Luận văn nghiên cứu tính chất hấp thụ và quang huỳnh quang của nano tinh thể cdxzn1 xs pha tạp cu

Danh mục ký hiệu chữ viết tắt Các ký hiệu x d r aZb aWz, cWz α γ C β θ  ν h Eg Eu Ec e Hàm lượng thành phần hóa học nano tinh thể Đường kính nano tinh thể Bán kính nano tinh thể Hằng số mạng tinh thể cấu trúc zinc blende Các số mạng tinh thể cấu trúc wurtzite Độ hấp thụ Hệ số dập tắt Nồng độ nano tinh thể mẫu dung dịch Độ rộng đỉnh nhiễu xạ nửa cực đại Góc nhiễu xạ Bước sóng me* Tần số Hằng số Planck Năng lượng vùng cấm Năng lượng Urbach Năng lượng trạng thái điện tử Điện tích điện tử Khối lượng hiệu dụng điện tử mh* Khối lượng hiệu dụng lỗ trống mr  Khối lượng rút gọn điện tử lỗ trống Bậc phản xạ Nồng độ điện tử Hằng số điện môi vật liệu o Hằng số điện môi chân không ’ Ứng suất n n’ b ΔEMB ΔAH ΔPH Hằng số bowing quang học Độ dịch lượng Moss-Burstein Độ dịch đỉnh hấp thụ thứ Độ dịch đỉnh phát xạ lượng cao Các chữ viết tắt NC Nano tinh thể Zb Zinc blende Wz Wurtzite XRD Nhiễu xạ tia X EDX Tán sắc lượng tia X AAS Phổ hấp thụ nguyên tử PL Quang huỳnh quang EH(A) Vị trí đỉnh phát xạ lượng cao NC Cd0,5Zn0,5S EH(B) Vị trí đỉnh phát xạ lượng cao NC Cd0,5Zn0,5S:Cu Danh mục bảng Bảng 3.1 Trang So sánh hàm lượng x tính tốn kết phân tích 36 EDX AAS Danh mục hình vẽ, đồ thị Hình 1.1 Hình 1.2 Hình 1.3 Hình 1.4 Hình 1.5 Hình 1.6 Trang Sự phụ thuộc hàm lượng tạp Mn NC ZnxCd1-xS vào thành phần x (a) Phổ hấp thụ, (b) phổ PL, (c) màu phát xạ NC ZnxCd1-xS:Cu/ZnS chế tạo với tỷ lệ Zn/Cd khác Mô tả trình pha tạp Cu vào NC ZnxCd1-xSe 10 Đồ thị biểu diễn lượng vùng cấm NC Zn xCd1- 11 xSe phụ thuộc vào kích thước hàm lượng thành phần Đường liền nét kết tính tốn lý thuyết; ký hiệu ●, ○, Δ, × thể kết thực nghiệm Khoảng phổ phát xạ NC bán dẫn pha tạp khác 13 Khoảng bước sóng phát xạ InP:Cu mở rộng đến 1100 nm số liệu giới hạn vùng nhìn thấy Giản đồ lượng minh họa (a) q trình kích thích 14 (b) q trình rã kích thích 1 lượng trạng thái bản, 2 biểu diễn lượng trạng Hình 1.7 thái kích thích Giản đồ lượng (a) q trình kích thích (b) q trình rã kích thích NC bán dẫn pha Mn 1, 2, 3 mô tả trạng thái (mạng + Mn), (mạng nền* + Mn), (mạng + Mn*) với ký hiệu * trạng thái kích thích 14 Hình 1.8 Hình 1.9 Hình 1.10 Hình 1.11 Hình 1.12 Hình 2.1 Hình 3.1 Hình 3.2 Hình 3.3 Hình 3.4 Hình 3.5 Hình 3.6 Giản đồ lượng NC ZnS pha tạp Mn có trạng thái bề mặt/sai hỏng Các trình kích thích rã kích thích (a) NC không pha tạp (b) NC pha tạp Các đốn nhận khác vị trí mức lượng ion Cu2+ vật liệu bán dẫn II-VI Vị trí mức lượng ion Cu vật liệu InP, ZnSe, CdS ZnS Các vị trí xác định vị trí lượng phát xạ thấp ion Cu Sơ đồ giải thích hình thành chân hấp thụ Urbach Giản đồ cấu trúc vùng lượng với trạng thái điện tử lấp đầy hoàn toàn hàm phân bố điện tử với mức Fermi vùng dẫn Minh họa hình học định luật nhiễu xạ Bragg Ảnh TEM giản đồ phân bố kích thước mẫu NC nền: (a) Cd0,3Zn0,7S; (b) Cd0,5Zn0,5S; (c) Cd0,7Zn0,3S; mẫu NC pha tạp % Cu: (d) Cd0,3Zn0,7S:Cu; (e) Cd0,5Zn0,5S:Cu; (f) Cd0,7Zn0,3S:Cu Ảnh TEM giản đồ phân bố kích thước mẫu NC Cd0,4Zn0,6S:Cu có hàm lượng Cu: (a) %; (b) 0,2 %; (c) % Kích thước trung bình mẫu NC Zn1-xCdxS NC Zn1-xCdxS:1 % Cu có hàm lượng x = 0,3; 0,4; 0,5; 0,7 Phổ EDX mẫu NC Cd0,7Zn0,3S Phân tích Rietveld mẫu: (a) NC Cd0,4Zn0,6S NC Cd0,4Zn0,6S:1 % Cu; (b) NC Cd0,7Zn0,3S NC Cd0,7Zn0,3S:1 % Cu Các giản đồ XRD pha Zb Wz tương ứng phân biệt màu nhạt màu đậm (a) Sự thay đổi số mạng tinh thể pha cấu trúc Zb Wz (b) tỉ phần pha cấu trúc Wz theo hàm lượng thành phần x mẫu NC CdxZn1-xS NC CdxZn1-xS:1 % Cu Các số mạng tinh thể NC 15 19 20 21 22 30 34 35 36 36 37 38 Hình 3.7 Hình 3.8 Hình 3.9 Hình 3.10 Hình 3.11 CdxZn1-xS NC CdxZn1-xS:1 % Cu tương ứng nhóm ký hiệu (○, □, ∆) (●, ■,▲) (a) Phân tích Rietveld giản đồ XRD mẫu Cd0,4Zn0,6S:Cu với hàm lượng Cu khác khoảng % - 1,5 %; (b) Sự thay đổi tỉ phần pha Wz theo hàm lượng tạp Cu Đường liền nét thể xu hướng thay đổi tỉ phần pha Wz Ảnh TEM (a) mẫu A (b) mẫu B (a) Minh họa phân tích Rietveld giản đồ XRD, (b) chứng hợp kim đồng mẫu A (a) Các phổ hấp thụ, PL, (b) phổ PL phụ thuộc cơng suất kích thích mẫu A B Sự thay đổi (a) lượng phát xạ (b) tỉ số cường 39 40 40 41 42 độ tích phân IL100/(IL+IH) mẫu A B Hình 3.12 Hình 3.13 Hình 3.14 Hình 3.15 mối liên quan với cơng suất kích thích quang (a) Phổ hấp thụ (b) phổ PL mẫu NC Cd0.4Zn0.6S không pha tạp pha tạp Cu với hàm lượng tạp Cu khoảng 0,2 % - 1,5 % Năng lượng dịch đỉnh AH PH mẫu pha tạp Cu so với mẫu không pha tạp mối liên quan với hàm lượng tạp Cu Ảnh TEM phân bố kích thước mẫu NC Cd0.4Zn0.6S pha tạp Cu với hàm lượng khác nhau: (a) %; (b) 0,2 %; (c) % (a) Phân tích Rietveld giản đồ XRD NC Cd0.4Zn0.6S có hàm lượng Cu %, 0,5 % % (Các số Miller tương ứng với đỉnh nhiễu xạ pha Zb số in nghiêng); (b) Sự thay đổi tỉ phần pha Wz mẫu theo hàm lượng tạp Cu 43 44 44 45 MỤC LỤC Trang Mở đầu …………………………………………………………… Chương Vấn đề pha tạp đặc trưng quang phổ nano tinh thể bán dẫn II-VI pha tạp kim loại chuyển tiếp ……… 1.1 Vấn đề pha tạp kim loại chuyển tiếp 1.2 Đặc trưng quang phổ nano