Phân tích ảnh hưởng công nghệ half cell đến công suất pin quang điện khi bị bóng đổ trên modul CS3W 440MS luận văn thạc sĩ

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC LẠC HỒNG *** NGUYỄN CAO CƯỜNG PHÂN TÍCH ẢNH HƯỞNG CƠNG NGHỆ HALF CELL ĐẾN CÔNG SUẤT PIN QUANG ĐIỆN KHI BỊ BÓNG ĐỔ TRÊN MODUL CS3W-440MS CHUYÊN NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN MÃ SỐ: 8520201 LUẬN VĂN THẠC SĨ KỸ THUẬT ĐIỆN NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC TS LÊ PHƯƠNG TRƯỜNG Đồng Nai – Năm 2020 LỜI CẢM ƠN Sau khóa học thời gian thực luận văn, thân tiếp cận nhiều phương pháp kiến thức Bên cạnh tơi nhận quan tâm, động viên, giúp đỡ Quý thầy cô trường Đại học Lạc Hồng, anh chị học viên lớp 18CD911, bạn bè đồng nghiệp quan Xin chân thành cảm ơn Lạnh đạo nhà trường, Khoa Sau Đại học, Khoa Cơ điện – Điện tử trường Đại học Lạc Hồng, quý thầy cô tham gia giảng dạy lớp 18CD911 giúp đỡ, tạo điều kiện cho suốt thời gian học tập nghiên cứu Xin gửi lời cảm ơn sâu sắc tới Thầy TS Lê Phương Trường, tận tình hướng dẫn giúp đỡ suốt thời gian nghiên cứu hồn thiện luận văn Cuối tơi xin xảm ơn gia đình tơi tạo động lực điều kiện tốt cho tơi để hồn thành chương trình Cao học luận văn Trong suốt thời gian làm luận văn, cố gắng chắn tránh khỏi thiếu sót, mong nhận ý kiến đóng góp xây dựng q thầy cơ, anh chị học viên Đồng Nai, tháng 12 năm 2020 Học viên thực Nguyễn Cao Cường LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu tơi với hướng dẫn Thầy TS Lê Phương Trường Các số liệu, kết luận văn trung thực xác Mơ hình mơ thực nghiệm luận văn tác giả nghiên cứu Học viên thực Nguyễn Cao Cường TÓM TẮT LUẬN VĂN Đề tài “Phân tích ảnh hưởng cơng nghệ Half cell đến công suất pin quang điện bị bóng đổ modul CS3W-440MS” dựa mơi trường MATLAB/Simulink Hệ thống gồm mơ hình pin quang điện Half cell mơ hình pin quang điện Full cell thương mại xây dựng để mô so sánh ảnh hưởng bóng đổ đến cơng suất ngõ với hai công nghệ Full cell Half cell Các liệu xạ mặt trời, nhiệt độ hoạt động pin quang điện, điện áp V, cường độ dòng điện I đo tự động từ cảm biến đồng hồ số Từ liệu đo từ thực tế modul pin quang điện Half cell CS3W-440MS, tác giả đưa vào mơ hình mơ Matlab để so sánh công suất mô cơng suất thực nghiệm, từ thấy mơ hình Matlab tác giả xây dựng có độ tin cậy cao thông qua việc độ sai lệch công suất mơ hình mơ thực nghiệm 1.51% Việc xây dựng mơ hình mơ pin quang điện môi trường MATLAB/Simulink, giúp cho thấy khác biệt hai công nghệ pin Half cell Full cell bị bóng đổ Để từ lựa chọn loại pin phù hợp cho dự án cụ thể MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN LỜI CAM ĐOAN TÓM TẮT LUẬN VĂN MỤC LỤC DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT DANH MỤC HÌNH ẢNH DANH MỤC CÁC BẢNG MỞ ĐẦU 1 