Luận án nghiên cứu thiết kế và chế tạo thiết bị ghi đo bức xạ hiện trường sử dụng kỹ thuật xử lý tín hiệu số (dsp) vào mảng các phần tử logic lập trình (fpga)

MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Thiết bị trinh sát phát phóng xạ, hạt nhân đại có thành phần quan trọng hệ đo phổ xạ gamma Các tinh thể nhấp nháy LaBr3, CeBr3, CsI(Tl) có độ nhạy độ phân giải lượng cao; kỹ thuật điện tử đại phát triển kết hợp thuật tốn thơng minh kỹ thuật xử lý tín hiệu số (DPP) - thành phần hệ trinh sát phóng xạ - xu hướng nghiên cứu ngày sử dụng vào lĩnh vực Để làm chủ lĩnh vực nghiên cứu thiết kế, chế tạo hệ thống trinh sát phóng xạ trang bị cho Quân đội, đề tài nghiên cứu: “Nghiên cứu thiết kế chế tạo thiết bị ghi đo xạ trường sử dụng kỹ thuật xử lý tín hiệu số (DSP) vào mảng phần tử logic lập trình (FPGA)” NCS chọn lựa Mục tiêu luận án Mục tiêu luận án nghiên cứu chế tạo hệ phân tích phổ gamma - thành phần hệ trinh sát phát phóng xạ Như vậy, việc cần làm là: i) Chế tạo detector nhấp nháy tiêu thụ lượng nhỏ gọn; ii) Chế tạo hệ phân tích phổ sở DPP Cụ thể là: - Thiết kế, chế tạo detector nhấp nháy sử dụng APD thay cho PMT để giảm khối lượng, kích thước detector Trong detector chứa tinh thể nhấp nháy loại CsI(Tl) LaBr3(Ce), APD, tiền khuếch đại, khuếch đại khối nguồn nuôi - Nghiên cứu, xây dựng phương pháp nhằm áp dụng detector điều kiện trường (outdoor) với điều kiện nhiệt độ độ ẩm thay đổi mạnh, cường độ sóng điện, từ trường lớn - Thiết kế, chế tạo hệ phân tích phổ đa kênh sử dụng kỹ thuật xử lý số Nội dung cần thực Với mục tiêu tổng quát nêu trên, luận án cần giải nội dung sau: 1 Lựa chọn loại vật liệu nhấp nháy, tính tốn thiết kế hệ detector với tinh thể nhấp nháy loại CsI(Tl) LaBr3(Ce), sử dụng APD thay cho PMT truyền thống Thiết kế thuật toán cho DMCA dựa FPGA Thử nghiệm hàm lọc số ngơn ngữ lập trình khác VDHL, C++, MATLAB LabView,… để lựa chọn firmware cài đặt Các chương trình thử nghiệm hệ mô với xung mẫu (dựng kỹ thuật mô thu thập từ loại detector cụ thể) Thiết kế phần cứng hệ detector hệ điện tử theo yêu cầu toán đo Xây dựng phương pháp hiệu chỉnh phổ cho detector nhấp nháy với hệ điện tử thiết kế Đánh giá đặc trưng kỹ thuật thiết bị chế tạo Ý nghĩa khoa học luận án 4.1 Ý nghĩa phương pháp - Giải mã kỹ thuật để detector có độ phân giải hiệu suất ghi cao tính tốn lý thuyết nhằm nội địa hóa việc chế tạo detector nhấp nháy - Giải mã kỹ thuật để nội địa hóa (tiến đến sản xuất hàng hoạt) hệ DMCA phân tích phổ xạ hạt nhân - Tìm kiếm giải pháp sử dụng hệ đo trời (nhiệt độ độ ẩm thăng giáng) 4.2 Các kết cụ thể Về detector: Luận án chế tạo thử nghiệm thành công 02 detector nhấp nháy CsI(Tl) LaBr3(Ce), với đặc trưng sau: - Detector nhấp nháy bao gồm tinh thể CsI(Tl) + S8664-0505 + CR-110, độ phân giải đạt 8,74% với nguồn 137Cs với tham số thiết lập: Điện áp bias 385 V, điện trở bias 100 MΩ số thời gian tạo dạng µs - Hệ detector nhấp nháy bao gồm tinh thể LaBr3(Ce) + S8664-1010 + eV 5093, độ phân giải đạt 4,02% với nguồn 137 Cs với tham số thiết lập: Điện áp bias 345 V, điện trở bias 200 MΩ số thời gian tạo dạng µs Về hệ thống DMCA: Đã chế tạo loại DMCA có hiệu cao điều chỉnh tùy biến phụ thuộc vào mục đích sử dụng Tất thuật tốn phân tích xung kết hợp với lọc FIR CR tích hợp FPGA Về hệ thống ổn định phổ: Phương pháp ổn định phổ cho kết khả quan, sai số tương đối vị trí đỉnh sau hiệu chỉnh vị trí đỉnh nhiệt độ tham chiếu < 2% toàn dải nhiệt độ khảo sát từ 0,4℃ đến 45℃ Giá trị thực tiễn luận án - Đảm bảo khả nội địa hóa, chủ động chế tạo với khả sản xuất nhanh ổn định, bảo trì bảo dưỡng hệ phân tích phổ - Khả cung cấp cho thị trường nội địa không phạm vi sản phẩm quốc phịng mà cịn có tiềm phát triển thiết bị ghi đo phóng xạ, hạt nhân lĩnh vực y tế đào tạo Bố cục luận án Luận án gồm phần Mở đầu, Chương phần Kết luận bao gồm: Chương 1: Nhu cầu thực tiễn tình hình nghiên cứu thiết kế chế tạo trang thiết bị trinh sát phát phóng xạ: Tổng quan tình hình kết luận kết nghiên cứu có giới nước Lựa chọn mục tiêu cụ thể phương hướng chế tạo trang thiết bị trinh sát phát phóng xạ trường Chương 2: Thiết kế, chế tạo detector nhấp nháy sử dụng PIN photodiode hệ thống xử lý số tín hiệu dựa mảng linh kiện lập trình: Cơ sở khoa học việc lựa chọn, tính tốn thiết kế hệ detector nhấp nháy sử dụng PIN photodiode; Giải vấn đề chế tạo phân tích đa kênh kỹ thuật số dựa sở giải thuật xung số; Phương thức giải vấn đề dịch chuyển phổ xạ gamma detector nhấp nháy (thay đổi vị trí độ rộng đỉnh), Chương 3: Các kết chế tạo trang thiết bị trinh sát phát phóng xạ thảo luận Kết luận Kiến nghị Danh mục cơng trình cơng bố liên quan đến luận án Tài liệu tham khảo Phụ lục