ĐỀ XUẤT PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG TẤM NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI TRONG HỆ THỐNG CHIẾU SÁNG CÔNG CỘNG Lâm Quang Thái1 , Võ Thiện Lĩnh2 1,2 Phân hiệu tại TP Hồ Chí Minh, Trường Đại học Giao thông vận tải, 450 Lê Vă[.]
Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 Điện tử, Truyền thông Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) ĐỀ XUẤT PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG TẤM NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI TRONG HỆ THỐNG CHIẾU SÁNG CÔNG CỘNG Lâm Quang Thái1 , Võ Thiện Lĩnh2 1,2 Phân hiệu TP Hồ Chí Minh, Trường Đại học Giao thông vận tải, 450 Lê Văn Việt, Phường Tăng Nhơn Phú A, TP Thủ Đức, TP Hồ Chí Minh, Việt Nam Email: thailq_ph@utc.edu.vn , linhvt_ph@utc.edu.vn Năng lượng mặt trời sử dụng để tạo lượng điện mà không gây tiêu tốn nước, nhiên liệu gây ô nhiễm môi trường đồng thời có ý nghĩa to lớn việc cải thiện môi trường sinh thái Tuy nhiên, ứng dụng thực tế lượng mặt trời tồn trở ngại khó khăn, cụ thể hiệu suất chuyển đổi quang điện thấp thiếu độ xác mơ hình tế bào quang điện (PV) Đặc biệt, mơ hình tế bào PV xác quan trọng để phân tích dự đốn đặc tính cụ thể hệ thống PV [8] Có nhiều mơ hình giới thiệu, chẳng hạn mơ hình diode đơn [9], mơ hình diode kép [10] Bên cạnh đó, đặc tính I-V nhà sản xuất cung cấp phát triển điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn (STC) với G = 1000 W/m2 T = 25 °C Thực tế thay đổi môi trường bên ngoài, chẳng hạn xạ mặt trời nhiệt độ, có ảnh hưởng lớn đến đặc tính đầu pin PV tính phi tuyến cao vốn có PV dẫn đến độ tin cậy xác mơ hình tế bào PV trở nên khó khăn Abstract— Hiện nhu cầu cung cấp điện từ lượng mặt trời cho hệ thống chiếu sáng công cộng cần thiết trước cạn kiệt, khan giá thành ngày tăng nguồn lượng hóa thạch Tuy nhiên, để có nghiên cứu hiệu hệ thống sử dụng lượng mặt trời cần phải có đường đặc tính I-V xác mơ-đun quang điện Q trình thử nghiệm pin thực tế gặp số khó khăn: cần khơng gian thí nghiệm rộng, chi phí cao ảnh hưởng điều kiện khách quan mơi trường Do đó, việc có phương pháp mơ đặc tính I-V giống đặc tính lượng mặt trời cần thiết Bài báo đề xuất phương pháp mô đặc tính lượng mặt trời dựa nội suy tuyến tính Phương pháp đề xuất cho thấy nhiều ưu điểm chịu thay đổi xạ nhiệt độ Độ xác hệ thống thực nghiệm không kiểm chứng qua kết mô phần mềm Matlab mà đánh giá, so sánh với mơ hình thí nghiệm thực tế Kết mơ thí nghiệm cho thấy độ xác cao phương pháp nội suy tuyến tính Vì vậy, để mơ hình PV xác cần dựa thông số từ nhà sản xuất lượng mặt trời Bên cạnh đó, việc xác định tham số có tầm quan trọng lớn mơ phỏng, đánh giá hiệu suất, thiết kế tối ưu hóa điều khiển thời gian thực hệ thống PV [14,15] Ngoài ra, việc xác định tham số cịn có ý nghĩa việc thiết kế ứng dụng sản xuất pin theo dõi điểm công suất cực đại (MPPT-Maximum Power Point Tracker) [11,16,17] Việc xác định tham số PV ngày nhận nhiều quan tâm, nên có nhiều nghiên cứu thực để phát triển phương pháp khả thi thực tế để giải vấn đề [18, 19] Một số nghiên cứu nước đề cập phương pháp phát triển mơ hình mơ pin lượng mặt trời quang điện (PV) sử dụng phần mềm