BÀI GIẢNG các LINH KIỆN bán dẫn

PHÂN LOẠI LKBD THEO KHẢ NĂNG ĐIỀU KHIỂN 2.2.. IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 2.6.. THYRISTOR SCR – Silicon Controlled Rectifier 2.7.. GTO Gate Turn Off Thyristor 2.9.. IGCT I

1

ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT Môn học:

TP.HCM, THÁNG 2 NĂM 2014

ThS PHẠM HỮU THÁI E-mail: phamthai@hcmute.edu.vn Điện thoại: 0985.93.55.69

CHƯƠNG 2: CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN

2.1 PHÂN LOẠI LKBD THEO KHẢ NĂNG ĐIỀU KHIỂN

2.2 DIODE CÔNG SUẤT

2.3 TRANSISTOR BJT CÔNG SUẤT

2.4 MOSFET

2.5 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

2.6 THYRISTOR (SCR – Silicon Controlled Rectifier)

2.7 TRIAC

2.8 GTO (Gate Turn Off Thyristor)

2.9 IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor)

2.10 MCT (MOS CONTROLLED THYRISTOR)

2.11 MTO (MOS TURN OFF THYRISTOR)

2.12 ETO (EMITTER TURN-OFF THYRISTOR)

2.13 SO SÁNH KHẢ NĂNG HOẠT ĐỘNG CỦA CÁC LINH KIỆN

2.14 CÁC MẠCH GHÉP VÀ BẢO VỆ LINH KIỆN BÁN DẪN 2

2.1 PHÂN LOẠI LKBD THEO KHẢ NĂNG ĐIỀU KHIỂN

3

Van bán dẫn

không điều khiển

diode, diac

ĐK kích đóng

thyristor, triac

ĐK kích ngắt

BJT,MOSFET,IGBT,

GTO

2.2 DIODE CÔNG SUẤT

4

2.2.1 KÝ HIỆU - CẤU TẠO - ĐẶC TUYẾN V-A

5

R: reverse – ngược F: forward – thuận

2.2.1 KÝ HIỆU - CẤU TẠO - ĐẶC TUYẾN V-A

6

2.2.2 ĐẶC TÍNH ĐỘNG CỦA DIODE

7

2.2.2 ĐẶC TÍNH ĐỘNG CỦA DIODE

8

2.2.3 BẢO VỆ CHỐNG QUÁ ÁP

9

2.2.4 CÁC THÔNG SỐ CỦA DIODE

10

Điện áp:

• Giá trị điện áp đánh thủng U BR

• Giá trị cực đại điện áp ngược lập lại:

U RRM

• Giá trị cực đại điện áp ngược không

lập lại: U RSM

Dòng điện - nhiệt độ làm việc

• Giá trị trung bình cực đại dòng điện

thuận: I F(AV)M

• Giá trị cực đại dòng điện thuận không

lập lại: I FSM

2.2 BJT

11

2.2.1 Cấu tạo và ký hiệu

12

2.2.2 Đặc tuyến V-A (đặc tính ngõ ra) mạch CE

13

2.2.3 Mạch cách ly tín hiệu điều khiển và mạch kích

14

Sử dụng: OPTO, BIẾN ÁP XUNG

2.2.4 Mạch bảo vệ cho BJT

15

Bảo vệ: du/dt; di/dt

+ Mạch RC có tác dụng hạn chế độ dốc du/dt giữa hai cực CE

nhanh dòng di/dt qua BJT

2.6 THYRISTOR (SCR)

16

2.6.1 Cấu tạo và ký hiệu

17