CHƯƠNG NHU CẦU THỰC TIỄN VÀ TÌNH HÌNH NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ, CHẾ TẠO TRANG THIẾT BỊ TRINH SÁT PHÁT HIỆN PHÓNG XẠ Thiết bị trinh sát phát phóng xạ, hạt nhân sử dụng để quan trắc, thu thập thông tin trường xạ từ hoạt động phóng xạ, hạt nhân tai nạn hạt nhân Các thiết bị trinh sát xạ hạt nhân giới nói chung gồm loại máy đếm tia xạ máy đo phổ (nếu lấy tổng diện tích phổ cung cấp thơng tin máy đếm tia xạ - thông qua phương pháp chuyển phổ thành liều) Số liệu thu số đếm, tốc độ đếm phổ tia xạ (phân bố số đếm theo lượng), chuyển sang liều xạ suất liều xạ Các máy đếm tia xạ nói chung có cấu trúc đơn giản, thường ống đếm GM kết hợp với đếm xung hiển thị Các máy đo phổ phức tạp detector, tiền khuếch đại, khuếch đại phổ hệ thống phân tích phổ biên độ xung lưu trữ Ngày thiết bị trinh sát phát phóng xạ, hạt nhân sử dụng phổ biến quốc gia giới, kể nước chưa có sở hạ tầng hạt nhân, đặc biệt hệ thống quan trắc phóng xạ mơi trường (ERMSs) Hiện có nhiều cấu hình thiết bị trinh sát phát phóng xạ, hạt nhân phát triển giới [17] Ví dụ, Tachimori Ohba cộng thiết kế thuật toán mạch chuyển đổi suất liều chiếu từ detector sử dụng tinh thể NaI(Tl) thành hệ thống đo suất liều chiếu sử dụng lò phản ứng nước nhẹ [1] Trong đó, cơng trình [2, 3] phát triển thiết bị quan trắc cầm tay kết nối mạng đo theo thời gian thực, thiết bị sử dụng đường thuê bao kỹ thuật số (DSL) kỹ thuật định dạng internet di động (IP) Sau cố nhà máy điện hạt nhân Fukushima Daiichi, để giảm chi phí sản xuất dễ dàng vận hành, thao tác thu thập số liệu suất liều gamma mơi trường xác cho ERMSs, Yang Ishigaki cộng phát triển thiết bị đo phóng xạ mơi trường việc sử dụng detector p-i-n photodiode kết nối với điện thoại di động thông minh qua cáp microphone phần mềm chạy tảng iOS [4] Hiện nay, số cấu hình ERMSs hãng thương mại bảo hộ thông qua sáng chế [5, 6, 7] Tuy nhiên, sử dụng thiết bị khơng có giá thành cao mà cịn khó khăn vận hành, sửa chữa bảo dưỡng định kỳ Hơn nữa, chế, thuật toán báo động, vấn đề quan trọng, đề cập đầy đủ tài liệu kèm theo hãng thương mại Cùng với phát triển kỹ thuật điện tử công nghệ vật liệu, loại thiết bị trinh sát phát phóng xạ, hạt nhân phát triển nghiên cứu cải tiến không ngừng Trong kỹ thuật tiên tiến nay, mảng phần tử logic lập trình (FPGA) kỹ thuật xử lý xung số (DSP) ứng dụng rộng rãi việc phát triển loại thiết bị trinh sát phát phóng xạ, hạt nhân [8 ,9] Kỹ thuật cho phép thiết kế thiết bị đo hệ có ưu điểm vượt trội là: giá thành thấp, dễ sử dụng, nhỏ gọn tiêu hao lượng Hơn nữa, thuật tốn thơng, minh ứng dụng trí tuệ nhân tạo, máy học tiếp tục hoàn thiện để đưa số liệu xác, chi tiết tin cậy 1.1.Nhu cầu thực tiễn 1.1.1 Tình hình sử dụng trang thiết bị trinh sát xạ giới Theo thống kê [10], từ năm 1980 đến 2013, giới xảy 634 vụ tai nạn xạ hạt nhân, đó, có 100 cố tai nạn xạ hạt nhân nghiêm trọng điển hình vụ Chernobyl (1986), Fukushima (2011),… Khi cố hạt nhân vụ thử hạt nhân xảy ra, việc quan trọng xác định vị trí đặc tính việc để đánh giá hậu đưa hành động thích hợp nhằm tránh hậu ảnh hưởng lâu dài đến người môi trường sinh thái Ngoài ra, trước xuất gia tăng vụ thử vũ khí hạt nhân cơng suất thấp, việc xây dựng ạt nhà máy điện hạt nhân nhiều quốc gia thách thức an ninh phi truyền thống đòi hỏi phải nghiên cứu chế tạo phát triển trang thiết bị trinh sát phóng xạ mà thành phần hệ ghi đo xạ Hơn nữa, với phát triển kinh tế, hầu hết quốc gia giới cần có thiết bị ghi đo xạ để sử dụng đào tạo, y học hạt nhân, kiểm soát cửa nhiều ứng dụng khác Đối với thiết bị dạng kết nối mạng quan trắc liên tục phóng xạ 24/24h, nước phát triển Phần Lan, Canada, Đức, Pháp, Mỹ,… trang bị hệ thống quan trắc phóng xạ trực tuyến (gọi tắt trạm) Các trạm thường hoạt động trạng thái cố định di động Đối với lực lượng kiểm soát phóng xạ, hạt nhân như: hải quan, biên phịng, lực lượng ứng phó, sát,… trang thiết bị cầm tay gọn, nhẹ để kiểm sốt phóng xạ thiếu 1.1.2.Nhu cầu quan trắc môi trường, phục vụ đào tạo Việt Nam Ngày nay, số lượng nhà máy điện hạt nhân ngày tăng nhanh nước láng giềng Trung Quốc Chiến lược phát triển điện hạt nhân quốc gia mở rộng xuống phía Nam phát triển nhà máy điện hạt nhân Biển Đông, Việt Nam quốc gia nằm khu vực dễ bị ảnh hưởng phía luồng khơng khí vận chuyển mùa Thu, Đông Xuân Thêm vào đó, hoạt động khai khống mỏ quặng chứa phóng xạ nhà máy nhiệt điện thải vào mơi trường xỉ than có chứa phóng xạ vấn đề quan trọng cần giám sát, theo dõi Ngoài ra, thiết bị ghi đo xạ sử dụng đào tạo đại học, y học xạ trị hạt nhân, kiểm soát an ninh xạ cửa nhiều ứng dụng kinh tế kỹ thuật khác 1.1.3 Các hệ đo hướng tới gọn nhẹ tiết kiệm lượng Theo phát triển