MATLAB/Simulink [12, 20] hay phân tích hiệu suất mơ hình tế bào quang điện mặt trời sử dụng MATLAB [8, 9] Keywords- Năng lượng mặt trời, solar panel, chuyển đổi dc – dc, đặc tính I-V, P-V, nội suy tuyến tính I GIỚI THIỆU Nhu cầu lượng ngày tăng dân số toàn cầu tăng lên, kinh tế nước phát triển tiếp tục mở rộng dự kiến tăng gấp ba lần vào năm 2050 Tuy nhiên, nguồn lượng đến từ nhiên liệu hóa thạch nguồn tài nguyên hữu hạn để khơng phụ thuộc vào nguồn lượng vào năm 2050 nguồn lượng tái tạo phải tăng lên từ đến lần nhu cầu lượng trì mức tăng 50% so với nhu cầu lượng năm 2020 [1] Việc nghiên cứu nguồn lượng bền vững trở thành vấn đề quan trọng quan tâm rộng rãi [2–4] Việc khai thác sử dụng lượng tái tạo chắn đóng vai trò quan trọng phát triển tương lai, lượng mặt trời đóng vai trị lựa chọn ưu việt hứa hẹn [5–7, 12] ISBN 978-604-80-7468-5 Trong [16, 19], việc xác định tham số PV thực phương trình tốn học phức tạp Phương pháp có nhược điểm khối lượng tính tốn lớn, phép tốn phức tạp, địi hỏi 220 Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 Điện tử, Truyền thơng Cơng nghệ Thơng tin (REV-ECIT2022) thời gian tính tốn lớn địi, hỏi phải có vi điều khiển có tốc độ tính tốn thời gian xử lý cực nhanh dẫn đến chi phí thiết kế cao qV I d = I exp akT Trong báo này, nhóm nghiên cứu đề xuất sử dụng phương pháp nội suy tuyến tính sở sử dụng biến đổi DC-DC làm nhiệm vụ xuất tín hiệu mơ đặc tính I-V, P-V kết hợp với giao tiếp với máy tính cho hệ thống mơ đặc tính pin quang điện Với phương pháp nội suy tuyến tính số điểm cần lưu trữ vi điều khiển có khả tính tốn điểm cịn lại khơng cần sử dụng vi điều khiển có tốc độ lưu trữ cao Kết thực nghiệm cho thấy độ xác cao hệ thống với sai số đầu dao động từ đến 4% V + Rs I V + Rs I I = I PV − I exp − 1 − Rp Vt a Với: Vt = (3) N s kT q IPV: dòng quang điện (A) RP, RS điện trở đặc trưng cho tổn hao cơng suất q trình làm việc pin quang điện Để mơ hình hóa được, cần xác định thêm thơng số IPV, I0, RS, RP Điều thực dựa vào hệ thống phương trình (4), (5) (6) MƠ HÌNH HĨA CỦA TẤM NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI I0 = 2.1 Tế bào quang điện Phương trình theo lý thuyết chất bán dẫn mô tả tốn học đặc tính I-V tế bào quang điện lý tưởng là: qV I = I PV − I exp − 1 (1) akT I PV − STC + Ki T exp (Voc − STC + K v T / a.VT ) − 1 I PV − STC = R p + Rs Rp I scn Pma xe = Vm p I m p Trong đó: I0 dòng bão hòa qua diode (A) q điện tích q = −1,6.10−19 (C) (4) (5) (6) Dịng quang điện hàm nhiệt độ xạ: k số Boltzmann, k = 1,38.1023 (J/ K) a hệ số diode lý tưởng, có giá trị a 1,5 I PV = (I pvn + K i T ) G Gn (7) I sc = (I scn + Ki T ) G Gn (8) 2.2 Mơ hình hóa pin quang điện RP = Vm p + I m p Rs (V + I R ) (V + I R ) P I pv − I o exp m p m p s + exp m p m p s − − ma xe VT ( P − 1).VT Vmp RP = Vm p I sc n − I m p − Voc − STC − Vm p Im p (9) (10) Trong đó: Hình Mơ hình diode đơn − Mạch tương đương pin quang điện mơ hình diode trình bày hình bao gồm nguồn dịng, diode, hai điện trở gồm nối tiếp RS song song RP Dịng qua Diode tính: ISBN 978-604-80-7468-5 (2) Phương trình đặc tính điện áp - dịng điện tế bào quang điện pin mặt trời tính cơng thức [8]: Bài báo trình bày nội dung