Sự hoạt động của Transistor PNP hoăn toăn tương tự Transistor NPN nhưng cực tính của câc nguồn điện UCE vă UBE ngược lại . Dịng IC đi từ E sang C cịn dịng IB đi từ E sang B.
• Câc thơng số kỹ thuật
Dịng điện cực đại: Lă dịng điện giới hạn của transistor, vượt qua dịng giới hạn năy Transistor sẽ bị hỏng. Điện âp cực đại: Lă điện âp giới hạn của transistor đặt văo cực CE, vượt qua điện âp giới hạn năy
Transistor sẽ bị đânh thủng.
Tấn số cắt : Lă tần số giới hạn mă Transistor lăm việc bình thường, vượt quâ tần số năy thì độ khuyếch
đại của Transistor bị giảm.
Hệ số khuyếch đại : Lă tỷ lệ biến đổi của dịng ICE lớn gấp bao nhiíu lần dịng IBE
Cơng xuất cực đại : Khi hoat động Transistor tiíu tân một cơng xuất P = UCE . ICE nếu cơng xuất năy
vượt quâ cơng xuất cực đại của Transistor thì Transistor sẽ bị hỏng .
B. PHẦN THỰC HĂNH KỸ NĂNG NGHỀ
- Câch xâc định chđn E, B, C của Transistor.
• Với câc loại Transistor cơng xuất nhỏ thì thứ tự chđn C vă B tuỳ theo bĩng của nước năo sả xuất , nhựng chđn E luơn ở bín trâi nếu ta để Transistor như hình dưới
• Nếu lă Transistor do Nhật sản xuất : thí dụ Transistor C828, A564 thì chđn C ở giữa , chđn B ở bín phải.
• Nếu lă Transistor Trung quốc sản xuất thì chđn B ở giữa , chđn C ở bín phải.
• Tuy nhiín một số Transistor được sản xuất nhâi thì khơng theo thứ tự năy => để biết chính xâc ta dùng phương phâp đo bằng đồng hồ vạn năng.
Transistor cơng xuất nhỏ.
• Với loại Transistor cơng xuất lớn (như hình dưới ) thì hầu hết đều cĩ chung thứ tự chđn lă :
Bín trâi lă cực B, ở giữa lă cực C vă bín phải lă cực E.
Transistor cơng xuất lớn thường cĩ thứ tự chđn như trín.
* Đo xâc định chđn B vă C
• Với Transistor cơng xuất nhỏ thì thơng thường chđn E ở bín trâi như vậy ta chỉ xâc định chđn B vă suy ra chđn C lă chđn cịn lại.
Để đồng hồ thang x1Ω , đặt cố định một que đo văo từng chđn , que kia chuyển sang hai chđn cịn lại, nếu kim lín = nhau thì chđn cĩ que đặt cố định lă chđn B, nếu que đồng hồ cố định lă que đen thì lă Transistor ngược, lă que đỏ thì lă Transistor thuận..
Phương phâp kiểm tra Transistor
Nội dung : Trình băy phương phâp đo kiểm tra Transistor để xâc định hư hỏng, Câc hình ảnh minh hoạ quâ trình đo kiểm tra Transistor
1. Phương phâp kiểm tra Transistor .
Transistor khi hoạt động cĩ thể hư hỏng do nhiều nguyín nhđn, như hỏng do nhiệt độ, độ ẩm, do điện âp nguồn tăng cao hoặc do chất lượng của bản thđn Transistor, để kiểm tra Transistor bạn hêy nhớ cấu tạo của chúng.
• Kiểm tra Transistor ngược NPN tương tự kiểm tra hai Diode đấu chung cực Anơt, điểm chung lă cực B, nếu đo từ B sang C vă B sang E ( que đen văo B ) thì tương đương như đo hai diode thuận chiều => kim lín , tất cả câc trường hợp đo khâc kim khơng lín.
• Kiểm tra Transistor thuận PNP tương tự kiểm tra hai Diode đấu chung cực Katơt, điểm chung lă cực B của Transistor, nếu đo từ B sang C vă B sang E ( que đỏ văo B ) thì tương đương như đo hai diode thuận chiều => kim lín , tất cả câc trường hợp đo khâc kim khơng lín.
