(Tiểu luận) báo cáo thí nghiệm mạch điện tử khảo sát đáp ứng tần số mạch khuếch đại bjt ghép e chung

ĐẠI HỌC QUỐC GIA ĐẠI HỌC BÁCH KHOA TP HỒ CHÍ MINH  BÁO CÁO THÍ NGHIỆM MẠCH ĐIỆN TỬ KHẢO SÁT ĐÁP ỨNG TẦN SỐ MẠCH KHUẾCH ĐẠI BJT GHÉP E CHUNG Giảng viên hướng dẫn: Nguyễn Thanh Phương Sinh viên thực (Nhóm L06 _ Tổ 1): Lê Văn Hiệu MSSV: 1910188 Mai Trung Hiếu MSSV: 1911146 Hoàng Văn Doanh MSSV: 1912858 Phiên google meet: https://drive.google.com/drive/folders/1_9y394Ttx62tVn90FLChzcJF7rDPM8E?usp=sharing Ngày hoàn thành báo cáo: 16/11/2021 Thành phố Hồ Chí Minh – 2021 Tieu luan Mục lục Bài 4: Khảo sát đáp ứng tần số mạch khuếch đại BJT ghép E chung 1 Giới thiệu chung Các giả thuyết cần kiểm chứng .2 Các kết thí nghiệm 15 Phân tích kết so sánh 24 Kết luận chung .27 Tieu luan Tieu luan Tieu luan Bài 4: KHẢO SÁT ĐÁP ỨNG TẦN SỐ MẠCH KHUẾCH ĐẠI BJT GHÉP E CHUNG I Giới thiệu chung Mục tiêu thí nghiệm Khảo sát đáp ứng tần số mạch khuếch đại BJT ghép E chung - Tính tốn lý thuyết độ lợi áp dãy mạch, tần số cắt cao, tần số cắt thấp từ thông số cho, thông số thiếu So sánh kết khảo sát với lý thuyết - Hiểu nguyên lý hoạt động mạch khuếch đại BJT ghép E chung tần số khác nhau: tần số thấp, tần số dãy giữa, tần số cao mạch có hồi tiếp khơng hồi tiếp - Dùng phần mềm mô phỏng, đo phân cực DC mạch để đảm bảo mạch hoạt động chế độ tích cực - Thay đổi giá trị tụ ghép CC, CE tụ Cobext quan sát khác độ lợi áp mạch bao gồm mạch có hồi tiếp không hồi tiếp - Biết cách xác định độ lợi áp dãy (ở tần số dãy giữa) - Từ độ lợi áp tính từ tần số thấp đến tần số cao, vẽ đáp ứng tần số mạch - Hiểu ảnh hưởng tụ Cobext lên độ lợi áp mạch tần số cắt Phần mềm thí nghiệm: LTspice - LTspice phần mềm máy tính mơ mạch điện tử tương tự dựa SPICE, cung cấp tính chụp giản đồ để nhập giản đồ điện tử cho mạch điện tử Module thí nghiệm: BJTLABSN001 Tieu luan II Các giả thuyết cần kiểm chứng Sơ đồ mạch thí nghiệm giả thuyết lý thuyết cần kiểm chứng 1.1 Mạch khuếch đại ghép E chung không hồi tiếp Cobext ac dec 100 1G Vout Vcc Vin AC 12 SINE() R21 FEEE - BEE BK C&M LAB TP.HCM 2SD592/3 Q3 S/N: BJ TLABSN001 2SD592/2 Q2 Q1 2SD592/1 C2 R9 