công nghệ, hệ đo phóng xạ nói chung hệ trinh sát phóng xạ nói riêng hướng tới gọn, nhỏ tiết kiệm lượng Các hệ trinh sát phóng xạ hệ điện tử chuyển từ giai đoạn lắp ráp bóng đèn điện tử, bóng bán dẫn, mạch tích hợp (IC) sang mạch tích hợp với vi điều khiển mảng linh kiện tích hợp bậc cao FPGA kết hợp với Flash ADC Hiện tại, hệ đo loại xử lý tín hiệu số chương trình nhúng (firmware) người thiết kế tạo nên Đi kèm với phát triển công nghệ linh kiện, phần mềm gốc phong phú có hỗ trợ q trình thiết kế [11] [12] 1.1.4 Yêu cầu làm chủ công nghệ Một yêu cầu khắt khe công nghiệp quốc phịng phải đảm bảo ln sẵn sàng chiến đấu kể số lượng lẫn chất lượng Do đó, phương tiện trang thiết bị phải chủ động sửa chữa, lắp ráp bảo dưỡng (cho dù phương tiện trinh sát phóng xạ chiếm tỷ lệ nhỏ chi phí quốc phịng) Việc mua trọn vẹn thiết bị trinh sát phóng xạ từ nước ngồi giúp nhanh có phương tiện sử dụng Mỗi có trục trặc, hỏng hóc lại phải gửi sửa chữa tốn kinh phí, thời gian chờ đợi khơng có phương tiện sử dụng khoảng thời gian Vì lẽ vậy, cần thiết có nghiên cứu chế tạo thiết bị trinh sát phóng xạ để làm chủ sản xuất, bảo dưỡng, sửa chữa thay thế, giảm lệ thuộc bảo trì, bảo dưỡng vào nước ngồi 1.1.5 Khả chế tạo nhanh, chất lượng ổn định nguồn linh kiện vật tư Từ ngày hình thành đến nay, ngành hạt nhân Việt Nam có nhiều đề tài, luận án [13, 14] nghiên cứu chế tạo thiết bị quan trắc trinh sát phóng xạ, đo liều xạ đo phổ xạ Tuy nhiên, hầu hết nghiên cứu dừng việc chế tạo vài mẫu máy theo kinh phí đề tài Một lý lớn chế tạo hệ đo phóng xạ linh kiện rời, thuộc loại hệ tương tự đòi hỏi nhiều thời gian để hiệu chỉnh, điều kiện kỹ thuật mạch in, thiết bị kiểm tra thông số linh kiện chưa đáp ứng Việc số hóa hệ đo cho phép chế tạo hàng loạt, nhanh chất lượng ổn định sau nghiên cứu xong Đề tài cấp Bộ Quốc phòng: “Nghiên cứu thiết kế, chế tạo thiết bị quan trắc liên tục xạ gamma môi trường dùng cho trạm cố định sử dụng kỹ thuật truyền liệu vệ tinh” thuộc Chương trình KHCN cấp Bộ Quốc phịng: “Nghiên cứu kỹ thuật, an tồn hạt nhân đảm bảo sẵn sàng chiến đấu cho Quân đội giai đoạn 20162020 định hướng tới năm tiếp theo”, mã số KC.AT [15] ví dụ cho đánh giá 1.2 Tình hình nghiên cứu chế tạo giới 1.2.1 Tổng quan nghiên cứu chế tạo detector nhấp nháy không dùng PMT giới Những ý tưởng chế tạo detector nhấp nháy không dùng PMT mà dùng PIN photodiode để biến chùm photon chất nhấp nháy phát thành tín hiệu điện nghiên cứu ghi đo xạ máy gia tốc năm 1960 loại đầu đo tiêu thụ lượng ít, gọn nhẹ có độ bền cao đặc biệt khơng ảnh hưởng từ trường [16] Sau đó, tác giả [17, 18] ghép nối tinh thể nhấp nháy hữu với PIN photodiode để thiết kế hệ phân tích thời gian với chất nhấp nháy nhanh Do PIN photodiode khơng có khuếch đại nội nên người ta nghĩ đến việc sử dụng Alavanche Photodiode (APD) để tín hiệu trở nên lớn hơn, tăng tỷ số tín hiệu tạp âm, nhiên cơng nghệ chế tạo thời dẫn đến không ổn định APD nên hướng phát triển chủ yếu áp dụng hệ đo thuộc lĩnh vực vật lý lượng cao Các ý tưởng sử dụng PIN photodiode tiếp tục trì phát triển sang hướng xây dựng hệ đo phổ gamma Nghiên cứu đạt thành tích đáng kể nhóm U Kilgusthực [19] Năm 1985, M R Squillante cộng công bố số kết xây dựng hệ đo dùng detector nhấp nháy gắn APD diện tích lớn để đo xạ gamma [21] Trên Hình 1.1 [21] phổ thu gắn tinh thể nhấp nháy NaI(Tl) với APD đo vạch 662 keV đồng vị 137Cs Rõ ràng là, với APD có diện tích lớn hơn, tạp âm lớn (Hình 1.1b) Lý đơn giản APD có diện tích lớn có điện dung lớn vậy, tiếng ồn lối tiền khuếch đại cao Kết ngưỡng cắt phổ Hình 1.1b cao ngưỡng cắt phổ Hình 1.1a Tất nhiên độ phân giải lượng đỉnh ứng với hệ có APD kích thước nhỏ tốt độ phân giải hệ có APD với kích thước lớn Hình 1.1 Phổ 137Cs, đỉnh lượng 662 keV thu gắn APD với NaI(Tl) [21] a SiAPD có đường kính 2,5 cm, FWHM = 8,5% b SiAPD có đường kính 3,7 cm, FWHM = 10,5% Năm 1992, M Suffert tổng kết lại tình hình nghiên cứu chế tạo detector nhấp nháy không sử dụng PMT [20] từ năm 1962 đến 1992 Trong công bố này, M Suffert khả phát triển mạnh mẽ ứng dụng sử dụng detector nhấp nháy không sử dụng PMT Ngoài lý khả làm việc từ trường mạnh, tiết kiệm lượng có độ bền cao, việc sử dụng phương thức ghép nhấp nháy với APD cịn có lợi lớn chế tạo hệ detector nhạy vị trí, có kích thước với tiết diện cỡ mm2 - điều đạt với detector nhấp nháy sử dụng PMT thông thường Cũng từ [21], cho thấy xuất vấn đề sau: - Thứ nhất, thân APD detector bán dẫn thuộc loại Si nên có khả ghi lượng tử gamma mềm tia X Trong trường hợp này, điện tích tạo ví dụ với photon có lượng 100 keV vào cỡ (chưa tính đến khuếch đại) 28.000 cặp electron-lỗ trống Trong đó, tia gamma có lượng 511 keV tương