tinh thể bán dẫn II-VI pha tạp kim loại chuyển tiếp 1.2.1 Năng lượng vùng cấm nano tinh thể bán dẫn hợp kim 1.2.2 Đặc trưng quang phổ nano tinh thể bán dẫn II-VI pha tạp kim loại chuyển tiếp 1.3 Ảnh hưởng cơng suất kích thích đến phổ quang huỳnh quang 1.4 Ý tưởng nghiên cứu Kết luận chương Chương Mẫu nghiên cứu phương pháp khảo sát đặc trưng vật liệu 2.1 Giới thiệu mẫu nghiên cứu 2.2 Các phương pháp khảo sát đặc trưng vật liệu ………… 2.2.1 Hiển vi điện tử truyền qua ……………………………… 2.2.2 Quang phổ tán sắc lượng ………………………… 2.2.3 Quang phổ hấp thụ nguyên tử ………………………… 2.2.4 Nhiễu xạ tia X ………………………………………… 2.2.5 Hấp thụ quang ………………………………………… 2.2.6 Quang huỳnh quang …………………………………… Kết luận chương …………………………………………………… Chương Kết nghiên cứu tính chất hấp thụ quang huỳnh quang nano tinh thể CdxZn1-xS:Cu …………… 3.1 Kích thước cấu trúc tinh thể mẫu 3.1.1 Kích thước 3.1.2 Cấu trúc tinh thể 3.2 Ảnh hưởng tạp Cu đến đặc trưng quang phổ 6 10 10 12 22 23 25 26 26 27 27 28 28 29 31 31 33 34 34 34 37 nano tinh thể CdxZn1-xS …………………………… 3.3 Bản chất dịch phổ nano tinh thể CdxZn1-xS pha tạp Cu ……………………………………………… Kết luận chương …………………………………………………… Kết luận kiến nghị ……………………………………………… Kết luận ………………………………………………………… Kiến nghị ………………………………………………………… Tài liệu tham khảo ………………………………………………… Công bố khoa học ………………………………………………… 39 42 48 49 49 49 50 59 MỞ ĐẦU Trong số vật liệu bán dẫn II-VI, ZnS (Eg = 3,72 eV) CdS (Eg = 2,42 eV) vật liệu bán dẫn vùng cấm rộng quan trọng có tiềm ứng dụng để chế tạo diode phát quang vùng tử ngoại, linh kiện điện huỳnh quang, chất xúc tác quang, cảm biến hóa học sinh học, … Việc chế tạo thành công nano tinh thể (NC) CdxZn-xS mở khả để thay đổi màu phát xạ từ vùng phổ tử ngoại đến vùng hồng ngoại gần không cách thay đổi kích thước mà cịn cách thay đổi tỉ số thành phần Cd/Zn NC Trong năm gần đây, NC bán dẫn pha tạp kim loại chuyển tiếp quan tâm nghiên cứu bên cạnh ưu điểm NC chúng cịn có ưu điểm bổ sung độ dịch Stokes lớn tránh tự hấp thụ/truyền lượng, có thời gian sống trạng thái kích thích dài hơn, có độ ổn định nhiệt hóa học cao Khác với NC bán dẫn pha tạp Mn, phát xạ từ NC pha tạp Cu chủ yếu sinh chuyển dời từ vùng dẫn vật liệu đến trạng thái d Cu Do đó, việc pha tạp Cu cách thuận lợi để điều khiển tính chất quang NC bán dẫn Tuy nhiên, ảnh hưởng tạp Cu đến tính chất quang NC bán dẫn chưa hiểu biết đầy đủ, ví dụ trạng thái oxy hóa Cu mạng tinh thể bán dẫn II-VI, vị trí mức lượng ion Cu vùng cấm, nguồn gốc dịch phổ hấp thụ huỳnh quang pha tạp kim loại chuyển tiếp, … Do đó, khó chủ động thiết kế chế tạo NC bán dẫn pha tạp kim loại chuyển tiếp có tính chất quang phù hợp với mục đích ứng dụng cụ thể Thuộc hướng nghiên cứu này, đề tài luận văn “Nghiên cứu tính chất hấp thụ quang huỳnh quang nano tinh thể CdxZn1-xS pha tạp Cu” Mục đích đề tài: Làm sáng tỏ chất tượng dịch phổ hấp thụ quang huỳnh quang (PL) nano tinh thể hợp kim CdxZn1-xS pha tạp Cu Các nội dung nghiên cứu: - Ảnh hưởng tạp Cu đến đặc trưng vật lý NC CdxZn-xS:Cu hình dạng, kích thước, cấu trúc tinh thể, tính chất hấp thụ quang PL - Nguyên nhân dịch đỉnh hấp thụ phát xạ bờ vùng NC CdxZn-xS pha tạp Cu Cách tiếp cận vấn đề: Để thực nội dung nghiên cứu, phương pháp so sánh áp dụng mẫu NC CdxZn1-xS không pha tạp pha tạp Cu có phân bố nguyên tố hóa học đồng chế tạo điều kiện công nghệ Các mẫu nghiên cứu có hàm lượng thành phần khoảng < x < Các mẫu NC pha tạp Cu với hàm lượng tạp thay đổi từ 0,2 % đến 1,5 % Kết khảo sát đặc trưng quang phổ mẫu NC xem xét mối liên quan với hình dạng, kích thước, cấu trúc tinh thể tượng vật lý liên quan tái chuẩn hóa vùng cấm, xuất chân hấp thụ Urbach, hiệu ứng Moss-Burstein, tương tác trao đổi sp-d Đặc biệt, phổ hấp thụ phổ PL dịch khác mơ hình Urbach MossBurstein nên cần kết hợp khảo sát đồng thời phổ hấp thụ phổ PL Bên cạnh đó, kết khảo sát phổ PL phụ thuộc cơng suất kích thích khai thác để nhận biết trình hồi phục quang NC CdxZn1-xS:Cu Bố cục luận văn: Luận văn gồm 66 trang, bảng, 28 hình đồ thị Ngoài phần mở đầu, tài liệu tham khảo công bố khoa học, nội dung luận văn chia thành chương Chương “Vấn đề pha tạp đặc trưng quang phổ nano tinh thể bán dẫn II-VI pha tạp kim loại chuyển tiếp” trình bày số vấn đề pha tạp đặc trưng quang phổ NC bán dẫn II-VI pha tạp kim loại chuyển tiếp, làm sở để đề xuất ý tưởng nghiên cứu Chương “Mẫu nghiên cứu phương pháp khảo sát đặc trưng vật liệu” giới thiệu mẫu sử dụng để nghiên cứu tính chất hấp thụ quang PL NC bán dẫn ba thành phần CdxZn1-xS pha tạp Cu phương pháp khảo sát đặc trưng chúng Chương “Kết nghiên cứu tính chất hấp thụ quang huỳnh quang nano tinh thể CdxZn1-xS:Cu” trình bày thảo luận kết nghiên cứu chế hồi phục quang ảnh hưởng hàm lượng tạp Cu khoảng 0,2 % - 1,5 % đến hình dạng, kích thước, cấu trúc tinh thể đặc trưng quang phổ NC Zn1-xCdxS:Cu có hàm lượng thành phần < x < Phần “Kết luận kiến nghị” tóm tắt kết nghiên cứu đạt đề xuất hướng nghiên cứu [11] Nag A., Sapra S., Nagamani C, Sharma A., Pradhan N., Bhat S.V., Sarma D.D., 2007, A study of Mn2+ Doping in CdS