký) Luận văn Thạc sĩ bảo vệ Trường Đại học Công nghệ TP HCM ngày 30 tháng 01 năm 2016 Thành phần Hội đồng đánh giá Luận văn Thạc sĩ gồm: (Ghi rõ họ, tên, học hàm, học vị Hội đồng chấm bảo vệ Luận văn Thạc sĩ) TT Họ tên PGS.TS Trương Việt Anh TS Nguyễn Hùng PGS.TS Lê Chí Kiên TS Đinh Hoàng Bách TS Đoàn Thị Bằng Chức danh Hội đồng Chủ tịch Phản biện Phản biện Ủy viên Ủy viên, Thư ký Xác nhận Chủ tịch Hội đồng đánh giá Luận sau Luận văn sửa chữa (nếu có) Chủ tịch Hội đồng đánh giá LV TRƯỜNG ĐH CƠNG NGHỆ TP HCM PHỊNG QLKH – ĐTSĐH CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập – Tự – Hạnh phúc TP HCM, ngày … tháng… năm 20 … NHIỆM VỤ LUẬN VĂN THẠC SĨ Họ tên học viên: NGUYỄN THỊ HƯƠNG TRANG Giới tính: Nữ Ngày, tháng, năm sinh: 20/12/1982 Nơi sinh: BÌNH ĐỊNH Chuyên ngành: Kỹ thuật điện MSHV: 1441830025 I- Tên đề tài: NGHIÊN CỨU VÀ XÂY DỰNG MƠ HÌNH MÁY PHÁT XUNG SÉT TIÊU CHUẨN II- Nhiệm vụ nội dung:  Tìm hiểu dạng xung sét tiêu chuẩn tiêu chuẩn liên quan  Xây dựng mô hình tốn mơ hình vật lý dạng xung sét mơi trường Matlab Simulink  Tìm hiểu cách sử dụng máy phát xung sét AXOS8  So sánh sai số dạng xung sét mô với dạng xung sét máy phát xung III- Ngày giao nhiệm vụ: 20/8/2015 IV- Ngày hoàn thành nhiệm vụ: 12/3/2016 V- Cán hướng dẫn: PGS TS QUYỀN HUY ÁNH CÁN BỘ HƯỚNG DẪN (Họ tên chữ ký) KHOA QUẢN LÝ CHUYÊN NGÀNH (Họ tên chữ ký) i LỜI CAM ĐOAN Tơi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng Các số liệu, kết nêu Luận văn trung thực chưa cơng bố cơng trình khác Tôi xin cam đoan giúp đỡ cho việc thực Luận văn cảm ơn thơng tin trích dẫn Luận văn rõ nguồn gốc Học viên thực Luận văn (Ký ghi rõ họ tên) Nguyễn Thị Hương Trang ii LỜI CÁM ƠN  Trước hết, em xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành sâu sắc em gửi đến thầy PGS TS Quyền Huy Ánh, Thầy tận tụy hướng dẫn em suốt q trình nghiên cứu để hồn thành luận văn Em xin chân thành cảm ơn quý Thầy Cô Trường Đại học Công Nghệ TP.HCM Trường Đại học Bách Khoa TP.HCM giảng dạy em suốt hai năm học vừa qua Cuối c ng, xin gửi lời cảm ơn đến tất người thân, bạn b , người anh em, đồng nghiệ động viên, ủng hộ tạo điều kiện cho vật chất tinh thần suốt trình học tậ để hoàn thành luận văn thạc sĩ Xin trân trọng cảm ơn! TP Hồ Chí Minh, ngày 30 tháng 01 năm 2016 Nguyễn Thị Hương Trang iii TÓM TẮT Trong mạng điện, điện áp trình độ s t nguyên nhân chủ yếu gây cố làm hư hỏng lưới điện thiết bị điện Việc nghiên cứu thiết bị chống s t đóng vai tr quan trọng việc bảo vệ áp Tuy nhiên, Việt Nam việc nghiên cứu g p nhi u khó khăn hạn chế v thiết bị thử nghiệm Do đó, việc xây dựng mơ hình mơ máy phát xung khác cần thiết để h trợ việc nghiên cứu, đánh