Microsoft Word bai tap cau kien doc §Ò c−¬ng «n tËp CK§T ChÊt b¸n dÉn C©u 2 Nªu cÊu t¹o vµ qu¸ tr×nh dÉn ®iÖn cña chÊt b¸n dÉn thuÇn C©u 3 Nªu qu¸ tr×nh dÉn ®iÖn cña chÊt b¸n dÉn pha t¹p lo¹i N vµ lo¹i P Diode b¸n dÉn C©u 5 Tr×nh bµy cÊu t¹o, ®Æc tuyÕn VA, vµ nguyªn lý ho¹t ®éng cña Diode b¸n dÉn C©u 6 Tr×nh bµy øng dông chØnh l−u (nöa vµ hai nöa chu kú) cña Diode b¸n dÉn C©u 7 Tr×nh bµy nguyªn lý m¹ch h¹n biªn trªn, h¹n biªn d−íi, h¹n biªn hai phÝa sö dông Diode b¸n dÉn víi tÝn hiÖu vµo h×nh s.
Đề cơng ôn tập CKĐT Chất bán dẫn Câu Nêu cấu tạo trình dẫn điện chất bán dẫn Câu Nêu trình dẫn điện chất bán dẫn pha tạp loại N loại P Diode bán dẫn Câu Trình bày cấu tạo, đặc tuyến V/A, nguyên lý hoạt động Diode bán dẫn Câu Trình bày ứng dụng chØnh l−u (nưa vµ hai nưa chu kú) cđa Diode bán dẫn Câu Trình bày nguyên lý mạch hạn biên trên, hạn biên dới, hạn biên hai phía sử dụng Diode bán dẫn với tín hiệu vào hình sin Câu Nêu nguyên lý làm việc, đặc tuyến V/A Diode Zener Transistor (chế độ tĩnh dc) Câu Nêu cấu tạo Transistor, chế độ làm việc Transistor Câu 10 Nguyên tắc hoạt động Transistor chế dộ khuếch đại Câu 11 Nêu khái niệm đờng tải tĩnh, điểm công tác tĩnh Câu 12 Tại phải ổn định điểm làm việc tĩnh nhiệt độ thay đổi Câu14 Các cách mắc BJT chế độ khuếch đại Các sơ đồ phân cực cho BJT Bài tập xác định đờng tải tĩnh, điểm làm việc tĩnh sơ đồ ổn định điểm làm việc Transistor trờng FET Câu 18 Nêu cấu tạo, nguyên lý làm việc JFET Câu 19 Cấu tạo nguyên lý làm việc MOSFET Câu 20 So sánh transistor lỡng cực BJT transistor trờng FET Các linh kiện bán dẫn khác Câu 22 Trình bày nguyên lý làm việc, đặc tuyến V/A UJT Câu 26 Trình bày nguyên lý làm việc, đặc tuyến V/A SCR Câu 27 Trình bày nguyên lý làm việc, đặc tuyến V/A DIAC Câu 28 Trình bày nguyên lý làm việc, đặc tuyến V/A TRIAC BI TP DIODE Cho mạch hình vẽ xác định điện áp đầu vo = f (vi ) 1a vi = 10 sin ωt ; E1 = 8V ; E2 = 6V ; Diode D1 D2 lý tưởng 1b vi = sin ωt ; E1 = 2V ; E = 4V ; Diode D1 D2 có U D = 0,7V ; RD = 10Ω 1c vi có dạng xung tam giác biên độ U m = 8V ; E1 = 3V ; E2 = 5V ; Diode D1 D2 lý tưởng 1d vi có dạng xung vuông biên độ U m = 5V ; E1 = 3V ; E2 = 2V ; Diode D1 D2 U D = 0,7V ; RD = 12Ω vi ~ R=10k Ω D1 D2 vo E2 + E + 2a vi = sin ωt ; E1 = 5V ; E2 = 2V ; Diode D1 D2 lý tưởng 2b vi = sin ωt ; E1 = 3V ; E2 = 1V ; Diode D1 D2 có U D = 0,7V ; RD = 10Ω 2c vi có dạng xung tam giác biên độ U m = 10V ; E1 = 2V ; E2 = 5V ; Diode D1 D2 lý tưởng vi R1=1 kΩ 1kΩ R2 ~ D1 E1 D2 vo + E2 + 3a vi = sin ωt ; E = 5V ; Diode D lý tưởng 3b vi = sin ωt ; E = 2V ; Diode D có U D = 0,7V ; RD = 10Ω R=1kΩ vi ~ D E vo + R1=1kΩ D vi 4a vi = 10 sin ωt ; E = 15V ; Diode D lý tưởng 4b vi = 10 sin ωt ; E = 15V ; Diode D có U D = 0,7V ; RD = 10Ω ~ 2kΩ R2 E + vo R3=1kΩ 5a vi = 10 sin ωt ; E = 5V ; Diode D lý tưởng; R = 10kΩ 5b vi = 10 sin ωt ; E = 5V ; Diode D có U D = 0,7V ; RD = 10Ω ; R = 10kΩ E vi D + D + E ~ vi vo R ~ R vo 6a Xác định vo = f (t ); biết RC >>; vi = 20 sin ωt ; Diode D lý tưởng 6b Xác định vo = f (t ) ; biết RC >> ; vi có dạng xung vng biên độ U m = 10V ; Diode D lý tưởng C vi ~ C D R vo vi ~ D + vo R E=5V BÀI TẬP BJT Vcc Bài Cho mạch (hình 1): VCC=12V; UBEQ=0,7V; β=100 RB= 100KΩ; RC=1KΩ; RE=500Ω IC RB RC Áp dụng định luật Kirchhoff II Vòng 1: VCC = I B RB + U BE + I E RE I E = I B + I C = (1 + β ) I B hay: VCC = I B RB + U BE + (1 + β )I B RE Vậy: IE RE Xác định điểm công tác tĩnh vẽ đường tải tĩnh Bài giải: IB Hình IB = VCC − U BE RB + (1 + β ).RE I BQ = VCC − U BEQ RB + (1 + β ).RE = 56 µA I CQ = β I BQ = 100.56 = 5,6mA Vòng 2: VCC = I C RC + U CE + I E RE I E ≈ IC nên: VCC = U CE + I C (RC + RE ) hay: U CE = VCC − I C (RC + RE ) , Đây phương trình đường tải tĩnh U CEQ = VCC − I CQ (RC + RE ) = 3,6V ( Điểm làm việc tĩnh Q I BQ , I CQ ,U CEQ ) Bài Cho mạch (Hình 1) VCC=9V; UBEQ=0,7V; β=80; RC=1,2KΩ; RE=470Ω; Xác định giá trị RB để điểm làm việc tĩnh Q nằm đường tải tĩnh Phương trình đường tải tĩnh: U CE = VCC − I C (RC + RE ) U CE = → I C = VCC = = 5,4mA RC + RE 1,2 + 0,47 I C = → U CE = VCC = 9V Vậy: Để điểm làm việc tĩnh Q nằm đường tải tĩnh thì: I C = 2,7mA → I BQ = IC β = 33,7 µA U CEQ = 4,5V Áp dụng Định luật Kirchhoff II cho vòng 1: VCC = I B RB + U BE + I E RE hay: VCC = I B RB + U BE + (1 + β )I B RE Vậy RB = 208kΩ Bài Cho mạch (Hình 2) VCC=6V; UBEQ=0,7V; β=150 IC RB=1,5KΩ; RC=1KΩ; RE=1,8KΩ IB Xác định điểm làm việc tĩnh Q vẽ đường tải tĩnh IE Áp dụng định luật Kirchhoff II: Phương trình đầu vào: VCC = (I B + I C ).RC + I B RB + U BE + I E RE Hình2 I B+ I C = I E = (1 + β ).I B Vậy: VCC = I B RB + U BE + I E (RC + RE ) = U BE + I B [RB + (1 + β )( RC + RE )] β >> I BQ = VCC − U BEQ RB + (1 + β )( RC + RE ) = 12,5µA I CQ = β I BQ = 150.12,5.10 −3 = 1,87mA Phương trình đầu ra: VCC = ( I C + I B ).RC + U CE + I E RE ≈ U CE + I C (RC + RE ) U CE = VCC − I C (RC + RE ) , phương trình đường tải tĩnh Vậy: U CEQ = VCC − I CQ (RC + RE ) = 0,8V Bài Cho mạch (Hình 3) R1 R2 C1 +Vcc VCC=9V; β=100; UBEQ=0,7V Rc RC=1KΩ; R1=1,8KΩ;R2=22KΩ Xác định điểm làm việc tĩnh Q vẽ đường tải tĩnh Bài giải: Trong chế độ tĩnh, tụ ngăn thành phần chiều, bỏ tụ Đưa sơ đồ dạng giống 3: RB = R1 + R2 Hình Bài Cho mạch (Hình 4) VCC=12V; UBEQ=0,7V; β=200; R1=27KΩ; R2=4,7KΩ; RE=500Ω; RC=1KΩ Xác định điểm công tác tĩnh Q vẽ đường tải tĩnh Đưa sơ đồ mạch sơ đồ tương đương Thevenin: Hình R2 VCC = 1,78V R1 + R2 R R RB = = 4kΩ R1 + R2 VBB = +Vcc IC R1 +Vcc IC RC IB R2 IE RB + VBB RE Áp dụng định luật Kirchhoff II: Phương trình đầu vào: VBB = I B RB + U BE + I E RE VBB − U BEQ I BQ = = 10µA RB + (1 + β ).R E I CQ = β I BQ = 200.10.10 −3 = 2mA Phương trình đầu ra: RC VCC = I C RC + U CE + I E RE ≈ U CE + I C (RC + RE ) U CE = VCC − I C (RC + RE ) , Đây phương trình đường tải tĩnh U CEQ = VCC − I CQ (RC + RE ) = 9V IB IE RE BÀI TẬP FET +VDD=9V RD=1kΩ Bài JFET kênh n hoạt động miền bão hòa (miền thắt) UP=-3V; IDSS=9mA; IG=0 Xác định điểm làm việc tĩnh Q(ID, UGS, UDS) RG=0,8MΩ VGG=-1V Biểu diễn điểm làm việc đặc tuyến Bài giải: Đây mạch phân cực cho JFET kênh đặt sẵn (kênh n) hoạt động miền bão hòa Do IG=0 nên UGS=-1V U I D = I DSS 1 − GS UP = 4mA U DS = VDD − I D RD = − 4.1 = 5V Bài JFET kênh n hoạt động miền bão hòa +VDD=6V UP=-3V; IDSS=6mA; IG=0 Xác định điểm làm việc tĩnh Q(ID, UGS, UDS) Biểu diễn điểm làm việc đặc tuyến Bài giải: RD=4kΩ RG=1MΩ VGG=-2V RS=0,5kΩ Đây mạch phân cực cho JFET kênh đặt sẵn (kênh n) hoạt động miền bão hòa Do IG=0 nên: U GS = VGG − I D RS hay: ID = VGG − U GS (1) RS U I D = I DSS 1 − GS UP ( 2) Từ (1) (2), giải phương trình bậc 2: U GS = −2,2V I D= 0,4mA U DS = VDD − I D ( RD + RS ) = 4,2V +VDD=6V Bài JFET kênh n hoạt động miền bão hòa Xác định điểm làm việc tĩnh Q Vẽ đường tải tĩnh biểu diễn 0,3MΩ R2 RD=1kΩ 0,2MΩ R1 RS=500Ω điểm làm việc tĩnh Q đặc tuyến UP=-3V; IDSS=8mA; IG=0 Bài giải: Theo định lý Thevenin: VGG = RG = +VDD=6V R1 VDD = 2,4V R1 + R2 RD=1kΩ RG=0,12MΩ VGG=2,4V R1 R2 = 0,12MΩ R1 + R2 RS=500Ω Vẽ lại mạch: Đây mạch phân cực cho JFET kênh đặt sẵn (kênh n) hoạt động miền bão hòa Do IG=0 nên: U GS = VGG − I D RS hay: ID = VGG − U GS (1) RS U I D = I DSS 1 − GS UP ( 2) Từ (1) (2), giải phương trình bậc 2: Ta U GS , I D , U DS Bài MOSFET kênh đặt sẵn (kênh n) hoạt động chế độ nghèo Xác định điểm làm việc tĩnh Q Vẽ đường tải tĩnh biểu diễn điểm làm việc tĩnh Q đặc tuyến +VDD=16V UP=-4V; IDSS=10mA; IG=0 Theo định lý Thevenin: VGG = R1 VDD = 3,2V R1 + R2 0,4MΩ R2 RD=1,5kΩ 0,1MΩ R1 RS=0,5kΩ RG = R1 R2 = 0,8MΩ R1 + R2 Vẽ lại mạch: Đây mạch phân cực cho MOSFET kênh đặt sẵn (kênh n) hoạt động chế độ nghèo Do IG=0 nên: U GS = VGG − I D RS hay: ID = VGG − U GS (1) RS U I D = I DSS 1 − GS UP ( 2) Từ (1) (2), giải phương trình bậc 2: U GS = −0,54V ; I D = 7,48mA; U DS = 1,04V Bài MOSFET kênh n hoạt động chế độ giàu miền bão hòa UT=3V; ID=8mA UGS=5V Xác định điểm làm việc tĩnh Q 0,8MΩ R2 +VDD=25V RD=2kΩ Viết phương trình vẽ đường tải tĩnh Bài giải: Chuyển sơ đồ mạch sơ đồ tương đương Thevenin: VGG = RG = 0,2MΩ R1 RS=500Ω R1 VDD = 5V R1 + R2 R1 R2 = 160kΩ R1 + R2 MOSFET hoạt động chế độ làm giàu kênh dẫn, miền bão hòa: Vẽ lại mạch: Do UT=3V; ID=8mA UGS=5V ID = K (U GS − U T )2 => K= Với VGG = 5V, UT=3V K = => ID = K (U GS − U T )2 (1) Định luật Kirchoff II đầu vào: VGG = U GS + I D RS (2) Định luật Kirchoff II đầu ra: VDD = I D (RD + RS ) + U DS (3) Đây phương trình đường tải tĩnh 1a Cho mạch nh hình 1: UP=-2V; IDSS=10mA; IG=0 Xác định điểm làm việc Q biểu diễn đặc tuyến +VDD=10V +VDD=15V RD=2kΩ RD=4kΩ RG=1MΩ RG=1MΩ -VGG=-1V -VGG=-1V H×nh 1a H×nh 2a +VDD=12V +VDD=6V RD=1,5kΩ RG=500kΩ RS=1kΩ RD=2kΩ RG=10MΩ -VGG=-1V -VGG=-0,3V H×nh 1b H×nh 2b RS=100Ω +VDD=12V 8MΩ R2 RD=1kΩ 2M R1 RS=500 Hình 3a 1b Cho mạch nh hình 1: điểm làm việc mìên thắt với ID=4mA, IG=0; xác định điện áp UDS Nếu VGG=0,2V ID=6mA, xác định điện áp thắt UP dòng máng bÃo hoà IDSS d Từ 380 nm ÷ 780nm 6/ LED thị điốt có khả xạ a Ánh sáng hồng ngoại b Ánh sáng cực tím c Tất loại ánh sáng kể d Ánh sáng nhìn thấy 7/ Các LED xạ bước sóng khác có điện áp phân cực khác nhau? a Đúng b Sai 8/ Khi nhiệt độ làm việc tăng độ dài bước sóng xạ LED ngắn lại? a Đúng b Sai 9/ LED hồng ngoại cấu trúc dị thể kép có thêm: a Ba lớp giam giữ hạt dẫn ánh sáng b Hai lớp giam giữ hạt dẫn ánh sáng c Hai lớp giam giữ hạt dẫn d Hai lớp giam giữ hạt dẫn lớp giam giữ ánh sáng 10/ So với vùng tái hợp, hàng rào hai lớp giam giữ hạt dẫn LED dị thể kép a Bằng bThấp c Có thể cao thấp d Cao 11/ Chiết suất chất bán dẫn vùng tích cực LED dị thể kép a Thấp b Cao c Bằng vùng lân cận d Bằng zero 12/ Hai dạng LED hồng ngoại cấu trúc dị thể kép dùng cho sợi quang loại xạ bề mặt loại xạ cạnh a Sai b Đúng 13/ Chất bán dẫn dùng để chế tạo LASER phải pha tạp với nồng độ a Khơng xác định b Trung bình c Rất cao d Thấp 14/ Cấu trúc điốt LASER phức tạp LED a Có kích thước lớn b Có nhiều lớp giam giữ hạt dẫn c Có nhiều lớp bán dẫn d Có hốc cộng hưởng 15/ Hốc cộng hưởng Fabry