Nanocrystals, Chem Mater., 19, pp 3252-3259 [12] Zhang W., Zhou X., Zhong X., 2012, One-Pot Noninjection Synthesis of Cu-Doped ZnxCd1-xS Nanocrystals with Emission Color Tunable over Entire Visible Spectrum, Inorg Chem., 51, pp 3579-3587 [13] Acharya S, Pradhan N, 2011, Insertion/Ejection of Dopant Ions in Composition Tunable Semiconductor Nanocrystals, J Phys Chem., 115, pp 19513-19519 [14] Petrov D.V., Santos B.S., Pereira G.A.L., De Mello Donegá C., 2002, Size and band-gap dependences of the first hyperpolarizability of CdxZn1-xS nanocrystals, J Phys Chem B, 106, pp 5325-5334 [15] Chawla A.K., Singhal S., Nagar S., Gupta H.O., Chandra R., 2010, Study of composition dependent structural, optical, and magnetic properties of Cudoped Zn1-xCdxS nanoparticles, J Appl Phys., 108, p 123519 [16] Swafford L.A., Weigand L.A., Bowers M.J., McBride J.R., Rapaport J.L., Watt T.L., Dixit S.K., Feldman L.C., Rosenthal S.J., 2006, Homogeneously alloyed CdSxSe1-x nanocrystals: Synthesis, characterization, and composition/size-dependent band gap, J Am Chem Soc., 128, pp 12299-12306 [17] Preethi V., Kanmani S., 2013, Photocatalytic hydrogen production, Mater Sci Semicond Process., 16, pp 561-575 [18] Ma L., Jia I., Guo X., Xiang L., 2014, Current Status and perspective of rare earth catalytic materials and catalysis, Chinese J Catalysis, 35, pp 108-119 [19] Yang C.C., Li S., 2008, Size, Dimensionality, and Constituent Stoichiometry Dependence of Bandgap Energies in Semiconductor Quantum Dots and Wires, J Phys Chem., 112, pp 2851-2856 [20] Pradhan N., Battaglia D.M., Liu Y., Peng X., 2007, Efficient, Stable, Small, and Water-Soluble Doped ZnSe Nanocrystal Emitters as Non Cadmium Biomedical Labels, Nano Lett., 7, pp 312-317 51 [21] Norris D.J., Yao N., Charnock F.T., Kennedy T.A., 2001, High Quality Manganese-Doped ZnSe Nanocrystals, Nano Lett., 1, pp 3-7 [22] Pradhan N., Goorskey D., Thessing J., Peng X., 2005, An Alternative of CdSe Nanocrystal Emitters: Pure and Tunable Impurity Emission in ZnSe Nanocrystals, J Am Chem Soc., 127, pp 17586-17587 [23] Srivastava B.B., Jana S., Karan N.S., Paria S., Jana N.R., Sarma D.D., Pradhan N., 2010, Highly Luminescent Mn-Doped ZnS Nanocrystals: Gram-Scale Synthesis, J Phys Chem Lett., 1, pp 1454-1458 [24] Xie R., Peng X., 2009, Synthesis of Cu-doped InP nanocrystals (ddots) with ZnSe diffusion barrier as efficient and color-tunable NIR emitters, J Am Chem Soc., 131, pp 10645-10651 [25] Pradhan N., Sarma D.D., 2011, Advanced in Light-Emitting Doped Semiconductor Nanocrystals, J Phys Chem Lett., 2, pp 2818-2826 [26] Sapra S., Prakash A., Ghangrekar A., Periasamy N., Sarma D.D., 2005, Emission properties of Manganese-Doped ZnS Nanocrystals, J Phys Chem B, 109, pp 1663-1668 [27] Vlaskin V.A., Janssen N., van Rijssel J., Beaulac R., Gamelin D.R., 2010, Tunable Dual Emission in Doped Semiconductor Nanocrystals, Nano Lett., 10, pp 1007-1015 [28] Nag A., Cherian R., Mahadevan P., Gopal A.V., Hazarika A., Mohan A., Vengurlekar A.S., Sarma D.D., 2010, Size-Dependent Tuning of Mn2+ d Emission in Mn2+-Doped CdS Nanocrystals: Bulk vs Surface, J Phys Chem C, 114, pp 18323-18329 [29] Viswanatha R., Sarma D.D., 2005, Study of the Growth of capped ZnO Nanocrystals: A Route to Rational Synthesis, Chem Eur J., 12, pp 180-186 [30] Corrado C., Jiang Y., Oba F., Kozina M., Bridges F., Zhang J.Z., 2009, Synthesis, Structural and Optical Properties of Stable ZnS:Cu,Cl Nanocrystals, J Phys Chem A, 113, pp 3830-3839 [31] Tang A., Yi L., Han W., Teng F., Wang Y., Hou Y., Gao M., 2010, Synthesis, optical properties, and superlattice structure of Cu(I)-doped CdS nanocrystals, Appl Phys Lett., 97, p 033112 52 [32] Bol A.A., Ferwerda J., Bergwerff J.A., Meijering A., 2002, Luminescence of nanocrystalline ZnS:Cu2+, J Lumin., 99, pp 325-334 [33] Kim J.U., Kim Y.K., Yang H.J., 2009, Reverse micelle-derived Cudoped Zn1−xCdxS quantum dots and their core/shell structure, J Colloid Interface Sci., 341, pp 59-63 [34] Singh S.B., Limaye M.V., Lalla N.P., Kulkarni S.K., 2008, Copperion-induced photoluminescence tuning in CdSe nanoparticles, J Lumin., 128, pp 1909-1912 [35] Nishidate K., Sato T., Matsukura Y., Baba M., Hasegawa M., Sasaki T., 2006, Density-functional electronic structure calculations for native defects and Cu impurities in CdS, Phys Rev B, 74, p 035210 [36] Meulenberg R.W., van Buuren T., Hanif K.M., Willey T.M., Strouse G.F., Terminello L.J., 2004, Structure and Composition of Cu-Doped CdSe Nanocrystals Using Soft X-ray Absorption Spectroscopy, Nano Lett., 4, pp 2277-2285 [37] Stouwdam J.W., Janssen R.A., 2009, Electroluminescent Cu‐doped [38] [39] [40] [41] CdS Quantum Dots, Adv Mater., 21, pp 2916-2920 Viswanatha R., Chakraborty S., Basu S., Sarma D.D., 2006, BlueEmitting Coper-Doped Zinc Oxide Nanocrystals, J Phys Chem B, 110, pp 22310-22312 Isarov A.V., Chrysochoos J., 1997, Optical Photochemical Properties of Nonstoichiometric Cadmium Sulfide Nanoparticles: Surface Modification with Copper (II) Ions, Langmuir, 