Lý chọn đề tài Mục tiêu nghiên cứu Đối tượng phạm vi nghiên cứu Phương pháp nghiên cứu Kết cấu luận văn CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan lượng mặt trời giới 1.1.1 Tình hình lượng mặt trời giới 1.1.2 Các nghiên cứu bóng đổ lên cơng suất pin Half cell Full cell 1.2 Tổng quan lượng mặt trời Việt Nam CHƯƠNG CÔNG NGHỆ PIN NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI 15 2.1 Các công nghệ pin lượng mặt trời 15 2.2 Công nghệ pin Full cell 21 2.3 Công nghệ pin Half cell 22 2.4 So sánh công nghệ Pin Half cell Full cell 23 CHƯƠNG XÂY DỰNG MƠ HÌNH BĨNG ĐỔ PIN HALF CELL VÀ FULLCELL TRÊN PHẦN MỀM MATLAB/SIMULINK 25 3.1 Mơ hình pin quang điện diode 25 3.2 Mơ hình tính tốn hệ thống mơi trường Matlab/Simulink 27 3.3 Mơ hình tính tốn pin Half cell Full cell 28 CHƯƠNG 4: KẾT QUẢ MÔ PHỎNG, THỰC NGHIỆM VÀ THẢO LUẬN 31 4.1 Thông số đầu vào 31 4.2 Kết mô 31 4.2.1 Trường hợp đường đặc tính I-V-P Pin Halfcell CS3W điều kiện chuẩn 31 4.2.2 Trường hợp xạ mặt trời suy giảm từ 1kW/m2 xuống 0.8kW/m2 33 4.2.3 Trường hợp xạ mặt trời suy giảm từ 1kW/m2 xuống 0.6kW/m2 34 4.2.4 Trường hợp xạ mặt trời suy giảm từ 1kW/m2 xuống 0.4kW/m2 36 4.2.5 Trường hợp xạ mặt trời suy giảm từ 1kW/m2 xuống 0.2kW/m2 37 4.3 Thảo luận 39 4.4 Mơ hình thực nghiệm pin Half cell CS3W-440MS 39 4.5 Phân tích đánh giá kết thực nghiệm 40 4.5.1 Trường hợp không bị che bóng 40 4.5.2 Trường hợp bị che bóng 45 4.5.2.1 Trường hợp che dãy cell pin 45 4.5.2.2 Trường hợp che nửa pin 47 CHƯƠNG 5: KẾT LUẬN 52 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT Chữ viết tắt Diễn giải Tiếng Anh Tiếng Việt EVN VIETNAM ELECTRICITY Tổng công ty điện lực Việt Nam HJT Heterojunction Technology Công nghệ tế bào dị liên kết IBC Interdigitated Back Contact cells MPPT Maximum power point tracking PERC Passivated Emitter and Rear Cell Các ô tế bào liên hệ ngược xen kẽ Bộ theo dõi điểm công suất cực đại Công nghệ phát quang thụ động PV Photovoltaics Hiệu ứng Quang điện DANH MỤC HÌNH ẢNH Hình 1.1 Biểu đồ công suất lắp đặt PV giới Hình 1.2 Cơng suất lắp đặt PV nước dẫn đầu giới giai đoạn 2015-2019 Hình 1.3 Tổng công suất lắp đặt PV nước dẫn đầu giới giai đoạn 20152019 Hình 1.4 Công suất lắp đặt PV nước dẫn đầu Đơng Nam Á giai đoạn 20152019 Hình 1.5 Tổng công suất lắp đặt PV nước dẫn đầu Đơng Nam Á giai đoạn 2015-2019 Hình Dự án điện lượng mặt trời – Otran Logistics 10 Hình Dự án điện lượng mặt trời – Hồn Cầu 10 Hình 1.8 Dự án điện lượng mặt trời – PC Tây Ninh 11 Hình 1.9 Dự án điện lượng mặt trời – PC Củ Chi 11 Hình 1.10 Dự án điện lượng mặt trời – Tổng công ty Điện lực Miền Nam 12 Hình 1.11 Dự án điện lượng mặt trời – PC Cần Thơ 12 Hình 1.12 Dự án điện lượng mặt trời Đại Học Bách Khoa - TPHCM 13 Hình 2.1 Tế bào thơng thường 16 ngẫu