Dể xâc định JFET cịn tốt hay bị hỏngta dùng đồng hồ VOM ở thang đo Ohm, đo điện trở thuận, nghịch của nĩ, câc đồng hồ đo kim hiện nay thường cĩ que đen nối với cực dương (+) của pin vă que đỏ nối với cực đm (-) của pin
• Đối với JFET kính N : Dùng Vom để ở thang đo R x 100
- Nối que đen văo cực G, que đỏ văo cực D, saud9o1 dời que đỏ đến cực S để đo điện trở thuận giữa cực G – D vă G –S.
- Nối que đỏ văo cực G, que đen văo cực D, sau đĩ dời que đen đến cực S để đo điện trở nghịch giữa G- D vă G-S.
Nếu JFET cịn tốt thì khi đo điện trở thuận kim lín vă đo điện trở nghịch kim khơng lín (R=∞) Nếu khi đo điện trở nghịch kim chỉ giâ trị thấp hoặc bằng khơng thì JFET đê bị rỉ hoặc ngắn mạch Nếu đo điện trở thuận vă điện trở nghịch kim đều khơng lín thì JFET đê bị đứt
• Dối với JFET kính P thì đổi que đo lại
S D G Cực nguồn (S) Cực mâng (D) Cực cổng (G) N P P
Hình 2.2a. Cấu tạo vă ký hiệu của JFET kính N Cực cổng (G) S D G Cực nguồn (S) Cực mâng (D) PN N
Hình 2.2a. Cấu tạo vă ký hiệu của JFET kính N
2.5: TRANSISRTOR MOSFETA. PHẦN LÝ THUYẾT A. PHẦN LÝ THUYẾT
2.5.1. Câu táo, ký hieơu quy ước
• MOSFET kính cảm ứng (EMOSFET) - Cấu tạo, ký hiệu (hình 2.2c)
- Nguyín lý hoạt động
Điểm khâc biệt giữa EMOSFET lă chưa cĩ kính dẫn điện nối giữa S vă D khi điện âp cực cửa UGS = 0, chỉ khi đặt tới cực G một điện âp thích hợp cĩ cực tính dương (+) UGS >0 sẽ xuất hiện điện tích trâi dấu (điện tử) trong vùng bân dẫn đối diện với cực G vă do đĩ xuất hiện một kính dẫn điện bằng điện tử (kính N)
• MOSFET kính cĩ sẳn (DMOSFET) - Cấu tạo, ký hiệu (Hình 2.2d)
2.5.2. Nguyín lý hoạt động
Đặc điểm của MOSFET lă chưa cĩ kính dẫn điện nối giữa S vă D khi VGS = 0, chỉ khi đặt tới cực G một điện âp thích hợp cĩ cực tính (+) VGS >0 sẽ xuất hiện điện tích trâi dấu (điện tử) trong vùng bân dẫn đối diện với cực G vă do đĩ xuất hiện một kính dẫn điện = điện tử (kính N)
2.5.3. Mạch phđn cực cho MOSFET
- Sơ đồ mạch điện
- Nguyín lý vă câch tính
SS p N N S D G Cực nguồn (S) Cực mâng (D) Cực cổng (G)
Hình 2.2d. Cấu tạo vă ký hiệu của MOSFET kính cảm ứng
SS p N N Cực nguồn (S) Cực mâng (D) Cực cổng (G)
Hình 2.2d. Cấu tạo vă ký hiệu của MOSFET kính cĩ sẵn
SSS S D G
Ðđy lă dạng mạch phđn cực thơng dụng nhất. Nín chú ý lă do điều hănh theo kiểu tăng nín khơng thể dùng câch phđn cực tự động. Câc điện trở R1, R2 , RS phải được chọn sao cho VG>VS tức VGS >0. Thí dụ ta xem mạch phđn cực hình 3.7.
- Ðặc tuyến truyền được xâc định bởi: IDSS = 6mA
VGS(off) =-3v
- Ðường phđn cực được xâc định bởi:
VGS = VG-RSID
Vậy VGS(off) = 1.5volt - ID(mA). 0,15 (kΩ) Từ đồ thị hình 3.8 ta suy ra:
IDQ =7.6mA VGSQ = 0.35v
VDS = VDD - (RS+RD)ID = 3.18v
B. PHẦN THỰC HĂNH KỸ NĂNG NGHỀ