13, pp 3142-3149 Srivastava B.B., Jana S., Pradhan N., 2011, Doping Cu in semiconductor nanocrystals: Some old and some new physical insights, J Am Chem Soc., 133, pp 1007-1015 Hsu Y.Y., Suen N.T., Chang C.C., Hung S.F., Chen C.L., Chan T.S., Dong C.L., Chan C.C., Chen S.Y., Chen H.M., 2015, Heterojunction of Zinc Blende/Wurtzite in Zn1-xCdxS Solid Solution for Efficient Solar Hydrogen Generation: X-ray Absorption/Diffraction Approaches, ACS Appl Mater Interf., 7, pp 22558-22569 53 [42] Peng W.Q., Cong G.W., Qu S.C., Wang Z.G., 2006, Synthesis and photoluminescence of ZnS:Cu nanoparticles, Opt Mater., 29, pp 313317 [43] Mandal P., Talwar S.S., Major S.S., Srinivasa R.S., 2008, Orange-red luminescence from Cu doped CdS nanophosphor prepared using mixed Langmuir–Blodgett multilayers, J Chem Phys., 128, p 114703 [44] Yuan X., Ma R., Zhang W., Hua J., Meng X., Zhong X., Zhang J., Zhao J., Li H., 2015, Dual emissive manganese and copper co-doped Zn-In-S quantum dots as a single color-converter for high color rendering whitelight-emitting diodes, ACS Appl Mater Interf., 7, pp 8659-8666 [45] Hadasa K., Yellaiah G., Nagabhushanam M., 2014, Optical and transport properties of Cd0.8Zn0.2S:Cu compounds prepared by modified chemical co-precipitation method, Optik, 125, pp 6602-6608 [46] Sreelekha N., Subramanyam K., Murali G., Giribabu G., 2014, Effect of Cu doping on Structural and Optical properties of CdS Nanoparticles, Int J Chem Tech Res., 6, pp 2113-2116 [47] Reyes P., Velumani S., 2012, Structural and optical characterization of mechanochemically synthesized copper doped CdS nanopowders, Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, 177, pp 1452-1459 [48] Rasoul K.T.A., Abbas N.K., Shanan Z.J., 2013, Structural and Optical Characterization of Cu and Ni Doped ZnS Nanoparticles, Inter J Electrochem Sci., 8, pp 5594-5604 [49] Choudhury B., Borah B., Choudhury A., 2012, Extending photocatalytic activity of TiO2 nanoparticles to visible region of illumination by doping of cerium, Photochem Photobiol., 88, pp 257-264 [50] Ziabari A.A., Ghodsi F.E., 2013, Influence of Cu doping and post-heat treatment on the microstructure, optical properties and 54 [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] photoluminescence features of sol-gel derived nanostructured CdS thin films, J Lumin., 141, pp 121-129 Gul S., Cooper J.K., Corrado C., Vollbrecht B., Bridges F., Guo J., Zhang J.Z., 2011, Synthesis, optical and structural properties, and charge carrier dynamics of Cu-doped ZnSe nanocrystals, J Phys Chem C, 115, pp 20864-20875 Devadoss I., Muthukumaran S., 2015, Influence of Cu doping on the microstructure, optical properties and photoluminescence features of Cd0.9Zn0.1S nanoparticles, Physica E, 72, pp 111-119 Makkar M., Viswanatha R., 2017, Recent advances in magnetic iondoped semiconductor quantum dots, Current Sci., 112, pp 1421-1429 Mikulski J., Sikora B., Fronc K., Aleshkevych P., Kret S., Suffczyński J., Papierska J., Kłopotowski Ł., Kossut J., 2016, Synthesis and magnetooptic characterization of Cu-doped ZnO/MgO and ZnO/oleic acid core/shell nanoparticles, RSC Adv., 6, pp 44820-44825 Boubaker K., 2011, A physical explanation to the controversial urbach tailing universality, Eur Phys J Plus, 126, pp.1-4 Gibbs Z.M., La Londe A., Snyder G.J., 2013, Optical band gap and the Burstein–Moss effect in iodine doped PbTe using diffuse reflectance infrared Fourier transform spectroscopy, New J Phys., 15, p 075020 Furdyna J.K., 1988, Diluted magnetic semiconductors, J Appl Phys., 64, p R29 Dalgarno P.A., Ediger M., Gerardot B.D., Smith J.M., Seidl S., Kroner M., Karrai K., Petroff P.M., Govorov A.O., Warburton R.J., 2008, Optically Induced Hybridization of a Quantum Dot State with a Filled Continuum, Phys Rev Lett., 100, p 176801 Heitz R., Guffarth F., Mukhametzhanov I., Grundmann M., Madhukar A., Bimberg D., 2000, Many-body effects on the optical spectra of InAs/GaAs quantum dots, Phys Rev B, 62, pp 16881-16885 Kleemans N.A.J.M., Van Bree J., Govorov A.O., Keizer J.G., Hamhuis G.J., Otzel R.N., Silov Y.A, Koenraad P.M., 2010, Many- 55 [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] body exciton states in self-assembled quantum dots coupled to a Fermi sea, Nat Phys., 6, pp 534-538 Nowak A.K., Gallardo E., Van der Meulen H.P., Calleja J.M., Ripalda J.M., Gonzalez L., Gonzalez Y., 2011, Band-gap renormalization in InP/GaxIn1-xP quantum dots, Phys Rev B, 83, p 245447 Luan W., Yang H., Tu S., Wang Z., 2007, Open-to-air synthesis of monodisperse CdSe nanocrystals via microfluidic reaction and its kinetics, Nanotechnology, 18, p 175603 Wang L., Liu W., Lu Y., Yu X., Song X., 2016, Effects of different fatty acid ligands on the synthesis of CdSe nanocrystals, J Mater Sci., 51, pp 6035-6040 Kwak J., Lim J., Park M., Lee S., Char K., 2015, High-Power Genuine Ultraviolet Light-Emitting Diodes Based On Colloidal Nanocrystal Quantum Dots, Nano Lett., 15, pp 3793-3799 Yu W.W., Qu L., Guo W., Peng X., 