Xây dựng phần mềm mô phỏng đặc tính của pin mặt trời dựa trên mô mình 2-diode

Bài viết Xây dựng phần mềm mô phỏng đặc tính của pin mặt trời dựa trên mô mình 2-diode trình bày nghiên cứu mô hình hoá pin mặt trời theo mô hình 2-diode và lập công cụ phần mềm mô phỏng đặc tính của pin. Pin mặt trời được mô hình hoá theo mô hình 2-diode với các thông số đầu vào như: dòng bão hoà của các diode, hệ số lý tưởng của các diode, điện trở nối tiếp, điện trở shunt, dòng quang điện.

TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) XÂY DỰNG PHẦN MỀM MƠ PHỎNG ĐẶC TÍNH CỦA PIN MẶT TRỜI DỰA TRÊN MƠ MÌNH 2-DIODE DEVELOPING A TOOL TO SIMULATE PHOTOVOLTAIC CHARACTERISTICS BASED ON 2-DIODE MODEL Phạm Anh Tuân Trường Đại học Điện lực Ngày nhận bài: 14/05/2021, Ngày chấp nhận đăng: 28/12/2021, Phản biện: TS Vũ Minh Pháp Tóm tắt: Bài báo trình bày nghiên cứu mơ hình hố pin mặt trời theo mơ hình 2-diode lập cơng cụ phần mềm mơ đặc tính pin Pin mặt trời mơ hình hố theo mơ hình 2-diode với thơng số đầu vào như: dịng bão hoà diode, hệ số lý tưởng diode, điện trở nối tiếp, điện trở shunt, dòng quang điện Phương trình đặc tính mơ tả quan hệ dịng điện điện áp pin mặt trời giải phương pháp lặp Newton-Raphson Thuật toán lặp phát triển thành công cụ phần mềm mô MATLAB/GUI Công cụ phần mềm cho phép mô đặc tính pin mặt trời thơng số đầu vào thay đổi cho kết thể đặc tính dịng điện - điện áp (I-V) đặc tính cơng suất - điện áp (P-V) Để chứng minh tính đắn, cơng cụ phần mềm kiểm nghiệm cách mơ lại đặc tính pin mặt trời thực tế (bao gồm pin silic, CIGS, CZTS); kết cho thấy đặc tính mơ phù hợp với đặc tính đo thực tế Thơng qua cơng cụ phần mềm người dùng dễ dàng mơ khảo sát đặc tính pin mặt trời điều kiện đầu vào thay đổi Từ khóa: Pin mặt trời, mơ hình pin mặt trời, mơ hình pin mặt trời 2-diode, mơ pin mặt trời Abstract: In this research, we study on 2-diode model of a solar cell or a photovoltaics array and build a software tool to simulate characteristics of these devices Solar cell and photovoltaics array are modeled as a 2-diode model at different values of factor First, the characteristic of the current and voltage equations of solar cell and photovoltaics array are solved by the iterative Newton-Rapson algorithm The iterative algorithm is developed into a simulation software tool based on MATLAB/GUI This software tool allows to simulate the behavior of solar cells when the input parameters change and results in showing current-voltage (I-V) and power-voltage (P-V) characteristics) To prove correct, this software tool has been tested by