giá lựa chọn thiết bị bảo vệ áp sau Luận văn sâu vào việc xây dựng mơ hình phát xung d ng 4/10µs, 8/20µs, 10/350µs máy phát xung áp 1.2/50μs, 2/10μs, 9/720μs, 10/160μs, 10/560μs, 0.5/700μs 10/700μs Mơ hình máy phát xung s t với dạng xung d ng áp khác tạo môi trường Matlab với giao diện dễ sử dụng Độ xác dạng xung s t kiểm tra theo yêu cầu qui định tiêu chuẩn IEC Với đ tài: Nghiên cứu y dựng m h nh máy phát ung t tiêu chuẩn Luận văn bao gồm nội dung sau đây: o Chương M đầu o Chương 1: T ng quan o Chương 2: Cơ s lý thuyết o Chương 3: Mơ hình máy phát xung s t tiêu chuẩn o Chương 4: Tìm hiểu hệ thống máy phát xung sét AXOS o Chương 5: So sánh dạng xung mô dạng xung từ máy phát xung thực tế o Chương 6: Kết luận hướng phát triển luận văn iv ABSTRACT In the electrical network, overvoltage and transients caused by lightning is the main reason causing the incident to damage the power grid and electrical equipment The study of lightning protection equipment plays a very important role in the protection of overvoltage However, in Vietnam the study were difficult due to limited testing facilities Therefore, the modeling and simulation of various pulse generators are needed to support the research, evaluation and selection of surge protection devices later This thesis research building models of impulse generators with various wave forms, such as: 4/10μs, 8/20μs, 10/350μs current wave forms and 1.2/50μs, 2/10μs, 9/720μs, 10/160μs, 10/560μs, 0.5/700μs and 10/700μs voltage wave forms These models being built in Matlab environment with easy user’s interface The accuracy of these models are checked according to the requirements specified in the IEC standard The thesis “Research and modeling the standard lightning impulse generators” includes the following contents:  Chapter Introduction  Chapter 1: Overview  Chapter 2: Theoretical Foundations  Chapter 3: Models of the standard lightning impulse generators  Chapter 4: Understanding lightning impulse generator system Axos  Chapter 5: Comparison of the wave forms between the impulse generator models and the impulse generator system Axos  Chapter 6: Conclusions and development of thesis v MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN i LỜI CÁM ƠN ii TÓM TẮT iii ABSTRACT iv DANH MỤC CÁC BẢNG vii DANH MỤC CÁC HÌNH ix CHƯƠNG GIỚI THIỆU ĐỀ TÀI CHƯƠNG CƠ SỞ LÝ THUYẾT 2.1.Xung điện áp không chu kỳ 2.1.1 Định nghĩa thử nghiệm xung điện áp không chu kỳ .5 2.1.1.1 Thời gian đầu sóng T1 2.1.1.2 Điểm gốc giả định O1 .5 2.1.1.3 Thời gian tồn sóng T2 .5 2.1.1.4 Dung sai 2.1.2 Các dạng xung điện áp chuẩn .6 2.1.3 2.2 Các tiêu chuẩn liên quan 2.1.3.1 Tiêu chuẩn ITU-T K.20 VÀ K.21 2.1.3.2 Tiêu chuẩn TIA-968-A, TIA-968-B Xung d ng điện không chu kỳ 11 2.2.1 Định nghĩa thử nghiệm xung d ng điện không chu kỳ 11 2.2.1.1 Thời gian đầu sóng T1 11 2.2.1.2 Điểm gốc giả định O1 11 2.2.1.3 Thời gian toàn sóng T2 11 2.2.1.4 Dung sai 11 2.2.2 Các dạng xung d ng điện chuẩn 11 2.2.3 Các tiêu chuẩn liên quan 14 2.2.3.1 2.2.3 2.3 Tiêu chuẩn IEC 61643-1 14 Tiêu chuẩn ANSI/IEEE C62.41 21 Xung h n hợp dịng - áp (8/20 µs 1,2/50 µs) 23 vi CHƯƠNG XÂY DỰNG MƠ HÌNH CÁC MÁY PHÁT XUNG XÉT TIÊU CHUẨN 24 Công cụ MATLAB – SIMULINK 24 3.1 3.1.1 MATLAB 24 3.1.2 SIMULINK 24 3.1.2.1 Tín hiệu SIMULINK 26 3.1.2.2 Mơ hình SIMULINK .26 3.1.2.3 Mơ mơ hình SIMULINK 27 3.1.2.4 Hệ thống mơ hình SIMULINK (Subsystem) 28 3.1.2.5 Một số khối chức Simulink Toolbox SimPowerSystems 29 3.2 Mơ hình toán dạng xung tiêu chuẩn .33 3.2.1 Phương trình tốn dạng xung tiêu chuẩn 33 3.2.2 Xây dựng mơ hình tốn dạng xung tiêu chuẩn .36 3.3 Mơ hình vật lý dạng xung tiêu chuẩn .46 3.3.1 Mơ hình máy phát xung dịng .46 3.3.2 Mơ hình máy phát xung áp 50 3.3.3 Mô dạng xung 54 CHƯƠNG TÌM HIỂU HỆ THỐNG MÁY PHÁT XUNG SÉT AXOS 62 4.1 Thông số kỹ thuật máy phát xung AXOS8 62 4.2 Vận hành chung 65 4.2.1 Các phím chức phía trước AXOS8 .65 CHƯƠNG SO SÁNH DẠNG XUNG TIÊU CHUẨN MÔ PHỎNG VÀ DẠNG XUNG CỦA MÁY PHÁT AXOS8 75 5.1 Xung phát từ thiết bị AXOS8 .75 5.2 So sánh độ xác dạng xung tiêu chuẩn mô dạng xung máy phát AXOS8 79 CHƯƠNG KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN LUẬN VĂN 81 TÀI LIỆU THAM KHẢO 82 vii DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 2.1 Các thử nghiệm theo ITU-T K.20 Bảng 2.2 Các thử nghiệm theo ITU-T K.21 Bảng 2.3 Các dạng xung thử theo TIA-968-A, TIA-968-B 10 Bảng 2.4 Các thử nghiệm cấp 1, 16 Bảng 2.5 Giá trị tiêu chuẩn dòng xung Iimp 16 Bảng 2.6 Các thông số minh họa cho thử nghiệm 17 Bảng 2.7 Dung sai thông số thử nghiệm xung kết hợp cấp 19 Bảng 2.8 Tóm tắt tiêu chuẩn áp dụng dạng xung thử nghiệm b sung cho mục A, B, C (trường hợp 1) thông số cho trường hợp 22 Bảng 2.9 100 kHz Ring wave – Các giá trị dự kiến cho xung áp dòng mục A B 22 Bảng 2.10 Xung h n hợp – Các giá trị dự kiến cho xung áp dòng mục A B 22 Bảng 2.11 Các thử nghiệm SPD mục C 23 Bảng 3.1 Thông số hệ số 35 Bảng 3.2 Sai số dạng sóng xung d ng điện 45 Bảng 3.3 Sai số dạng sóng xung điện áp 45 Bảng 3.4 T ng hợp thông số phần tử mạch phát xung dòng 49 Bảng 3.5 T ng hợp thông số phần tử mạch phát xung áp 51 Bảng 3.6 Sai số dạng xung d ng điện 60 Bảng 3.7 Sai số dạng xung điện áp 60 Bảng 4.1 Thông số chung 62 Bảng 4.2 Thông số dạng xung tiêu chuẩn không chu kỳ 62 Bảng 4.3 Thông số Ring Wave 63 Bảng 4.4 Thông