Thông tin tài liệu
Chương 2
Chương
2
Bán dẫn
Bán
dẫn
Từ Vựng (1)
Từ
Vựng
(1)
•
ambient temperature=nhiệt độ xung quanh
ambient
temperature=nhiệt
độ
xung
quanh
• avalanche effect=hiệu ứng đánh thủng
bi ttil àthế
•
b
arr
i
er po
t
en
ti
a
l
= r
à
o
thế
• breakdown voltage=điện áp đánh thủng
• conduction band= dãy dẫn
•
depletion layer
=
miền nghèo (hạtdẫntự
depletion
layer miền
nghèo
(hạt
dẫn
tự
do)
•
diode
•
diode
• Doping = pha tạp chất
Từ Vựng (2)
Từ
Vựng
(2)
•
forward bias
=
phân cựcthuận
forward
bias
phân
cực
thuận
• free electron = điện tử tự do
•
Hole = lỗ (trống)
•
Hole
=
lỗ
(trống)
• junction diode = diode tiếp xúc
jtit t hiệt độ tiế ú
•
j
unc
ti
on
t
empera
t
ure = n
hiệt
độ
tiế
p x
ú
c
• majority carriers = các hạt dẫn đa số
ẫ ể ố
• minority carriers = các hạt d
ẫ
n thi
ể
u s
ố
• n-type semiconductor = bán dẫn loại N
Từ Vựng (3)
Từ
Vựng
(3)
•
p
-
type semiconductor
=
bán dẫnloạiP
p
type
semiconductor
bán
dẫn
loại
P
• pn junction = tiếp xúc PN
•
Recombination = tái hợp
•
Recombination
=
tái
hợp
• reverse bias = phân cực ngược
Si dt bádẫ
•
S
em
i
con
d
uc
t
or =
bá
n
dẫ
n
• Silicon
ề
• surface-leakage current = dòng rò b
ề
mặt
• thermal energy = nhiệt năng
Nội dung chương 2
Nội
dung
chương
2
2-1 Vật dẫn điện
ẫ
2-2 Bán d
ẫ
n
2-3 Tinh thể Silic
2-4 Bán dẫn nội tại (bán dẫn thuần)
2-5 Hai loại dòng (hạt dẫn)
2-6 Pha tạp chất vào bán dẫn
2-7 Hai loại bán dẫn n
g
oại lai
(
có
p
ha tạ
p
chất
)
g (p p )
2-8 Diode chưa phân cực
2-9 Phân cực thuận
2-10 Phân c
ự
c n
g
ư
ợ
c
ự g ợ
2-11 Đánh thủng
2-12 Các mức năng lượng
2-1
3
Đồ
i n
ă
n
g
l
ượ
n
g
3
ồ ă g ượ g
2-14 Rào thế và nhiệt độ
2-15 Diode phân cực ngược
2
-
1Vậtdẫn điện
2
1
Vật
dẫn
điện
•
Các
vậtdẫn điện
tốtnhấtlàbạc đồng và
Các
vật
dẫn
điện
tốt
nhất
là
bạc
,
đồng
và
vàng.
•
Quỹ đạo ổn định
•
Quỹ
đạo
ổn
định
• Điện tử hóa trị: điện tử ở lớp ngoài cùng
têtử
t
rong nguy
ê
n
tử
• Điện tử tự do dễ dàng sinh ra trong vật
dẫn điện
Đồng
Đồng
2
-
2Bándẫn
2
2
Bán
dẫn
•
Bán dẫncótínhchất điệngiữachấtdẫn
Bán
dẫn
có
tính
chất
điện
giữa
chất
dẫn
điện và chất cách điện.
•
Các bán dẫntốtnhấtcó4điệntử hóa trị
•
Các
bán
dẫn
tốt
nhất
có
4
điện
tử
hóa
trị
• TD: Silicon, Germanium là bán dẫn, cả hai
đề ó4điệ tử hó t ị
đề
u c
ó
4
điệ
n
tử
hó
a
t
r
ị
Nguyên tử Silicon
Nguyên
tử
Silicon
2
-
3Tinhthể Silicon
2
3
Tinh
thể
Silicon
•
Khi các nguyên tử Si kếthợplại để tạo thành
Khi
các
nguyên
tử
Si
kết
hợp
lại
để
tạo
thành
chất rắn, chúng tự sắp xếp thành một khuôn
mẫu trật tự được gọi là tinh thể (crystal).