tác với tinh thể nhấp nháy NaI(Tl) tạo photon đến APD để tạo khoảng 16.000 cặp electron-lỗ trống Như vậy, cần lưu ý điều trình thiết kế detector với tinh thể nhấp nháy có độ dày đủ lớn nhằm giảm gamma mềm đến APD (tính tốn nói nêu Phụ lục 1) Hoặc sử dụng loại APD có độ dày nhỏ có phản xạ ngược ánh sáng để hấp thụ hết photon sáng từ tinh thể nhấp nháy, điển hình loại photodiode S12497 hãng Hamamatsu - Thứ hai, vấn đề sử dụng APD với kích thước lớn đồng nghĩa với điện dung lối vào tiền khuếch đại lớn, vậy, kéo theo tiếng ồn lối tiền khuếch đại tăng lên, dẫn đến độ phân giải lượng hệ tồi Nếu tăng điện áp bias đặt lên APD điện dung APD giảm lại làm tăng khả ghi gamma mềm Hơn nữa, dòng rò APD tăng lên lại làm tiếng ồn tăng Ngồi ra, tăng điện áp bias hệ số khuếch đại tăng, tất nhiên việc tăng làm cho hệ nhạy cảm với nhiệt độ môi trường đo [22] Theo đánh giá F Knoll [24], quang đi-ốt mang đến lợi hiệu suất lượng tử cao hơn, có khả cho độ phân giải lượng tốt hơn, tiêu thụ lượng thấp hơn, kích thước nhỏ gọn hơn, độ bền học cải thiện so với ống PMT sử dụng detector nhấp nháy Các quang đi-ốt gần không nhạy với từ trường đó, thay thí nghiệm mà trường từ mạnh ngăn cản việc sử dụng ống PMT 10 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Tachimori Ohba, Satsuharu Takimoto, Yoshio Kitada, Tomio Tsunoda, Akira Kobayashi, Kenji Ishida, “Environmental Radiation Monitoring System Development for Atmospheric Plumes from Light Water Reactor Nuclear Power Plants”, Radiation Biology and Environment, Nuclear Technology, Vol 56, pp.580-590,1982 [2] Eran Vax, Benny Sarusi, Mati Sheinfeld, Shmuel Levinson, Irand Brandys, Eliezer Marcus, Alon Osovizky Yagil Kadmon and Yossi Cohen, “An Integrated Approach for Multi-Purpose fast Deployment Environmental Radiation Monitoring System”, IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record, pp.912-913,2009 [3] Ch Wedekind, G Schilling, M Gruttmuller, K Becker, “Gamma-radiation Monitoring Network at sea”, Applied Radiation and Isotopes 50, pp.733-741,1999 [4] Yang Ishigaki, Yoshinori Matsumoto, Ryo Ichimiya, and Kenji Tanake, “Development of Mobile Radiation Monitoring System Utilizing Smartphone and Its Field Tests in Fukyshima”, IEEE Sensors Journal, Vol 13, No 10, 2013 [5] James Grichnik, “Radiation monitoring system” U.S Patent US20050242289A1, issued November 03, 2005 [6] Zhengyi Yang, “Environmental radiation remote early warning monitoring system” China Patent CN105589088A, issued May 18, 2016 [7] SARA-80X, (ENVINET GmbH), Hans-Pinsel-Str 4, 85540 Haar / Munich, Germany [8] Dag Stranneby, Digital Signal Processing, Jordan Hill, Elsevier Science, 2014 [9] Amara, A., Amiel, F., & Ea, T FPGA vs ASIC for low power applications Microelectronics Journal, 37(8), 669–677, 2006 [10] Coeytaux, K., Bey, E., Christensen, D., Glassman, E S., Murdock, B., & Doucet, C Reported Radiation Overexposure Accidents Worldwide, 1980-2013: A Systematic Review PLOS ONE, 10(3), e0118709, 2015 [11] Lennart Devell, Bent Lauritzen, Radiological Emergency Monitoring Systems in 120 the Nordic and Baltic Sea Countries, NKS-28, ISBN 87-7893-079-0, 2001 [12] SIG-A4E-Rev9-1806141, (Kromek Group plc), NETPark Thomas Wright Way Sedgefeld County Durham TS21 3FD UK [13] Lưu Tam Bát, Báo cáo Tổng kết đề tài cấp Nhà nước “Nghiên cứu thiết kế lắp ráp phổ kế ion linh động thiết bị đo cường độ phóng xạ”, Chương trình KC-05, mã số KC.05.15/06-10, Hà Nội, 2012 [14] Đặng Quang Thiệu, Báo cáo Tổng kết đề tài “Nghiên cứu chế tạo thiết bị quan trắc, cảnh báo sơm xạ”, Đề tài cấp Bộ KH&CN, mã số: ĐT/01-08/NLNT, 2010 [15] Đinh Tiến Hùng, Báo cáo Tổng kết đề tài “Nghiên cứu thiết kế chế tạo thiết bị quan trắc liên tục xạ gamma môi trường dùng cho trạm cố định sử dụng kỹ thuật truyền liệu vệ tinh”, Chương trình KC.AT, Hà Nội, 2019 [16] Tuzzolino, A J., Hubbard, E L., Perkins, M A., & Fan, C Y Photoeffects in Silicon Surface‐Barrier Diodes Journal of Applied Physics, 33(1), 148–155, 1962 [17] Jarron, P., & Goyot, M A fast current sensitive preamplifier (MSD2) for the silicon microstrip detector Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 226(1), 156–162, 1984 [18] Hall, G., Robinson, D., & Siotis, I Evaluation of the performance of silicon photodiodes in combination with plastic scintillators Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 245(2-3), 344–350, 1986 [19] U Kilgus, R Kotthaus and E Lange, Prospects of CsI(T1)-photodiode detectors for low-level spectroscopy, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A297, 425-440, 1990 [20] M Suffert, Silicon photodiode readout of scintillators and associated