Sơ đồ mụ phỏng của bộ chia cộng Wilkinson 1:2 được mụ tả trờn Hỡnh 3.8 và kết quả mụ phỏng tương ứng trờn Hỡnh 3.9.
Hệ số phản xạ và hệ số truyền từ cổng 1 đến cổng 2 và 3. Hỡnh 3.9 Kết quả mụ phỏng của bụ̣ chia/cụ̣ng Wilkinson 1:2.
Kết luận: Kết quả mụ phỏng của bộ chia/cộng Wilkinson là khỏ tốt.
- Hệ số phản xạ ở cỏc cụ̉ng 1,2 và 3 là nhỏ hơn -20dB tại tần số làm việc 800900MHz nghĩa là hầu như khụng cú phản xạ tải cỏc cụ̉ng.
- Hệ số truyền từ đến cụ̉ng 1 đến cụ̉ng 2 và 3 là -3.0120.015dB nghĩa là hoàn toàn chính xỏc với tỷ số chia 1:2.
Từ bộ chia/cộng 1:2 chỳng ta cú thể thiết kế cỏc bộ chia/cộng 1:4 và 1:8 bằng cỏch ghộp cỏc tầng chia cộng 1:2 với nhau.
3.2.2 Bộ chia/cộng 1:4:
Sơ đồ mụ phỏng của bộ chia cộng Wilkinson 1:4 được mụ tả trờn Hỡnh 3.11 và kết quả mụ phỏng tương ứng trờn Hỡnh 3.12.
Hệ số phản xạ và hệ số truyền từ cổng 1 đến cổng 2,3,4 và 5. Hỡnh 3.12 Kết quả mụ phỏng của bụ̣ chia/cụ̣ng Wilkinson 1:4.
Hỡnh 3.13 Thiết kế layout của bụ̣ chia/cụ̣ng Wilkinson 1:4
Kết luận: Kết quả mụ phỏng của bộ chia/cộng Wilkinson là khỏ tốt.
- Hệ số phản xạ ở cỏc cụ̉ng 1,2 và 3 là nhỏ hơn -20dB tại tần số làm việc 800900MHz nghĩa là hầu như khụng cú phản xạ tải cỏc cụ̉ng.
- Hệ số truyền từ đến cụ̉ng 1 đến cụ̉ng 2 và 3 là -6.0250.015dB nghĩa là hoàn toàn chính xỏc với tỷ số chia 1:4.
3.2.3 Bộ chia/cộng 1:8
Sơ đồ mụ phỏng của bộ chia cộng Wilkinson 1:8 được mụ tả trờn Hỡnh 3.14 và kết quả mụ phỏng tương ứng trờn Hỡnh 3.15.
Hệ số phản xạ và hệ số truyền từ cổng 1 đến cổng 2,3,4,5,6,7,8 và 9. Hỡnh 3.15 Kết quả mụ phỏng của bụ̣ chia/cụ̣ng Wilkinson 1:8.
Kết luận: Kết quả mụ phỏng của bộ chia/cộng Wilkinson là khỏ tốt.
- Hệ số phản xạ ở cỏc cụ̉ng 1,2 và 3 là nhỏ hơn -20dB tại tần số làm việc 800900MHz nghĩa là hầu như khụng cú phản xạ tải cỏc cụ̉ng.
- Hệ số truyền từ đến cụ̉ng 1 đến cụ̉ng 2 và 3 là -9.0320.015dB nghĩa là hoàn toàn chính xỏc với tỷ số chia 1:8.
Chương 4 CÁC KẾT QUẢ THỰC NGHIậ́M 4.1 Chế tạo bộ tổ hợp tần số
Sử dụng IC ADF411X làm bộ tụ̉ hợp tần số. Trong IC tụ̉ hợp tõ̀n sụ́ đó cú cỏc khụ́i chức năng chính như sau:
Tầng lối vào chuẩn Tầng lối vào RF Bộ chia trước (P/P+1) Bộ chia A và B
Bộ chia R
Bộ tỏch súng pha/tần số Thanh ghi dịch 24 bit
Bộ phõn kờnh lối ra và bộ tỏch xung đồng bộ
Sơ đụ̀ khụ́i bụ̣ tụ̉ hợp tõ̀n sụ́ dùng vi điờ̀u khiờ̉n và VCO được trình bày như trờn Hỡnh 4.1
Hình 4.2- Sơ đụ̀ nguyờn lý bụ̣ tụ̉ hợp tõ̀n sụ́
Trờn hỡnh 4.3 mụ tả bụ̣ tụ̉ hợp tõ̀n sụ́ sử dụng vi mạch chuyờn dụng siờu cao tõ̀n và Vi điều khiờ̉n họ Atmel AT89C51.