•Mỗi nguyên tử Si góp chung mỗi điện tử hóa trị
của nó với nguyên tử Si kế cận để tạo thành 8
điện tử hóa trị.
• Liên kết chung giữa 2 nguyên tử được gọi là
liê kế đồ hó ị
(lbd)
liê
n
kế
t
đồ
ng
hó
a tr
ị
(
cova
l
ent
b
on
d)
• Bão hòa hóa trị là 8
[...]... vào bán dẫn • Tăng độ dẫn điện của bán dẫn bằng pha tạp chất (doping) vào bán dẫn thuần • Bán dẫn có pha tạp chất được gọi là bán dẫn ngoại lai (hay bán dẫn có pha tạp ) chất) • Pha tạp chất donor (có 5 điện tử hóa trị) g (n p): để tăng điện tử tự do ( > p) bán dẫn N • Pha tạp chất acceptor (có 3 điện tử hóa ) g (n< p) trị) để tăng lỗ ( p): bán dẫn P 27 2-7 Hai loại bán dẫn ngoại lai Bán dẫn loại N Bán. .. điện tử hóa ) g (n< p) trị) để tăng lỗ ( p): bán dẫn P 27 2-7 Hai loại bán dẫn ngoại lai Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P Hạt dẫn đa số và hạt dẫn thiểu số Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P Hạt dẫn đa số ẫ ố Điện tử (n > p) Lỗ ỗ (p > n) Hạt dẫn thiểu số Lỗ Điện tử * Ở điều kiện căn bằng nhiệt, mọi bán dẫn đều thỏa: np = ni2 28 2-8 Diode chưa phân cực • Tiếp xúc PN • Gọi VN là thế bên N và VP là thế bên P •... tái hợp điện tử tự do ợp ệ ự 24 2-4 Bán dẫn nội tại • Bán dẫn nội tại là bán dẫn thuần (được tạo nên bởi 1 loại nguyên tử) • Tinh thể Si hoạt động như chất cách điện ở nhiệt độ phòng vì chỉ có một ít điện tử tự g do và lỗ được tạo ra từ nhiệt năng • n=nồng độ điện tử tự do (số điện tử/đvtt) • p=nồng độ lỗ (số lỗ/đvtt) p nồng • Với bán dẫn thuần n = p = ni (nồng độ hạt dẫn nội tại, phụ thuộc nhiệt độ)... cân bằng khi rào thế ngăn không cho khuếch tán nữa • Ở 25oC rào thế của tiếp xúc PN loại Si là C, 0.7V (với Ge là 0.3V) • Rà thế (V γ) phụ thuộc vào điện áp nhiệt, Rào ) h th ộ à điệ á hiệt nồng độ hạt dẫn • Điện áp nhiệt VT=kT/q = 25mV ở 25oC • Với Si: ΔV/ ΔT = -2mV/ oC 2 15 2-15 Diode phân cực ngược • Dòng quá độ • Dòng bão hòa ngược IS hay IO , dòng này tăng khi nhiệt độ tăng tăng • Dòng rò bề mặt .
bán
dẫn
ngoại
lai
Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P
Hạtdẫn đasố và hạtdẫnthiểusố
Hạt
dẫn
đa
số
và
hạt
dẫn
thiểu
số
Bán dẫnloạiN
Bán dẫnloạiP
Bán
. t
ự
do
ợp ệ ự
2
-
4Bándẫnnộitại
2
4
Bán
dẫn
nội
tại
•
Bán dẫnnộitại là bán dẫnthuần(được
Bán
dẫn
nội
tại
là
bán
dẫn
thuần
(được
Ngày đăng: 26/01/2014, 00:20
Xem thêm: Tài liệu Malvino-EP-02- Bán dẫn pptx, Tài liệu Malvino-EP-02- Bán dẫn pptx