electonics, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A322, 523-525, 1992 [21] Squillante, M R., Reiff, G., & Entine, G Recent Advances in Large Area Avalanche Photodiodes IEEE Transactions on Nuclear Science, 32(1), 563–566, 1985 121 [22] Si APD S8664 series (Hamamatsu Photonics K.K), 325-6, Sunayama-cho, Nakaku, Hamamatsu City, Shizuoka, 430-8587, Japan [23] Lightstone, A W., McIntyre, R J., Lecomte, R., & Schmitt, D A Bismuth Germanate-Avalanche Photodiode Module Designed for Use in High Resolution Positron Emission Tomography IEEE Transactions on Nuclear Science, 33(1), 456–459, 1986 [24] G F Knoll, “Radiation detection and measurement”, 4th ed., John Wiley & Sons, Inc., 2010 [25] Hall, G., Robinson, D., Seez, C., & Siotis, I A Scintillator-Photodiode Position Detector IEEE Transactions on Nuclear Science, 33(1), 310–313, 1986 [26] Gong, W G., Kim, Y D., Poggi, G., Chen, Z., Gelbke, C K., Lynch, W G., … Kwiatkowski, K Resolution tests of CsI(Tl) scintillators read out by pin diodes Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 268(1), 190–199, 1988 [27] Glasow, R., Kampert, K.-H., Löhner, H., Beckmann, P., & Santo, R Light particle detection by BGO scintillators with photodiode readout Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 228(2-3), 354–358, 1985 [28] Groom, D E Silicon photodiode detection of bismuth germanate scintillation light Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 219(1), 141–148, 1984 [29] Iwanczyk, J S., Barton, J B., Dabrowski, A J., Kusmiss, J H., Szymczyk, W M., Huth, G C., … Lynn, R Scintillation spectrometry with HgI2 as the photodetector Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 213(1), 123–126, 1983 [30] Markakis, J., Ortale, C., Schnepple, W., Iwanczyk, J., & Dabrowski, A Mercuric Iodide Photodetectors for Scintillation Spectroscopy IEEE Transactions on Nuclear Science, 32(1), 559–562, 1985 [31] Gascon, M., Alvarez-Pol, H., Benlliure, J., Casarejos, E., Cortina-Gil, D., & Duran, I 122 Optimization of Energy Resolution Obtained With CsI(Tl) Crystals for the R3B Calorimeter IEEE Transactions on Nuclear Science, 55(3), 1259–1262, 2008 [32] Jin Hyoung Bai, Joo Ho Whang The Optimization of CsI(Tl)-PIN Photodiode for High-Energy Gamma-Ray Detection NuclearScience and Technology, Vol 1, p.308-311, 2011 [33] Vydai, Y T., Tarasov, V A., Kudin, A M., Andryushchenko, L A., Ananenko, A A., Kilimchuk, I V., … Klimov, A V Stability of spectrometric characteristics of CsI:Tl detectors depending on the surface treatment method Instruments and Experimental Techniques, 49(3), 314–317, 2006 [34] Kim, K H., Kim, Y S., & Kim, J S Signal and noise performance of large-area PIN photodiodes and charge-sensitive preamplifiers for gamma radiography Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 591(1), 63–66, 2008 [35] Jeremy Flamanc, Csaba Rozsa Compact brillance gamma ray detector with SiAPD readout AIP conference procceedings March, 2009 [36] Scafè, R., Pani, R., Pellegrini, R., Iurlaro, G., Montani, L., & Nerina Cinti, M SiAPD readout for LaBr3:Ce scintillator Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 571(1-2), 355–357, 2007 [37] Georgiev, A., & Gast, W (n.d.) Digital pulse processing in high-resolution, highthroughput, gamma-ray spectroscopy IEEE Conference on Nuclear Science Symposium and Medical Imaging, 1993 [38] Jordanov, V T., & Knoll, G F Digital synthesis of pulse shapes in real time for high resolution radiation spectroscopy Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 345(2), 337–345, 1994 [39] Los Arcos, J ., & García-Toro, E A new digital pulse height analysis method for radiation spectroscopy Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 123 339(1-2), 99–101, 1994 [40] Stein, J., Scheuer, F., Gast, W., & Georgiev, A X-ray detectors with digitized preamplifiers Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 113(1-4), 141–145, 1996 [41] Qin, Z., Chen, C., Luo, J., Xie, X., Ge, L., & Wu, Q A pulse-shape discrimination method for improving Gamma-ray spectrometry based on a new digital shaping filter Radiation Physics and Chemistry, 145, 193–201, 2018 [42] Darvish-Molla, S., Chin, K., Prestwich, W V., & Byun, S H Development of a compact and cost effective multi-input digital signal processing system Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 879, 13–18, 2018 [43] CAEN SpA Electronic Instrumentation, Digital Pulse Processing in Nuclear Physics Via della Vetraia, 11, 55049 Viareggio LU, Italy Rev ‐ 26 August 2011 [44] Fahiman, F., Kafaee, M., Moussavi-Zarandi, A., & Fahiman, M Efficient Digital Implementation of Signal Processing