2003, Experimental determination of the extinction coefficient of CdTe, CdSe, and CdS nanocrystals, Chem Mater., 15, pp 2854-2860 Yu W.W., Wang Y.A., Peng X., 2003, Formation and Stability of Size, Shape-, and Structure-Controlled CdTe Nanocrystals: Ligand Effects on Monomers and Nanocrystals, Chem Mater., 15, pp 4300-4308 Rodriguez-carvajal J., 1997, Structural Analysis from Powder Diffraction Data The Rietveld Method, Ecole Thematique: Cristallographie et neutrons, 418, pp 73-95 La Porta F.A., Andrés J., Li M.S., Sambrano J.R., Varela J.A., Longo E., 2014, Zinc blende versus wurtzite ZnS nanoparticles: control of the phase and optical properties by tetrabutylammonium hydroxide, Phys Chem Chem Phys., 16, pp 20127-20137 Li J., Kempken B., Dzhagan V., Zahn D.R.T., Grzelak J., Mackowski S., Parisi J., Kolny-Olesiak J., 2015, Alloyed CuInS2-ZnS nanorods: synthesis, structure and optical properties, Cryst Eng Comm., 17, pp 5634-5643 56 [70] Yu W.W., Qu L., Guo W., Peng X., 2003, Experimental determination of the extinction coefficient of CdTe, CdSe, and CdS nanocrystals, Chem Mater., 15, pp 2854-2860 [71] Chung H., Choi H., Kim D., Jeong S., Kim J., 2015, Size Dependence of Excitation-Energy-Related Surface Trapping Dynamics in PbS Quantum Dots, J Phys Chem C, 119, pp 7517-7524 [72] Alehdaghi H., Marandi M., Molaei M., Irajizad A., Taghavinia N., 2014, Facile synthesis of gradient alloyed ZnxCd1−xS nanocrystals using a microwave-assisted method, J Alloys Compd., 586, pp 380384 [73] Chen Z., Tian Q., Song Y., Yang J., Hu J., 2010, One-pot synthesis of ZnxCd1−xS nanocrystals with tunable optical properties from molecular precursors, J Alloys Compd., 506, pp 804-810 [74] Roushdy N., Farag A.A.M., Rafea M.A., El-shazly O., El-wahidy E.F, 2013, Influence of cadmium content on the microstructure characteristics of dip coated nanocrystalline Zn1−xCdxS (0 ⩽ x ⩽ 0.9) [75] [76] [77] [78] and their heterojunction applications, Superlattices Microstruct., 62, pp 97-109 Kurma R.S., Veeravazhuthi V., Muthukumarasamy N., Thambidurai M., Sankar D.V., 2015, Effect of nickel doping on structural and optical properties of ZnS nanoparticles, Superlattices and Microstruct., 86, pp 552-558 Devadoss I., Muthukumaran S., 2016, Band gap tailoring and yellow band emission of Cd0.9−xMnxZn0.1S (x=0 to 0.05) nanoparticles: Influence of Mn concentration, Mater Sci Semicond Proc., 41, pp 282-290 Lee Y.R., Ramdas A.K., Aggarwal R.L., 1988, Energy gap, excitonic, and ‘‘internal’’ Mn2+ optical transition in Mn-based II-VI diluted magnetic semiconductors, Phys Rev B, 38, p 10600 Kim K.J., Park Y.R., 2003, Optical absorption and electronic structure of Zn1−xMnxO alloys studied by spectroscopic ellipsometry, J Appl Phys., 94, pp 867-869 57 [79] Kim K.J., Park Y.R., 2002, Spectroscopic ellipsometry study of optical transitions in Zn1−xCoxO alloys, Appl Phys Lett., 81, p.1420 [80] Kumar V., Kumari S., Kumar P., Kar M., Kumar L., 2015, Structural analysis by rietveld method and its correlation with optical propertis of nanocrystalline zinc oxide, Adv Mater Lett., 6, pp 139-147 [81] Mocatta D., Cohen G., Schattner J., Millo O., Rabani E., Banin U., 2011, Heavily Doped Semiconductor Nanocrystal Quantum Dots, Science, 332, pp 77-81 [82] Huang F., Banfield J.F., 2005, Size-Dependent Phase Transformation Kinetics in Nanocrystalline ZnS, J Am Chem Soc., 127, pp 45234529 58 Công bố khoa học Phi Van Thang, Hoang Thi Lan Huong, Tran Anh Quang, Nguyen Xuan Nghia, Nguyen Thi Thuy Lieu, 2018, Excitation-power dependent photoluminescence of undoped and Cu-doped homogeneous Cd0.5Zn0.5S nanocrystals, Những tiến Quang học, Quang tử, Quang phổ Ứng dụng X, tr 173-178 59 Những tiến Quang học, Quang tử, Quang phổ Ứng dụng X 2018 EXCITATION-POWER DEPENDENT PHOTOLUMINESCENCE OF UNDOPED AND Cu-DOPED HOMOGENEOUS Cd0.5Zn0.5S NANOCRYSTALS Phi Van Thang1, Hoang Thi Lan Huong2, Tran Anh Quang3, Nguyen Xuan Nghia4, Nguyen Thi Thuy Lieu2 Quy Nhon University, 170 An Duong Vuong, Quy Nhon, Binh Dinh Posts and Telecommunications Institute of Technology, Km10 Nguyen Trai, Thanh Xuan, Hanoi Quang Ninh High School, Quang Ninh, Quang Binh Institute of Physics, 10 Dao Tan, Ba Dinh, Hanoi E-mail: nttlieu@ptit.du.vn Abstract Excitation-power dependent photoluminescence spectra of undoped and Cu-doped homogeneous Cd0.5Zn0.5S nanocrystals have been investigated in range of excitation power from 5×10-3 to mW The existence of Cu dopant in host nanocrystals leads to a strong increase in intensity of low energy emission band in comparison to high energy emission peak The influence of excitation power on the energy position and intensity of emission peaks at high and low energies is analyzed It was found that the excitation power dependent changes in spectral characteristics of undoped and Cu-doped samples are different The intensity ratio of high energy emission peak and low energy emission band increases for Cudoped sample and decreases for undoped sample Besides the band gap renormalization phenomenon