(Luận văn thạc sĩ hcmute) nghiên cứu phân bổ dòng sét và điện áp trên các spd khi sét đánh vào tòa nhà

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ VÕ THANH ÂU XÂY DỰNG VÀ ĐÁNH GIÁ CÁC MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG ÁP NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN – 60520202 S K C0 Tp Hồ Chí Minh, tháng 10/2015 Luan van BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀ O TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ VÕ THANH ÂU XÂY DỰNG VÀ ĐÁNH GIÁ CÁC MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG ÁP NGÀNH KỸ THUẬT ĐIỆN HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS Quyền Huy Ánh Thành phố Hồ Chí Minh, Tháng 10 năm 2015 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh LÝ LỊCH KHOA HỌC I SƠ LƢỢC Họ tên : Võ Thanh Âu Giới tính: Nam Ngày sinh : 15/09/1989 Nơi sinh: Long An Dân tộc Tôn giáo: Không : Kinh Địa liên lạc: Số 8, Đƣờng Tân Lập 2, Khu phố 3, P Hiệp Phú, Q 9, Tp.Hồ Chí Minh Điện thoại: 0979 378 252 Email:Thanhau1509@gmail.com Cơ quan : Trung Tâm Kỹ Thuật Tiêu Chuẩn Đo Lƣờng Chất Lƣợng Thành Phố Hồ Chí Minh Địa : 263, Điện Biên Phủ, P 7, Q 3, Tp Hồ Chí Minh II Q TRÌNH ĐÀO TẠO Đại học: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian: Từ 2007 đến 2012 Nơi học: Trƣờng Đại học Sƣ Phạm Kỹ Thuật Tp Hồ Chí Minh Ngành học: Điện Cơng Nghiệp Thạc sĩ: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian: Từ 2013 đến 2015 Nơi học: Trƣờng Đại học Sƣ Phạm Kỹ Thuật Tp Hồ Chí Minh Ngành học: Kỹ Thuật Điện III Q TRÌNH CƠNG TÁC CHUN MƠN Thời gian Nơi công tác Công việc Từ 06/2012đến Trung Tâm Kỹ Thuật Tiêu Chuẩn Đo Lƣờng Chất Lƣợng Thành Phố Hồ Chí Minh Thử Nghiệm Viên Tp.Hồ Chí Minh, ngày 24 tháng 09 năm 2015 Ngƣời khai Võ Thanh Âu HVTH: Võ Thanh Âu Trang i Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh LỜI CAM ĐOAN Tơi cam đoan cơng trình nghiên cứu Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chƣa đƣợc công bố cơng trình khác Tp Hồ Chí Minh, ngày 24 tháng 09 năm 2015 Tác giả Luận Văn Võ Thanh Âu HVTH: Võ Thanh Âu Trang ii Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh CẢM TẠ Qua thời gian học tập nghiên cứu Trƣờng Đại học Sƣ phạm Kỹ thuật TP.HCM, với nhiệt tình hƣớng dẫn, giúp đỡ q thầy cơ, tơi hồn thành đƣợc luận văn tốt nghiệp Trƣớc hết, xin chân thành cám ơn cha mẹ động viên giúp đỡ suốt thời gian học tập Tôi chân thành cảm ơn Ban Giám Hiệu nhà trƣờng, Ban chủ nhiệm Khoa Điện – Điện tử Phòng quản lý sau đại học Trƣờng Đại học Sƣ phạm Kỹ thuật TP.HCM tạo điều kiện thuận lợi cho học tập, nghiên cứu nâng cao trình độ thực tốt luận văn tốt nghiệp thời gian qua Tơi xin bày tỏ lịng biết ơn sâu sắc tới Thầy Quyền Huy Ánh nhiệt tình hƣớng dẫn, giúp đỡ suốt thời gian học tập nhƣ trình thực luận văn tốt nghiệp Ngồi ra, tơi xin đƣợc nói lời cảm ơn đến anh, chị học viên lớp cao học 2013 – 2015A đóng góp ý kiến giúp đỡ tơi hồn thành tốt luận văn tốt nghiệp Việc thực đề tài luận văn chắn khơng tránh khỏi thiếu sót kiến thức chun mơn Kính mong nhận đƣợc quan tâm, xem xét đóng góp ý kiến quý báu quý thầy, cô bạn để đề tài luận văn hồn thiện Tơi xin chân thành cảm ơn! Tp Hồ Chí Minh, ngày 24 tháng 09 năm 2015 Học viên thực Võ Thanh Âu HVTH: Võ Thanh Âu Trang iii Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh TÓM TẮT Luận văn “Xây dựng đánh giá mơ hình chống sét van trung áp” sâu vào nghiên cứu mơ hình chống sét van dạng metal- oxide lƣới trung Chống sét van dạng Metal-oxide đƣợc dùng để bảo vệ điện áp sét xung đóng cắt lƣới trung Luận văn tập trung xây dựng đƣợc mô hình chống sét van trung dạng MOV đƣa vào phần mềm Matlab Các thơng số mơ hình chống sét van đƣợc cung cấp Catalogue nhà sản xuất Thử nghiệm mơ hình dựa thơng số kỹ thuật Catalogue nhà sản xuất khác với cấp điện áp khác Kết mơ để đánh giá độ xác mơ hình chống sét van mơ so với giá trị đƣợc cung cấp catalogue nhà sản xuất Luận văn hy vọng cung cấp cơng cụ mơ hữu ích với phần mềm thông dụng Matlab cho nhà nghiên cứu, kỹ sƣ, sinh viên…trong việc nghiên cứu hành vi đáp ứng thiết bị chống sét van dƣới tác động xung sét lan truyền điều kiện đo thử thực tế HVTH: Võ Thanh Âu Trang iv Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh ABSTRACT The thesis “Develop and assessmentsurge arrester models of medium voltage lightning” carried out a research into metal- oxide surge arrester modelsfor medium-voltage class Metal-oxide surge arrester are used as protective devies against lightning and switch overvoltage in medium and high voltage power systems Thesis focus is on developing Metal- oxide surge arrester modelsformat included in the software Matlab The parameters of the model for metal-oxide surge arrester are provided in the valve manufacturer's catalogue Testing models based on the specifications in the catalogue of the different manufacturers and with different voltageslevels The results of the simulations to assessment the accuracy of these models simulate lightning when it compared to the value provided in the manufacturer's catalogue The thesis also provide a useful simulation tool with the common Matlab software for researchers, engineers, students in studying of behaviors and responses of the valve lightning equipment under the action of lightning impulse spreaded in conditions test can not be real HVTH: Võ Thanh Âu Trang v Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU Ký hiệu Đơn vị Mô tả MOV kA Chống sét van (Metal Oxide Varistor) R  Điện trở L H Độ tự cảm C F Điện dung D nm Bề dày biến trở Vb V Điện rào  Hằng số điện môi chất bán dẫn N Hạt/cm3 P W Công suất tiêu tán trung bình Nhiệt độ gia tăng trung bình T C  Mật độ hạt dẫn Hệ số tiêu tán công suất TOL % Độ sai số chuẩn Vr kV Điện áp định mức chống sét van Vr8/20 kV Điện áp dƣ cho dòng sét 10 kA với bƣớc sóng 8/20 µs L, R kV Độ lớn điện rào o kV Điện phân cực gốc  VN Hệ số phi tuyến kV Điện áp biến trở HVTH: Võ Thanh Âu Trang vi Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh q Điện tích điện tử K Hệ số phụ thuộc biến trở Vref kV Điện áp tham chiếu d m Chiều cao chống sét van n Số cột MOV song song chống sét van HVTH: Võ Thanh Âu Trang vii Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh MỤC LỤC LÝ LỊCH KHOA HỌC i LỜI CAM ĐOAN .ii CẢM TẠ iii TÓM TẮT iv DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU vi MỤC LỤC viii DANH SÁCH CÁC HÌNH xii DANH SÁCH CÁC BẢNG xviii CHƢƠNG MỞ ĐẦU I TÍNH CẦN THIẾT CỦA ĐỀ TÀI II NHIỆM VỤ CỦA ĐỀ TÀI III GIỚI HẠN CỦA ĐỀ TÀI IV CÁC BƢỚC TIẾN HÀNH V TÍNH MỚI CỦA ĐỀ TÀI .3 VI TÍNH THỰC TIỄN .4 VII NỘI DUNG CỦA ĐỀ TÀI VIII PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU CHƢƠNG 1: CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA CHỐNG SÉT VAN 1.1 ĐẶT VẤN ĐỀ 1.2 CÁC LOẠI CÁCH ĐIỆN 1.3 KHÁI NIỆM VỀ SÉT 1.4 THIẾT BỊ CHỐNG SÉT VAN 10 1.5 ƢU NHƢỢC ĐIỂM