R11 R19 Sơ đồ m ạch thí nghiệm phần mềm LTSpice 1.2 Mạch khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp Tieu luan R20 R17 R4 R22 C3 R16 R14 R12 R3 R10 R23 C1 R7 R8 R18 Cobext 0p Vcc ac dec 100 1G Vout Vin AC 12 SINE() R21 FEEE - BEE BK 2SD592/3 C&M LAB TP.HCM 2SD592/2 Q1 Q2 R17 R9 R11 R19 2SD592/1 C2 R20 Q3 S/N: BJTLABSN001 R4 R22 C3 R16 R14 R12 R3 R10 R23 C1 R7 R8 R18 Sơ đồ m ạch thí nghiệm phần mềm LTSpice Tieu luan 1.3 Ảnh hưởng tụ điện lên đáp ứng tần số mạch khuếch đại E chung - Việc phân tích đồng thời ảnh hưởng tất tụ lên mạch phức tạp, nên để tiến hành phân tích đáp ứng tần số mạch khuếch đại ta chia vùng tần số khác để khảo sát - Ở chế độ DC: Các tụ xem ngắn mạch hở mạch nên không ảnh hưởng đến giá trị tính tốn - Ở chế độ AC: + Tần số thấp: Trở kháng tụ Ci, C0, CE trở nên đáng kể (tụ CE nối với điện trở cục E, định chủ yếu tần số cắt mạch khuếch đại, Ci, C0 đóng vai trị tụ coupling đầu vào đầu mạch khuếch đại tụ ký sinh xem hở mạch) • Để tìm tần số cắt thấp ta giải phương trình sau: AM • A s s s  M s  w1 s  w2 s  w3 với s = jwL Hoặc có tần số cắt lớn nhiều so với tần số cắt cịn lại ta xấp xỉ tần số cắt thấp tần số lớn + Tần số dãy giữa: Ngắn mạch tụ Coupling Bypass, tụ khác xem hở mạch Các tụ Ci, C0, CE có trở kháng nhỏ, xem ngắn mạch, tụ Cobext điện dung ký sinh có giá trị nhỏ nên trở kháng lớn, xem hở mạch Ở nói mạch khuếch đại hoạt động khơng bị ảnh hưởng tụ Tieu luan + Tần số cao: Các tụ Ci, C0, CE trở kháng nhỏ, xem ngắn mạch, trở kháng Cobext vả điện dung ký sinh nhỏ, trở nên đáng kể với hoạt động mạch, định tới tần số cắt • Để tìm tần số cắt cao ta giải phương trình sau: với 𝑠 = 𝑗𝜔𝐻 • Hoặc có tần số cắt bé nhiều so với tần số cắt cịn lại ta xấp xỉ tần số cắt cao tần số bé Từ đó, ta có đồ thị từ phân tích lý thuyết: Tính tốn lý thuyết 2.1 Khảo sát điểm làm việc tĩnh BJT Ta biết thông số mạch phụ thuộc vào nhiệt độ lúc khảo sát mạch tùy thuộc vào loại mạch nên ta sử dụng lại giá trị thông số mạch đo mạch phân cực DC Thông qua q trình mơ phỏng, ta chọn giá trị β ≈ 128,48 Tieu luan Ic Vcc Ib 2SD592/3 Q3 2SD592/2 Q2 Q1 C2 R9 R17 2SD592/1 R11 Ie Ve 1.9348921V Sơ đồ mạch phân cực DC LT Spice Áp dụng Thevenin cho mạch ta được: = 4.27 Ω = 2.85 V Giả sử mạch hoạt động chế độ tích cực: 𝑉𝐵𝐸on = 0.7 Tieu luan R23 R21 FEEE - BEE S/N: BJ TLABSN001 2.5479884V R22 C3 R16 C&M LAB TP.HCM R4 Vb R14 BK 12 R12 R3 C1 R7 R8 R10 7.1732575V Vc op R20 R19 R18 Dựa theo đồ thị, tần số chuyển tiếp fT ≈ 145 MHz fT   r 2 (C  Cob )  C  128.48   Cob  r 2 fT 669.88  2 145 106 = 210.52 (pF) 2.4.3 Mạch khuếch đại ghép E chung không hồi tiếp Với k = - (R c / / R L)   162.74 r C1 = Cπ + CMi = Cπ+ (Cobext + Cob).(1-k) k C2 = CMo = (Cobext + Cob) (1  ) Tần số cắt cao gây tụ điện C1: f1  2 C1.(R i / / R TH / / r  ) Tần số cắt cao gây tụ điện C2: f2  2 C2 (R c / / R L ) Với 𝐶𝑜𝑏 𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 𝑒𝑥𝑡 = → 𝐶1 = 2,724𝑛𝐹 → 𝑓1 ≈ 159,33𝑘𝐻𝑧 𝐶2 = 15,44pF → 𝑓2 ≈ 12,15MHz 13 Tieu luan 𝑓H = {𝑓1 , 𝑓2 } = 159,33 (kHz) 5pF F → 𝐶1 = 5,18𝑛𝐹 → 𝑓1 ≈ 83,79𝑘𝐻𝑧 Với 𝐶𝑜𝑏 𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 𝑒𝑥𝑡 = 15p 𝐶2 = 30,54pF → 𝑓2 ≈ 6,14MHz 𝑓H = {𝑓1 , 𝑓2 } = 83,79 (kHz) 0pF F → 𝐶1 = 7,636𝑛𝐹 → 𝑓1 ≈ 56,84𝑘𝐻𝑧 Với 𝐶𝑜𝑏 𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 𝑒𝑥𝑡 = 30p 𝐶2 = 45,63pF → 𝑓2 ≈ 4,11MHz 𝑓H = {𝑓1 , 𝑓2 } = 56,84 (kHz) 2.4.4 Mạch khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp Với k = - (Rc / / R L ).  30,98 r  R E1 (   1) C1 = (Cobext + Cob).(1-k) k C2 = (Cobext + Cob) (1  ) C3 = Cπ = 210,52 pF Tần số cắt cao gây tụ điện C1: f1  2 C1.R i / / R TH / /[ r  (  1) R E1 ] Tần số cắt cao gây tụ điện C2: Tieu luan f2  2 C2 (R c / / R L ) Tần số cắt cao gây tụ điện Cπ: f  2 C1 r / /[Ri / / RTH  (  1) RE1 ] Với 𝐶𝑜𝑏 𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 𝑒𝑥𝑡 = → 𝐶1 = 0.491𝑛𝐹 → 𝑓1 ≈ 492,29𝑘𝐻𝑧 𝐶2 = 15,85pF → 𝑓2 ≈ 11,84MHz 𝐶3 = 210,52pF → 𝑓π ≈ 1,34MHz 𝑓H = {𝑓1 , 𝑓2 , 𝑓π } = 492,29 (kHz) 1nF F → 𝐶1 = 32,47𝑛𝐹 → 𝑓1 ≈ 7,44𝑘𝐻𝑧 Với 𝐶𝑜𝑏 𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 𝑒𝑥𝑡 = 1n 𝐶2 = 1,048nF → 𝑓2 ≈ 0,179MHz 𝐶3 = 210,52pF → 𝑓π ≈ 1,34MHz 𝑓H = {𝑓1 , 𝑓2 , 𝑓π } = 7,44 (kHz) Các kết thí nghiệm 3.1 Đo điểm làm việc tĩnh BJT Dựa vào thông số đo đạc LTSpice, ta có: 128,48 VBE= 𝑉B − 𝑉𝐸 = 0,6131V 𝐼𝐶𝑄 = 4,597 mA 