bao gồm: phần giới thiệu tổng quan, phần trình bày mơ hình hóa lượng mặt trời, phần trình bày phương pháp giải phương trình lặp Newton – Raphson, phần đề xuất phương pháp điều khiển, phần đề xuất mơ hình mô lượng mặt trời cuối phần thực nghiệm đánh giá kết II − 1 221 IPV-STC, Voc-STC dòng điện điện áp hở mạch tạo điều kiện kiểm tra tiêu chuẩn – STC (TSTC = 25oC) T = T − TSTC ; Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 Điện tử, Truyền thông Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) − − − − − III Hình Lưu đồ thuật toán G xạ pin mặt trời Gn = 1000W/m2 lượng xạ điều kiện STC; Ki hệ số nhiệt độ dòng ngắn mạch, KV hệ số nhiệt độ điện áp hở mạch; Iscn dòng ngắn mạch pin điều kiện STC; Vmp, Imp điện áp dịng điện cực đại; Pmaxe cơng suất đỉnh đầu pin IV Ipv (A) ISC Để xác định tham số phương trình toán học pin quang điện mục phương pháp giải phương trình lặp Newton - Raphson ứng dụng báo Phương pháp yêu cầu giá trị ban đầu x0 chọn gần Giá trị lần lặp tính cách sử dụng phương trình: Mơ-đun PV đặc trưng đường cong đặc tính dịng điện - điện áp khơng tuyến tính mơ tả Hình Đường cong phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ T xạ mặt trời G, thay đổi liên tục theo hai yếu tố nhiệt độ xạ Các thông số quan trọng mô tả đường cong I-V điện áp hở mạch (Voc), dòng ngắn mạch (Isc), điện áp cực đại (VMPP) dòng điện cực đại (IMPP) Các giá trị thơng số thu điều kiện khí hậu tiêu chuẩn (T = 25 °C G = 1000 W/ m²) nhà sản xuất cung cấp Vùng A Vùng B Vùng C PHƯƠNG PHÁP GIẢI PHƯƠNG TRÌNH LẶP x k +1 = f ( x k ) ĐỀ XUẤT PHƯƠNG PHÁP ĐIỀU KHIỂN IMPP (11) Sự hội tụ đạt xk+1 ≈ xk, đến độ sai số chấp nhận Phương pháp giải phương trình (3) trình bày lưu đồ thuật tốn hình Thuật tốn bắt đầu việc nhập thông số lượng mặt trời nhà sản xuất cơng bố gồm có nhiệt độ, xạ, ngưỡng hội tụ, điện trở Rs, Rp Sau hệ thống thực so sánh độ hội tụ với ngưỡng cần đạt, độ hội tụ lớn ngưỡng thực tính tốn thơng số gồm có I0, IPV-STC, IPV, dịng điện I theo (3), cơng suất P Pmax, độ hội tụ, tăng giá trị Rs Ngược lại, thuật tốn xuất thơng số sau giải phương trình gồm có I0, IPV, I, V, RS, RP Rpmin Vpv (V) Voc Hình Đặc tính I-V pin quang điện Như thể Hình 3, đường cong I-V phân tích thành ba vùng: vùng A, vùng B vùng C Trong vùng B gọi vùng phi tuyến Để tuyến tính hố đường đặc tính pin quang điện nhằm để điều khiển thực tính tốn nhanh chóng xác, nhóm nghiên cứu đề xuất sử dụng phương pháp nội suy tuyến tính để tuyến tính hố vùng này, đặc biệt vùng B để áp dụng cho khối điều khiển tín hiệu hệ thống mơ PV Phương trình hàm nội suy tuyến tính: Bắt đầu f ( x) = f ( x0 ) + Đúng f ( x1 ) − f ( x0 ) ( x − x0 ) x1 − x0 Tính tốn cập nhật thơng số tuyến tính: hai khoảng tuyến tính vùng A (0; Sai VOC ) C ( VOC + VMPP ;Voc) Vùng B đặc trưng đường cong khơng tuyến tính, Xuất liệu phân tách thành hai đoạn tuyến tính ( Kết thúc (VMPP; ISBN 978-604-80-7468-5 (12) Trong x biến độc lập, x1 x0 giá trị biết biến độc lập f(x) giá trị biến phụ thuộc giá trị x biến độc lập Phương pháp nội suy tuyến tính áp dụng để tuyến tính hóa đường cong I-V dựa nguyên tắc phân đoạn đường cong I-V Hình Phương pháp coi đường cong I-V bốn khoảng Nhập liệu đầu vào Độ hội tụ lớn ngưỡng MPP 222 VOC + VMPP ) Hình VOC ;VMPP) Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 Điện tử, Truyền thông Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) Vùng A Trong sơ đồ khối hình 5, khối điều khiển sử dụng để điều khiển chuyển đổi DC-DC gửi điện áp đầu đến khối nguồn Khối máy tính thực nhiệm vụ giải phương trình (3) theo phương pháp giải lặp Newton – Raphson, tuyến tính hóa đường cong PV sau chuyển liệu điều khiển đến khối điều khiển Vùng C ISC Ipv (A) Vùng B MPP IMPP VI KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM VÀ ĐÁNH GIÁ Vpv (V) V oc VMPP (Voc +VMPP) Việc mô thực qua phần mềm PSIM trình thực nghiệm tiến hành mơ hình Hình Kết mô mạch điều khiển PSIM Các kết mô cho thấy thời gian để điện áp dòng điện ổn định vào khoảng 0.002s Voc Hình Đường cong I-V tuyến tính Đường cong xấp xỉ điều chỉnh phương trình tốn học (từ (13) đến (16): I = I2 − I2 V − V2 ;V2 V VOC VOC − V2 V − Vmpp I = I mpp + ( I − I mpp ) V2 − Vmpp ;Vmpp V V2 V − V1 I = I1 + ( I mpp − I1 ) ;V V Vmpp Vmpp − V1 V I = I sc + ( I1 − I sc ) ;0 V V1 V1 (13) (14) (15) (16) Với: V1 = V Voc + Vmpp Voc ;V2 = 2 ĐỀ XUẤT MƠ HÌNH MƠ PHỎNG TẤM NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI Để điều khiển mơ quang điện, cần có vi điều khiển để đo đại lượng điện áp dịng điện, tạo tín hiệu cần thiết để chuyển đổi DCDC, giao tiếp với phần mềm hiển thị Khối chuyển đổi DC-DC Khối Nguồn Hình Mơ hình thí nghiệm Hệ thống thực nghiệm mơ đặc tính cho pin quang điện MSX60 chọn có bảng thơng số từ nhà sản xuất trình bày Bảng Tải Bảng Bảng thơng số pin MSX60 [19] Đo dịng điện Nhập thơng số Máy tính Khối điều khiển Hình Mơ hình hệ thống mơ pin quang điện - Giải phương trình lặp Newton-Rasphson đặc tính I-V, P-V Bộ mô Suy PV dựa mơ hình diode đơn có Tuyến tính hố đường cong I-V - Gửi liệu đầu điện áp dịng điện có độ xác cao phù hợp với đường cong I-V lượng mặt trời, điều kiện khác Sơ đồ kết nối khối mô quang điện thể hình ISBN 978-604-80-7468-5 Thơng số Giá trị Điện áp Pmax (Vmp) Dòng điện Pmax (Imp) Công suất cực đại (Pmax) Điện áp hở mạch (Voc) Dòng ngắn mạch (Isc) Số lượng tế bào quang điện (Ns) Hệ số dòng điện/ nhiệt độ (Ki) Hệ số điện áp/ nhiệt độ (Kv) 17.1 (V) 3.5 (A) 60 (W) 21.1 (V) 3.8 (A) 36 0.003 (A/K) -80e-3 (V/K) Trên phần mềm, chương trình mơ tính tốn thông số RS, RP PV hiển thị đường cong 223 Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 Điện tử, Truyền thông Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) biểu đồ, ảnh hưởng nhiệt độ, xạ Giao diện hệ thống gồm có phần: nhập thơng số pin PV giao diện thể đặc tính đường cong I-V P-V pin Quy trình thí nghiệm tiến hành cách kết nối với phần cứng để lấy mẫu thay đổi tải trở ta điểm làm việc tương ứng tải Dữ liệu truyền phần mềm xử lý biểu diễn thành điểm (màu hồng) chạy đặc tính I-V, P-V pin quang điện Hình 11 cho thấy điểm làm việc nằm đường đặc tính I-V, P-V pin MSX60 Hình giá trị dịng điện I điện áp V đo thực tải với kết điểm làm việc hình Bảng Bảng đánh giá kết thực nghiệm với thông số nhà sản xuất pin MSX60 Thông số kỹ thuật Pmax Nhà sản xuất 60 (W) Kết thực nghiệm 57,77 (W) Vmp 17.1 (V) 16,55 (V) Imp 3.5 (A) 3,49 (A) Voc 21.1 (V) 20,76 (V) Isc 3.8 (A) 3,89 (A) 600 W/m2 1000 W/m2 700 W/m2 900 W/m2 800 W/m2 800 W/m 700 W/m2 600 W/m2 900 W/m2 1000 W/m2 500 W/m2 400 W/m2 500 W/m2 300 W/m2 200 W/m2 400 W/m 300 W/m2 100 W/m2 200 W/m2 100 W/m Hình Kết thực nghiệm hệ thống mơ đặc tính I-V P-V pin MSX60 điều kiện tiêu chuẩn (G = 1000 W/m2, T = 25oC) Hình Đồ thị thực nghiệm so sánh với quang điện MSX60 VII KẾT LUẬN Trong báo này, phương pháp mô đặc tính I-V, P-V quang điện đề xuất Không giống phương pháp trước chủ yếu mô phần mềm, báo đề xuất phương pháp áp dụng mơ hình diode đơn xây dựng mạch điện thực nghiệm để kiểm chứng từ tạo tín hiệu mơ tả đặc tính pin, đồng thời có khả giao tiếp với máy tính Ngồi ra, với phương pháp giải lặp Newton – Raphson đơn giản nhanh chóng sử dụng để tính tốn tham số cần thiết kết hợp với phương pháp nội suy tuyến tính áp dụng cho điều khiển Độ xác phương pháp đề xuất đánh giá so sánh với liệu thực tế từ nhà sản xuất bảng quang điện MSX-60 với sai số đầu nhỏ 4% tổng hợp tính tốn trình thực nghiệm Nghiên cứu báo cho thấy phương pháp đề xuất có giá trị ứng dụng cao việc xây dựng, thiết kế hệ thống chiếu sáng công cộng sử dụng nguồn lượng mặt trời Hình Giá trị điện áp, dịng điện công suất đầu thực nghiệm Kết kiểm nghiệm từ Hình Bảng cho thấy hệ thống hoạt động hiệu quả, cách thay đổi biến trở xác định điểm làm việc tương ứng với sai số đầu dao động từ đến 4% so với giá trị từ nhà sản xuất Từ kết thực nghiệm cho thấy hệ thống đạt mục tiêu, yêu cầu phạm vi nghiên cứu đề TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] [2] ISBN 978-604-80-7468-5 224 Mohammad Fazle Rabbi, József Popp, Domicián Máté and Sándor Kovács Energy Security and Energy Transition to Achieve Carbon Neutrality Energies 2022, 15, 8126 Yang B, Yu T, Shu HC, Dong J, Jiang L Robust sliding-mode control of wind energy conversion systems for optimal power Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 Điện tử, Truyền thông Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) extraction via nonlinear perturbation observers Applied Energy 2018; 210:711–23 [3] Yang B, Yu T, Shu HC, Zhang YM, Chen J, Sang YY, et al Passivity-based slidingmode control design for optimal power extraction of a PMSG based variable speed wind turbine Renewable Energy 2018;119:577–89 [4] Liu J, Wen JY, Yao W, Long Y Solution to short-term frequency response of wind farms by using energy storage systems IET Renew Power Gener 2016; 10(5):669–78 [5] Liu J, Yao W, Wen JY, Fang JK, Jiang L, He HB, et al Impact of power grid strength and PLL parameters on stability of grid-connected DFIG wind farm IEEE Trans Sustainable Energy 2019 https://doi.org/10.1109/TSTE.2019.2897596 [6] Li GD, Li GY, Zhou M Model and application of renewable energy accommodation capacity calculation considering utilization level of interprovincial tie-line Protect Control Modern Power Syst 2019; 4(4):1–12 [7] Cv V, Kamaraj N Modeling and performance analysis of the solar photovoltaic cell model using embedded MATLAB Simulat: Trans Soc Model Simulat Int 2015; 91(3):217–32 [8] Humada AM, Hojabri M, Mekhilef S, Hamada HM Solar cell parameters extraction