observed for the high energy emission peaks of both samples, a linear dependence of the emission energy on third root of excitation power ranging to 0.46 mW was obtained for the low energy band of Cu-doped sample, and interpreted in terms of a state filling mechanism Key words: Undoped and Cu-doped Cd0.5Zn0.5S nanocrystals, Excitation-power dependent photoluminescence, State filling, Band gap renormalization I INTRODUCTION Among the II-VI group, ZnS (Eg = 3.72 eV) and CdS (Eg = 2.42 eV) are important wide bandgap semiconductors, which have potential applications in ultraviolet (UV)-light emitting diodes, electroluminescent devices, photocatalysis, chemical and biological sensing and in imaging applications [1-6] The formation of CdxZn1-xS nanocrystals (NCs) has recently opened new opportunities to tune the optical properties from the UV to the near infrared not only by changing the size but also by varying the Cd 2+/Zn2+ ratio in the NCs [7, 8] In recent years, transition metal (TM)-doped NCs have been investigated intensively since they not simply have all advantages of NCs but also possess additional advantages such as larger Stokes shift to avoid self-absorption/energy transfer, longer excited state lifetimes, and enhanced thermal and chemical stability [9-12] Among doped NC emitters, Mn- and Cu-doped NCs are leading Contrary to Mn-doped NCs, the emission of Cu-doped NCs was mainly originated due to the transition from the conduction ISBN: 173 Advances in Optics, Photonics, Spectroscopy and Applications X 2018 band of host semiconductor to the Cu-d states [13-16] Thus, Cu-doping can provide a convenient way to control the optical properties of host semiconductor In this work, colloidal undope and Cu-doped Cd0.5Zn0.5S NCs are prepared by wet chemical method The excitation power dependent PL spectra are investigated to elucidate the influence of Cu dopant on optical properties of homogeneous Cd0.5Zn0.5S NCs Their spectroscopic characteristics are analysed in relation to the crystal structure II EXPERIMENTS Materials and chemicals Initial chemicals, including zinc stearate (Zn(St)2, 98%), cadmium oxide (CdO, 99.99%, powder), sulfur (S, 99.98%, flour), 1-octadecene (ODE, 90%), and stearic acid (SA, 90%), were purchased from Aldrich and used as received without further purification Synthesis of Cd0.5Zn0.5S NCs For the synthesis of Cd0.5Zn0.5S NCs, a mixture of S (1 mmol) and ODE (24 mmol) was stirred at 100 °C for 60 in a vessel Meanwhile, 0.5 mmol of CdO, 1.4 mmol of SA, and 60 mmol of ODE were put in a three-neck flask, which was then heated up to 280 °C for 60 in order to form a transparent Cd solution Zn solution was obtained by dissolving 0.5 mmol of Zn(St)2 in mixture of SA (0.036 mmol) and ODE (60 mmol) at 180 o C for 60 After that, S solution was swiftly injected into a reaction flask containing a half of Zn and Cd precursor solutions at 280 oC Small amounts of remaining Zn and Cd precursor solutions then were alternately injected into reaction flask The Cd0.5Zn0.5S sample was prepared with reaction time of 270 and labeled as A Synthesis of Cu-doped Cd0.5Zn0.5S NCs Typical synthetic procedure previously described for the preparation of Cd 0.5Zn0.5S was followed expect that Cu 0.2 mol% relative to Cu and Zn was added to the mixture of Cd(St)2, Zn(St)2, SA and ODE before the injection of S precursor solution Cu-doped Cd0.5Zn0.5S sample also was prepared with reaction time of 270 and denoted by B Purification of NC samples Crude solutions obtained after preparing NC samples were mixed with isopropanol (according to the ratio of 1/3 in volume) NCs were collected by using a centrifuge, which worked with speed of 15000 rpm for After purification, a part of the products in powder was used to investigate crystal structure Other parts were dispersed in toluene for checking morphology and size and spectroscopic measurments Measurements Transmission electron microscopy (TEM) images of undoped and Cu-doped Cd0.5Zn0.5S samples were recorded by using JEM 1010 and JEM 2100 microscopes (Jeol) The samples were mounted on a carbon-coated cooper-mesh grid X-ray diffraction (XRD) patterns were obtained from an X-ray diffractometer (Siemen, D5005), using a Cu Kα radiation source with λ = 1.5406 Å Optical absorption spectra were recorded with a Jasco 670 spectrometer The photoluminescence (PL) properties of nanocrystals were studied by using iHR550 spectrometers, where an He-Cd laser with a wavelength of 325 nm and with a maximum excitation power of mW was used 174 ISBN: Những tiến Quang học, Quang tử, Quang phổ Ứng dụng X III 2018 RESULTS AND DISCUSSION Fig shows TEM images of the undoped and Cu-doped Cd0.5Zn0.5S NCs They have dot-like shape and average diameter of ~ 6.5 nm, reflecting that Cu content of 0.2 mol% does not influence on the shape and size of host NCs Fig.1 TEM images of (a) sample A and (b) sample B 20 (112) (311) (110) (220) (102) 30 40 50 2 (degree) 60 (b) Lattice parameter (angstrom) Exp IZb+IWz