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 5.238 𝑉 15 Tieu luan => Điểm tĩnh Q (4.597 mA; 5.238 𝑉) 3.2 Khảo sát độ lợi áp tần số dãy 𝑨𝑴 3.2.1 Mạch khuếch đại ghép E chung không hồi tiếp + Các thông số cài đặt mạch: Vin = 2mV f = 10KHz + Kết đo giá trị Vin Vout mạch: V(n002) 2.0mV 1.6mV 1.2mV 0.8mV 0.4mV 0.0mV -0.4mV -0.8mV -1.2mV -1.6mV -2.0mV V(vout) 200mV 160mV 120mV 80mV 3.8757949ms,121.69684mV 40mV 0mV -40mV 3.9261197ms,-122.59082mV -80mV -120mV -160mV -200mV -240mV 3.82ms Vout  Avmid 3.84ms 3.86ms 3.88ms 3.90ms 121.6968  122.5908  122,1438(V) V 122,1438  out    61, 07(V/ V) Vin Avmid (lý thuyết) = -59,68 (V/V) Tieu luan 3.92ms 3.94ms 3.96ms 3.98ms 3.2.2 Mạch khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp + Các thông số cài đặt mạch: Vin = 2mV f = 10KHz + Kết đo giá trị Vin Vout mạch: V(n002) 2.0mV 1.6mV 1.2mV 0.8mV 0.4mV 0.0mV -0.4mV -0.8mV -1.2mV -1.6mV -2.0mV V(vout) 40mV 32mV 3.8754592ms,39.340093mV 24mV 16mV 8mV 0mV -8mV -16mV -24mV 3.8255102ms,-39.282634mV -32mV -40mV -48mV 3.72ms 3.75ms 3.78ms 3.81ms 3.84ms 3.87ms 3.90ms 3.93ms 3.96ms 3.99ms 4.02ms 4.05ms Vout  Avmid 39,3401  39, 2826  39,3114(V) V 39,3114  out    19, 66(V/ V) Vin Avmid (lý thuyết) = -20,41 (V/V) 3.3 Khảo sát đáp ứng tần số tần số cao thấp 3.3.1 Mạch khuếch đại ghép E chung khơng hồi tiếp + Thí nghiệm 1: Cobext = (điện áp Vin=1V) 17 Tieu luan Cobext ac dec 100 1G Vout Vcc Vin AC 12 SINE() R21 FEEE - BEE BK C&M LAB TP.HCM 2SD592/3 Q3 S/N: BJ TLABSN001 2SD592/2 Q1 Q2 2SD592/1 C2 R9 R17 R4 R22 C3 R16 R14 R12 R3 R10 R23 C1 R7 R8 R11 R20 R19 R18 Sơ đồ mô LTSpice V(vout)/V(n004) 36dB 27dB -60° 4.6353648KHz,35.768662dB 148.36405Hz,32.520573dB 155.70684KHz,32.546959dB -90° 18dB -120° 9dB -150° 0dB -180° -9dB -210° -18dB -240° -27dB -270° -36dB -300° -45dB -330° -54dB -360° -63dB 1Hz 10Hz 100Hz 1KHz 10KHz 100KHz 1MHz 10MHz  Tần số cắt thấp fL (lý thuyết) = 143.09Hz, đo = 148.36Hz Tieu luan 100MHz -390° 1GHz  Tần số cắt cao fH (lý thuyết) = 159.33 kHz, đo = 155.71kHz + Thí nghiệm 2: Cobext = 15pF (điện áp Vin=1V) Cobext 15p Vcc ac dec 100 1G Vout Vin AC 12 SINE() 2SD592/3 Q3 C&M LAB TP.HCM S/N: BJ TLABSN001 