based on single and double-diode models: A review Renew Sustain Energy Rev 2016;56:494– 509 [9] Abbassi A, Gammoudi R, Dami MA, Hasnaoui O, Jemli M An improved singlediode model parameters extraction at different operating conditions with a view to modeling a photovoltaic generator: A comparative study Sol Energy 2017;155:478–89 [10] Zhang DL, Li JL, Hui D Coordinated control for voltage regulation of distribution network voltage regulation by distributed energy storage systems Protect Control Modern Power Syst 2018;3(3) https://doi.org/10.1186/s41601-0180077-1 [11] Murty VVSN, Kumar A Multi-objective energy management in microgrids with hybrid energy sources and battery energy storage systems Protect Control Modern Power Syst 2020 ;5(2) https://doi.org/10.1186/s41601-019-0147-z ISBN 978-604-80-7468-5 [12] Nguyễn Ngọc Tiến, Nguyễn Bá Phú, Đỗ Thế Tân, Nguyễn Văn Hùng Research Modelling Photo Voltaic Solar By Matlab/Simulink Tập san sinh viên nghiên cứu khoa học, số 9.2019 [13] Chen J, Yao W, Zhang CK, Ren Y, Jiang L Design of robust MPPT controller for grid-connected PMSG-Based wind turbine via perturbation observation based nonlinear adaptive control Renewable Energy 2019;134:478–95 [14] Jordehi AR Parameter estimation of solar photovoltaic (PV) cells: A review Renew Sustain Energy Rev 2016 ;61:354–71 [15] Majdoul R, Abdelmounim E, Aboulfatah M, Touati AW, Moutabir A, Abouloifa A Combined analytical and numerical approach to determine the four parameters of the photovoltaic cells models International Conference on Electrical and Information Technologies, March 2015, Marrakech, Morocco 2015 p 263–8 [16] Kamali SK, Rahim NA, Mokhlis H, Tyagi VV Photovoltaic electricity generator dynamic modeling methods for smart grid applications: A review Renew Sustain Energy Rev 2016 ;57:131–72 [17] Kumar M, Kumar A An efficient parameters extraction technique of photovoltaic models for performance assessment Sol Energy 2017; 158:192–206 [18] Ishaque K, Salam Z An improved modeling method to determine the model parameters of photovoltaic (PV) modules using differential evolution (DE) Sol Energy 2011; 85(9):2349–59 [19] Bảng thông số pin MSX-60, https://pdf.dzsc.com/autoupload/41ea4270-37f9-44fb-bfd61bcb1678c121.pdf [20] Huan-Liang Tsai, Ci-Siang Tu, and Yi-Jie Su, Member, IAENG Development of Generalized PhotovoltaicModel Using MATLAB/SIMULINK Proceedings of the World Congress on Engineering and Computer Science, October 22 24, 2008, San Francisco, USA ISBN: 978-988-98671-0-2 225 ... bày mơ hình hóa lượng mặt trời, phần trình bày phương pháp giải phương trình lặp Newton – Raphson, phần đề xuất phương pháp điều khiển, phần đề xuất mô hình mơ lượng mặt trời cuối phần thực nghiệm... sản xuất cung cấp Vùng A Vùng B Vùng C PHƯƠNG PHÁP GIẢI PHƯƠNG TRÌNH LẶP x k +1 = f ( x k ) ĐỀ XUẤT PHƯƠNG PHÁP ĐIỀU KHIỂN IMPP (11) Sự hội tụ đạt xk+1 ≈ xk, đến độ sai số chấp nhận Phương pháp. .. (15) (16) Với: V1 = V Voc + Vmpp Voc ;V2 = 2 ĐỀ XUẤT MƠ HÌNH MƠ PHỎNG TẤM NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI Để điều khiển mô quang điện, cần có vi điều khiển để đo đại lượng điện áp dịng điện, tạo tín hiệu cần