0
  1. Trang chủ >
  2. Kỹ Thuật - Công Nghệ >
  3. Điện - Điện tử >

Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử (Phần 2) part 5 doc

Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 1 pdf

Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 1 pdf

... ( 1-7 ) Nếu gọi U và I là các giá trị điện áp và dòng điện do nguồn cung cấp khi có tải hữu hạn 0 < Rt< ∞ thì: IUURhmng−= ( 1-8 ) Từ (l-7) và (l-8) ... gian). Với tụ điện, từ hệ thức ( 1-3 ), dung kháng của nó giảm khi tăng tần số và ngược lại với cuộn dây, từ ( 1-2 ) cảm kháng của nó tăng theo tần số. ... tăng: Css = C1 + C2 + … Cn ( 1 -5 ) còn khi nối nối tiếp, điện dung tổng cộng giảm: 1/Cnt = 1/C1+ 1/C2 +…+ 1/Cn ( 1-6 ) c) Nếu nối nối tiếp hay song...
  • 7
  • 448
  • 2
Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 2 doc

Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 2 doc

... 1 chiều). Theo các hệ thức( 1-1 3) van ( 1-1 8) có : τ1ss(t) ===∫+τootts(t)dt ( 1-1 9) lúc đó : s - = s(t) - s(t) và 0s(t)s(t)s~== - ( 1-2 0) e) Các thành phần chẵn và lẻ ... chẵn và lẻ được xác định như sau sch(t) = sch(-t) = 21 [ s(t) + s(-t)] ( 1-2 1) slẻ(t) = -slẻ(-t) = 21 [ s(t) - s(-t)] từ đó suy ra: sch(t) + slẻ(t) = s(t) 14 ... thành phần thực và ảo của s(t) theo (l-23) và (l-24) được xác định bởi: Re (t)ss(t)[21s(t)*+= ] Im ](t)ss(t)[21s(t)*−= ( 1-2 5) 1.3. CÁC HỆ THỐNG ĐIỆN TỬ ĐIỂN HÌNH Hệ...
  • 7
  • 390
  • 2
Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 3 docx

Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 3 docx

... phương giảm của nồng độ có dạng: Iktn = q . Dn ( - dn/dx ) = q . Dn . dn/dx ( 2-9 ) Iktp = q . Dp ( - dp/dx ) = - q . Dp. dp/dx ( 2-1 0) với Dn và Dp là các hệ số tỉ lệ gọi là hệ ... n (là khoảng thời gian trong đó nồng độ lỗ trống dư giảm đi e lần) ∆n(t) = ∆n(o)exp(-t/τp ) ( 2 -5 ) Các thông số τp và τn quyết định tới các tính chất tần số (tác động nhanh) của ... −=pt∆p(0)exp∆p(t)τ ( 2-4 ) Ở đây: ∆p(t) là mức giảm của lỗ trống theo thời gian. 16 Chương 2 KỸ THUẬT TƯƠNG TỰ 2.1. CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN - PHẦN TỬ MỘT MẶT GHÉP P-N 2.1.1. Chất bán dẫn...
  • 7
  • 353
  • 1
Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 4 pot

Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 4 pot

... 300 0K với q = 1,6.10 – 19 C, k = 1,38.10 -2 3 J/K UT có giá xấp xỉ 25, 5mV; m = (1 ÷ 2) là hệ số hiệu chỉnh giữa lí thuyết và thực tế - Tại vùng mở (phân cực thuận): UT và Is có ... lệ theo nhiệt độ với tốc độ -2 mV/K. - Tại vùng khóa (phân cực ngược) giá trị dòng bão hòa Is nhỏ (10 - 12 A/cm2 với Si và 10 -6 A/cm2 với Ge và phụ thuộc ... tiếp xúc p-n khi nó được mở. Dòng điện trôi do Ext gây ra gần như giảm không đáng kể do nồng độ hạt thiểu số nhỏ. Trường hợp này ứng với hình 2.5a gọi là phân cực thuận cho tiếp xúc p-n. Khi...
  • 7
  • 372
  • 1
Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 6 doc

Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 6 doc

... ra vi phân ( 2-4 2) S=r1==g12const=2U2222∂U∂Iđược gọi là hỗ dẫn truyền đạt ( 2-4 3) 11const=I1111h=IU=r2∂∂ là điện trở vào vi phân ( 2-4 4) β=I=hconst=U22212∂∂I ... Từ các biểu thức ( 2-3 7), ( 2- 38), ( 2-3 9) có thể suy ra vài hệ thức hay được sử dụng đối với tranzito: IE = IB (1 + β) (240) α = β / (1+ β) ( 2-4 1) c) Cách mắc tranzito ... =(1 / Uz)(duz / dt) | lz = const ( 2-3 5) Hệ số này xác định bởi hệ số nhiệt độ của điện áp đánh thủng chuyển tiếp p-n. Sự phụ thuộc của điện áp...
  • 7
  • 399
  • 1
Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 7 ppsx

Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 7 ppsx

... UE < UB < UC ( 2 -5 2) Từ bất đẳnh thức ( 2 -5 2) có thể thấy rằng hướng dòng điện và điện áp thực tế trong tranzito pnp. b - Đường tải tĩnh và điểm công ... tăng làm cho tranzito mở và IC= 0,5mA khi ấy UCE = 20V – 0,5mA.10kΩ = 20V – 5V = 15V, trên đặc tuyến ra đó là điểm B có tọa độ (0,5mA ; 15V) Bằng cách tăng UBE, làm ... UCE = UC – UE < 0 IC < 0 ( 2 -5 0) - Với mạch chung colectơ hình 2.36, căn cứ vào chiều qui định trên sơ đồ và điều kiện 2-4 8 có thể viết: UB – UC >...
  • 7
  • 384
  • 1
Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 8 doc

Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 8 doc

... thức ( 2-6 6), tìm được tBtcCBccBRRRIRREI+−+= ( 2-7 2) Lấy vi phân biểu thức ( 2-7 2) theo Ic được: tBtcBRRRdIdI+−= ( 2-7 3) Thay biểu thức ( 2-7 3) vào ( 2 -5 6), ... UBE ( 2-6 5) Từ 2-6 4 và 2-6 6 có thể suy ra: UCE ≈ IBRB ( 2-6 7) Thay IC = h21e.IB vào biểu thức ( 2-6 6) ta tìm được ECC = (h21e + 1)IB.Rt + IBRB ( 2-6 8) rút ... thấy IC có giá trị bằng l,95mA và UCE = Ucc - ICRT = 20V - l,95mA . 10kΩ = 0,5V. Có thể thấy rằng khi ∆IB = + 20µA dẫn tới ∆UCE = -9 ,5V. Khi IB giảm từ 20µA xuống...
  • 7
  • 409
  • 1
Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 9 ppt

Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 9 ppt

... 106− 103− 102− 1 30 30 0.8 0.4 0.6 0.2 0. 25 0 .51 20 15 50 50 100 95 -6 .5 -6 .5 + 25 + 25 +1 75 + 75 58 Căn cứ vào sơ đồ tương đương (h.2.43) để phân ... độ đến các tham số của tranzito silic công tác trong khoảng - 65 C đến +1 75 C còn tranzito thì từ -6 3˚C đến + 75 C. Sự khác nhau nữa là trị số ICO và UBE của tranzito ... và biểu thức ( 2-8 1) có thể tìm thấy dòng bazơ tại điểm phân cực. IBQ = EBBEB1)R+ (h21e+RUU ( 2-8 2) Từ đó tính ra được ICQ = h21e.IBQ ( 2-8 3) Từ sơ...
  • 7
  • 345
  • 1
Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 11 pptx

Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 11 pptx

... ])//(11DSSrRS+ Ku = -S(RD//rDS) = -SRD Điện trở vào Rvào= rGS→ ∞ Rvào= rGS∞→ Điện trở ra Rra= (RD//rDS) Rra = RS//(1/S) ( 2-1 00) ( 2-1 01) -Khi thay thế ... Từ hình vẽ 2 .57 có phương trình điện áp cho mạch ra lúc Uvào =0 là: UCeo= IcoRc= Ec ( 2-1 07) Khi Uvào ≠ 0 UCE + IcEc ( 2-1 08) Phương trình ( 2-1 07) cho ta xác ... 72 Hình 2 .54 b: Dạng đóng vỏ MOSFET trong thực tế Sử dụng tính chất này của FET, có thể xây dựng các bộ phận áp có điều khiển đơn giản như hình 2 .55 . Khi đó...
  • 7
  • 361
  • 1
Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 12 pps

Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 12 pps

... tiếp. Từ ( 2-1 10) ta tìm được •••ht•βK-1K=K ( 2-1 11) Để đơn giản việc phân tích ta đưa vào trị số thực K và Kβ -1 K=Kht• ( 2-1 12) Theo ( 2-1 12) khi 1> Kβ ... dòng bazơ IB điện trở RE đã xét ở 2.2.3 và hình 2. 45. 82 βK+1K/dK=KdKhtkt ( 2-1 15) Từ ( 2-1 15) ta thấy sự thay đổi tương đối hệ số khuếch đại của ... r•U / v•U ( 2-1 09) y•U = v•U + ht•U Chia cả hai vế của ( 2-1 09) cho r•U ta có: •r•ht•r•v•r•yUU+UU=UU hay ••ht•β+K1=K1 ( 2-1 10) ở đây:...
  • 7
  • 315
  • 1

Xem thêm

Từ khóa: kỹ thuật máybản vẽ kỹ thuậtkỹ thuật mạngluận văn kỹ thuậtkỹ thuậ mạch điện tửkỹ thuật điện tửchuyên đề điện xoay chiều theo dạngNghiên cứu sự hình thành lớp bảo vệ và khả năng chống ăn mòn của thép bền thời tiết trong điều kiện khí hậu nhiệt đới việt namNghiên cứu tổ chức pha chế, đánh giá chất lượng thuốc tiêm truyền trong điều kiện dã ngoạiNghiên cứu tổ chức chạy tàu hàng cố định theo thời gian trên đường sắt việt namGiáo án Sinh học 11 bài 13: Thực hành phát hiện diệp lục và carôtenôitGiáo án Sinh học 11 bài 13: Thực hành phát hiện diệp lục và carôtenôitTrả hồ sơ điều tra bổ sung đối với các tội xâm phạm sở hữu có tính chất chiếm đoạt theo pháp luật Tố tụng hình sự Việt Nam từ thực tiễn thành phố Hồ Chí Minh (Luận văn thạc sĩ)Nghiên cứu, xây dựng phần mềm smartscan và ứng dụng trong bảo vệ mạng máy tính chuyên dùngNghiên cứu về mô hình thống kê học sâu và ứng dụng trong nhận dạng chữ viết tay hạn chếNghiên cứu tổng hợp các oxit hỗn hợp kích thƣớc nanomet ce 0 75 zr0 25o2 , ce 0 5 zr0 5o2 và khảo sát hoạt tính quang xúc tác của chúngĐịnh tội danh từ thực tiễn huyện Cần Giuộc, tỉnh Long An (Luận văn thạc sĩ)Tìm hiểu công cụ đánh giá hệ thống đảm bảo an toàn hệ thống thông tinChuong 2 nhận dạng rui roTổ chức và hoạt động của Phòng Tư pháp từ thực tiễn tỉnh Phú Thọ (Luận văn thạc sĩ)Giáo án Sinh học 11 bài 15: Tiêu hóa ở động vậtGiáo án Sinh học 11 bài 15: Tiêu hóa ở động vậtchuong 1 tong quan quan tri rui roGiáo án Sinh học 11 bài 14: Thực hành phát hiện hô hấp ở thực vậtGiáo án Sinh học 11 bài 14: Thực hành phát hiện hô hấp ở thực vậtĐổi mới quản lý tài chính trong hoạt động khoa học xã hội trường hợp viện hàn lâm khoa học xã hội việt nam