2SD592/2 2SD592/1 C2 R9 Q1 Q2 R17 R11 R23 R21 FEEE - BEE BK R4 R22 C3 R16 R14 R12 R10 R3 C1 R7 R8 R20 R19 R18 Sơ đồ mô LTSpice V(vout)/V(n004) 36dB 27dB -90° 3.3456116KHz,35.768136dB 148.36405Hz,32.524289dB 84.105651KHz,32.403859dB -120° 18dB -150° 9dB -180° 0dB -210° -9dB -240° -18dB -270° -27dB -300° -36dB -330° -45dB -360° -54dB -390° -63dB 1Hz 10Hz 100Hz 1KHz 10KHz 100KHz 1MHz 10MHz 100MHz -420° 1GHz 19 Tieu luan  Tần số cắt thấp fL (lý thuyết) = 143.09Hz, đo = 148.36Hz  Tần số cắt cao fH (lý thuyết) = 83,79 kHz, đo = 84,11kHz + Thí nghiệm 3: Cobext = 30pF (điện áp Vin=1V) Sơ đồ mô LTSpice Tieu luan V(vout)/V(n004) 40dB -90° 30dB -120° 3.0010465KHz,35.767601dB 148.06877Hz,32.518979dB 52.808311KHz,32.7505dB 20dB -150° 10dB -180° 0dB -210° -10dB -240° -20dB -270° -30dB -300° -40dB -330° -50dB -360° -60dB -390° -70dB 1Hz 10Hz 100Hz 1KHz 10KHz 100KHz 1MHz 10MHz 100MHz -420° 1GHz  Tần số cắt thấp fL (lý thuyết) = 143.09Hz, đo = 148.06Hz  Tần số cắt cao fH (lý thuyết) = 56,84 kHz, đo = 52,81kHz 3.3.2 Mạch khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp + Thí nghiệm 1: Cobext = (điện áp Vin=1V) 21 Tieu luan Sơ đồ mô LTSpice Cobext 0p Vcc ac dec 100 1G Vout Vin AC 12 SINE() R22 C3 R16 R14 R12 R3 R10 R23 C1 R8 R7 FEEE - BEE BK 2SD592/3 Q3 C&M LAB TP H CM S/N: BJ TLABSN001 2SD592/2 Q1 Q2 R9 R11 R17 C2 R20 R19 2SD592/1 R4 R21 R18 V(vout)/V(n004) 42dB -100° 36dB 30dB -120° 4.8063809KHz,25.908208dB 51.884181Hz,22.8021dB 461.67426KHz,22.674228dB -140° 24dB -160° 18dB -180° 12dB -200° 6dB -220° 0dB -240° -6dB -260° -12dB -280° -18dB -300° -24dB -320° -30dB -340° -36dB -360° -42dB 1Hz 10Hz 100Hz 1KHz 10KHz 100KHz 1MHz  Tần số cắt thấp fL (lý thuyết) = 51.69Hz, đo = 51.88Hz  Tần số cắt cao fH (lý thuyết) = 492,29 kHz, đo = 461,67kHz Tieu luan 10MHz 100MHz -380° 1GHz + Thí nghiệm 1: Cobext = 1nF (điện áp Vin=1V) Cobext 1n Vcc Vout SINE() ac dec 100 1G 12 R16 Vin AC R22 C3 R14 R12 R3 R10 R23 C1 R7 R8 BK 2SD592/3 C&M LAB TP.HCM 2SD592/2 Q2 Q1 R17 R9 R11 R19 2SD592/1 C2 R20 Q3 S/N: BJ TLABSN001 R4 R21 FEEE - BEE R18 V(vout)/V(n004) 42dB -100° 36dB 30dB -120° 609.48783Hz,25.897155dB 