4.2 Chờ́ tạo bụ̣ VCO
Bộ tạo dao động kiểu VCO được trình bày trờn hình 4.4
Hình 4.5 - Đo đặc trưng Tõ̀n sụ́ - Điợ̀n áp của bụ̣ dao đụ̣ng VCO (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
Kết quả đo đặc trưng tần số phụ thuộc vào điện ỏp của dao động VCO được trỡnh bày trờn bảng 2.
Bảng 2 - Sự phụ thuụ̣c tõ̀n sụ́ vào điợ̀n áp của bụ̣ dao đụ̣ngVCO
Từ bảng 2, ta xõy dựng đặc trưng tõ̀n sụ́ - điợ̀n áp của bụ̣ tạo dao đụ̣ng VCO. Kờ́t quà ta thu được đặc trưng Tõ̀n sụ́ - Điợ̀n áp trình bày trờn hỡnh 4.7
Bụ̣ dao đụ̣ng VCO thu đượ c cú đặc trưng khỏ tuyế n tính trong dải tõ̀n sụ́ phỏt ra.
4.3 Chế tạo modul bụ̣ chia/cụ̣ng Wilkinson : 4.3.1 Lựa chọn vật liệu và linh kiện: 4.3.1 Lựa chọn vật liệu và linh kiện:
Do yờu cầu của bộ cộng cụng suất trong đề tài phải chịu được cụng suất cao do đú vấn đề lựa chọn vật liệu và linh kiện là một vấn đề quan trọng.
Phớp làm mạch: Sử dụng phíp FR-4 với cỏc tham số như sau:
- Hằng số điện mụi: εr=4.34 - Bề dày lớp điện mụi: h=1.6 mm - Bề dày lớp đồng: t=0.035mm
Điện trở: Để đảm bảo khả năng chịu được cụng suất cao của cỏc bộ cộng, chỳng tụi sử dụng cỏc loại trở cụng suất.
Hỡnh 4.8 Các loại trở cụng suṍt.
Vật liệu làm vỏ hộp: Vỏ hộp được chế tạo từ hợp kim nhụm cú độ bền cao.
Connector: Sử dụng cỏc connector loại N. Đõy là loại connector siờu cao tần được sử dụng với cỏp đồng trục 50Ω hoặc 75Ω và cú thể hoạt động ở tần số lờn đến 18GHz.
Hỡnh 4.9 Vỏ hụ̣p nhụm và connector N.
4.3.2 Chế tạo:
Sau khi cú bản thiết kế layout của bộ chia/cộng chỳng tụi thực hiện cỏc bước sau:
- Phay mạch in bằng mỏy phay mạch LPKF Protomat C40. - Chế tạo vỏ hộp nhụm cho bộ chia/cộng.
- Lắp connector và lắp rỏp vào hộp nhụm. - Hàn điện trở lờn mạch.
4.3.2.1 Bộ chia/cộng 2:
Qui trỡnh chế tạo bộ chia 2.
Hình 4.10 Mạch in bụ̣ chia 2 sau khi phay
Hình 4.12 Bụ̣ chia 2 hoàn chỉnh
4.3.2.2 Bộ chia/cộng 4:
Qui trỡnh chế tạo bộ chia 4.
Hình 4.14 Lắp đặt mạch in bụ̣ chia 4 vào hụ̣p nhụm
4.3.2.3 Bộ chia/cộng 8:
Qui trỡnh chế tạo bộ chia 8.
Hình 4.16 Mạch in bụ̣ chia 8 sau khi phay
4.4 Thử nghiệm:
Cỏc bộ chia/cộng cụng suất được đo đạc và thử nghiệm trờn mỏy phõn tích mạng R3765CG.
4.4.1 Thử nghiệm bộ chia/cộng 1:2 (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
Kết quả đo đạc bộ chia/cộng 1:2 được thể hiện trờn hỡnh Hỡnh 4.19
Hình 4.18 Mụ hình thử nghiệm bụ̣ chia/cụ̣ng 1:2
Hình 4.19 Kết quả đo bụ̣ chia/cụ̣ng 1:2 tại tần số 800 ữ 900MHz
Kết quả đo đạc cho thấy bộ chia/cộng 1:2 đó hoạt động tốt. Giỏ trị hệ số truyền qua từ lối vào đến cỏc lối ra là 3.208 ± 0.25 dB.
4.4.2 Thử nghiệm bộ chia/cộng 1:4
Kết quả đo đạc bộ chia/cộng 1:4 được thể hiện trờn Hỡnh 4.21
Hình 4.20 Mụ hình thử nghiệm bụ̣ chia/cụ̣ng 1:4
Hình 4.21 Kết quả đo bụ̣ chia/cụ̣ng 1:4 tại tần số 800 ữ 900MHz
Kết quả đo đạc cho thấy bộ chia/cộng 1:4 đó hoạt động tốt. Giỏ trị hệ số truyền qua từ lối vào đến cỏc lối ra là 6.201 ± 0.15 dB.
4.4.3 Thử nghiệm bộ chia/cộng 1:8
Kết quả đo đạc bộ chia/cộng 1:8 được thể hiện trờn Hỡnh 4.23
Hình 4.22 Mụ hình thử nghiệm bụ̣ chia/cụ̣ng 1:8
Hình 4.23 Kết quả đo bụ̣ chia/cụ̣ng 1:8 tại tần số 800 ữ 900MHz
Kết quả đo đạc cho thấy bộ chia/cộng 1:8 đó hoạt động tốt. Giỏ trị hệ số truyền qua từ lối vào đến cỏc lối ra là 9.16 ± 0.20 dB.
Kấ́T LUẬN
Đờ̀ tài luọ̃n văn thạc sỹ “Nghiờn cứu , thiờ́t kờ́ chờ́ tạo máy phát radar tõ̀m thṍp dải sóng dm theo nguyờn lý cụ̣ng cụng suṍt trong máy” đã giả i quyờ́t được những vṍn đờ̀ sau :
Vờ̀ lý thuyờ́t:
1. Nghiờn cứu cṍu trúc máy phá t radar.
2. Tụ̉ng quan vờ̀ mạch vòng bám pha và bụ̣ tụ̉ hợp tõ̀n sụ́ .
3. Nghiờn cứu kĩ thuật siờu cao tần để thực hiện việc cộng cụng suất trong mỏy và đưa ra anten cho trước.
Vờ̀ kờ́t quả thực nghiợ̀m:
1. Chờ́ tạo được bụ̣ tạo dao đụ̣ng kiờ̉u VCO. 2. Chờ́ tạo được bộ tụ̉ hợp tõ̀n sụ́.
3. Mụ phỏng được bộ chia/cộng cụng suất Wilkinson 2,4 và 8. 4. Thiết kế chế tạo được bộ chia/cộng cụng suất Wilkinson 2,4 và 8.
5. Thực nghiệm thu được trờn bộ chia/cộng cụng suất Wilkinson 2,4 và 8 với hiệu suất đạt được khoảng 60%.
Như vậy, luận văn đó thực hiện thành cụng việc chế tạo cỏc bộ chia/cộng cụng suất dựng cầu Wilkinson . Kết quả đạt được là khỏ tốt. Kết quả của luọ̃n văn này là cơ sở để tụ̉ng hợp cụng suất phỏt từ cỏc modul khuếch đại nhằm đạt được cụng suất lối ra mong muốn.
TÀI LIậ́U THAM KHẢO
Tiờ́ng Viợ̀t :
1. Kiờ̀u Khắc Lõu (2006), “Cơ sở kỹ thuọ̃t siờu cao tõ̀n”, NXB Giáo dục.
2. Phạm Minh Việt (2002), “ Kỹ thuọ̃t siờu cao tõ̀n”, NXB Khoa học và kỹ thuọ̃t . 3. Nguyễn Kim Giao (2006), “Kỹ thuật điện tử số”, Nhà xuất bản Đại học Quốc Gia Hà Nội.
4. Đặng Thị Thanh Thủy , Bạch Gia Dương , Bạch Hoàng Giang , Nguyờ̃n Đình Thờ́ Anh. “Nghiờn cứu, thiết kế và chế tạo khối khuyếch đại cụng suất 3KW điều chế xung trong hệ thống phỏt tín hiệu mó chủ quyền quốc gia”. Bỏo cỏo tại hội nghị khoa học ICT.rda’10 ngày 18/03/2011. (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
Tiờ́ng Anh :
5. David M. Pozar (1994), “Microwave Engineering” 3rd Edition.
6. Danny Abramovitch (2002), “Phase-Looked loops: A control centric
tutorial”, Agilent Labs.
7. Dean Banerjee (2006), “PLL performance, Simulation and Design
PDF Merger
Thank you for evaluating AnyBizSoft PDF Merger! To remove this page, please
register your program!
Go to Purchase Now>>
Merge multiple PDF files into one
Select page range of PDF to merge
Select specific page(s) to merge
Extract page(s) from different PDF
files and merge into one
Tr-ờng đại học công nghệ
------
Bạch hoàng giang
nghiên cứu chế tạo máy phát radar tầm thấp dải sóng dm
theo nguyên lý cộng công suất trong máy
Đại học quốc gia hà nội Tr-ờng đại học công nghệ
------
Bạch hoàng giang
nghiên cứu chế tạo máy phát radar tầm thấp dải sóng dm
theo nguyên lý cộng công suất trong máy
Ngành : Cụng nghệ Điện tử - Viễn thụng
Chuyờn ngành : Kỹ thuật điện tử
Mó số : 60 52 70
luận văn thạc sĩ