3.2.3.1. Khối mạch lực của BESS.
Mạch lực khối BESS được thiết kế có cấu trúc như sau, hình 3.3.
Hình 3.3. Cấu trúc mạch lực của BESS
Trong đó:
- Các van bán dẫn dùng loại HVIGBT Modules Dual FF1400R12IP4 có sẵn điốt của hãng EUPEC (European Power Semiconductor and Electronics Company) có các thông số như bảng 3.4
Số hóa bởi Trung tâm Học liệu http://www.lrc-tnu.edu.vn/
Bảng 3.4. Thông số của IGBT
Thông số Điều kiện Ký hiệu Giá trị
Điện áp collector- emitter
TVj = 250C VCES 1200 V
Dòng collector TC = 1000C IC 140 A
Dòng điện peak trong tP = 1ms ICRM 280 A
Công suất tiêu hao TVj = 250C Ptot 0,765 kW
Điện áp điều khiển VGE 20 V
Điện áp đánh thủng f= 50Hz,t = 1
phút
VISOL 2,4 kV
Điện áp giữ VGE
(th)
5V < VGE (th)= 5,8 < 6,5V
Thời gian mở van TVj = 250C ton 0,21 µs
Thời gian khóa van TVj = 250C toff 1,1 µs
Nhiệt độ cho phép TVJ -40 175 0C
- Công suất BEES: 40 kW
- Khối một chiều: Udc = 700 V ; Cdc = 3600 μF ; - Điện cảm: L = 1,8 mH,
- Ăc quy: R1 = 10kΩ, R2 = 0.1Ω, C1=15000F. 3.2.3.2. Khối đo lường của BESS
Mạch lực khối BESS được thiết kế có cấu trúc như sau, hình 3.4 thực hiện đo lường các đại lượng và thông số:
Đo giá trị tức thời và giá trị hiệu dụng các đại ượng Dòng, áp, công suất tác dụng, công suất phản kháng, công suất biểu kiến của nguồn phát (tại đầu nguồn điểm PCC1), của tải và BEES tại điểm kết chung PCC2
Số hóa bởi Trung tâm Học liệu http://www.lrc-tnu.edu.vn/ Hình 3.4. Khối đo lường
3.2.3.3. Khối điều khiển của BESS.
Khối BESS được thiết kế theo hai phương pháp điều khiển:
Khối điều khiển có bộ điều khiển dòng theo kiểu PI, sơ đồ cấu trúc như sau, hình 3.5 a, b.
Số hóa bởi Trung tâm Học liệu http://www.lrc-tnu.edu.vn/ Hình 3.5b. Cấu trúc bộ điều khiển dòng điện kiểu PI
Khối điều khiển có bộ điều khiển dòng theo kiểu D-B, sơ đồ cấu trúc như sau, hình 3.6a,b.
Số hóa bởi Trung tâm Học liệu http://www.lrc-tnu.edu.vn/ Hình 3.6b. Cấu trúc bộ điều khiển dòng điện kiểu D-B