simulating the characteristics of real solar cells (including Silicon, CIGS, CZTS solar cell); The results show that the simulated characteristics are consistent with the actual measurement characteristics Through this software tool, users can easily simulate and investigate the characteristics of solar cells when the input conditions change Số 27 69 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) Keywords: Solar Cell, PV models, 2-diode model, Solar cell and PV simulation GIỚI THIỆU Hiện nay, điện mặt trời ngày đóng vai trị quan trọng hệ thống điện nguồn lượng quan tâm hàng đầu Để khai thác hiệu lượng điện mặt trời việc nghiên cứu đặc tính làm việc dàn pin mặt trời cần thiết Đặc tính dàn pin mặt trời phụ thuộc vào nhiều yếu tố, đặc biệt số điều kiện môi trường nơi dàn pin làm việc Để mô hoạt động dàn pin mặt trời, người ta thường phải việc mô hoạt động tế bào pin Việc thực thơng qua việc mơ hình hố tế bào pin phần tử mạch điện, từ thiết lập phương trình giải mạch thuật toán để giải Cho đến nay, thay đổi không ngừng cấu trúc pin, vật liệu làm pin hoàn thiện hệ thống điện mặt trời nên có nhiều nghiên cứu nhiều công cụ khác phát triển nhằm đáp ứng thay đổi Có thể kể số là: cơng cụ mơ tế bào pin mặt trời modul pin mặt trời tích hợp thư viện Matlab [1,2]; nghiên cứu đặc tính hoạt động dàn pin, chế hoạt động bám điểm làm việc cực đại hệ thống điện mặt trời [3,4]; nghiên cứu mơ số đặc tích pin mặt trời theo mơ hình 1-diode [5] 70 Một mơ hình tế bào pin mặt trời lý tưởng thường có nguồn dịng nối song song với diode Tuy nhiên, mơ hình lý tưởng bỏ qua tồn khuyết tật vật liệu cấu trúc lớp vật liệu tế bào pin; mơ hình pin có thêm điện trở shunt Rsh điện trở nối tiếp Rs Ngồi ra, mơ hình lý tưởng, hệ số lý tưởng diode cho 1, khuyết tật vật liệu nên thực tế giá trị nằm khoảng từ đến Trong mô hình 1diode (mơ tả hình 1a), vai trị diode phản ánh dòng khuếch tán lớp chuyển p-n Tuy nhiên để phản ánh xác tượng vật lý xuất tái hợp điện tích - lỗ trống vùng nghèo, diode thứ (mô tả hình 1b) thêm vào mơ hình Để mô tả quan hệ đại lượng điện mơ hình này, người ta sử dụng phương trình đặc tính dịng áp (đặc tính I-V với I dòng pin, V điện áp đầu pin) [3] PHƯƠNG TRÌNH LIÊN HỆ DỊNG ÁP TRONG PIN MẶT TRỜI 2-DIODE VÀ THUẬT GIẢI 2.1 Mơ hình 2-diode tế bào pin mặt trời Một tế bào pin mặt trời thường có cấu tạo lớp tiếp giáp bán dẫn p-n, cặp điện tử - lỗ trống tự hình thành hấp thụ photon từ mặt trời; việc hình thành điện tích tự Số 27 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) nguồn gốc để tạo nên nguồn phát điện từ lượng mặt trời