Zb Wz (101) (100) Intensity (a.u.) (a) (002) (111) XRD patterns of samples A and B are similar For illustration, the XRD pattern of sample A is shown in Fig 2a The shoulders on both sides of diffraction peak centered at about 27° reveal the superposition of diffraction peaks of zinc blende (Zb) and wurtzite (Wz) phases in Cd0.5Zn0.5S NCs To separate the diffraction peaks corresponding to Zb and Wz phases, Rietveld refinement analysis was performed using FullProf program modified with atomic scattering factors for electrons (Wz in space group P63mc and Zb in space group F-43 m) [17, 18] The Zb phase of sample A is characterized by the diffraction peaks centered at 27.6, 45.9, and 54.4° corresponding to the Miller indices (111), (220), and (311), respectively Meanwhile, the remaining part of XRD pattern indicates the Wz phase with the diffraction peaks centered at 26.0, 27.5, 29.4, 38.2, 45.8, and 53.4°, which correspond to the Miller indices (100), (002), (101), (102), (110), and (112), respectively As displayed in Fig 2b, the obtained lattice parameters of Zb and Wz phases are in good agreement with the lattice parameters of bulk Cd0.5Zn0.5S material This confirms the homogeneous alloying of sample A Moreover, the Zb phase fraction calculated basing on the integrated intensities of diffraction peaks of Wz and Zb phases is 52% The similarity of XRD patterns of samples A and B shows the Cu content of 0.2 mol% does not influence on the composition homogeneity and phase fractions of host NCs 0.65 cWz 0.60 0.55 aZb 0.50 0.45 0.40 aWz 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Composition (x) Fig.2 (a) Rietveld refinement analysis of XRD pattern, and (b) the evidence on the homogeneous alloy of sample A ISBN: 175 Advances in Optics, Photonics, Spectroscopy and Applications X 2018 The absorption and PL spectra of samples A and B are depicted in Fig 3a The Cu doping leads to a shift of the first absorption peak and high energy emission peak (labeled as H) from 2.77 to 2.85 eV, and a strong increase in the intensity of low energy emission band (labeled as L) To date, the blue shift of TM-doped A2B6 NCs is explained by the different causes: the change in NC size [19, 20] or the intrinsic reasons of TM-doped NCs like the sp-3d exchange interaction in confinement regime, strain in NC, or excess carriers [21, 22], and therefore, need the further research (b) (a) L PL intensity (a.u.) Absorbance (a.u.) L PL intensity (a.u.) Exc power To identify the optical transitions as well as the competition of radiative combination chanels in Cd0.5Zn0.5S and Cu-doped Cd0.5Zn0.5S NCs, their excitation power dependent PL spectra were investigated As seen in Fig 3b, the changes in relative intensities of emission peaks are different for samples A and B with increasing the excitation power Careful analyses of these excitation power dependent PL spectra lead to the results plotted in Figs 4a and 4b H B H L H B A A 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 Energy (eV) 1.5 2.0 2.5 3.0 Energy (eV) Fig.3 (a) Absorption and PL spectra, and (b) excitation power dependent PL spectra of samples A and B (b) 100 (a) 2.85 EH(A) 2.70 IL×100/(IL+IH) Emission energy (eV) 90 2.80 2.75 B 95 EH(B) 85 80 A 75 EL(B) + 0.7 eV 70 2.65 0.01 0.1 Excitation power (mW) 0.01 0.1 10 Excitation power (mW) Fig.4 (a) Emissions energies and (b) the integrated intensity ratios IL100/(IL+IH) of samples A and B as a function of excitation power 176 ISBN: Những tiến Quang học, Quang tử, Quang phổ Ứng dụng X 2018 In Fig 4a, it shows that the emission energies EH(A) and EH(B) of peaks H of samples A and B are decreased 28 and meV, respectively, as excitation power increases from 0.005 to mW The red shift of band-edge emission peaks is attributed to the band gap renormalization Remarkably, the weaker band gap renormalization for sample B is due to the appearance of new radiative recombination chanel through Cu centers, leading to a decrease of the number of electron and hole located in conduction and valence bands of Cd0.5Zn0.5S NCs As could be seen in Fig 4b, with increasing excitation power from 0.005 to mW, the integrated intensity ratio IL100/(IL+IH) decreases from 94 to 69 % for sample A, meanwhile this ratio changes only from 97 to 91 % for sample B This supports the above suggestion Differently from the high energy emission peak H, the low energy emission band L of sample B increases ~ 24 meV as excitation power increases (Fig 4a) The insert in Fig 5a shows clearly the gradual shift of emission band L of sample B towards high energy side when increasing excitation power As above mentioned, the XRD analysis shows the coexistence of Zb and Wz phases in samples A and B The simultaneous appearance of band-edge and dopant emissions reveals that the carrier confinement regime in Cu-doped Cd0.5Zn0.5S NCs is quasi type-II 0.005 mW 0.46 mW mW (b) 1.99 Emission energy (eV) Normalized intensity (a.u.) (a) 1.6 2.0 2.4 Excitation power (mW) 1.98 1.97 1.96 1.95 0.0 0.5 1.0 1.5 Excitation power1/3 (mW)1/3 Fig (a) Low energy emission band L of Cu-doped Cd0.5Zn0.5S NCs at the different excitation powers; and (b) its emission energy versus the cubic root of excitation power In order to elucidate the nature of emission band L as excitation power increases, Fig 5b presents the energy position of this band as a function of the cubic root of excitation power The linear dependence for excitation power value up to 0.46 mW indicates the type-II nature of emission band L Thus, the emission band L is originated from the spatially indirect transition across Zb domain/Wz domain interface At higher excitation powers, the state filling results in the deviation of emission energy of this band from the linear relation In this case, the emission band L contains the spatially indirect transition across Zb domain/Wz domain interface, and the spatially direct transition from the excited state in conduction band to the Cu2+ state in both Zb and Wz domains ISBN: 177 Advances in Optics, Photonics, Spectroscopy and Applications X IV 2018 CONCLUSION Colloidal undoped and Cu-doped Cd0.5Zn0.5S NCs were prepared by wet chemical method at 280 oC for 270 Rietveld refinement analysis indicates that the samples are homogeneous alloy, and have the Zb phase fraction of 52 % The Cu doping leads to a strong increase in the intensity of low energy emission band The excitation power dependent PL was investigated in order to identify the nature of optical transitions as well as the competition of radiative recombination chanels in undoped and Cu-doped samples The confinement regime for the carriers in Cu-doped Cd0.5Zn0.5S NCs is quasi type-II The increase of excitation power leads to the band gap renormalization and band bending for host NCs At excitation power higher than 0.46 mW, the low energy emission band of Cudoped sample contains the spatially indirect transition across Zb domain/Wz domain interface, and the spatially direct transition from the excited state in conduction band to the Cu2+ state in both Zb and Wz domains The results provided an insight into the fundamental understanding of the optical transitions in Cu-doped ternary semiconductor NCs with coexistence of Zb and Wz structure phases V ACKNOWLEDGMENTS This research is funded by Vietnam National Foundation for Science and Technology Development (NAFOSTED) under grant number 103.02-2017.54 REFERENCES D.R Larson, W.R Zipfel, R.M Williams, S.W Clark, M.P Bruchez, F.W Wise, W.W Webb, Science, Vol 300, 2003, pp 1434-1436 P.O Anikeeva, J.E Halpert, M.G Bawendi, V Bulovic, Nano Lett Vol 9, 2009, pp 25322536 M Afzaal, P O‘Brien, J Mater Chem Vol 16, 2006, pp 1597-1602 B.N Pal, Y Ghosh, S Brovelli, R Loacharoensuk, V Klimov, J.A Hollingsworth, H Htoon, Nano Lett Vol 12, 2012, pp 331-336 A Aboulaich, D Billaud, M Abyan, L Balan, J.-J Gaumet, G Medjahdi, J Ghanbaja, R Schneider, ACS Appl Mater Interfaces Vol 4, 2012, pp 2561-2569 H Labiadh, T Ben Chaabane, L Balan, N Becheik, G Medjahdi, R Schneider, Appl Catal B: Environ Vol 144, 2014, pp 29-35 E Busby, A Thibert, et al., Chem Phys Lett Vol 573, 2013, pp 56-62 S Bhandari, R Begum, A Chattopadhyay, RSC Adv Mater Vol 3, 2013, pp 2885-2888 D.J Norris, A.L Efros, S.C Erwin, Science Vol 309, 2008, pp 1776-1779 10 P Wu, X.P Yan, Chem Soc Rev Vol 42, 2013, pp 5489-5521 11 S Jana, G Manna, B.B Srivastava, N Pradhan, Small Vol 9, 2013, pp 3753-3758 12 S Liu, X Su, Anal Methods Vol 5, 2013, pp 4541-4548 13 B.B Srivastava, S Janan, N Pradhan, J Am Chem Soc Vol 133, 2011, pp 1007-1015 14 R Viswanatha, S Brovelli, et al., Nano Lett Vol 11, 2011, pp 4753-4758 15 S Brovelli, C Galland, R Viswanatha, V.I Klimov, Nano Lett Vol 12, 2012, pp.4372-4379 16 Z Zhang, D Li, R Xie, W Wang, Angew Chem Vol 125, 2013, pp 5156-5159 17 V Kumar, S Kumari, et al., Adv Mater Lett Vol 6, 2015, pp 139-147 18 J Li, B Kempken, V Dzhagan, D.R.T Zahn, J Grzelak, S Mackowski, J Parisi, J KolnyOlesiak, CrystEngComm Vol 17, 2015, pp 5634-5643 19 R.S Kurma, V.Veeravazhuthi, N Muthukumarasamy, M Thambidurai, D.V Sankar, Superlattices and Microstructures Vol 86, 2015, pp 552-558 20 K Hadasa, G Yellaiah, M Nagabhushanam, Optik Vol 125, 2014, pp 6602-6608 21 I Devadoss, S Muthukumaran, Physica E Vol 72, 2015, pp 111-119 22 I Devadoss, S Muthukumaran, Mater Sci Semicond Proc Vol 41, 2016, pp 282-290 178 ISBN: ... hưởng tạp Cu lên đặc trưng quang phổ NC CdxZn 1- xS 33 CHƯƠNG KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT HẤP THỤ VÀ QUANG HUỲNH QUANG CỦA NANO TINH THỂ CdxZn 1- xS: Cu Tính chất hấp thụ quang huỳnh quang NC Zn1-xCdxS:Cu... tài luận văn ? ?Nghiên cứu tính chất hấp thụ quang huỳnh quang nano tinh thể CdxZn 1- xS pha tạp Cu” Mục đích đề tài: Làm sáng tỏ chất tượng dịch phổ hấp thụ quang huỳnh quang (PL) nano tinh thể. .. thành phần CdxZn 1- xS pha tạp Cu phương pháp khảo sát đặc trưng chúng Chương “Kết nghiên cứu tính chất hấp thụ quang huỳnh quang nano tinh thể CdxZn 1- xS: Cu” trình bày thảo luận kết nghiên cứu chế