Đối với lithography tia x, không thể dùng tính chất phản xạ hay khúc xạ như trong quang học. Một mặt, không có vật liệu đủ trong suốt để chế tạo thấu kính hoặc mặt nạ và mặt khác ta không thể chế tạo các bộ phản xạ Bragg. Các lớp riêng biệt phải có độ dày bằng /4 tương ứng khoảng 0,3 nm. Đây là dải của độ dày đơn lớp nguyên tử nên không thể đạt được. Như vậy, lithography hình chiếu tia x là không
Hình 3.11: Thí dụ về đường dẫn quang bốn gương phản xạ EUV
thể nhưng lithography gần tia x (Proximity X ray Lithography - PXL) là có thể. Ưu điểm là giới hạn khả năng phân giải cao ( .(gd), cỡ 30 nm đối với bước sóng phơi sáng 1 nm) và ít nhiễm bẩn hữu cơ.
Lithography tia x có một số hạn chế. Ta khảo sát một nguồn có đường kính a=1mm tại khoảng cách L=1m từ nguồn tới mặt nạ và g=10m là khoảng trống gần. Khi đó sẽ có vết mờ = a.g/L 10 nm, hạn chế khả năng phân giải (hình 3.14). Hơn thế nữa, khuôn không được truyền chính xác tới wafer. Thậm chí nếu sử dụng nguồn điểm, có sự dịch chuyển = r. g/L, ở đây r là vị trí xuyên tâm trên wafer. Sai số này có thể được khắc phục nếu nó được tính đến khi tạo khuôn mặt nạ.
Vấn đề đối với PXL là mặt nạ. Vì không có vật liệu trong suốt đối với tia x nên lớp mang phải mỏng (1 – 2 m). Cũng không có vật liệu chắn sáng tốt đối với tia x nên lớp mặt nạ phải đủ dày (300 – 500 nm). Năng lượng bị hấp thụ sẽ nung nóng mặt nạ làm nó nở ra, dẫn đến không chính xác trong truyền khuôn. Hơn nữa, PXL là phương pháp in không thay đổi tỉ lệ nên những nét trên mặt nạ sẽ có kích thước như trên wafer. Điều này làm cho việc chế tạo mặt nạ rất phức tạp khi bia là dải dưới 100 nm.
Hình 3.14: Vết mờ và sai số dịch chuyển đối với lithography tia x gần