Trong trạng thái bình thường, đặc tính tế bào pin mặt trời mơ hình hố nguồn dòng (IL); diode thứ phản ánh tượng dòng khuếch tán qua lớp p-n pin, diode thứ phản ánh tượng tái hợp điện tử lỗ trống nội vùng nghèo p-n; thành phần điện trở shunt nối tiếp (Rsh, Rs) Mạch tương đương tế bào pin mặt trời thể hình [3-7] Trong đó: Iph dịng photon; I0 dịng bão hồ [A]; V điện áp đầu [V]; Rs điện trở nối tiếp; Rsh điện trở shunt tế bào pin Dịng bão hồ I01 I02 tính theo phương trình (1a), (1b), (2a), (2b) (với Tref nhiệt độ tham chiếu điều kiện thí nghiệm tiêu chuẩn (STC), thông thường 298 độ K): ( T 𝐼01 = I0r1 (T ) ) A1 ref I0r1 = Isc q.Voc e A1.k.T ( ) A2 ref Hình 1(b) Mơ hình 2-diode tế bào pin mặt trời Theo phương trình quan hệ dòng điện (I) điện áp (V) theo định luật Kirchhoff dòng thể sau 1]− 𝑉+𝐼.𝑅𝑠 𝑅𝑠ℎ Số 27 𝑉+𝐼.𝑅𝑠 𝑉𝑇1 (1) − ] − 𝐼02 [𝑒 e [ q.Eg 1 )] ( − k.A2 T Tref (2a) (2b) −1 Các giá trị VT1 VT2 giá trị nhiệt, giá trị phụ thuộc vào nhiệt độ hệ số lý tưởng diode, tính theo phương trình: Hình 1(a) Mơ hình 1-diode tế bào pin mặt trời 𝐼 = 𝐼𝑝ℎ − 𝐼01 [𝑒 (1a) (1b) I02 = I0r2 (T ) Isc q.Voc e A2.k.T q.Eg 1 )] ( − k.A1 T Tref −1 T I0r2 = e [ 𝑉+𝐼.𝑅𝑠 𝑉𝑇2 − 𝑉𝑇1 = 𝐴1.𝑘.𝑇 𝑉𝑇2 = 𝐴2.𝑘.𝑇 (3a) 𝑞 (3b) 𝑞 Trong đó: q=1.610-19C điện tích electron, k=1.3810-23 J/K số Boltzmann, A1 A2 hệ số lý tưởng diode 2, T nhiệt độ làm việc pin [K], T tính theo phương trình sau: 𝑇 = 𝑇𝑎 + 𝑇𝑛𝑜𝑐𝑡 −20 800 𝐺 (4) Với Tnoct nhiệt độ làm việc tế bào pin điều kiện thường [K], giá trị hãng sản xuất đề xuất G cường độ 71 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) xạ chiếu tới pin [W/m2], Ta nhiệt độ môi trường [K] tương đương dàn pin thể hình Thuật tốn Newton-Rapson để giải mơ hình Như thấy phương trình (1) có dạng I = f (V, I); phương trình phi tuyến, để giải phương trình người ta thường dùng phương pháp Newton-Rapson, phương pháp diễn giải sau: ) 𝑓(𝐼 𝐼𝑘 = 𝐼𝑘−1 − 𝑓′ (𝐼𝑘−1 ) (5) 𝑘−1 Trong đó: Ik giá trị dịng sau bước lặp thứ k; Ik-1 giá trị dòng sau bước lặp thứ (k-1) Thay giá trị Iph tương ứng với dịng ngắn mạch Isc, phương trình viết lại sau: 𝑓(𝐼) = 𝑅𝑠 𝐼 (1 + 𝑅 ) − 𝐼𝑠𝑐 + 𝐼01 (𝑒 𝐼02 (𝑒 𝑠ℎ 𝑞.(𝑉+𝐼.𝑅𝑠 ) 𝐴2.𝑘.𝑇 𝑓 ′ (𝐼) = 𝑞.(𝑉+𝐼.𝑅𝑠 ) 𝐴1.𝑘.𝑇 − 1) + 𝑉 − 1) + 𝑅 (6) 𝑠ℎ (1 + 𝑞.𝑅𝑠 𝐴2.𝑘.𝑇 𝑅𝑠ℎ (7a) 𝜕𝐼 𝐼𝑝ℎ,𝑝𝑣 = 𝑁𝑝 𝐼𝑝ℎ (8a) 𝐼01,𝑝𝑣 = 𝑁𝑝 𝐼01 (8b) 𝐼02,𝑝𝑣 = 𝑁𝑝 𝐼02 (8c) 𝑉𝑝𝑣 = 𝑁𝑠 𝑉 (8d) 𝑅𝑠,𝑝𝑣 = 𝑁𝑠 𝑅𝑠 (8e) 𝑝 𝑁 )+ 𝐼01 𝑒 𝑞.𝑅𝑠 𝐴1.𝑘.𝑇 𝐼01 𝑒 𝑞.(𝑉+𝐼.𝑅𝑠 ) 𝐴2.𝑘.𝑇 𝑞.(𝑉+𝐼.𝑅𝑠 ) 𝐴1.𝑘.