• Trâi với câc điều trín lă Transistor bị hỏng.
• Transistor cĩ thể bị hỏng ở câc trường hợp .
* Đo thuận chiều từ B sang E hoặc từ B sang C => kim khơng lín lă transistor đứt BE hoặc đứt BC
• Đo từ B sang E hoặc từ B sang C kim lín cả hai chiều lă chập hay dị BE hoặc BC. * Đo giữa C vă E kim lín lă bị chập CE.
* Câc hình ảnh minh hoạ khi đo kiểm tra Transistor.
Phĩp đo cho biết Transistor cịn tốt .
• Minh hoạ phĩp đo trín : Trước hết nhìn văo ký hiệu ta biết được Transistor trín lă bĩng ngược, vă câc chđn của Transistor lần lượt lă ECB ( dựa văo tín Transistor ). < xem lại phần xâc định chđn Transistor >
• Bước 1 : Chuẩn bị đo để đồng hồ ở thang x1Ω
• Bước 2 vă bước 3 : Đo thuận chiều BE vă BC => kim lín .
• Bước 4 vă bước 5 : Đo ngược chiều BE vă BC => kim khơng lín.
• Bước 6 : Đo giữa C vă E kim khơng lín
• => Bĩng tốt.
Phĩp đo cho biết Transistor bị chập BE
• Bước 1 : Chuẩn bị .
• Bước 2 : Đo thuận giữa B vă E kim lín = 0 Ω
• Bước 3: Đo ngược giữa B vă E kim lín = 0 Ω
Phĩp đo cho biết bĩng bị đứt BE
• Bước 1 : Chuẩn bị .
• Bước 2 vă 3 : Đo cả hai chiều giữa B vă E kim khơng lín.
• => Bĩng đứt BE
Phĩp đo cho thấy bĩng bị chập CE
• Bước 1 : Chuẩn bị .
• Bước 2 vă 4 : Đo cả hai chiều giữa C vă E kim lín = 0 Ω
• => Bĩng chập CE
2.4: TRANSISRTOR JFET
2.4.1. Câu táo, ký hieơu quy ước
- JFET kính N: cĩ cấu tạo gồm thanh bân dẫn loại N, hai đầu nối với hai dđy ra gọi lă cực mâng D vă cực nguồn S. Hai bín thanh bân dẫn loại N lă hai vùng bân dẫn loại P tạo thănh mối nối P-N như Diode. Hai vùng năy được nối với nhau gọi lă cực cổng G như hình vẽ (Hình 2.2a)
- JFET kính P cĩ cấu tạo tương tự JFET kính N nhưng chất bân dẫn ngược lại (Hinh2 2.2b)
2.4.2. Nguyín lý hoạt động
Muốn JFET hoạt động ta cấp nguồn một chiều VDD văo cực D-S-G với cực dương nối với D cịn mass nối G vă S thì dịng điện xuất hiện trín kính (gọi lă dịng cực mâng ID) khi ID đạt tới một giới hạn điện âp VDS = VDD >0 thì cực G hở mạch tương ứng khi đĩ giâ trị ID phụ thuộc văo điện âp VDS vă điện trở của kính ký hiệu lă rDS, rDS phụ thuộc văo mức độ ha tạp chất cho phần kính, thiết diện vă độ dăi của kính của kính dẫn. dịng ID lúc năy lă dịng điện tử hướng từ S đến D hay chiều dịng điện đi từ D tới S.
Khi cĩ điện âp < 0 tâc động lín cực G lă VGS < 0 tức lă Diode cực cữa của kính bị khĩa, vùng nghỉo của tiếp xúc P-n phđn bố khơng đều vùng gần cực D rộng cịn vùng ở cực S hẹp điều năy dẫn tới phđn bố thiết diện của kính dẫn ngược lại hẹp dần hướng từ S tới D. khi cho điện âp cực G đm hơn thì hình ảnh vừa níu của kính dẫn rỏ hơn vă xêy ra với câc điện âp VDS nhỏ hơn, dịng điện cực mâng phụ thuộc văo hai điện âp VDS vă VGS thể hiện trín biễu thức sau:
B. PHẦN THỰC HĂNH KỸ NĂNG NGHỀ