số dạng xung viễn thông 63 Bảng 4.5 Thông số Brust 64 Bảng 4.6 Thông số giảm áp & ngắt áp 64 Bảng 4.7 Chức phía trước AXOS8 66 Bảng 4.8 Chức phía sau AXOS8 67 Bảng 4.9 Chức c ng AUX (vị trí 7) 68 viii Bảng 4.10 Chức Setup 70 Bảng 4.11 Chức Properties (Surge) 73 Bảng 4.12 Chức Properties (Telecom Wave) 74 Bảng 5.1 Sai số xung dịng 8/20 µs 1kA 76 Bảng 5.2 Sai số xung áp 1,2/50 µs, 1kV 77 Bảng 5.3 Sai số xung áp 10/700 µs (Telecom wave) 79 Bảng 5.4 So sánh độ xác dạng xung tiêu chuẩn mô dạng xung máy phát AXOS8 79 ix DANH MỤC CÁC HÌNH Hình 2.1: Dạng xung điện áp tiêu chuẩn .5 Hình 2.2: Sơ đồ mạch phát xung 10/700µs Hình 2.3: Dạng xung d ng điện tiêu chuẩn 11 Hình 2.4: S t đánh vào đường dây không vị trí cách xa cơng trình 12 Hình 2.5: S t đánh gián tiếp cảm ứng vào cơng trình 13 Hình 2.6: S t đánh trực tiếp vào kim thu s t đỉnh cơng trình 14 Hình 2.7: Sét đánh trực tiếp vào đường dây không lân cận cơng trình 14 Hình 3.1 Cửa s thư viện SIMULINK 25 Hình 3.2 Cửa s mơ hình Simulink 26 Hình 3.3 Hộp thoại Configuration Parameters 27 Hình 3.4 Hộp thoại Mask Editor 29 Hình 3.5 Hộp thoại Block Parameters khối Series RLC Branch 32 Hình 3.6 Dạng xung gồm t ng thành phần 33 Hình 3.7 Đường cong xác định tỉ số b/a 34 Hình 3.8 Đường cong xác định tỉ số at1 34 Hình 3.9 Đường cong xác định tỉ số I1/I 35 Hình 3.10 Mơ hình tốn xung d ng điện 36 Hình 3.11 Mơ hình tốn xung điện áp 36 Hình 3.12 Nguồn xung d ng điện tiêu chuẩn 37 Hình 3.13 Nguồn xung điện áp tiêu chuẩn 37 Hình 3.14 Khai báo thơng số tab Parameters 37 Hình 3.15 Các lệnh truy xuất thông số tab Initialization 38 Hình 3.16 Mơ hình tốn xung d ng điện điện áp không chu kỳ 38 Hình 3.17 Sơ đồ mơ nguồn xung dòng 39 Hình 3.18 Sơ đồ mơ nguồn xung áp 39 Hình 3.19 Thơng số mơ hình nguồn xung d ng điện 39 Hình 3.20 Thơng số mơ hình nguồn xung điện áp 40 Hình 3.21 Xung d ng điện 5kA - 4/10µs 40 Hình 3.22 Xung d ng điện 20kA - 8/20 µs 41 Hình 3.23 Xung d ng điện 20kA -10/350 µs 41 x Hình 3.24 Xung điện áp 6kV - 1,2/50 µs 42 Hình 3.25 Xung điện áp 5kV-2/10µs 42 Hình 3.26 Xung điện áp 1.5kV - 9/720µs 43 Hình 3.27 Xung điện áp 3kV-10/160 µs 43 Hình 3.28 Xung điện áp 800V-10/560µs 44 Hình 3.29 Xung điện áp 5kV - 10/700µs 44 Hình 3.30 Mơ hình mạch phát xung dòng 46 Hình 3.31 Mạch phát xung dịng 4/10 µs 50 Hình 3.32 Mạch phát xung dịng 8/20 µs 50 Hình 3.33 Mơ hình máy phát xung dịng 4/10 µs 8/20 µs 50 Hình 3.34 Mơ hình mạch phát xung áp 51 Hình 3.35 Mạch phát xung áp 1,2/50µs 51 Hình 3.36 Mạch phát xung áp 0,5/700µs 52 Hình 3.37 Mạch phát xung áp 10/700µs 52 Hình 3.218 Mạch phát xung áp 9/720µs 52 Hình 3.39 Mạch phát xung áp 2/10µs 53 Hình 3.40 Mạch phát xung áp 10/560µs 53 Hình 3.41 Mạch phát xung áp 10/160µs 53 Hình 3.42 Mơ hình máy phát xung điện áp 54 Hình 3.43 Sơ đồ mơ mơ hình xung d ng điện 8/20µs 54 Hình 3.44 Sơ đồ mơ mơ hình xung điện áp 54 Hình 3.45 Hộp thoại thơng số xung dịng xung áp 55 Hình 3.46 Xung d ng điện 4/10µs – 5kA 55 Hình 3.47 Xung d ng điện 20kA -8/20µs 56 Hình 3.48 Xung điện áp 6kV-1,2/50µs 56 Hình 3.49 Xung điện áp 5kV -2/10µs 57 Hình 3.50 Xung điện áp 1.5kV-9/720µs 57 Hình 3.51 Xung điện áp 3kV-10/160µs 58 Hình 3.52 Xung điện áp 800V-10/560µs 58 Hình 3.53 Xung điện áp 5kV-0,5/700µs 59 Hình 3.54 Xung điện áp 5kV–10/700µs 59 xi Hình 4.1: Giao diện phía trước AXOS8 65 Hình 4.2 Giao diện phía sau AXOS8 67 Hình 4.3 Giao diện menu thiết bị AXOS8 69 Hình 4.4 Menu Setup 70 Hình 4.5 Menu Surge 71 Hình 4.6 Menu Transition 72 Hình 4.7: Menu Properties (Surge) 72 Hình 4.8 Bộ Telecom Wave (TW) 73 Hình 4.9 Menu Telecom Wave 74 Hình 4.10 Menu Properties (Telecom Wave) 74 Hình 5.1 Dạng xung dịng 8/20 µs - 1kA 75 Hình 5.2 Dạng xung áp 1,2/50 µs 1kV (phóng to đầu sóng) 76 Hình 5.3.Dạng xung áp h mạch 1,2/50 µs 1kV (tồn sóng) 77 Hình 5.4 Dạng xung áp 10/700 µs 1kV (phóng to đầu sóng) 78 Hình 5.5 Dạng xung áp 10/700 µs 1kV (tồn sóng) 78 CHƯƠNG GIỚI THIỆU ĐỀ TÀI I LÝ DO CHỌN ĐỀ TÀI Nhi u nghiên cứu thực để xác định nguyên nhân xung áp mạng phân phối mạng tín hiệu, kết cho nguyên nhân sau:  S t đánh trực tiếp vào đường cấp nguồn đường tín hiệu  Sét cảm ứng đường cấp nguồn đường tín hiệu  Đóng, cắt tải tromg mạng phân phối  Sự lan truy n xung thông qua máy biến áp  Sự thay đ i tải hệ thống gần k  Sự dao động xung cơng suất Mạng phân điện mạng tín hiệu gồm mạng lớn đường dây kết nối với thường bị nhiễu b i độ bắt nguồn từ lý nêu trên, chủ yếu sét Quá độ s t tạo áp cao hệ thống Các tia s t thường đánh vào dây truy n tải sơ cấp Nhưng truy n qua dây thứ cấp thông qua điện cảm hay tụ điện mắc mạch Đôi tia s t đánh trực tiếp vào hệ thống bảo vệ chống s t hay cấu trúc kim loại t a nhà gây nên tượng áp hệ thống điện t a nhà việc lan truy n xung s t Thậm chí tia s t khơng đánh trúng đường dây cảm ứng điện áp đáng kể đường dây sơ cấp, chống s t van hoạt động sinh độ Quá độ đóng, cắt điện nguy hiểm xảy thường xuyên Việc sử dụng thyristor mạch đóng cắt hay u khiển cơng suất tạo độ T chức IEC, IEEE ANSI thiết lập tài liệu cung cấp nguyên tắc chủ yếu v dạng xung d ng xung áp bắt g p hệ thống điện xoay chi u CCITT, TIA ITU thiết lập tải liệu liên quan đến dạng xung d ng xung áp thường g p mạng Viễn thông Các dạng xung d ng xung áp tiêu chuẩn qui định theo t chức nêu cần tuân thủ trình đánh giá áp s t nguyên nhân khác cần sử dụng để đánh giá hiệu bảo vệ thiết bị triệt xung áp trình thử nghiệm ứng với xung tiêu chuẩn Tuy nhiên, việc đầu tư ph ng thí nghiệm với đầy đủ trang thiết bị theo yêu cầu tiêu chuẩn liên quan u khó khăn v vốn chuyên gia lãnh vực Ngày nay, kỹ thuật mơ hình hóa mơ trợ giúp thực nghiên cứu thông qua việc xây dựng mơ hình mơ với độ xác chấp nhận với chi phí thấp tiết kiệm thời gian Liên quan đến việc nghiên cứu độ s t, gần có số đ tài thực sau:  Nghiên cứu lập mơ hình cải tiến thiết bị triệt xung hạ áp, Lê Quang Trung, LV ThS 2010, ĐHSPKT Tp HCM  Các giải pháp nâng cao hiệu bảo vệ chống s t mạng hạ áp, Nguyễn Văn Lâm, LVThS 2011, ĐHBK Tp HCM  Mơ hình biến tr oxit kẽm cho nghiên cứu v phối hợp cách điện, Nguyễn Thị Lệ Hải, LV ThS 2013, ĐHSPKT Tp HCM  Nghiên cứu giải pháp chống s t mạng viễn thông, Bùi Kim Cường, LV ThS 2013, ĐHSPKT Tp HCM  Nghiên cứu giải pháp chống s t cho thiết bị điện điện tử bên t a nhà, Đ ng Thị Hà Thanh, LV ThS 2014, ĐHSPKT Tp HCM  Mơ hình hóa mô thiết bị chống s t lan truy n mạng truy n thông, Phạm Thị Hằng, LV ThS 2014, ĐHSPKT Tp HCM  Bảo vệ chống xung độ mạng hạ áp, Dương Anh Hào, LV ThS 2014, ĐHSPKT Tp HCM Các luận văn nêu tập trung xây dựng mơ hình thiết bị chống lan truy n đường nguồn hạ áp đường tín hiệu, đồng thời đ xuất giải pháp chống s t lan truy n phù hợp Tuy nhiên, c n thiếu nhi u dạng xung áp xung d ng khác, đơn cử mơ hình phát xung d ng 4/10µs, 8/20µs, 10/350µs máy phát xung áp 1.2/50μs, 2/10μs, 9/720μs, 10/160μs, 10/560μs, 0.5/700μs 10/700μs Chính mà việc xây dựng thư viện b xung tương đối đầy đủ loại máy phát xung áp xung d ng tiêu chuẩn môi trường Matlab với độ xác chấp nhận cần thiết để phục vụ toán nghiên cứu áp bảo vệ áp mạng phân phối điện mạng tín hiệu sau II MỤC ĐÍCH CỦA ĐỀ TÀI Nghiên cứu xây dựng, mô phỏng, thực nghiệm mơ hình máy phát xung áp xung dịng tiêu chuẩn môi trường Matlab III ĐỐI TƯỢNG VÀ PHẠM VI NGHIÊN CỨU Đối tượng nghiên cứu loại máy phát xung áp xung d ng tiêu chuẩn sử dụng toán điện áp s t lan truy n đường nguồn, đường tín hiệu q áp khác đóng cắt đường dây, tải,… Các vấn đ nghiên cứu cụ thể luận văn bao gồm:  Nghiên cứu dạng xung áp xung d ng đ cập tiêu chuẩn liên quan  Xây dựng mơ hình tốn mơ hình vật lý máy phát xung áp xung d ng tiêu chuẩn  Nghiên cứu sử dụng hệ thống máy phát xung AXOS8 ph ng thí nghiệm Hệ thống điện Năng lượng tái tạo ĐH Sư phạm Kỹ thuật Tp HCM  Đánh giá độ xác mơ hình máy phát xung áp xung d ng tiêu chuẩn xây dựng IV PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU Phương pháp nghiên cứu áp dụng để thực luận văn phân tích lý thuyết, mơ máy tính thực nghiệm  Ph n tích lý thuyết: Là nghiên cứu s lý thuyết, tiêu chuẩn liên quan đến mơ hình máy