Hìnhnhiên 2.2 Tế bào PERC 16 Hình 2.3 Năng lực sản xuất toàn cầu cho tế bào PV từ năm 2016-2020 16 Hình 2.4 Các mơ-đun Bifacial hấp thụ lượng ánh sáng phản xạ lại mặt 17 rời rạc (DCT) mặt sauψcủa tế bào Hình 2.5 Các dẫn phụ (Fingers) kim loại màu bạc tế bào chuyển 17 dòng điện tới dẫn Busbars Hình 2.6 Mặt sau tế bào quang điện IBC 18 Hình 2.7 Các Shingled cell 19 Hình 2.8 Cấu trúc tế bào HIT(HJT) 19 Hình 2.9 Cấu tạo pin Full cell 21 Hình 2.10 Cấu tạo pin Full cell bị bóng đổ 22 Hình 2.11 Cấu tạo pin Half cell 23 Hình 2.12 Cấu tạo pin Half cell bị bóng đổ 23 Hình 3.1 Mơ hình tổng qt pin quang điện 25 Hình 3.2 Mơ tả hệ thống 27 Hình 3.3 Mơ hình tính tốn bóng đổ hệ thống 27 Hình 3.4 Mơ hình tính tốn pin Half cell Full cell 28 Hình 3.5 Chương trình mơ hình pin quang điện 29 Hình 4.1 Đường đặc tính I-V-P điều kiện chuẩn hệ thống 32 Hình 4.2 Đường đặc tính I-V hệ thống 33 Hình 4.3 Đường đặc tính I-V-P pin Half cell 33 Hình 4.4 Đường đặc tính I-V-P pin Full cell 34 Hình 4.5 Đường đặc tính I-V hệ thống 34 Hình 4.6 Đường đặc tính I-V-P pin Half cell 35 Hình 4.7 Đường đặc tính I-V-P pin Full cell 35 Hình 4.8 Đường đặc tính I-V hệ thống 36 Hình 4.9 Đường đặc tính I-V-P pin Half cell 36 Hình 4.10 Đường đặc tính I-V-P pin Full cell 37 Hình 4.11 Đường đặc tính I-V hệ thống 37 Hình 4.12 Đường đặc tính I-V-P pin Half cell 38 Hình 4.13 Đường đặc tính I-V-P pin Full cell 38 Hình 4.14 Đặc tuyến xạ mặt trời 40 Hình 4.15 Đặc tuyến nhiệt độ hoạt động pin quang điện Half cell CS3W440MS 41 Hình 4.16 Đặc tuyến điện áp ngõ pin quang điện Half cell CS3W-440MS 41 Hình 4.17 Đặc tuyến dịng điện đo so với dịng mơ hình 42 Hình 4.18 Đặc tuyến cơng suất đo so với cơng suất mơ hình 42 Hình 4.19 Đặc tuyến sai lệch dịng điện kết đo lường mơ hình 44 Hình 4.20 Đặc tuyến sai lệch công suất kết đo lường mơ hình 44 Hình 4.21 Đặc tuyến xạ mặt trời 45 Hình 4.22 Đặc tuyến nhiệt độ hoạt động pin quang điện Half cell CS3W440MS Hình 4.23 Đặc tuyến điện áp pin quang điện Half cell CS3W-440MS 46 Hình 4.24 Đặc tuyến dịng điện thực nghiệm 47 Hình 4.25 Đặc tuyến xạ mặt trời 47 Hình 4.26 Đặc tuyến nhiệt độ pin hoạt động 48 Hình 4.27 Đặc tuyến điện áp ngõ 48 Hình 4.28 Đặc tuyến dịng thực nghiệm mơ ngõ 49 Hình 4.29 Đặc tuyến sai số dịng điện mô thực nghiệm 49 Hình 4.30 Đặc tuyến cơng suất thực nghiệm ngõ 50 Hình 4.31 Đặc tuyến sai lệch công suất thực nghiệm mô ngõ 50 Hình 4.32 Hình ảnh hệ thống thực nghiệm thực tế pin Half cell CS3W440MS 51 46 41 pin quang điện tăng theo biến thiên xạ mặt trời Sau khoảng thời gian 11h30 nhiệt độ pin quang điện bắt đầu giảm đám mây che bóng 60 Nhiệt độ 55 (°C) 45 Nhiệt độ 50 40 35 30 25 8:00 9:00 10:00 11:00 12:00 Thời gian(Giờ:Phút) 13:00 14:00 15:00 16:00 Hình 4.15 Đặc tuyến nhiệt độ hoạt động pin quang điện