Perot điốt LASER tạo nhờ: a Hai lớp giam giữ hạt dẫn cấu kiện b Hai cạnh bên xù xì LASER c Một hộp chế tạo bên cấu kiện d Hai gương phản chiếu định hướng 16/ Muốn LASER hoạt động phải cấp nguồn phân cực thuận cho cấu kiện? b Đúng 17/ Đặc tính quan trọng LASER là: a Đặc tuyến truyền đạt b Đặc tuyến tần số c Đặc tuyến vôn-ampe d Đặc tuyến xạ 18/ Mặt thị tinh thể lỏng (LCD) cấu kiện bán dẫn phát quang? a Đúng b Sai 19/ Để LCD hoạt động ta cần cấp cho điện áp a Một chiều b Xoay chiều c Xoay chiều chiều d Xoay chiều không lẫn điện áp chiều 20/ Vật liệu bán dẫn chế tạo điện trở quang gọi a Vật liệu bán dẫn cảm quang b Tất tên gọi a Sai c d Vật liệu bán dẫn suy biến Vật liệu bán dẫn nhạy quang 21/ Điốt quang hoạt động phân cực thuận? a Sai b Đúng Câu hỏi loại 2: 22/ LED thị xạ ánh sáng màu đỏ có điện áp phân cực thuận là: a U = (1,6 ÷ 1,8) V D b U = 3,0 V c U = (2,4 ÷ 2,7) V d U = (2,0 ÷ 2,2) V D D D 23/ LED hồng ngoại chế tạo từ chất GaAs có điện áp phân cực thuận a U = (2,0 ÷ 2,2) V D b U = (2,4 ÷ 2,7) V c U = 3,0 V d U = (1,6 ÷ 1,8) V D D D 24/ Nguồn sáng LED đẳng hướng có độ rộng phổ a Khoảng từ (40 ÷ 100) nm b (2 ÷ 40) nm c Khoảng < nm d Khoảng từ (1 ÷ 2) nm Khoảng từ 25/ LASER bán dẫn cấu kiện có khả a Tạo ánh sáng có cường độ cao trình hấp thụ quang c Tạo ánh sáng đẳng hướng có độ rộng phổ lớn d Tạo khuếch đại ánh sáng đơn sắc có tính kết hợp pha 26/ Tham số LASER là: a Hiệu suất lượng tử vi phân b tham số vừa kể c Tần số cộng hưởng d Độ rộng phổ xạ b Tất 27/ Chiều dài hốc cộng hưởng L LASER lớn nhiều độ dài bước sóng xạ Tạo ánh sáng từ nên a b c d Có mốt dọc tồn LASER Có nhiều mốt dọc tồn LASER Có ba mốt dọc tồn LASER Có hai mốt dọc tồn LASER 28/ Khi chiếu ánh sáng vào điện trở quang điện trở nó: a Tăng lên b Không đổi c Giảm xuống d Không xác định 29/ Độ nhạy tương đối điện trở quang phụ thuộc vào quang phổ chiếu vào nó? a Đúng b Sai 30/ Điốt quang hoạt động dựa nguyên lý: a Quá trình hấp thụ quang chất bán dẫn b Quá trình xạ trình hấp thụ quang chất bán dẫn c Quá trình xạ kích thích chất bán dẫn d Q trình xạ tự phát chất bán dẫn 31/ Điốt quang chế tạo từ silic có độ nhạy cao vùng bc súng a T (0,65 ữ 0,85) àm b T (0,56 ữ 0,65) àm c T (1,3 ữ 1,6) àm dT (0,85 ữ 0,9) àm 32/ Ti i t quang loại PIN có độ nhạy cao ốt quang loại tiếp xúc P-N? a Vì có vùng hấp thụ quang bán dẫn nguyên tính rộng b Vì có khả khuếch đại dịng điện quang lên M lần c Vì chế tạo từ chất bán dẫn có nồng độ tạp chất cao d Vì có lớp tiếp