phát xung d ng xung áp tiêu chuẩn  M máy tính: Sau xây dựng xong mơ hình xung d ng xung áp dạng mơ tả tốn (các phần tử hàm tốn) hay mơ hình vật lý (mạch RLC) mơi trường Matlab, tiến hành mơ để đánh giá độ xác mơ hình xung d ng xung áp s t xây dựng  Thực nghiệm: So sánh số dạng xung mô dạng xung phát b i hệ thống máy phát xung AXOS8 ph ng thí nghiệm để kiểm chứng độ xác mơ hình tốn học mơ hình vật lý xây dựng IV Ý NGHĨA KHOA HỌC VÀ Ý NGHĨA THỰC TIỄN CỦA ĐỀ TÀI NGHIÊN CỨU Ý nghĩa khoa học Luận văn nghiên cứu xây dựng máy phát xung dòng xung áp tiêu chuẩn cách đầy đủ b xung vào thư viện Simulink phần m m Matlab Đây hướng nghiên cứu quan tâm Việt Nam Các kết nghiên cứu mang tính khoa học đóng góp phần khơng nhỏ chu i tốn nghiên cứu áp xung áp xung dòng mạng phân phối mạng viễn thông, s đ giải pháp bảo vệ hiệu lựa chọn thiết bị triệt xung phù hợp Ý nghĩa thực tiễn Kết nghiên cứu cung cấp mơ hình máy phát xung d ng xung áp s t hữu ích cho nhà nghiên cứu, giảng viên, sinh viên trường đại học việc nghiên cứu đáp ứng thiết bị chống áp tác động xung áp xung d ng u kiện thiếu ph ng thí nghiệm Luận văn tài liệu tham khảo hữu ích cho sinh viên Ngành Cơng nghệ Kỹ thuật điện-Điện tử học viên cao học Ngành Kỹ thuật điện 5 CHƯƠNG CƠ SỞ LÝ THUYẾT 2.1 Xung điện áp không chu kỳ 2.1.1 Định nghĩa thử nghiệm ung điện áp không chu kỳ 2.1.1.1 Thời gian đầu óng T1 Thời gian đầu sóng T1 xung điện áp tham số giả định xác định 1,67 lần khoảng thời gian T thời điểm xung 30 90 giá trị đỉnh (2.1) 2.1.1.2 Điểm gốc giả định O1 Điểm gốc giả định O1 giao điểm đường thẳng vẽ qua điểm chuẩn 30 2.1.1.3 90 đầu sóng với trục thời gian Thời gian tồn óng T2 Thời gian tồn sóng T2 xung điện áp tham số giả định xác định khoảng thời gian điểm gốc giả định O1 thời điểm điện áp giảm tới giá trị đỉnh 2.1.1.4 Dung sai Giá trị đỉnh: ± 3% Thời gian đầu sóng T1: ± 30% Thời gian tồn sóng T2: ± 20% Hình 2.1: Dạng xung điện áp tiêu chuẩn ... NGHIÊN CỨU VÀ XÂY DỰNG MƠ HÌNH MÁY PHÁT XUNG SÉT TIÊU CHUẨN II- Nhiệm vụ nội dung:  Tìm hiểu dạng xung sét tiêu chuẩn tiêu chuẩn liên quan  Xây dựng mơ hình tốn mơ hình vật lý dạng xung sét môi... TÀI Nghiên cứu xây dựng, mơ phỏng, thực nghiệm mơ hình máy phát xung áp xung dịng tiêu chuẩn mơi trường Matlab III ĐỐI TƯỢNG VÀ PHẠM VI NGHIÊN CỨU Đối tượng nghiên cứu loại máy phát xung áp xung. .. GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP HCM - NGUYỄN THỊ HƯƠNG TRANG NGHIÊN CỨU VÀ XÂY DỰNG MƠ HÌNH MÁY PHÁT XUNG SÉT TIÊU CHUẨN LUẬN VĂN THẠC SĨ Chuyên ngành : KỸ THUẬT ĐIỆN

Ngày đăng: 27/02/2023, 08:26

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

  • Đang cập nhật ...

TÀI LIỆU LIÊN QUAN