Điện Tử - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử part 3 docx

15 Hình 1.9. Hệ tự động điều chỉnh • Khi ∆ U = 0, ta có T x = T ch . (U x = U ch ) đố i t ượ ng đ ang ở tr ạ ng thái mong mu ố n, nhánh thông tin ng ượ c không ho ạ t độ ng. • Khi ∆ U > 0 (U x > U ch ) T x > T ch h ệ đ i ề u ch ỉ nh làm gi ả m T x . • Khi ∆ U < 0 T x < T ch h ệ đ i ề u ch ỉ nh làm t ă ng T x . quá trình đ i ề u ch ỉ nh T x ch ỉ ng ừ ng khi ∆ U = 0. c) Độ m ị n (chính xác) khi đ i ề u ch ỉ nh ph ụ thu ộ c vào: • Độ chính xác c ủ a quá trình bi ế n đổ i t ừ T ch thành U ch • Độ phân d ả i c ủ a ph ầ n t ử so sánh ( độ nh ỏ c ủ a ∆ U) • Độ chính xác c ủ a quá trình bi ế n đổ i T x thành U x • Tính ch ấ t quán tính c ủ a h ệ . d) Có th ề đ iêu ch ỉ nh liên t ụ c theo th ờ i gian (analog) hay gián đ o ạ n theo th ờ i gian mi ễ n sao đạ t đượ c giá tr ị trung bình mong đợ i. Ph ươ ng pháp digital cho phép, ti ế t ki ệ m n ă ng l ượ ng c ủ a h ệ và ghép n ố i v ớ i h ệ th ố ng t ự độ ng tính toán. e) Chú ý r ằ ng, thông th ườ ng n ế u ch ọ n m ộ t ng ưỡ ng U ch ta nh ậ n đượ c k ế t qu ả là h ệ đ i ề u khi ể n có hành độ ng hay không tùy theo U x đ ang l ớ n h ơ n hay nh ỏ h ơ n U ch (và do đ ó tham s ố v ậ t lý c ầ n theo dõi đ ang l ớ n h ơ n hay nh ỏ h ơ n giá tr ị ng ưỡ ng đị nh s ẵ n t ừ tr ướ c). Khi ch ọ n đượ c hai m ứ c ng ưỡ ng U chl v ă U ch2 h ệ s ẽ hành độ ng m ỗ i khi U x n ằ m l ọ t vào trong kho ả ng hai giá tr ị ng ưỡ ng ho ặ c ng ượ c l ạ i, đ i ề u này mang ý ngh ĩ a th ự c t ế h ơ n c ủ a m ộ t h ệ t ự độ ng đ i ề u ch ỉ nh. Tr ườ ng h ợ p v ớ i m ộ t m ứ c ng ưỡ ng, h ệ mang ý ngh ĩ a dùng để đ i ề u khi ể n tr ạ ng thái (hành vi) c ủ a đố i t ượ ng. 16 Chương 2 KỸ THUẬT TƯƠNG TỰ 2.1. CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN - PHẦN TỬ MỘT MẶT GHÉP P-N 2.1.1. Chất bán dẫn nguyên chất và chất bán dẫn tạp chất a - C ấ u trúc vùng n ă ng l ượ ng c ủ a ch ấ t r ắ n tinh th ể Ta đ ã bi ế t c ấ u trúc n ă ng l ượ ng c ủ a m ộ t nguyên t ử đứ ng cô l ậ p có d ạ ng là các m ứ c r ờ i r ạ c. Khi đư a các nguyên t ử l ạ i g ầ n nhau, do t ươ ng tác, các m ứ c này b ị suy bi ế n thành nh ữ ng d ả i g ố m nhi ề u m ứ c sát nhau đượ c g ọ i là các vùng n ă ng l ượ ng. Đ ây là d ạ ng c ấ u trúc n ă ng l ượ ng đ i ể n hình c ủ a v ậ t r ắ n tinh th ể . Tùy theo tình tr ạ ng các m ứ c n ă ng l ượ ng trong m ộ t vùng có b ị đ i ệ n t ử chi ế m ch ỗ hay không, ng ườ i ta phân bi ệ t 3 lo ạ i vùng n ă ng l ượ ng khác nhau: - Vùng hóa tr ị (hay còn g ọ i là vùng đầ y), trong đ ó t ấ t c ả các m ứ c n ă ng l ượ ng đề u đ ã b ị chi ế m ch ỗ , không còn tr ạ ng thái (m ứ c) n ă ng l ượ ng t ự do. - Vùng d ẫ n (vùng tr ố ng), trong đ ó các m ứ c n ă ng l ượ ng đề u còn b ỏ tr ố ng hay ch ỉ b ị chi ế m ch ỗ m ộ t ph ầ n. - Vùng c ấ m, trong đ ó không t ồ n t ạ i các m ứ c n ă ng l ượ ng nào để đ i ệ n t ử có th ể chi ế m ch ỗ hay xác su ấ t tìm h ạ t t ạ i đ ây b ằ ng 0. Tùy theo v ị trí t ươ ng đổ i gi ữ a 3 lo ạ i vùng k ể trên, xét theo tính ch ấ t d ẫ n đ i ệ n c ủ a mình, các ch ấ t r ắ n c ấ u trúc tinh th ể đượ c chia thành 3 lo ạ i (xét ở 0 0 K) th ể hi ệ n trên hình 2.1. Hình 2.1: Phân loại vật rắn theo cấu trúc vùng năng lượng al Chất cách điện Eg > 2eV ; b) Chất bán dẫn điện 0 < Eg ≤ ≤≤ ≤ 2eV; c) Chất dẫn điện Chúng ta đ ã bi ế t, mu ố n t ạ o dòng đ i ệ n trong v ậ t r ắ n c ầ n hai quá trình đồ ng th ờ i: quá trình t ạ o ra h ạ t d ẫ n t ự do nh ờ đượ c kích thích n ă ng l ượ ng và quá trình chuy ể n độ ng có h ướ ng c ủ a các h ạ t d ẫ n đ i ệ n này d ướ i tác d ụ ng c ủ a tr ườ ng. D ướ i đ ây ta xét t ớ i cách d ẫ n đ i ệ n c ủ a ch ấ t bán d ẫ n nguyên ch ấ t (bán d ẫ n thu ầ n) và ch ấ t bán d ẫ n t ạ p ch ấ t mà đ i ể m khác nhau ch ủ y ế u liên quan t ớ i quá trình sinh (t ạ o) các h ạ t d ẫ n t ự do trong m ạ ng tinh th ể . Vùng d ẫ n Vùng hóa tr ị Vùng hóa tr ị Vùng d ẫ n Vùng hóa tr ị Vùng d ẫ n Vùng c ấ m Eg 0 < Eg ≤ ≤≤ ≤ 2eV a) Vùng c ấ m Eg b) c) 17 b- Chất bán dẫn thuần Hai ch ấ t bán d ẫ n thu ầ n đ i ể n hình là Gemanium (Ge) và Silicium (Si) có c ấ u trúc vùng n ă ng l ượ ng d ạ ng hình 2.1b v ớ i Eg = 0,72eV và Eg = 1,12eV, thu ộ c nhóm b ố n b ả ng tu ầ n hoàn Mendeleep. Mô hình c ấ u trúc m ạ ng tinh th ể (1 chi ề u) c ủ a chúng có d ạ ng hình 2.2a v ớ i b ả n ch ấ t là các liên k ế t ghép đ ôi đ i ệ n t ử hóa tr ị vành ngoài. Ở 0 K chúng là các ch ấ t cách đ i ệ n. Khi đượ c m ộ t ngu ồ n n ă ng l ượ ng ngoài kích thích, x ả y ra hi ệ n t ượ ng ion hóa các nguyên t ử nút m ạ ng và sinh t ừ ng c ặ p h ạ t d ẫ n t ự do: đ i ệ n t ử b ứ t kh ỏ i liên k ế t ghép đ ôi tr ở thành h ạ t t ự do và để l ạ i 1 liên k ế t b ị khuy ế t (l ỗ tr ố ng). Trên đồ th ị vùng n ă ng l ượ ng nh ư hình 2.2b, đ i ề u này t ươ ng ứ ng v ớ i s ự chuy ể n đ i ệ n t ử t ừ 1 m ứ c n ă ng l ượ ng trong vùng hóa tr ị lên 1 m ứ c trong vùng d ẫ n để l ạ i 1 m ứ c t ự do (tr ố ng) trong vùng hóa tr ị . Các c ặ p h ạ t d ẫ n t ự do này, d ướ i tác d ụ ng c ủ a 1 tr ườ ng ngoài hay m ộ t Gradien n ồ ng độ có kh ả n ă ng d ị ch chuy ể n có h ướ ng trong lòng tinh th ể t ạ o nên dòng đ i ệ n trong ch ấ t bán d ẫ n thu ầ n. K ế t qu ả là: 1) Mu ố n t ạ o h ạ t d ẫ n t ự do trong ch ấ t bán d ẫ n thu ầ n c ầ n có n ă ng l ượ ng kích thích đủ l ớ n E kt ≥ E g 2) Dòng đ i ệ n trong ch ấ t bán d ẫ n thu ầ n g ồ m hai thành ph ầ n t ươ ng đươ ng nhau do qúa trình phát sinh t ừ ng c ặ p h ạ t d ẫ n t ạ o ra (ni = Pi). c - Chất bán dẫn tạp chất loại n Ng ườ i ta ti ế n hành pha thêm các nguyên t ử thu ộ c nhóm 5 b ả ng Mendeleep vào m ạ ng tinh th ể ch ấ t bán d ẫ n nguyên ch ấ t nh ờ các công ngh ệ đặ c bi ệ t, v ớ i n ồ ng độ kho ả ng 10 10 đế n 10 18 nguyên t ử /cm 3 . Khi đ ó các nguyên t ử t ạ p ch ấ t th ừ a m ộ t đ i ệ n t ử vành ngoài, liên k ế t y ế u v ớ i h ạ t nhân, d ễ d ạ ng b ị ion hóa nh ờ m ộ t ngu ồ n n ă ng l ượ ng y ế u t ạ o nên m ộ t c ặ p ion d ươ ng t ạ p ch ấ t – đ i ệ n t ử t ự do. Ngoài ra, hi ệ n t ượ ng phát sinh h ạ t d ẫ n gi ố ng nh ư c ơ ch ế c ủ a ch ấ t bán d ẫ n thu ầ n v ẫ n x ẩ y ra nh ư ng v ớ i m ứ c độ y ế u h ơ n. Trên đồ th ị vùng n ă ng l ượ ng, các m ứ c n ă ng l ượ ng t ạ p ch ấ t lo ạ i này (g ọ i là Si Si Si Si Si Si Si Si Si + Vïng dÉn n i p i Vïng ho¸ trÞ 1,12eV a) b) Hình 2.2: a) Mạng tinh thể một chiều của Si. b) Cấu trúc vùng năng lượng 18 t ạ p ch ấ t lo ạ i n hay lo ạ i cho đ i ệ n t ử - Donor) phân b ố bên trong vùng c ấ m, n ằ m sát đ áy vùng d ẫ n ( kho ả ng cách vài % eV). K ế t qu ả là trong m ạ ng tinh th ể t ồ n t ạ i nhi ề u ion d ươ ng c ủ a t ạ p ch ấ t b ấ t độ ng và dòng đ i ệ n trong ch ấ t bán d ẫ n lo ạ i n g ồ m hai thành ph ầ n không b ằ ng nhau t ạ o ra: đ i ệ n t ử đượ c g ọ i là lo ạ i h ạ t d ẫ n đ a s ố có n ồ ng độ là n n , l ỗ tr ố ng - lo ạ i thi ể u s ố có n ồ ng độ p n (chênh nhau nhi ề u c ấ p: n n >>p n ). d - Chất bán dân tạp chất loại p N ế u ti ế n hành pha t ạ p ch ấ t thu ộ c nhóm 3 b ả ng tu ầ n hoàn Mendeleep vào tinh th ể ch ấ t bán d ẫ n thu ầ n ta đượ c ch ấ t bán d ẫ n t ạ p ch ấ t lo ạ i p v ớ i đặ c đ i ể m ch ủ y ế u là nguyên t ử t ạ p ch ấ t thi ế u m ộ t đ i ệ n t ử vành ngoài nên liên k ế t hóa tr ị (ghép đ ôi) b ị khuy ế t, ta g ọ i đ ó là l ỗ tr ố ng liên k ế t, có kh ả n ă ng nh ậ n đ i ệ n t ử , khi nguyên t ử t ạ p ch ấ t b ị ion hóa s ẽ sinh ra đồ ng th ờ i 1 c ặ p: ion âm t ạ p ch ấ t - l ỗ tr ố ng t ự do. M ứ c n ă ng l ượ ng t ạ p ch ấ t lo ạ i p n ằ m trong vùng c ấ m sát đỉ nh vùng hóa tr ị (Hình 2.3b) cho phép gi ả i thích cách sinh h ạ t d ẫ n c ủ a ch ấ t bán d ẫ n lo ạ i này. Trong m ạ ng tinh th ể ch ấ t bán d ẫ n t ạ p ch ấ t lo ạ i p t ồ n t ạ i nhiêu ion âm t ạ p ch ấ t có tính ch ấ t đị nh x ứ t ừ ng vùng và dòng đ i ệ n trong ch ậ t bán d ẫ n lo ạ i p g ồ m hai thành ph ầ n không t ươ ng đươ ng nhau: l ỗ tr ố ng đượ c g ọ i là các h ạ t d ẫ n đ a s ố , đ i ệ n t ử h ạ t thi ể u s ố , v ớ i các n ồ ng độ t ươ ng ứ ng là p p và n p (p p >>n p ). e- Vài hiện tượng vật lí thường gặp Cách sinh h ạ t d ẫ n và t ạ o thành dòng đ i ệ n trong ch ấ t bán d ẫ n th ườ ng liên quan tr ự c ti ế p t ớ i các hi ệ n t ượ ng v ậ t lí sau: Hiện tượng ion hóa nguyên tử (c ủ a ch ấ t t ạ p ch ấ t) là hi ệ n t ượ ng g ắ n li ề n v ớ i quá trình n ă ng l ượ ng c ủ a các h ạ t. Rõ ràng s ố h ạ t sinh ra b ằ ng s ố m ứ c n ă ng l ượ ng b ị chi ế m trong vùng d ẫ n hay s ố m ứ c b ị tr ố ng trong vùng hóa tr ị . K ế t qu ả c ủ a v ậ t lý th ố ng kê l ượ ng t ử cho phép tính n ồ ng độ các h ạ t này d ự a vào hàm th ố ng kê Fermi – Dirac: Vïng dÉn Vïng ho¸ trÞ ⊕ ⊕ Møc t¹p chÊt lo¹i n a) Vïng dÉn Vïng ho¸ trÞ Møc t¹p chÊt lo¹i p − − b) Hình 2.3: Đồ thị vùng năng lượng a) bán dẫn loại n; b) bán dẫn loại p 19 ∫ = max C E E N(E)F(E)dEn ∫ = V min E E N(E)F(E)dEp (2-1) v ớ i n,p là nòng độ đ i ệ n t ử trong vùng d ẫ n và l ỗ tr ố ng trong vùng hóa tr ị . E c là m ứ c n ă ng l ượ ng c ủ a đ áy vùng d ẫ n, E v là m ứ c n ă ng l ượ ng c ủ a đỉ nh vùng hóa tr ị , E max là tr ạ ng thái n ă ng l ượ ng cao nh ấ t c ủ a đ i ệ n t ử , E min là tr ạ ng thái n ă ng l ượ ng th ấ p nh ấ t c ủ a l ỗ tr ố ng, N (E) là hàm m ậ t độ tr ạ ng thái theo n ă ng l ượ ng, F (E) là hàm phân b ố th ố ng kê h ạ t theo n ă ng l ượ ng. Theo đ ó ng ườ i ta xác đị nh đượ c: ) KT EE exp(Nn Fc c − −= ) KT EE exp(Np VF V − = (2-2) v ớ i N c , N v là m ậ t độ tr ạ ng thái hi ệ u d ụ ng trong các vùng t ươ ng ứ ng E F là m ứ c th ế hóa h ọ c (m ứ c Fermi). K ế t qu ả phân tích cho phép có các k ế t lu ậ n ch ủ y ế u sau: • Ở tr ạ ng thái cân b ằ ng, tích s ố n ồ ng độ hai lo ạ i h ạ t d ẫ n là m ộ t h ằ ng s ố (trong b ấ t kì ch ấ t bán d ẫ n lo ạ i nào) n n . p n = p p n p = n i p i = n i 2 = N C N V exp( - E g /KT ) = const (2-3) ngh ĩ a là vi ệ c t ă ng n ồ ng độ 1 lo ạ i h ạ t này luôn kèm theo vi ệ c gi ả m n ồ ng độ t ươ ng ứ ng lo ạ i h ạ t kia. Trong ch ấ t bán d ẫ n lo ạ i n có n n > > n i >>p p do đ ó s ố đ i ệ n t ử t ự do luôn b ằ ng s ố l ượ ng ion d ươ ng t ạ p ch ấ t: n n = N D + . T ươ ng t ự , trong ch ấ t bán d ẫ n lo ạ i p có p p >> n i >> n p ) do đ ó s ố l ỗ tr ố ng luôn b ằ ng s ố l ượ ng ion âm t ạ p ch ấ t: p p = N A - - Hiện tượng tái hợp của các hạt dẫn Hi ệ n t ượ ng sinh h ạ t d ẫ n phá h ủ y tr ạ ng thái cân b ằ ng nhi ệ t độ ng h ọ c c ủ a h ệ h ạ t (n.p ≠ n i 2 ). Khi đ ó ng ườ i ta th ườ ng quan tâm t ớ i s ố gia t ă ng n ồ ng độ c ủ a các h ạ t thi ể u s ố vì chúng có vai trò quy ế t đị nh t ớ i nhi ề u c ơ ch ế phát sinh dòng đ i ệ n trong các d ụ ng c ụ bán d ẫ n. Hi ệ n t ượ ng tái h ợ p h ạ t d ẫ n là quá trình ng ượ c l ạ i, liên quan t ớ i các chuy ể n d ờ i đ i ệ n t ử t ừ m ứ c n ă ng l ượ ng cao trong vùng d ẫ n v ề m ứ c th ấ p h ơ n trong vùng hóa tr ị . Hi ệ n t ượ ng tái h ợ p làm m ấ t đ i đồ ng th ờ i 1 c ặ p h ạ t d ẫ n và đư a h ệ h ạ t v ề l ạ i 1 tr ạ ng thái cân b ằ ng m ớ i. Khi đ ó, trong ch ấ t bán d ẫ n lo ạ i n, là s ự tái h ợ p c ủ a l ỗ tr ố ng v ớ i đ i ệ n t ử trong đ i ề u ki ệ n n ồ ng độ đ i ệ n t ử cao:         −= p t ∆p(0)exp∆p(t) τ (2-4) Ở đây: ∆ p(t) là mức giảm của lỗ trống theo thời gian. 20 ∆ ∆∆ ∆ p(0) là số lượng lỗ trống lúc t = 0 (có được sau 1 quá trình sinh hạt) τ p là thời gian sống của lố trống trong chất bán dẫn loại n (là khoảng thời gian trong đó nồng độ lỗ trống dư giảm đi e lần) ∆ n(t) = ∆ n(o)exp(-t/ τ p ) (2-5) Các thông số τ p và τ n quyết định tới các tính chất tần số (tác động nhanh) của các dụng cụ bán dẫn. Dưới tác dụng của điện trường, hạt dẫn tự do chuyển động định hướng có gia tốc tạo nên 1 dòng điện (gọi là dòng trôi) với vận tốc trung bình tỉ lệ với cường độ E của trường: v tb = µ E Suy ra v tbn = - n µ n E (2-6) v tbp = µ p E Trong đó µ p, µ n là các hệ số tỉ lệ gọi là độ linh động của các hạt dẫn tương ứng (với chất bán dẫn tạp chất chế tạo từ Ge có µ n = 3800 cm 2 / V.s ; µ p = 1800 cm 2 /V.s, từ Si có µ n = 1300 cm 2 /V.s ; µ p = 500cm 2 /V.s). Từ đó, mật độ dòng trôi gồm hai thành phần: I trôin = - q . n . v tbn (2=7) với q là điện tích các hạt. I trôip = q . p . v tbp hay dòng trôi toàn phần I trôi = I trôin + I trôip I trôi = qE( µ n n + µ p p) (2-8) - Chuyển động khuếch tán của các hạt dẫn Do có sự chênh lệch vế nồng độ theo không gian, các hạt dẫn thực hiện chuyển động khuếch tán từ lớp có nồng độ cao tới lớp có nồng độ thấp. Mật độ dòng khuếch tán theo phương giảm của nồng độ có dạng: I ktn = q . D n ( - dn/dx ) = q . D n . dn/dx (2-9) I ktp = q . D p ( - dp/dx ) = - q . D p . dp/dx (2-10) với D n và D p là các hệ số tỉ lệ gọi là hệ số khuếch tán của các hạt tương ứng. Người ta chứng minh được các tính chất sau: D = µ KT/q = U T . µ (hệ thức Einstein) . Trong đó U T là thế nhiệt (U T ≈ 25mv ở nhiệt đô phòng T = 296 o K) D n τ n = L n 2 ; D p τ p = L p 2 Trong đó L n’ L p là quãng đường khuếch tán của hạt (là khoảng cách trong đó nồng độ hạt khuếch tán giảm đi e lần theo phương khuếch tán) đó cũng chính là quãng đường trung bình hạt dịch chuyển khuếch tán được trong thời gian sống của nó. 21 2.1.2. Mặt ghép p-n và tính chỉnh lưu của đốt bán dẫn a – Mặt ghép p-n khi chưa có điện áp ngoài Khi cho hai đơn tinh thể bán đẫn tạp chất loại n và loại p tiếp xúc công nghệ với nhau, các hlện tượng vật lí xảy ra tại nơi tiếp xúc là cơ sở cho hầu hết các dụng cụ bán dẫn điện hiện đại. Hình 2.4 biểu diễn mô hình lí tưởng hóa một mặt ghép p-n khi chưa có điện áp ngoài đặt vào. Với giả thiết ở nhiệt độ phòng, các nguyên tử tạp chất đã bị ion hóa hoàn toàn (n n = N + D ; p p = N - A ). Các hiện tượng xảy ra tại nơi tiếp xúc có thể mô tả tóm tắt như sau: Do có sự chênh lệch lớn về nồng độ (n n >>n p và p p >>p n ) tại vùng tiếp xúc có hiện tượng khuếch tán các hạt đa số qua nơi tiếp giáp, xuất hiện 1 dòng điện khuếch tán I kt hướng từ p sang n. Tại vùng lân cận hai bên mặt tiếp xúc, xuất hiện một lớp điện tích khối do ion tạp chất tạo ra, trong đó nghèo hạt dẫn đa số và có điện trở lớn (hơn nhiều cấp so với các vùng còn lại), do đó đồng thời xuất hiện 1 điện trường nội bộ hướng từ vùng N (lớp ion dương N D ) sang vùng P (lớp ion âm N A ) gọi là điện trường tiếp xúc E tx . Người ta nói đã xuất hiện 1 hàng rào điện thế hay một hiệu thế tiếp xúc U tx . Bề dầy lớp nghèo l(0) phụ thuộc vào nồng độ tạp chất, nếu N A = N D ) thì l(0) đối xứng qua mặt tiếp xúc : l on = l op ; thường N A >>N D nên l on >>l op và phần chủ yếu nằm bên loại bán dẫn pha tạp chất ít hơn (có điện trở suất cao hơn). điện trường E tx cản trở chuyển động của đòng khuếch tán và gây ra chuyển động gia tốc (trôi) của các hạt thiểu số qua miền tiếp xúc, có chiều ngược lại với dòng khuếch tán. Quá trình này tiếp diễn sẽ dẫn p n p n ⊕ ⊕⊕ ⊕ − −− − I kt I tr E tx u tx Anèt K tèt Hình 2.24: Mặt ghép p- n khi chưa có điện trường ngoài . phương giảm của nồng độ có dạng: I ktn = q . D n ( - dn/dx ) = q . D n . dn/dx ( 2-9 ) I ktp = q . D p ( - dp/dx ) = - q . D p . dp/dx ( 2-1 0) với D n và D p là các hệ số tỉ lệ gọi là hệ. l ỗ tr ố ng - lo ạ i thi ể u s ố có n ồ ng độ p n (chênh nhau nhi ề u c ấ p: n n >>p n ). d - Chất bán dân tạp chất loại p N ế u ti ế n hành pha t ạ p ch ấ t thu ộ c nhóm 3 b ả ng. ch ấ t bán d ẫ n lo ạ i nào) n n . p n = p p n p = n i p i = n i 2 = N C N V exp( - E g /KT ) = const ( 2 -3 ) ngh ĩ a là vi ệ c t ă ng n ồ ng độ 1 lo ạ i h ạ t này luôn kèm theo vi ệ c gi ả m