CỦA CÁC LOẠI CHỐNG SÉT .12 1.5.1 Khe hở phóng điện 13 1.5.2 Chống sét ống .14 1.5.3 Chống sét SiC .14 1.5.3.1 Cấu trúc đĩa van SiC .15 1.5.3.2 Cấu trúc khe hở .15 HVTH: Võ Thanh Âu Trang viii Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.16: Điện áp dƣ chống sét van điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-3kA Nhận xét: Từ kết mô chống sét van hãng Cooper điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-3kA ta thấy, điện áp dƣ mơ hình Matlab 47,1kV, điện áp dƣ mơ hình mơ hình IEEE 45,8kV, điện áp dƣ mơ hình Pinceti 41,5kV, điện áp dƣ mơ hình P-K 42,9kV Trong giá trị điện áp dƣ cho Datasheet nhà sản xuất 44,7kV, nhƣ ta thấy sai số mơ hình IEEE thấp (2,461%), sai số mơ hình Pinceti lớn (7,159%) HVTH: Võ Thanh Âu Trang 106 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.17: Điện áp dƣ chống sét van điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-5kA Nhận xét: Từ kết mô chống sét van hãng Cooper điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-5kA ta thấy, điện áp dƣ mơ hình Matlab 48,6kV, điện áp dƣ mơ hình mơ hình IEEE 50,4kV, điện áp dƣ mơ hình Pinceti 44,9kV, điện áp dƣ mơ hình P-K 47,2kV Trong giá trị điện áp dƣ cho Datasheet nhà sản xuất 46,9kV, nhƣ ta thấy sai số mô hình P-K thấp (0,640%), sai số mơ hình IEEE lớn (7,467%) HVTH: Võ Thanh Âu Trang 107 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.18: Điện áp dƣ chống sét van điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-10kA Nhận xét: Từ kết mô chống sét van hãng Cooper điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-10kA ta thấy, điện áp dƣ mơ hình Matlab 49,7kV, điện áp dƣ mơ hình mơ hình IEEE 57,4kV, điện áp dƣ mơ hình Pinceti 51,5kV, điện áp dƣ mơ hình P-K 53,3kV Trong giá trị điện áp dƣ cho Datasheet nhà sản xuất 50,7kV, nhƣ ta thấy sai số mơ hình Pinceti thấp (1,578%), sai số mơ hình IEEE lớn (13,215%) HVTH: Võ Thanh Âu Trang 108 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.19: Điện áp dƣ chống sét van điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-20kA Nhận xét: Từ kết mô chống sét van hãng Cooper điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-10kA ta thấy, điện áp dƣ mơ hình Matlab 51,2kV, điện áp dƣ mơ hình mơ hình IEEE 67,4kV, điện áp dƣ mơ hình Pinceti 60,5kV, điện áp dƣ mơ hình P-K 60,4kV Trong giá trị điện áp dƣ cho Datasheet nhà sản xuất 56,3kV, nhƣ ta thấy sai số mơ hình P-K thấp (7,282%), sai số mơ hình IEEE lớn (19,716%) Biểu đồ đánh giá sai số HVTH: Võ Thanh Âu Trang 109 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.20: Biểu đồ sai số điện áp dƣ chống sét van hãng Cooper, điện áp 15kV, ứng với dịng xung 8/20s Hình 5.21: Biểu đồ sai số điện áp dƣ chống sét van hãng Cooper, điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s Nhận xét : Từ kết mô phỏng, điện áp dƣ chống sét van AZG2 hãng Cooper điện áp 15kV cho thấy điện áp dƣ mô hình đề nghị cho kết so với số liệu chống sét van thực tế đƣợc cung cấp catalogue xác Đối với mơ hình Matlab, sai số lớn khoảng 9,41%; mơ hình IEEE, sai số lớn khoảng 20,51%; mơ hình Pinceti, sai số lớn khoảng 8,33%; mô hình P-K, sai số lớn khoảng 8,55% Từ nhận thấy mơ hình P-K mơ hình xác HVTH: Võ Thanh Âu Trang 110 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Kết mô điện áp dƣ chống sét van AZG2 hãng Cooper điện áp 18kV cho thấy cho thấy điện áp dƣ mơ hình đề nghị cho kết so với số liệu chống sét