Half cell CS3W-440MS Điện áp ngõ mô-đun pin quang điện Half cell CS3W-440MS thay đổi theo xạ mặt trời hình 4.17 45 Điện áp 44 43 Điện áp (V) 42 41 40 39 38 37 36 35 34 8:00 9:00 10:00 11:00 12:00 13:00 Thời gian (Giờ:Phút) 14:00 15:00 16:00 Hình 4.16 Đặc tuyến điện áp ngõ pin quang điện Half cell CS3W440MS 42 Từ kết hoạt động pin, xạ mặt trời, điện áp ngõ mô-đun pin quang điện Half cell CS3W-440MS, ta nhận dịng điện đo, cơng suất đo có giá trị gần xác với giá trị dịng điện cơng suất mơ hình hóa thể hình 4.18 4.19 BIỂU ĐỒ DỊNG ĐIỆN THỰC NGHIỆM VÀ DỊNG ĐIỆN MƠ HÌNH HĨA CỦA TẤM PIN 440W Dịng điện thực nghiệm Dịng điện tính theo mơ hình Dịng điện (A) 8:00 9:00 10:00 11: 00 12:00 13: 00 14:00 15:00 16: 00 Thời gian (Giờ:Phút) Hình 4.17 Đặc tuyến dịng điện đo so với dịng mơ hình 350 Công suất thực nghiệm Công suất mơ hình Cơng suất (W) 300 250 200 150 100 50 8:00 9:00 10:00 11:00 12:00 13:00 Thời gian (Giờ:Phút) 14:00 15:00 16:00 Hình 4.18 Đặc tuyến cơng suất đo so với cơng suất mơ hình 43 Qua phép đo thực nghiệm hệ thống pin quang điện Half cell CS3W-440MS, tất thông số thu thập xạ mặt trời, nhiệt độ hoạt động mơ-đun pin quang điện, điện áp hoạt động, dịng điện ngõ công suất làm việc mô-đun pin quang điện xác với thơng số kỹ thuật nhà sản xuất Để đánh giá độ xác kết thực nghiệm, ta so sánh khác biệt kết đo lường kết mô dịng điện cơng suất mơ-đun pin xác định theo công thức sau: Sai số dịng điện mơ thực nghiệm tính theo công thức sau: e = I mpi − Itni (6) Phân trăm sai số dịng điện tính theo cơng thức sau: e(%) = I mpi − Itni Itni (7) Sai số cơng suất mơ thực nghiệm tính theo công thức sau: e(%) = Pmpi − Ptni (8) Phân trăm sai số cơng suất tính theo cơng thức sau: e(%) = Pmpi − Ptni Ptni (9) Trong đó: I mpi : Dịng điện mơ thứ i I tni : Dòng điện thực nghiệm thứ i Pmpi : Công suất mô thứ i Ptni : Công suất thực nghiệm thứ i e : Sai số mô thực nghiệm e(%) : Phần trăm sai số Kết phân tích khác biệt đo lường mơ dịng điện cơng suất mơ tả hình 4.20 hình 4.21 sau: 44 0.4 Sai số dòng điện 0.3 Dòng điện (A) 0.2 0.1 -0.1 -0.2 -0.3 -0.4 8:00 9:00 10:0 11:00 12:00 13:00 14:00 15:00 16:00 Thời gian (Giờ:Phút) Hình 4.19 Đặc tuyến sai lệch dòng điện kết đo lường mơ hình 15 Sai số cơng suất 10 Công suất (W) -5 -10 -15 8:00 9:00 10:00 11:00 12:00 Thời gian (Giờ:Phút) 13:00 14:00 15:00 Hình 4.20 Đặc tuyến sai lệch công suất kết đo lường mơ hình 16:00 45 Khoảng sai lệch dịng điện, cơng suất ngõ mơ-đun pin quang điện Half cell CS3W-440MS tương ứng từ -0.25 (A) đến 0.2 (A) -9.58 (W) đến 7.93 (W) Phần trăm sai số thực nghiệm mơ hình 0.018 % Bảng 4.4 Phân tích khác biệt hệ thống thực nghiệm mơ e e(%) Dịng điện ngõ -0.25 (A) đến 0.2 (A) 0.018 % Công suất ngõ -9.58 (W) đến 7.93 (W) 0.018 % 4.5.2 Trường hợp bị che