ĐỀ CƯƠNG MÔN HỌC THIẾT BỊ ĐIỆN TỬ TRẠNG THÁI RẮN Solid-State Electronic Devices

ĐỀ CƢƠNG MÔN HỌC THIẾT BỊ ĐIỆN TỬ TRẠNG THÁI RẮN Solid-State Electronic Devices 1- Tên môn học: Thiết kế mạch tích hợp 2- Phân loại mơn học: Mơn tự chọn 3- Mã số môn học: AUTO 381 4- Số tín chỉ: tín (LT: 2; TH/BT/TL: 1) 5- Mô tả môn học: Nghiên cứu v t u v t lý c a v t li u bán d n, hạt BJT MOSFET v t ết bị t n chất bán d n t ế t -n, thiết bị bán d 6- Mục đích: - Cung cấp kiến thứ ản v t li u bán d n thiết bị n t trạng thái rắn 7- Yêu cầu: Đối với học viên: - Dự lớ ầy , làm t p - Dự ki m tra thi 8- Phân bổ thời gian: Tổng số: 30 tiết - Lý thuyết: 30 tiết; - Bài t p, thảo lu n: 15 tiết 9- Logic môn học: - Môn học tiên quyết: - Môn họ trước: V t lý II 10- Giảng viên tham gia: TT Họ tên ThS Nguyễn Gia Quân Cơ quan công tác K Nă 11- Định hƣớng tập: - Bài t p nhỏ: làm t p theo từ - Bài t p lớn: ươ ọc ượng Chuyên ngành Kỹ thu t n– nt ất 12- Tƣ vấn hƣớng dẫn học viên: - Hướng d n t p thảo lu n lớp - Giới thi u tài li u tham khả tr v ước 13- Tài liệu học tập: A Tài liệu học tập Giáo trình: Thiết bị điện tử quang điện tử - BM Kỹ thu t n – Trườ ĐH T y Lợi biên dịch B Tài liệu tham khảo Solid State Electronic Devices, Ben G Streetman and Sanjay Banerjee, 5th ed Prentice-Hall, Upper Saddle River, NJ, 2000 14- Nội dung chi tiết môn học: A- Nội dung tổng quát phân bổ thời gian Số tiết Tên chƣơng TT Tổng số Lý thuyết Thảo luận, BT Giới thi u chung v t li u bán d n 3 Hạt n v t li u bán d n ộng tái hợp c a hạt Sự chuy n Công ngh sản xuất thiết bị bán d n 3 Tiếp giáp p – n kim loại – bán d n 6 Tụ MOS MOSFET BJT 3 Ki m tra 2 Cộng: 45 30 15 B- Nội dung chi tiết: Chƣơng – Giới thiệu chung vật liệu bán dẫn Tiểu luận, KTra 1.1 1.2 1.3 1.4 V t li u bán d n Cấu trúc tinh th c a Silicon Mơ hình liên kết c a hạt Mơ ì vù ă ượng n bán d n Chƣơng – Hạt mang điện chất bán dẫn 2.1 2.2 2.3 Electron lỗ trống Mức Fermi cân nhi t Sự cân bất biến Chƣơng – Sự chuyển động tái hợp hạt mang điện 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 Chuy ộng nhi t Sự trơi Dịng khuếch tán Mối liên h Einstein Sự tái hợp c a electron lỗ trống Mức Fermi chuẩn (quasi Fermi level) Chƣơng – Công nghệ sản xuất thiết bị bán dẫn 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 Giới thi u chung Q trình oxi hóa silicon Q trình quang khắc Q trình etching Quá trình làm giàu (doping) bán d n VPD Epitaxy Chƣơng – Tiếp giáp p-n tiếp giáp kim loại – bán dẫn 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 Bi u mứ ă ượ v n P ươ trì P ss Mơ ì vù è n tích Vù è n tích phân cự ược Đ t ng tiếp giáp Tiếp giáp pn phân cực thu n Đặc tính V-A c a diode pn Tiếp giáp kim loại – chất bán d n Loại tiếp giáp khác Chƣơng – Tụ MOS MOSFET 6.1 6.2 6.3 6.4 6.5 Tụ MOS Giới thi u CMOS Độ ộng bề mặt tiếp giáp Đ ưỡng – hi u ứ t â ế MOSFET Chƣơng – BJT 7.1 7.2 7.3 7.4 7.5 7.6 7.7 7.8 7.9 Hoạt ộ ản c a BJT Sự khuế ại với BJT Chế tạo BJT Sự phân bố hạt thi u số Sự ịnh thiên Khóa Hi u ứng quan trọng khác Sự hạn chế tần số c a transistor Tiế tr s st r ưỡng cực khác 15- Phƣơng pháp giảng dạy học tập: - Thuyết trình, có minh họa - Nêu vấ ề, thảo lu n lớp - Học viên tự nghiên cứu, làm t p 16- Tổ chức đánh giá mơn học: TT Các hình thức đánh giá Trọng số Ki m tra kỳ (KT), BT, CC 0.3 Thi hết môn ti u lu n (THM) 0.7 Đ m môn học = (KT,CC,BT) x 0.3 + THM x 0.7 ... A Tài liệu học tập Giáo trình: Thiết bị điện tử quang điện tử - BM Kỹ thu t n – Trườ ĐH T y Lợi bi? ?n dịch B Tài liệu tham khảo Solid State Electronic Devices, Ben G Streetman and Sanjay Banerjee,... Chƣơng – Hạt mang điện chất bán dẫn 2.1 2.2 2.3 Electron lỗ trống Mức Fermi cân nhi t Sự cân bất bi? ??n Chƣơng – Sự chuyển động tái hợp hạt mang điện 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 Chuy ộng nhi t Sự trơi... Epitaxy Chƣơng – Tiếp giáp p-n tiếp giáp kim loại – bán dẫn 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 Bi u mứ ă ượ v n P ươ trì P ss Mơ ì vù è n tích Vù è n tích phân cự ược Đ t ng tiếp giáp Tiếp giáp