van thực tế đƣợc cung cấp catalogue xác Đối với mơ hình Matlab, sai số lớn khoảng 9,06%; mơ hình IEEE, sai số lớn khoảng 19,71%; mơ hình Pinceti, sai số lớn khoảng 7,46%; mơ hình P-K, sai số lớn khoảng 7,28% Từ nhận thấy mơ hình P-K mơ hình xác 5.2.3 NHẬN XÉT CHUNG: Khi tiến hành mơ mơ hình đƣợc xem tốt đƣợc đánh giá dựa : mức độ chi tiết mơ hình, diễn tả đƣợc q trình vật lý ngun mẫu; thơng số ngõ vào ít, dễ tìm thấy đa số catalogue nhà sản xuất; kết mô điện áp dƣ, dạng sóng ngõ ra, tốc độ tăng đầu sóng sóng phù hợp với kết thử nghiệm Đối với mơ hình Matlab: Ƣu điểm mơ hình đơn giản, mơ tả điện trở phi tuyến với quan hệ dòng áp theo đặc tính V-I Nhƣợc điểm đầu ngƣời sử dụng phải nhập lại giá trị k,  tƣơng ứng với đặc tính V-I nó; nhƣng giá trị k,  khơng đƣợc tìm thấy đa số catalogue nhà sản xuất gây khó khăn cho việc sử dụng mơ hình làm tăng sai số tính tốn Đối với mơ hình IEEE: Ƣu điểm chi tiết mơ hình Matlab với hai điện trở phi tuyến A0, A1 đƣợc tách lọc R-L với thành phần R, L, C; thời gian đầu sóng cuối sóng đƣợc thể rõ giúp đƣa kết luận đầy đủ Khi sử dụng mơ hình cần nhập giá trị điện áp ngƣỡng, số cột, chiều cao cột Nhƣợc điểm thơng số giá trị chiều cao cột, cách tính chiều cao cột khó xác định số hãng sản xuất khơng cung cấp; ngồi ra, giá trị điện trở phi tuyến A0, A1 đƣợc sử dụng chung cho MOV khác Chính thiếu thơng tin đầu vào xác nên kết mơ có sai số lớn Đối với mơ hình Pinceti mơ hình P-K: Đây hai mơ hình cải tiến mơ hình IEEE mặt sơ đồ cách xác định thông số; thông số đầu vào cần HVTH: Võ Thanh Âu Trang 111 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh nhập nhƣ giá trị điện áp định mức, điện áp dƣ dòng xung 8/20s, điện áp dƣ xung đầu dốc dễ tìm thấy hầu hết hãng sản xuất Kết mô hai loại chống sét van EVP AGZ2 cho thấy mô hình xây dựng cho sai số thấp: - Khi sử dụng mơ hình Matlab, sai số cho chống sét van EVP hãng Ohio Brass (1,01÷9,85)% sai số cho chống sét van AGZ2 hãng Cooper (1,61÷9,40)%, giá trị sai số nhƣ không xác định xác giá trị k,  tƣng loại MOV mà sử dụng giá trị k,  mặc định đƣợc đƣa phần mềm Matlab Muốn cho mơ hình xác cần xác định đƣợc giá trị k,  cho loại MOV - Khi sử dụng mơ hình IEEE, sai số cho chống sét van EVP hãng Ohio Brass (0,59÷19,31)% sai số cho chống sét van AGZ2 hãng Cooper (2,46÷20,51)%, giá trị sai số nhƣ việc lấy thông số điện trở phi tuyến A0, A1 đƣợc dùng cho nhiều loại MOV khác chiều cao cột chống sét van đƣợc chọn gần đa số hãng sản xuất không cung cấp thông tin Muốn cho kết mơ đƣợc xác cần có đầy đủ thơng tin giá trị điện trở phi tuyến A0, A1, chiều cao cột loại MOV - Khi sử dụng mơ hình Pinceti P-K, sai số cho chống sét van EVP hãng Ohio Brass (0,82÷7,94)% sai số cho chống sét van AGZ2 hãng Cooper (0,640÷8,55)% Hai mơ hình có sai số thấp nhƣ thông số ngõ đầu vào đƣợc cung cấp đầy đủ tất hãng sản xuất HVTH: Võ Thanh Âu Trang 112 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh CHƢƠNG KẾT LUẬN KẾT LUẬN I Đề tài“Xây dựng đánh giá mô hình chống sét van trung áp”đã đƣợc hồn thành đạt đƣợc yêu cầu đề ra: - Cấu tạo, nguyên lý hoạt động phƣơng pháp lựa chọn chống sét van lƣới trung đƣợc nghiên cứu, trình bày đầy đủ Ngồi ra, mơ hình tốn mơ tả đặc tính làm việc chống sét van nhà nghiên cứu giới đƣợc giới thiệu đánh giá tƣơng đối chi tiết Các kiến thức phục vụ tốt cho nhu cầu tìm hiểu, nghiên cứu kỹ sƣ, học viên cao học ngành kỹ thuật điện; - Xây dựng thƣ viện mơ hình chống sét van trung dạng MOV: mơ hình IEEE, mơ hình Pinceti, mơ hình P-K phần mềm Matlab tiến hành mô điện áp dƣ ứng với xung sét tiêu chuẩn; - Trên sở phân tích kết mô đánh giá đƣợc ƣu nhƣợc điểm loại mơ hình; - Các mơ hình đƣợc xây dựng đƣợc sử dụng tốn phân tích độ điện áp hệ thống điện Tuy nhiên đề tài xác định đƣợc biên độ đỉnh điện áp dƣ tƣơng đối xác; cịn dạng sóng ngõ mơ hình mơ gần giống nhƣ kết số báo, tốc độ tăng đầu sóng sóng so với thực tế chƣa đánh giá đƣợc I HƢỚNG PHÁT TRIỂN TƢƠNG LAI - Tiếp tục nghiên cứu hoàn thiện mơ hình IEEE, mơ hình Matlab Đặc biệt khâu xác định thơng số mơ hình - Thử nghiệm mô với xung sét tiêu chuẩn 30/60s - HVTH: Võ Thanh Âu Trang 113 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Quyền Huy Ánh, “Giáo trình anh tồn điện” NXB Đại học Quốc gia TP.HCM, 2011 [2] Quyền Huy Ánh, “Thiết bị chống sét lan truyền đƣờng cấp nguồn” – Tạp Chí Bƣu Viễn Thơng [3] Nguyễn Phùng Quang Matlab & Simulink NXB Khoa học Kỹ thuật, 2008 [4] IEEE Working group 3.4.11, “Modeling of metal oxide surge arresters”, IEEE Transactions on Power Delivery Vol.7, No.1, Jan 1992, pp 302- 309 [5] Kaveri Bhuyan, Saibal Chatterjee, “Simulations of lightning impulse residual voltage test of surge arresters in matlab-simulink”,ICPDEN 2015 [6] Jonathan J Woodworth, “Arrester Reference Voltage”, ArresterFacts 027, June 2011 [7] Reinhard Göhler, Volker Hinrichsen, “Metal-Oxide Surge Arresters in HighVoltage Power Systems”, Berlin and Darmstadt, September 2011 [8] Georgios D Peppas, Ioannis A Naxakis, Christos T Vitsas, Eleytheria C Pyrgioti, “Surge Arresters Models For Fast Transients”, 2012 International Conference on Lightning Protection (ICLPj, Vienna, Austria [9] Andrộ Meister, Rafael Amaral Shayani, Marco Aurộlio Gonỗalves de Oliveira, “Comparison of metal oxide surge arrester models in overvoltage studies” ,International Journal of Engineering, Science and TechnologyVol 3, No 11, 2011, pp 35-45 [10] Dino Lovrić, Slavko Vujević, Tonći Modrić, “Comparison of Different Metal Oxide Surge Arrester Models”, Ruđera Boškovića 32, HR-21000, Croatia, Int J Emerg Sci., 1(4), 545-554, December 2011, ISSN: 2222-4254 [11] Mehdi Nafar, Ghahraman Solookinejad and Masoud Jabbari, “Comparison of IEEE and Pinceti Models of Surge Arresters”, Department of Electrical Engineering, College of Engineering, Marvdasht Branch, Islamic Azad University, Marvdasht, IRAN, Research Journal of Engineering SciencesVol 3(5), May (2014), pp 32-34 [12] Miloš GLASA, “The MOV computer models for thermal – electric analysis”, Journal of Electrical Engineering, Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology Ilkovičova 3, Bratislava 812 19, Slovakia [13] K P Mardira and T K Saha, “A simplified lightning model for metal oxide surge arrester”, School of Information Technology and Electrical HVTH: Võ Thanh Âu Trang 114 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Engineering The University of Queensland, St Lucia Campus QLD 4072 – Australia [14] Christos A Christodoulou, Fani A Assimakopoulou, Ioannis F Gonos, Ioannis A Stathopulos, “Simulation of Metal Oxide Surge Arresters Behavior”, National Technical University of Athens School of Electrical and Computer Engineering, High Voltage Laboratory Iroon Polytechniou 9, GR 15773, Zografou Campus, Athens, Greece [15] F Fernández, R Díaz, “Metal-oxide surge arrester model for fast