xúc P-N rộng 33/ Điốt quang thác có cấu trúc đặc biệt nhằm mục đích tạo vùng có điện trường mạnh gọi vùng thác để tạo a Hiện tượng nhân điện tích q trình hấp thụ quang b Hiện tượng nhân điện tích phát xạ thứ cấp c Hiện tượng nhân điện tích q trình ion hóa va chạm d Hiện tượng tăng dịng điện quang tái hợp ạt hạt dẫn 34/ So với tranzito quang điốt quang có: độ nhạy thấp b Tần số hoạt động độ nhạy xấp xỉ c Tần số hoạt động cao độ nhạy cao d Tần số hoạt động thấp độ nhạy cao a Tần số hoạt động cao 35/ Tế bào quang điện cấu kiện bán dẫn có khả chuyển đổi tín hiệu quang sang tín hiệu điện? a Đúng b Sai 36/ Về mặt cấu trúc coi tranzito quang mạch tích hợp gồm có điốt quang a Một thyristo thường b Một tranzito thường c Điốt thường dMột LED 37/ Trong thyristo quang, tín hiệu quang có nhiệm vụ: a Kích cho thyristo quang dẫn điện b Khuếch đại điện áp c Kích cho thyristo quang dẫn điện khuếch đại dịng điện qua d Khuếch đại dịng điện 38/ Cấu tạo ghép quang gồm có a Một điốt quang tranzito quang b Một điốt phát quang (LED) điện trở quang c Một điốt phát quang (LED) cấu kiện thu quang d Một tế bào quang điện cấu kiện thu quang 39/ Tham số quan trọng ghép quang a Điện cách li b Điện dung cách điện c Điện trở cách điện d Hệ số truyền đạt dòng điện (CTR) 40/ Dùng tranzito quang Dacling tơn nhằm mục đích a Tăng trở kháng vào tranzito quang b Tăng độ nhạy tranzito quang c Tăng tần số hoạt động d Giảm trở kháng tranzito quang Câu hỏi loại 3: 41/ Trị số điện trở cần thiết mắc nối tiếp với LED tính theo cơng thức: a RT = UD I =U CC b T R c d RT = D −U I U CC I RT = U CC +UD I 42/ Điều kiện để có phát laser biên độ là: I(2L) = I(0) với I(2L)- mật độ trường quang Z = 2L; L- chiều dài hốc cộng hưởng; I(0)- mật độ trường quang gốc pha là: e − jβ L ≠ với β- số lan truyền ánh sáng? a Sai b Đúng 43/ Độ nhạy điốt quang tính theo công thức a b c d S = P0 I ph I ph S= P0 I ph S= P0 S = P0 I ph hν 44/ So với loại điốt quang điốt quang thác APD yêu cầu nguồn điện cung cấp a Cao b Cũng giống loại điốt khác c Thấp ổn định d Cao ổn định nhiệt 45/ Dòng quang điện tranzito quang tạo nên a Các hạt dẫn sinh trình hấp thụ quang phần gốc cấu kiện b Các hạt điện tử tự sinh trình hấp thụ quang c Các hạt dẫn từ phần phát khuếch tán sang d Các hạt dẫn lỗ trống sinh trình hấp thụ quang 46/ Dòng điện quang sơ cấp I điốt quang tính theo cơng thức I ⎝ ph a I hν ⎜ ⎛ = P0 ⎝ ph b ⎛ = q P0 hν ⎜ ⎞ ⎠ ff e ph ⎜ 1−= ⎠ e ⎜ 1−= ⎞ −α λ w ⎟ (1 − R ) ⎟ (1 + R ) + α λL p ⎟ −α λ w + α λL p ⎟ I ⎛ = P0 hν ⎜ ⎝ ph c I = q P0 ⎝ ph d ⎛ hν ⎜ −α λ w e ⎜ 1−= + α λL p ⎟ a ⎠ −α f λw ⎜ − =e 1+αλ quang điốt quang thác APD tính theo cơng thức M ph ⎟ ⎞⎠f b M ph (1 − R ) ⎞ ⎟ (1 + R ) Lp⎟ 47/ Hệ số khuếch đại dòng điện = IM I ph = = IM I ph + (V / Vdt ) I ph c = M ph = = IM d − (V / V I M 1d − (V / V 1 − (V / Vdt ) I ph M ph = ) n 48/ Bước sóng xạ đỉnh λ hàm lượng vùng cấm biểu diễn công thức 1,24 λ (nm) = EG (eV ) a 1240 EG (eV ) λ (μm) = 1,24 b EG (eV ) λ (μm) = hν c EG (eV ) λ (μm) = d 49/ Hiệu suất lượng tử hóa ốt quang tính theo cơng thức: I ph a η= η = I ph b c η= η= d P0 P0 / hν I ph / q P0 I ph / q P0 / hν 50/ Một ghép quang có dịng vào mA, dòng 100 mA Hỏi hệ số truyền đạt dòng điện bao nhiêu? a 500% b 5000% 1d )n c d 50% 100% Câu hỏi loại 4: 51/ Một laser chế tạo từ Ga 1-x x Hãy tính độ dài bước sóng xạ ra? a c Al As với x = 0,15 có E G = 1,6 eV λ = 775 nm b λ= 1300 nm λ = 1,55 µm d λ = 1100 nm 52/ Năng lượng ánh sáng có bước sóng 1550 nm electron vôn? a EG = 1,43 eV b EG = 0,65 eV c EG = 0,75 eV d EG = 0,80 eV 53/ Một laser hoạt động bước sóng 1100nm có chiều dài hốc cộng hưởng L=500µm chiết suất n = 3,7 Hỏi khoảng cách tần số xạ bao nhiêu? a fΔ = 2,2 GHz b f = 68 GHz c Δf = 81 GHz d f = 50 GHz 54/ Một laser hoạt động bước sóng 1100nm có chiều dài hốc cộng hưởng L=500µm chiết suất n = 3,7 Hỏi khoảng cách bước sóng xạ bao nhiêu? a Δλ = 0,22 nm b Δλ = 0,33 nm c Δλ = 0,5 nm d Δλ = 1,1 nm 55/ Một điốt quang thác (APD) có dịng điện quang sơ cấp 0,25µA dịng điện nhân quang 10µA Hỏi hệ số nhân M điốt bao nhiêu? a Mp = 400 h = 25 b Mp h = 40 c Mp = 2,5 h d Mp h 56/ Một photodiode có độ nhạy 0,65 A/W Nếu chiếu lên cơng suất quang P nhiêu? a I P b I c I d I P P P = 10µW Hỏi dịng quang điện bao = 6,5 µA = 10 µA = 0,065 µA = 6,5 mA ... kiện điện tử chia làm loại cấu kiện điện tử chân không, cấu kiện điện tử bán dẫn, cấu kiện vi mạch, cấu kiện điện tử nanô a Sai b Đúng 4/ Hệ số nhiệt điện trở suất α biểu thị: a Sự thay đổi điện. .. đặc tuyến truyền đạt NGN HNG ĐỀ THI MÔN: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ CHƯƠNG I: GIỚI THI? ??U CHUNG VỀ CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ Câu hỏi loại 1: 1/ Theo lý thuyết dải lượng vật chất bán chất độ rộng vùng cấm E dẫn có... nguồn điện 9/ Dòng điện chất điện mơi gồm có thành phần a Dịng điện phân cực dòng điện rò b Dòng điện phân cực dịng điện trơi c Dịng điện khuếch tán dịng điện trơi d Dịng điện khuếch tán dòng điện