51.884181Hz,22.827745dB 7.4238531KHz,22.716945dB -140° 24dB -160° 18dB -180° 12dB -200° 6dB -220° 0dB -240° -6dB -260° -12dB -280° -18dB -300° -24dB -320° -30dB -340° -36dB -360° -42dB 1Hz 10Hz 100Hz 1KHz 10KHz 100KHz 1MHz 10MHz 100MHz -380° 1GHz  Tần số cắt thấp fL (lý thuyết) = 51.69Hz, đo = 51.88Hz  Tần số cắt cao fH (lý thuyết) = 7,44 kHz, đo = 7,42kHz 23 Tieu luan Phân tích kết so sánh 4.1 Sai số độ lợi áp tần số dãy 𝑨𝒗𝒎𝒊𝒅 : 4.1.1 Sai số độ lợi áp tần số dãy 𝐴𝑣𝑚𝑖𝑑 mạch khuếch đại ghép E chung không hồi tiếp:  Lý thuyết: 𝐴𝑣𝑚𝑖𝑑𝑙𝑡 =  Đo: 𝐴𝑣𝑚𝑖𝑑đ𝑜 = 𝑉𝑜 = −59.68( 𝑉/𝑉) 𝑉𝑖 𝑉𝑜𝑢𝑡 122,1438 =− = −61,07( 𝑉/𝑉) 𝑉𝑖𝑛  Sai số: % Sai số = | 𝐴𝑣𝑚𝑖𝑑đ𝑜−𝐴𝑣𝑚𝑖𝑑𝑙𝑡 𝐴𝑣𝑚𝑖𝑑𝑙𝑡 |=| −61,07−(−59.68) −59.68 |.100%= 2.33% 4.1.2 Sai số độ lợi áp tần số dãy 𝐴𝑣𝑚𝑖𝑑 mạch khuếch đại ghép E chung hồi có tiếp:  Lý thuyết: 𝐴𝑣𝑚𝑖𝑑𝑙𝑡 =  Đo: 𝐴𝑣𝑚𝑖𝑑đ𝑜 = 𝑉𝑜 = −20,41 (𝑉/𝑉) 𝑉𝑖 𝑉𝑜𝑢𝑡 39.3114 =− = −19.66 ( 𝑉/𝑉) 𝑉𝑖𝑛  Sai số: % Sai số = | 𝐴𝑣𝑚𝑖𝑑đ𝑜−𝐴𝑣𝑚𝑖𝑑𝑙𝑡 𝐴𝑣𝑚𝑖𝑑𝑙𝑡 |=| −19.66−(−20,41) −20,41 |.100%= 3.67% 4.2 Sai số tần số cắt gây tụ điện C: 4.2.1 Sai số tần số cắt gây tụ điện C mạch khuếch đại ghép E chung không hồi tiếp: a) Tần số cắt thấp( thí nghiệm với 𝐶𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 = 0( 𝐹), 𝐶𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 = 15( 𝑝𝐹), 𝐶𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 = 30( 𝑝𝐹)):  Lý thuyết: 𝑓𝐿𝑙𝑡 = 𝑚𝑎𝑥{𝑓𝑝1, 𝑓𝑝2 , 𝑓𝑝3 } = 143.09( 𝐻𝑧)  Đo: Tieu luan 𝑓𝐿đ𝑜 = 148.36( 𝐻𝑧)  Sai số: % Sai số = | 𝑓𝐿đ𝑜−𝑓𝐿𝑙𝑡 𝑓𝐿𝑙𝑡 |=| 148.36−(143.09) b) Tần số cắt cao:  Thí nghiệm với 𝐶𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 = 0( 𝐹):  Lý thuyết: |.100%= 3.68% 143.09 𝑓𝐻𝑙𝑡 = 𝑚𝑖𝑛{𝑓1 , 𝑓2 } = 159,33 (𝑘𝐻𝑧)  Đo: 𝑓𝐻đ𝑜 = 155.71( 𝑘𝐻𝑧)  Sai số: % Sai số = | 𝑓𝐻đ𝑜−𝑓𝐻𝑙𝑡 𝑓𝐻𝑙𝑡 |=| 155.71−(159,33 ) 159,33  Thí nghiệm với 𝐶𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 = 15( 𝑝𝐹):  Lý thuyết: |.100%= 2.27% 𝑓𝐻𝑙𝑡 = 𝑚𝑖𝑛{𝑓1 , 𝑓2 } = 83,79 (𝑘𝐻𝑧)  Đo: 𝑓𝐻đ𝑜 = 84,11( 𝑘𝐻𝑧)  Sai số: % Sai số = | 𝑓𝐻đ𝑜−𝑓𝐻𝑙𝑡 𝑓𝐻𝑙𝑡 |=| 84,11−(83,79 ) 83,79 |.100%= 0.38%  Thí nghiệm với 𝐶𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 = 30( 𝑝𝐹):  Lý thuyết: 𝑓𝐻𝑙𝑡 = 𝑚𝑖𝑛{𝑓1 , 𝑓2 } = 56,84 (𝑘𝐻𝑧)  Đo: 𝑓𝐻đ𝑜 = 52,81( 𝑘𝐻𝑧)  Sai số: 25 Tieu luan % Sai số = | 𝑓𝐻đ𝑜−𝑓𝐻𝑙𝑡 𝑓𝐻𝑙𝑡 |=| 52,81−(56,84 ) 56,84 |.100%= 7.10% 4.2.2 Sai số tần số cắt gây tụ điện C mạch khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp: a) Tần số cắt thấp( thí nghiệm với 𝐶𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 = 0( 𝐹), 𝐶𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 = 1( 𝑛𝐹)):  Lý thuyết: 𝑓𝐿𝑙𝑡 = 𝑚𝑎𝑥{𝑓𝑝1, 𝑓𝑝2 , 𝑓𝑝3 } = 51.69( 𝐻𝑧)  Đo: 𝑓𝐿đ𝑜 = 51.88( 𝐻𝑧)  Sai số: % Sai số = | 𝑓𝐿đ𝑜−𝑓𝐿𝑙𝑡 𝑓𝐿𝑙𝑡 |=| 51.88−(51.69) 51.69 |.100%= 0.37% b) Tần số cắt cao:  Thí nghiệm với 𝐶𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 = 0( 𝐹):  Lý thuyết: 𝑓𝐻𝑙𝑡 = 𝑚𝑖𝑛{𝑓1 , 𝑓2 } = 492,29 (𝑘𝐻𝑧)  Đo: 𝑓𝐻đ𝑜 = 461,67( 𝑘𝐻𝑧)  Sai số: % Sai số = | 𝑓𝐻đ𝑜−𝑓𝐻𝑙𝑡 𝑓𝐻𝑙𝑡 |=| 461,67−(492,29 )  Thí nghiệm với 𝐶𝑜𝑏𝑒𝑥𝑡 = 1( 𝑛𝐹):  Lý thuyết: 492,29 |.100%= 6.22% 𝑓𝐻𝑙𝑡 = 𝑚𝑖𝑛{𝑓1 , 𝑓2 } = 7,44 (𝑘𝐻𝑧)  Đo: 𝑓𝐻đ𝑜 = 7,42( 𝑘𝐻𝑧)  Sai số: Tieu luan % Sai số = | 𝑓𝐻đ𝑜−𝑓𝐻𝑙𝑡 𝑓𝐻𝑙𝑡 |=| 7,42−(7,44 ) 7,44 |.100%= 0.27% Kết luận chung 5.1 Đo phân cực DC - tính từ thực nghiệm nằm khoảng cho phép BJT = 128.48 - Giá trị đo mơ nên xác với lý thuyết: (4.597 mA; 5.238 𝑉) mô so với (4.79 𝑚𝐴, 5.22 ) tính tốn lý thuyết 5.2 Đo Av xác định giá trị đáp ứng tần số - Qua việc thí nghiệm giúp thể ảnh hưởng tụ coupling tụ bypass tới tần số cắt mạch khuếch đại Dạng đáp ứng tần số giá trị độ lợi áp lý thuyết thực nghiệm tương tự - Mạch khuếch đại E chung có hồi tiếp có thêm điện trở 𝑅𝐸 giúp ổn định phân cực nên độ lợi áp khơng chênh lệch nhiều - Qua kết thí nghiệm ta thấy mạch khuếch đại có hồi tiếp có độ lợi tần số dãy nhỏ độ lợi dãy mạch khuếch đại không hồi tiếp Tuy nhiên băng thơng mạch khuếch đại có hồi tiếp rộng so với băng thông mạch không hồi tiếp Vì tùy theo ứng dụng mà ta tùy chỉnh loại có khơng có hồi tiếp cho phù hợp - 27 Tieu luan ... luận chung .27 Tieu luan Tieu luan Tieu luan Bài 4: KHẢO SÁT ĐÁP ỨNG TẦN SỐ MẠCH KHUẾCH ĐẠI BJT GHÉP E CHUNG I Giới thiệu chung Mục tiêu thí nghiệm Khảo sát đáp ứng tần số mạch khuếch đại. .. r  RE1 (  1) RTH / /[r  R E1 (  1)] R i 2.3 Khảo sát đáp ứng tần số mạch khuếch đại ghép E chung tần số thấp 2.3.1 Mạch khuếch đại ghép E chung không hồi tiếp - Xét tụ