transient simulation” International conference on power system transients, IPST’01, 20-24 June 2001, pp 144 [16] Daniel W Durbak, “Surge Arrester Modeling”, Power Technologies, Schenectady, New York [17] Pramuk Unahalekhaka; “Simplified Modeling of Metal Oxide Surge Arresters”,Dept of Electrical Engineering, Faculty of Engineering and Architecture Rajamangala University of Technology Suvarnabhumi, 7/1 Nonthaburi Rd, Nonthaburi, 11000, Thailand, 11th Eco-Energy and Materials Science and Engineering (11th EMSES), pp 92 – 101 [18] K P Mardira, T K Saha, “A Simplified lightning Model For Metal Oxide Surge Arrester”, The University of Queensland, Australia [19] V Vita1 A.D Mitropoulou, L Ekonomou, S Panetsos, I.A Stathopulos, “Comparison of metal-oxide surge arresters circuit models and implementation on high-voltage transmission lines of the Hellenic network”, School of Electrical and Computer Engineering, High Voltage Laboratory, National Technical University of Athens,9 Iroon Politechniou Street, Zografou Campus, Athens 157 80, Greece, IET Gener Transm.Distrib., 2010, Vol 4, Iss 7, pp 846–853 [20] S Ehsan Razavi, A Babaei, “Modification of IEEE Model for Metal Oxide Arresters Against Transient Impulses Using Genetic Algorithms”, Department of Electrical, East Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran, Australian Journal of Basic and Applied Sciences, 5(10):, 2011 , ISSN 1991-8178, pp 577-583 [21] P.F Evangelides, C.A Christodoulou, I.F Gonos, I.A Stathopulos, “Parameters’ selection for metal oxide surge arresters models using genetic algorithm”, High Voltage Laboratory, School of Electrical and Computer Engineering, National Technical University of Athens, Iroon Politechniou Street, Zografou Campus, Athens 15780, Greece, 30th International Conference on Lightning Protection - ICLP 2010(Cagliari, Italy - September 13th -17th, 2010) HVTH: Võ Thanh Âu Trang 115 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh [22] C.A Christodoulou, L Ekonomou , A.D Mitropoulou , V Vita, I.A Stathopulos, “Surge arresters’ circuit models review and their application to a Hellenic 150 kV transmission line”, A.S.PE.T.E.–School of Pedagogical and Technological Education, Department of Electrical Engineering Educators, N Yeraklion, 141 21 Athens, Greece, Simulation Modelling Practice and Theory 18 (2010), pp.836–849 HVTH: Võ Thanh Âu Trang 116 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh PHỤ LỤC PL 5.1: Thông số kỹ thuật Chống sét van EVP Ohio Brass: HVTH: Võ Thanh Âu Trang 117 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh HVTH: Võ Thanh Âu Trang 118 Luan van Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh PL 5.2.Thông số kỹ thuật Chống sét van AZG2 Cooper HVTH: Võ Thanh Âu Trang 119 Luan van S K L 0 Luan van ... phá hỏng có q điện áp xảy Dịng điện chạy qua chống sét van dịng phóng điện điện áp hai cực đƣợc gọi điện áp dƣ Nhƣ vậy, tổng điện áp dƣ chống sét van với điện áp rơi dây nối điện áp đặt lên thiết... chế độ xác lập, điện áp đặt hai cực chống sét điện áp pha – đất Trong chế độ này, điện áp đặt vào chống sét phân bố tỷ lệ dọc theo phần khe hở phần đĩa Sự phân bố điện áp phụ thuộc vào tổng trở... chống sét Mục tiêu bảo vệ áp hệ thống điện tránh hƣ hỏng cách điện, ngừng làm việc hƣ hỏng thiết bị 1.2 CÁC LOẠI CÁCH ĐIỆN Cách điện thiết bị đƣợc chia làm hai loại: cách điện cách điện Vật liệu cách