𝑇 𝑅𝑠ℎ,𝑝𝑣 = 𝑁𝑠 𝑅𝑠ℎ (8f) 𝑝 + (7b) Mơ hình 2-diode dàn pin mặt trời Thông thường dàn pin mặt trời (PVarray) gồm Np dãy pin nối song song với nhau, dãy thường gọi string string gồm Ns tế bào pin đấu nối tiếp với Như vậy, dàn pin gồm Ns Np tế bào pin Mạch 72 Các thông số mạch tương đương dàn pin dòng photon, dòng diode, điện trở nối tiếp điện trở song song tính sau: 𝑁 𝜕𝑓(𝐼) 𝑓 ′ (𝐼) = 𝑅𝑠 Hình Mạch tương đương dàn pin mặt trời theo mơ hình 2-diode Thay giá trị nhóm phương trình (9) vào phương trình (7) viết lại phương trình (5) (6) ta phương trình dùng cho phép lặp Newton Raphson sau: 𝑅 𝑓(𝐼𝑝𝑣 ) = 𝐼𝑝𝑣 (1 + 𝑅 𝑠,𝑝𝑣 ) − 𝐼𝑠𝑐,𝑝𝑣 + 𝑠ℎ,𝑝𝑣 𝐼01,𝑝𝑣 (𝑒 𝐼02,𝑝𝑣 (𝑒 𝑞.(𝑉𝑝𝑣 +𝐼.𝑅𝑠 ,𝑝𝑣) 𝐴1.𝑘.𝑇 𝑞.(𝑉𝑝𝑣 +𝐼.𝑅𝑠 ,𝑝𝑣) 𝐴1.𝑘.𝑇 − 1) + 𝑉𝑝𝑣 − 1) + 𝑅 𝑠ℎ,𝑝𝑣 (9) Số 27 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) 𝑓 ′ (𝐼𝑝𝑣 ) = 𝑅𝑠,𝑝𝑣 (1 + 𝑅 𝑠ℎ,𝑝𝑣 𝑞.𝑅𝑠,𝑝𝑣 𝑞.𝑅𝑠,𝑝𝑣 ) + 𝐴1.𝑘.𝑇 𝐼01,𝑝𝑣 𝑒 𝐼 𝑒 𝐴2.𝑘.𝑇 02,𝑝𝑣 𝑞.(𝑉𝑝𝑣 +𝐼.𝑅𝑠,𝑝𝑣 ) 𝐴2.𝑘.𝑇 𝑞.(𝑉𝑝𝑣 +𝐼.𝑅𝑠,𝑝𝑣 ) 𝐴1.𝑘.𝑇 + (10) Theo giá trị V=0 ta có I=Isc; ta lấy khởi tạo phép lặp I = Isc Sau phép lặp, giá trị dòng điện điện áp có nhờ vào phương trình (1); cơng suất dàn pin tính theo phương trình (12) sau: 𝑃 = 𝑉 𝐼 (12) XÂY DỰNG CÔNG CỤ MÔ PHỎNG TẾ BÀO PIN MẶT TRỜI VÀ DÀN PIN THEO MƠ HÌNH 2-DIODE TRÊN NỀN MATLAB / GUI Mơ hình tế bào pin mặt trời 2-diode xây dựng để kiểm tra đặc tính tế bào pin dàn pin chúng làm việc điều kiện mơi trường khác Từ đó, phương trình trạng thái, thuật tốn giải cơng cụ phần mềm mô xây dựng Thông qua công cụ phần mềm ta mơ đặc tính pin nhiều tình giả định thơng số pin thay đổi Hình lược đồ để giải lặp đặc tính I-V P-V tế bào dàn pin mặt trời theo thuật tốn Newton-Rapson Các đặc tính I-V P-V tính tốn theo phương trình xây dựng bên Nền MATLAB/GUI dùng để xây dựng cơng cụ phần mềm mơ Số 27 Hình Lược đồ thuật toán lặp Newton-Raphson để xác định đặc tính I-V P-V Hình cửa sổ công cụ mô tế bào dàn pin mặt trời theo mơ hình 2-diode Bên phải cửa sổ phần nhập số liệu, thông số tế bào dàn pin; số liệu bao gồm: (1) Loại pin, liệu nhập theo số liệu chuẩn bị trước từ cataloge hãng; (2) Các số liệu khác điện áp hở mạch, dòng ngắn mạch, hệ số lý tưởng didode, số lượng tế bào pin dãy, số dãy; số liệu tự chọn theo mặc định thay đổi người sử dụng Cửa sổ bên phải cơng cụ kết tính tốn, kết xuất file excel nhằm sử dụng cho mục đích khác hiển thị rút gọn trực quan đồ thị đặc tính I-V P-V 73 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) Hình Cửa sổ cơng cụ mơ MỘT SỐ KẾT QUẢ ĐIỂN HÌNH Để kiểm tra khả tính tốn độ tin cậy công cụ phần mềm mô vừa xây dựng; kết mơ theo mơ hình thực lại với tế bào dàn pin so sánh với liệu đo thực tế chúng Kết đặc tính vẽ I-V P-V cho thấy số liệu mô số liệu thực khác khớp Dưới số hình ảnh đặc tính kết mơ so với kết đo thực tế với loại pin khác Hình kết mơ đặc tính I-V thực cơng cụ nét 74 liền với thông số đầu vào tế bào pin hệ nghiên cứu loại CZTS (hiệu suất đạt pin công bố 12,6%) so sánh với kết đo thực nghiệm nét chấm công bố W Wang cộng [8] Kết cho thấy đặc tính có từ mơ khớp với đặc tính đo pin Hình kết mô nét liền loại pin khác có thị trường dịng pin CIGS với loại pin chế tạo điều kiện khác cho hiệu suất khác (20,1%), Số 27 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) kết mô cho thấy đặc tính phù hợp với đặc tính đo thực nghiệm nét chấm đoạn đầu đoạn cuối đặc tính cơng bố P Jackson cộng [9] Có tồn khác biệt đoạn đặc tính (U = 300-500 mV) phần nguyên nhân giá trị điện trở nối tiếp, song song tế bào Pin không tác giả đo thực nghiệm công bố nên số liệu lấy mặc định mô dẫn đến sai khác đặc tính Hình kết mơ đặc tính I-V dàn pin Silic công bố hãng KYOCERA International Incorporated cho loại Pin KC170GT; kết thực mô điều kiện cường độ sáng khác 1000, 800 500 W/m2 [10] Hình kết mơ đặc tính I-V P-V dàn pin Silic công bố hãng 1Soltech 1STH-230-P module kết thực mô đo điều kiện nhiệt độ khác 25C, 45C, 65C [11] Hình Đặc tính I-V mơ nét gạch đỏ đặc tính đo thực nghiệm nét chấm xanh tế bào pin CIGS [9] Hình Đặc tính I-V mơ đặc tính dàn pin silic (B) [10] Hình Đặc tính I-V mơ nét liền đặc tính đo thực nghiệm nét chấm tế bào pin CZTS [8] Số 27 75 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) Hình Đặc tính P-V I-V dàn Pin 1STH-230-P mô điều kiện nhiệt độ khác 25C, 45C, 65C KẾT LUẬN Việc nghiên cứu xây dựng phần mềm để mô xem giải pháp tiết kiệm rủi ro nghiên cứu hoạt động hệ thống Phần mềm mơ đặc tính hoạt động tế bào dàn pin mặt trời cho phép người dùng dễ dàng có đặc tính dịng điện - điện áp (I-V) đặc tính cơng suất - điện áp (P-V) điều kiện làm việc khác Nghiên cứu thực nhằm giải mô hình pin 2-diode; mơ hình xem xác mơ hình didoe nhờ việc xuất diode thứ 2, diode cho phép mơ hình phản ánh ảnh hưởng tượng tái hợp điện tử - lỗ trống vùng nghèo Kết mơ thực để kiểm tra tính đắn cho tế bào pin thực tế, với hầu hết loại pin Silicon, CIGS, CZTS cho kết phù hợp Nghiên cứu làm tiền đề cho nghiên cứu sau nhằm đánh giá chất tượng vật lý pin mặt trời Kết nghiên cứu dàn pin tiền đề cho nghiên cứu kết nối hệ thống điện mặt trời sau TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] www.mathworks.com/ examples/ simpower/ mw/sps product-power_PVArray_PartialShadingpartial-shading-of-a-pv-module, 2018 [2] www.mathworks.com/ help/ physmod/ elec/ ref/ solarcell.html, 2018 [3] Rabeh Abbassi, Abdelkader Abbassi, Mohamed Jemli, Souad Chebbi, “Identification of unknown parameters of solar cell