bóng 4.5.2.1 Trường hợp che dãy cell pin Với trường hợp bị che bóng tác giả thực nghiệm khoảng thời gian từ 14h00 tới 15h00 ngày (từ ngày 10 đến ngày 11 tháng 12 năm 2020) Giá trị xạ đạt cao vào thời điểm 14h15 đến 14h25, thời gian cịn lại giá trị xạ có thay đổi tác động bóng che nhiều Nhiệt độ pin thay đổi tịnh tiến theo xạ mặt trời Các thông số xạ mặt trời nhiệt độ pin thể hình 4.22 Bức xạ mặt trời (Wm2) hình 4.23 Thời gian (Giờ:Phút) Hình 4.21 Đặc tuyến xạ mặt trời ( C) Nhiệt độ 46 Thời gian (Giờ:Phút) Hình 4.22 Đặc tuyến nhiệt độ hoạt động pin quang điện Half cell CS3W-440MS Giá trị điện áp ngõ pin thay đổi tuyến tính theo nhiệt độ hoạt động Điện áp (V) pin xạ mặt trời Thời gian (Giờ:Phút) Hình 4.23 Đặc tuyến điện áp pin quang điện Half cell CS3W-440MS Điện áp pin cao vào lúc 14h25 sau bắt đầu giảm từ 14h.30 đến 14h.35 ảnh hưởng đám mây nên xạ mặt trời có giảm Tuy nhiên, điện áp lại tiếp tục tăng vào lúc 14h.40 lại giảm dần từ 14h.45 đến 15h.00 chiều xạ mặt trời có chiều hướng giảm 47 Từ kết hoạt động pin, xạ mặt trời, điện áp ngõ mô-đun pin quang Dòng điện (A) điện, ta thu dòng điện thực tế hình 4.25 Thời gian (Giờ:Phút) Hình 4.24 Đặc tuyến dòng điện thực nghiệm 4.5.2.2 Trường hợp che nửa pin Cũng giống trường hợp che cell pin, trường hợp che nửa pin tác giả thực nghiệm thời gian 1h từ 14h00 đến 15h00 Kết thu xạ mặt trời, nhiệt độ hoạt động pin điện áp ngõ pin hình 4.26, hình 4.27 Bức xạ mặt trời (Wm2) hình 4.28 Thời gian (Giờ:Phút) Hình 4.25 Đặc tuyến xạ mặt trời 48 Bức xạ mặt trời lớn vào lúc 14h00 có chiều hướng giảm dần theo thời gian chiều mùa Bình Phước mùa mưa nên chiều xuất Nhiệt độ (0C) đám mây Thời gian (Giờ:Phút) Hình 4.26 Đặc tuyến nhiệt độ pin hoạt động Nhiệt độ lúc pin có chiều hướng giảm dần theo suy giảm Điện áp (V) xạ mặt trời hình 4.26 Thời gian (Giờ:Phút) Hình 4.27 Đặc tuyến điện áp ngõ Điện áp thu từ pin có thay đổi lúc tăng lúc giảm xạ mặt trời thay đổi tiêu thụ tải 49 Từ kết hoạt động pin, xạ mặt trời, điện áp ngõ mô-đun pin quang điện, ta thu dịng điện cơng suất thực tế hình 4.29 4.30 Đưa số liệu xạ mặt trời (hình 4.26), nhiệt độ pin (hình 4.27) điện áp (hình 4.28) thu từ mơ hình thực nghiệm vào mơ hình tính tốn pin Half cell ta có kết dịng điện cơng suất mơ ngõ hình 4.29, hình 4.30, hình 4.31 Dịng điện (A) hình 4.32 Thời gian (Giờ:Phút) Dịng điện (A) Hình 4.28 Đặc tuyến dịng thực nghiệm mô ngõ Thời gian (Giờ:Phút) Hình 4.29 Đặc tuyến sai số dịng điện mơ thực nghiệm Công suất (W) 50 Thời gian (Giờ:Phút) Công suất (W) Hình 4.30 Đặc tuyến cơng suất thực nghiệm ngõ Thời gian (Giờ:Phút) Hình 4.31 Đặc tuyến sai lệch công suất thực nghiệm mô Khoảng sai lệch dịng điện, cơng suất ngõ mô-đun pin quang điện Half cell CS3W-400MS tương ứng từ -0.003 (A) đến 0.25 (A) từ -0.003 (W) đến 0.25 (W) Bảng 4.5 Phân tích khác biệt hệ thống thực nghiệm mơ e e(%) Dịng điện ngõ -0.25 (A) đến 0.2 (A) 1.1 % Công suất ngõ -9.58 (W) đến 7.93 (W) 1.51 % So sánh kết mô kết thực nghiệm ta thấy độ sai lệch dịng điện, cơng suất mơ thực nghiệm 1.1% 1.5% 51 Dưới hình ảnh thực tế mơ hình thực nghiệm hệ thống mô-đun pin quang điện Half cell CS3W-440MS tác giả chụp lại vào lúc 14h00 ngày 10 tháng 12 năm 2020 Bình Phước Hình 4.32 Hình ảnh hệ thống thực nghiệm thực tế pin Half cell CS3W-440MS 52 CHƯƠNG 5: KẾT LUẬN Đề tài “Phân tích ảnh hưởng cơng nghệ Half cell đến cơng suất pin Quang điện bị bóng đổ modul CS3W-440MS” Mơ hình mơ thiết kế mơi trường Matlab/Simulink để so sánh khác biệt hai công nghệ pin quang điện Half cell công nghệ pin quang điện Full cell Xây dựng mơ hình mơ mơ-đun pin quang điện CS3W-440MS tổng qt, có kết mơ xác với thơng số kỹ thuật nhà sản xuất Bên cạnh đó, đề tài cịn tiến hành thực nghiệm mô-đun pin quang điện Half cell CS3W-440MS, số liệu xạ mặt trời, điện áp V, dòng điện I, nhiệt độ pin thu thập thông qua cảm biến Từ thông số đo từ thực nghiệm, tác giả đưa vào mơ hình mơ để so sánh độ xác kết mơ hình với kết thực nghiệm Hệ thống mô thiết kế có độ xác cao thơng qua kết sai lệch dịng điện, cơng suất thực nghiệm so với mô 1.1% 1.5% DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Thủ tướng Chính Phủ, Quyết Định Số 13, Cơ chế Khuyến khích phát triển điện mặt trời [2] Tổng công ty điện lực Việt Nam, (2020), truy cập ngày 19 tháng 10 năm 2020, [3] IRENA, (2020), ‘Renewable capacity statistics 2020 International Renewable Energy Agency’ [4] Những quốc gia dẫn đầu giới điện mặt trời, (2020), truy cập ngày 19 tháng 10 năm 2020, [5] Trang tin tức điện mặt trời, (2019), truy cập ngày 19 tháng 10 năm 2020, [6] Trzmiel, G., Głuchy, D., & Kurz, D (2020) ‘The impact of shading on the exploitation of photovoltaic installations Renewable Energy’, doi:10.1016/j.renene.2020.02.010 [7] Quian (2019) ‘Analysis of Hotspots in Half Cell Modules Undetected by Current Test Standards’, 2019-03-21 [8] J.C.Teo (2019) ‘Impact of Bypass Diode Forward Voltage on Maximum Power of a Photovoltaic System under Partial Shading Conditions’, doi.org/10.1016/j.energy.2019.116491 [9] Wang, Y.-J., & Hsu, P.-C, (2011), ‘An investigation on partial shading of PV modules with different connection configurations of PV cells’, Energy, 36(5), 3069– 3078 doi:10.1016/j.energy.2011.02.052 [10] Lu, F., Guo, S., Walsh, T M., & Aberle, A G, (2013), ‘Improved PV Module Performance under Partial Shading Conditions’, Energy Procedia, 33, 248– 255 doi:10.1016/j.egypro.2013.05.065 [11] Bana, S., & Saini, R P, (2017), ‘Experimental investigation on power output of different photovoltaic array configurations under uniform and partial shading scenarios’, Energy, 127, 438–453 doi:10.1016/j.energy.2017.03.139 [12] Qian, J., Thomson, A., Blakers, A., & Ernst, M, (2018), ‘Comparison of Half-Cell and Full-Cell Module Hotspot-Induced Temperature by Simulation’, IEEE Journal of Photovoltaics, 1–6 doi:10.1109/jphotov.2018.2817692 [13] Ajmal, A M., Sudhakar Babu, T., Ramachandaramurthy, V K., Yousri, D., & Ekanayake, J B, (2020), ‘Static and dynamic reconfiguration approaches for mitigation of partial shading influence in photovoltaic arrays’, Sustainable Energy Technologies and Assessments, 40, 100738 doi:10.1016/j.seta.2020.100738 [14] Peng, J., Lu, L., Yang, H., Ho, K M., & Law, P, (2013), ‘Experimentally diagnosing the shading impact on the power performance of a PV system in Hong Kong’, 2013 World Congress on Sustainable Technologies (WCST) doi:10.1109/wcst.2013.6750397 [15] Steim, R., Schilinsky, P., Choulis, S A., & Brabec, C J, (2009), ‘Flexible polymer photovoltaic modules with incorporated organic bypass diodes to address module shading effects, Solar Energy Materials and Solar Cells, 93(11), 1963– 1967 doi:10.1016/j.solmat.2009.07.013 [16] Thủ tướng Nguyễn Xuân Phúc, (2017), Quyết định số 11/2017/QĐ-TTg, Cơ chế khuyến khích phát triển dự án điện mặt trời Việt Nam [17] Tập đoàn điện lực Việt Nam, (2020), truy cập ngày 19 tháng 10 năm 2020, [18] Dự án điện mặt trời, (2020), truy cập ngày 19 tháng 10 năm 2020, [19] Điện mặt trời BQ Solar, (2020), truy cập ngày 21 tháng 10 năm 2020, [20] Điện mặt trời, (2020), truy cập ngày 18 tháng 10 năm 2020, [21] Những công nghệ pin tốt nay, (2020), truy cập ngày 22 tháng 10 năm 2020, [22] Braun S, Hahn G, Nissler R, Pönisch C, Habermann D Multi-busbar solar cells and modules: higher efficiencies and low silver consumptions Energy Procedia 2013; in press [23] Kiến thức Solar, (2020), truy cập ngày 21 tháng 10 năm 2020, < https://mysolar.vn/category/kien-thuc-solar> [24] Bài viết, (2020), truy cập ngày 25 tháng 10 năm 2020 [25] Top 10 pin lượng điện mặt trời, (2020), truy cập ngày 25 tháng 10 năm 2020, < [26] Canadian Solar, (2020), truy cập ngày 25 tháng 10 năm 2020, ... 0.4kW/m2 Không bị ảnh hưởng bóng đổ Bị ảnh hưởng bóng đổ Pin quang điện Half cell Bị ảnh hưởng bóng đổ Pin quang điện Full cell Dòng điện cell 73-144 (Half cell) Dịng điện cell 1-72 (Half cell) Hình... 0.2kW/m2 Không bị ảnh hưởng bóng đổ Bị ảnh hưởng bóng đổ Pin quang điện Half cell Bị ảnh hưởng bóng đổ Pin quang điện Full cell Dịng điện cell 73-144 (Half cell) Dịng điện cell 1-72 (Half cell) Hình... hình phân tích ảnh hưởng cơng nghệ Half cell đến công suất pin Quang điện bị bóng đổ thực nghiệm Phạm vi nghiên cứu phân tích ảnh hưởng cơng nghệ pin Half cell Full cell bị bóng đổ Thực nghiệm pin