Algorithms in State-Of-The-Art FieldProgrammable Gate Arrays for Gamma-Ray Spectroscopy Nuclear Technology, 187(1), 69–81, 2014 [45] Regadío, A., Sánchez-Prieto, S., Prieto, M., & Tabero, J Implementation of a realtime adaptive digital shaping for nuclear spectroscopy Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 735, 297–303, 2014 [46] International Atomic Energy Agency, Instrumentation for Digital Nuclear Spectroscopy, IAEA-TECDOC-1706, VIENNA, 2013 [47] Saxena, S., & Hawari, A I Investigation of FPGA-Based Real-Time Adaptive Digital Pulse Shaping for High-Count-Rate Applications IEEE Transactions on Nuclear Science, 64(7), 1733–1738, 2017 [48] Wang, Y F., Liu, B Q., & Cao, X Pile-Up Pulse Separation Technology Research Based on MATLAB Advanced Materials Research, 1049-1050, 1287–1291, 2014 [49] Mahmoud, I I., El_Tokhy, M S., & Konber, H A Pileup recovery algorithms for 124 digital gamma ray spectroscopy Journal of Instrumentation, 7(09), P09013– P09013, 2012 [50] Zhou Jianbin, Zhou Wei, Lei Jiarong, Tuo Xianguo, Zhu Xing, Liu Yi Study of time-domain digital pulse shaping algorithms for nuclear signals Nuclear Science and Techniques 23, 150–155, 2012 [51] Xiao, W., Wei, Y., Ai, X., & Ao, Q System simulation of digital pulse spectrometer Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 555(1-2), 231–235, 2005 [52] Zeng, W The Design of Digital Multi-channel Analyzer based on FPGA Energy Procedia, 39, 428–433, 2013 [53] Jordanov, V T Unfolding-synthesis technique for digital pulse processing Part 1: Unfolding Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 805, 63–71, 2016 [54] Đặng Lành, Luận án tiến sĩ Nghiên cứu, xây dựng hệ thiết bị thu nhận xử lý số liệu dựa kỹ thuật DSP qua ứng dụng FPGA phục vụ nghiên cứu vật lý hạt nhân thực nghiệm, năm 2012 [55] Saint-Gobain Crystals, Physical Properties of Common Inorganic Scintillators [Online] Avalaible: https://www.crystals.saint-gobain.com/products/crystal- scintillation-materials [56] CR-110-R2 charge sensitive preamplifier (Cremat Inc), 950 Watertown St, Suite West Newton MA 02465 [57] S3204/S3584 series (Hamamatsu Photonics K.K), 325-6, Sunayama-cho, Nakaku, Hamamatsu City, Shizuoka, 430-8587, Japan [58] S3590 series (Hamamatsu Photonics K.K), 325-6, Sunayama-cho, Naka-ku, Hamamatsu City, Shizuoka, 430-8587, Japan [59] S8664 series (Hamamatsu Photonics K.K), 325-6, Sunayama-cho, Naka-ku, Hamamatsu City, Shizuoka, 430-8587, Japan [60] C10940 series (Hamamatsu Photonics K.K), 325-6, Sunayama-cho, Naka-ku, Hamamatsu City, Shizuoka, 430-8587, Japan 125 [61] Bertuccio, G., Pullia, A A Method for the Determination of the Noise Parameters in Preamplifying Systems for Semiconductor Radiation Detectors Rev Sci Instrum., 64, p.3294, 1993 [62] Velko Radeka Low-Noise Techniques in Detectors Ann Rev Nucl Part Sci., 38, p.217, 1988 [63] F S Goulding and D A Landis Signal Processing for Semiconductor Detectors IEEE Trans Nuc Sci., NS-29, p.1125, 1982 [64] Cremat Inc, Advice in using Cremat CSP modules [Online] Avalaible: https://www.cremat.com/applications/csp-application-notes/ [65] Nguyễn Đức Hịa Giáo trình Điện tử Hạt nhân NXB Giáo dục Việt Nam, 2017 [66] CR-150-R5 (Cremat Inc.) 950 Watertown St, Suite 3, West Newton MA 02465, USA [67] Kromek, Preamplifiers for radiation detectors and radiation detector electronics [Online] Avalaible: https://www.kromek.com/product/preamplifiers-and- detector-electronics/ [68] Li, D.-C & Yang, L.& Tian, Y & Yuan, S.-L Study of a nuclear pulse shaped circuit base in Sallen-Key filter 28 563-566, 2008 [69] Huaiqiang, Zhang & Tang, Bin &Wu, He-Xi & Li, Zhuo-Dai Study of Sallen–Key digital filters in nuclear pulse signal processing Nuclear Science and Techniques 30 10.1007/s41365-019-0679-y, 2019 [70] Ge, Q & Ge, L.-Q &Wu, J.-P & Li, X.-L Research on digital Gaussian shaping filter for nuclear signals based on sampling theorem Hedianzixue Yu Tance Jishu/Nuclear Electronics and Detection Technology 34 1201-1203 and 1212, 2014 [71] Jordanov, Valentin & Knoll, Glenn & Huber, Alan & Pantazis, John Digital techniques for real-time pulse shaping in radiation measurements Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment 353, 1994 [72] Georgiev, Andrey & Gast, Werner Digital pulse processing in high resolution, high throughput, gamma-ray spectroscopy Nuclear Science, IEEE Transactions on 40 770 – 779, 1993 126 [73] Wall, W & Roulston, K Dependence of the NaI(Tl) Pulse Shape on Thallium Concentration and Temperature Nuclear Science, IEEE Transactions on 15 153 - 157 10.1109/TNS.1968.4324931, 1968 [74] Valentine, John & Moses, William & Derenzo, Stephen & Wehe, David & Knoll, Glenn Temperature dependence of CsI(Tl) gamma-ray excited scintillation characteristics Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 325 147-157 10.1016/0168-9002(93)91015-F, 1993 [75] Moszynski, Marek & Swiderski, Lukasz & Szczesniak, T & Nassalski, A & Syntfeld, A & Czarnacki, W & Pausch, Guntram & Stein, Juergen & Lavoute, P & Lherbert, F & Kniest, F Study of LaBr3 crystals coupled to photomultipliers and avalanche photodiodes IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record 1351 - 1357 10.1109/NSSMIC.2007.4437252, 2008 [76] Loo, Billy & Goulding, Fred & Gao, Dexi Ballistic deficits in pulse shaping amplifiers Nuclear Science, IEEE Transactions on 35 114 - 118 10.1109/23.12686, 1988 [77] R6231-01(Hamamatsu Photonics K.K), 325-6, Sunayama-cho, Naka-ku, Hamamatsu City, Shizuoka, 430-8587, Japan [78] Casanovas, R., Morant, J.J., Salvadó, M Energy and resolution calibration of NaI(Tl) and LaBr3(Ce) scintillators and validation of an EGS5 Monte Carlo user code for efficiency calculations Nucl Inst Meth Phys Res A 675, 78e83, 2012 [79] Ianakiev, K & Alexandrov, B & Littlewood, Peter & Browne, M Temperature behavior of NaI (Tl) scintillation detectors Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment 607 10.1016/j.nima.2009.02.019, 2006 [80] Moszynski, Marek & Nassalski, A & Syntfeld-Każuch, Agnieszka & Szczęśniak, T & Czarnacki, W & Wolski, D & Pausch, Guntram & Stein, Juergen Temperature dependences of LaBr3(Ce), LaCl3(Ce) and NaI(Tl) scintillators Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, 127 Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 568 739-751 10.1016/j.nima.2006.06.039, 2006 [81] Gamma-Ray Spectrometry in the Environment, ICRU Report No 53 [82] R Shepard, S Wawrowski, M Charland, H Roberts and M Moslinger Temperature stabilization of a field instrument for uranium enrichment measurements IEEE Transactions on Nuclear Science, vol 44, no 3, pp 568-571, June 1997 [83] Pausch, Guntram & Stein, Juergen & Teofilov, Nikolai.Stabilizing scintillation detector systems: Determination of the scintillator temperature exploiting the temperature dependence of the light pulse decay time Filtration & Separation FILTR SEP 846 - 850 Vol 10.1109/NSSMIC.2004.1462340, 2004 [84] K Saucke, G Pausch, J Stein, H - Ortlepp and P Schotanus Stabilizing scintillation detector systems with pulsed LEDs: a method to derive the LED temperature from pulse height spectra IEEE Transactions on Nuclear Science, vol 52, no 6, pp 3160-3165, Dec 2005 [85] Hai, V H., Hung, N Q., & Khai, B T Development of gamma spectroscopy employing NaI(Tl) detector inch × inch and readout electronic of flashADC/FPGA-based technology Kerntechnik, 80(2), 180–183, 2015 [86] Origin 2019b (OriginLab Corporation), One Roundhouse Plaza, Suite 303Northampton, MA 01060, United States [87] Efficiency Calculations for Selected Scintillators, Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc 12345 Kinsman Road, Newbury, Ohio 44065 USA, 2016 128 Phụ lục Đặc trưng loại nhấp nháy vô Bảng 1PL Đặc trưng loại nhấp nháy vô cơ[15] Scintillator Light output Light yield (%) of (photons/keV) NaI(Tl) blalkali pmt Temperature coefficient of light output (%/C) 250 to 500C 1/e Decay time (ns) Wavelength of max emission Im (nm) Refractive Index at Im Thickness to stop 50% of 662 keV photons (cm) Thermal expansion (/C)x10-6 Density g/cm3 Hygroscopic LaBr3 (Ce+Sr) 73 190 25 385 -2.0 1.8 5.08 Yes LaBr3(Ce) BriLanCe TM 380 63 165 116 380 -1.9 1.8 5.08 Yes CLLB Cs2LiLaBr6(Ce) 43 115 180 1080 420 -1.85 2.2 4.2 Yes NaI(Tl) 38 100 -0.3 250 415 1.85 2.5 47.4 3.67 Yes -0.3 230 1.1µs 240 1.4µs 419 1.85 2.5 47.4 3.67 Yes NaI(Tl+Li) 35 100 LaCl3(Ce) BrilLanCeTM 350 49 70-90 0.7 28 350 -1.9 2.3 11 3.85 Yes CsI(Na) 41 85 -0.05 630 420 1.84 54 4.51 Yes Comments Ultimate energy resolution (2.2% @ 662keV General purpose excellent energy resolution Dual GammaNeutron detection, excellent General purpose, good energy resolution Neutron-Gamma Scintillator General purpose, good energy resolution High Z, rugged LYSO Lu1.8Y.2SiO5(Ce) 33 87 -0.28 36 420 1.81 1.1 7.1 No CdWO4 12-15 30-50 -0.1 14000 475 -2.3 10.2 7.9 No CaF2(Eu) 19 50 -0.33 940 435 1.47 2.9 19.5 3.18 No CsI(Tl) 54 45 0.01 1000 550 1.79 54 4.51 Slightly BGO 8-10 20 -1.2 300 480 2.15 7.13 No YAG(Ce) 15 70 550 1.82 -8 4.55 No CsI(Pure) 4-6 -0.3 16 315 1.95 54 4.51 Slightly 1.8 220(195) 1.54 1.9 18.4 4.88 Slightly 10 16 -1.1 0.60.8 630 310 1.50 1.9 18.4 4.88 Slightly -50 130 -0.6 110 450 2.36 4.09 No BaF2 ZnS(Ag) Bright, high Z, fast, dense, background from 176Lu activity Low afterglow, for use