models: A comprehensive overview of available approaches ”, Renewable and Sustainable Energy Reviews 90, 2018 76 Số 27 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) [4] J.A Jaleel, A Nasar, and A.R Omega, “Simulation on Maximum Power Point Tracking of the Photovoltaic Module / Array Using Lab View”, International Journal of Advanced Research in Electrical, Electronics and Instrumentation Engineering, pp 16–17, 2012 [5] Ngô Văn Bình, “Xây dựng mô hình pin lượng mặt trời quang điện sử dụng Matlab/simulink”, Journal of Science of Lac Hong University, special special issue, pp 6-11, 2017 [6] T Ahmed, “Single Diode Model Parameters Analysis of Photovoltaic Cell.”, international conferrence, UK, P.20-23, 2016 [7] V Tamrakar, S.C Gupta, and Y Sawle, “Single - diode pv cell modeling and study of characteristics of single and two-diode equivalent circuit,” , Electrical and Electronics Engineering: An International Journal (ELELIJ), pp 13–24, 2015 [8] W Wang et al., “Device characteristics of CZTSSe thin-film solar cells with 12.6% efficiency,” Adv Energy Mater., vol 4, no 7, p 10301465, 2014 [9] P Jackson et al., “New world record efficiency for Cu(In,Ga )Se2 thin-film solar cells beyond 20%,”, Prog Photovolt: Res Appl., pp 894–897, 2011 [10] “Current-Voltage characteristics of Photovoltaic Module KC170GT at various irradiance levels”, KYOCERA data sheet, 2017 [11] https://www.freecleansolar.com/230W-solar-panels-1Soltech-1STH-230-P-poly-p/1sth-230-p.htm Giới thiệu tác giả: Tác giả Phạm Anh Tuân tốt nghiệp đại học ngành hệ thống điện năm 2003 nhận Thạc sĩ kỹ ngành thuật điện năm 2006 Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Năm 2017, nhận Tiến sĩ ngành khoa học vật liệu trao giải tiến sĩ xuất sắc năm với để tài nghiên cứu chế tạo pin mặt trời CIGS CZTS Tác giả làm việc Dự án đào tạo giáo viên ngành điện (JICAEVN) từ năm 2003-2008 Hiện tác giả giảng viên Khoa Kỹ thuật điện Trường Đại học Điện lực Hướng nghiên cứu chính: vật liệu pin mặt trời mơ hệ thống điện mặt trời 78 Số 27 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) Số 27 79 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) KẾT QUẢ MÔ PHỎNG Mục giới thiệu kết mô sau:  Mô ước lượng số mô men cập nhật cho hệ thống điều khiển PHỤ LỤC Thông số điều khiển: Bộ điều khiển tốc độ: kp= 0.006, ki = 0.6 Bộ điều khiển dịng điện: kpi= 1, kii=10 Hình Sự thay đổi số mô men điều khiển tối đa tỷ số mơ men/dịng điện (max Torque/Ampere) [1] 80 Số 27 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) Số 27 81 ... pin tính theo phương trình (12) sau: