- Nhiệt độ CVD: Ảnh hưởng trực tiếp đến sự phân hủy của khí CH4 và lượng cácbon tự do sinh ra nhiều hay ít, nhiệt độ thấp ( < 8000C) thì lượng cácbon tự do ít không đủ cho quá trình lắng đọng lên bề mặt tape Cu và khuyếch tán vào bên trong, khi đó màng graphene chỉ được hình thành ở một số mảng rất nhỏ, không phù hợp cho việc bóc tách màng ra khỏi đế tape Cu và chuyển lên các sensor điện hóa, hay các ứng dụng khác cần diện tích màng graphene lớn hơn. Trong khuôn khổ luận văn này chúng tôi tiến hành CVD ở
nhiệt độ cao 9500C đến 10000C và cho kết quả phân hủy cũng như sự hình thành của màng graphene trên đế tape Cu tương đối tốt. Ngoài ra nhiệt độ cũng ảnh hưởng lớn đến cơ chế hình thành màng graphene trên đế tape Cu, tốc độ dịch lò sau thời gian CVD để hạ dần nhiệt độ cũng ảnh hưởng tới sự khuyếch tán ngược của cácbon từ trong tấm tape Cu lên bề mặt.
- Thời gian CVD: Thời gian CVD càng lâu thì nó cũng tỷ lệ một phần
với lượng cácbon bị phân hủy ra từ đó cũng ảnh hưởng tới bề dày của màng graphene. Thời gian CVD ngắn quá thì lượng các bon bị phân hủy chưa nhiều nên màng graphene chỉ hình thành từng mảng nhỏ không đồng đều. Tuy nhiên ở một thời gian lâu nhất định thì lượng cácbon khuyếch tán vào tấm Cu sẽ ở mức bão hòa và khi đó lượng cácbon dư sẽ bám trên bề mặt ngoài của Cu hình thành nên dạng thù hình là cácbon vô định hình, và khi đó sẽ ngăn cản cơ chế quá trình hình thành graphene.
-Lưu lượng khí đưa vào: Lưu lượng từng khí, và giữa các khí đưa vào
cũng cần có một tỉ lệ phù hợp nhất định. Trong khuôn khổ luận văn này chúng tôi đã sử dụng tỷ lệ các khí đưa vào là Ar: 1000 sccm, H2: 300 sccm, CH4: 30 sccm và cho kết quả tốt và tương đối ổn định.
-Nguồn khí cácbon: Các nguồn cácbon có thể sử dụng ở đây như CH4, C2H2, hơi C2H5OH. Mỗi khí có một nhiệt độ phân hủy và khối lượng cácbon tạo ra là khác nhau nên nguồn khí cũng ảnh hưởng quan trọng tới việc CVD chế tạo màng graphene.
- Một số yếu tố khác: Tốc độ dịch lò phản ứng sau khi CVD, đế dùng để
mọc graphene khác nhau cũng có thể cho ta chất lượng màng graphene khác nhau như đế Si/SiO2, đế tape Cu, bề dày và độ phẳng của các đế Cu khác nhau cũng có thể dẫn tới chất lượng màng graphene. Ở đây chúng tôi sử dụng đế tape Cu (chiều dày 700µm) để thuận tiện cho việc bóc tách màng graphene để có thể chuyển lên sensor điện hóa.