with photodiodes Low Z α & β detection High Z, rugged, good match to photodiodes High Z, compact detector, low afterglow Β-ray, X-ray counting, electron microscopy High Z, fast emission Fast component (subnanosecond) Slow component Coated on BC400 or acrylic for α detection Phụ lục Kết phổ gamma đo thời gian dài Bảng 2PL Kết đo thời gian dài detector CsI(Tl) STT 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 Vị trính đỉnh 661 keV 328,74 ± 0,14 329,77 ± 0,13 330,47 ± 0,14 331,50 ± 0,13 332,39 ± 0,12 333,53 ± 0,15 330,91 ± 0,13 325,79 ± 0,14 321,50 ± 0,16 318,18 ± 0,17 315,55 ± 0,18 314,14 ± 0,15 312,69 ± 0,15 311,44 ± 0,16 311,11 ± 0,13 310,58 ± 0,13 309,80 ± 0,18 309,76 ± 0,17 309,85 ± 0,15 309,72 ± 0,13 309,97 ± 0,13 310,09 ± 0,13 310,26 ± 0,17 310,34 ± 0,14 310,46 ± 0,16 310,27 ± 0,16 310,27 ± 0,13 310,24 ± 0,17 310,49 ± 0,15 311,24 ± 0,16 313,48 ± 0,16 314,47 ± 0,16 314,56 ± 0,17 315,31 ± 0,14 316,01 ± 0,15 316,71 ± 0,15 317,94 ± 0,17 319,20 ± 0,17 319,01 ± 0,16 318,00 ± 0,15 DETECTOR CsI(Tl) FWHM (kênh) 29,45 ± 0,41 29,54 ± 0,38 29,47 ± 0,42 30,05 ± 0,39 29,67 ± 0,37 30,48 ± 0,45 29,88 ± 0,38 28,86 ± 0,41 29,09 ± 0,50 29,24 ± 0,55 29,06 ± 0,62 28,08 ± 0,54 28,03 ± 0,55 29,39 ± 0,62 27,29 ± 0,51 27,33 ± 0,52 29,93 ± 0,72 28,93 ± 0,67 28,03 ± 0,60 28,12 ± 0,50 28,35 ± 0,50 27,55 ± 0,52 28,25 ± 0,50 28,20 ± 0,55 27,62 ± 0,63 27,26 ± 0,64 28,49 ± 0,53 28,59 ± 0,68 28,61 ± 0,59 29,00 ± 0,53 28,76 ± 0,58 29,69 ± 0,57 30,36 ± 0,62 28,71 ± 0,50 29,07 ± 0,54 29,65 ± 0,51 29,95 ± 0,57 29,33 ± 0,56 29,16 ± 0,51 29,41 ± 0,51 FWHM (%) 8,96 ± 0,13 8,96 ± 0,12 8,92 ± 0,13 9,06 ± 0,12 8,93 ± 0,11 9,14 ± 0,13 9,03 ± 0,12 8,86 ± 0,13 9,05 ± 0,16 9,19 ± 0,17 9,21 ± 0,20 8,94 ± 0,17 8,96 ± 0,18 9,44 ± 0,20 8,77 ± 0,17 8,80 ± 0,17 9,66 ± 0,23 9,34 ± 0,22 9,05 ± 0,20 9,08 ± 0,16 9,14 ± 0,16 8,88 ± 0,17 9,10 ± 0,16 9,09 ± 0,18 8,90 ± 0,20 8,79 ± 0,21 9,18 ± 0,17 9,21 ± 0,22 9,22 ± 0,19 9,32 ± 0,17 9,17 ± 0,19 9,44 ± 0,18 9,65 ± 0,20 9,10 ± 0,16 9,20 ± 0,17 9,36 ± 0,16 9,42 ± 0,18 9,19 ± 0,17 9,14 ± 0,16 9,25 ± 0,16 Bảng 3PL Kết đo thời gian dài detector LaBr3(Ce) STT 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 DETECTOR LaBr3(Ce) Vị trính đỉnh 661 keV FWHM (kênh) 302,93 ± 0,08 303,34 ± 0,08 303,23 ± 0,08 303,75 ± 0,08 304,25 ± 0,09 304,17 ± 0,08 304,43 ± 0,08 304,48 ± 0,08 304,43 ± 0,08 301,52 ± 0,07 296,73 ± 0,07 293,08 ± 0,08 290,24 ± 0,08 288,44 ± 0,07 287,44 ± 0,07 286,42 ± 0,08 285,76 ± 0,09 285,14 ± 0,07 284,63 ± 0,07 284,40 ± 0,07 284,33 ± 0,08 284,11 ± 0,08 284,05 ± 0,07 284,11 ± 0,08 283,80 ± 0,07 283,85 ± 0,07 283,84 ± 0,07 283,76 ± 0,07 283,67 ± 0,07 283,56 ± 0,07 283,47 ± 0,08 283,48 ± 0,07 282,84 ± 0,07 282,28 ± 0,07 281,37 ± 0,08 280,57 ± 0,08 279,60 ± 0,08 279,17 ± 0,08 283,81 ± 0,09 287,02 ± 0,08 13,87 ± 0,22 14,23 ± 0,23 14,36 ± 0,23 14,55 ± 0,24 13,99 ± 0,24 14,30 ± 0,21 14,25 ± 0,21 14,55 ± 0,21 14,33 ± 0,20 14,61 ± 0,20 14,24 ± 0,20 14,44 ± 0,21 13,96 ± 0,22 13,93 ± 0,19 13,82 ± 0,19 13,90 ± 0,23 13,74 ± 0,22 13,97 ± 0,19 13,91 ± 0,19 13,76 ± 0,19 13,82 ± 0,20 13,90 ± 0,21 13,92 ± 0,17 13,97 ± 0,20 13,51 ± 0,17 13,55 ± 0,19 13,73 ± 0,19 14,34 ± 0,19 13,73 ± 0,19 13,57 ± 0,19 13,52 ± 0,20 13,53 ± 0,19 13,38 ± 0,18 13,72 ± 0,19 13,75 ± 0,21 13,89 ± 0,21 14,02 ± 0,20 14,20 ± 0,20 14,42 ± 0,23 14,08 ± 0,21 FWHM (%) 4,58 ± 0,07 4,69 ± 0,08 4,74 ± 0,07 4,79 ± 0,08 4,60 ± 0,08 4,70 ± 0,07 4,68 ± 0,07 4,78 ± 0,07 4,71 ± 0,07 4,84 ± 0,07 4,80 ± 0,07 4,93 ± 0,07 4,81 ± 0,08 4,83 ± 0,07 4,81 ± 0,06 4,85 ± 0,08 4,81 ± 0,08 4,90 ± 0,07 4,89 ± 0,07 4,84 ± 0,07 4,86 ± 0,07 4,89 ± 0,07 4,90 ± 0,06 4,92 ± 0,07 4,76 ± 0,06 4,77 ± 0,07 4,84 ± 0,07 5,05 ± 0,07 4,84 ± 0,07 4,79 ± 0,07 4,77 ± 0,07 4,77 ± 0,07 4,73 ± 0,06 4,86 ± 0,07 4,89 ± 0,08 4,95 ± 0,07 5,02 ± 0,07 5,09 ± 0,07 5,08 ± 0,08 4,90 ± 0,07 Phụ lục Mô khối xử lý tín hiệu MATLAB/Simulink Hình 1PL Sơ đồ mơ Simulink Hình 2PL Mơ khối tạo dạng xung từ tiền khuếch đại Hình 3PL Mơ Flash ADC 14bit 150MSP Hình 4PL Mơ tầng xử lý tín hiệu Hình 5PL Mơ khối xử lý, lưu trữ hiển thị liệu phổ ... tài, luận án [13, 14] nghiên cứu chế tạo thiết bị quan trắc trinh sát phóng xạ, đo liều xạ đo phổ xạ Tuy nhiên, hầu hết nghiên cứu dừng việc chế tạo vài mẫu máy theo kinh phí đề tài Một lý lớn chế. .. phát triển nghiên cứu cải tiến không ngừng Trong kỹ thuật tiên tiến nay, mảng phần tử logic lập trình (FPGA) kỹ thuật xử lý xung số (DSP) ứng dụng rộng rãi việc phát triển loại thiết bị trinh sát... triển thiết bị ghi đo phóng xạ, hạt nhân lĩnh vực y tế đào tạo Bố cục luận án Luận án gồm phần Mở đầu, Chương phần Kết luận bao gồm: Chương 1: Nhu cầu thực tiễn tình hình nghiên cứu thiết kế chế tạo