Mạch tương đương đơn giản, tương ứng với giả định phức tạp hơn thứ ba này, bao gồm một cuộn dõy L0 song song trong cỏc thiết bị đầu cuối đầu ra của mạch phỏt xung (mà thường được sử dụng để điều chỉnh hoặc định hỡnh xung). Ngoài ra, cỏc tỏc động của cỏc diode Di (mụ tả trong hỡnh 1.7) phải được xem xột trong trường hợp cụ thể này, bởi vỡ chỳng được kết nối song song với những thiết bị đầu cuối đầu ra. Khớa cạnh cuối cựng này là hợp lý bởi vỡ, nếu những ảnh hưởng của cỏc diode được bỏ qua trong mạch này, với L0 kết nối, tớn hiệu xung điện ỏp cao được tạo ra bởi cỏc mạch điện sẽ là một xung khỏ dài với dao động mạnh. Tuy nhiờn, nếu cỏc diode được tớnh đến trong sơ đồ phỏt xung, dạng súng xung sẽ tương ứng với cỏc phản ứng thực sự của mạch phỏt xung điện ỏp cao, bởi vỡ chỳng sẽ loại bỏ cỏc dao động xuất hiện sau khi xung đầu tiờn khụng qua.
CHƯƠNG 2
NGHIấN CỨU CHẾ TẠO BIẾN TỬ ÁP ĐIỆN TRấN CƠ SỞ HỆ VẬT LIỆU GỐM PZT(51/49) – 0.4%kl MnO2-0.15%kl ZnO-2%kl LiBiO2
Năm 2012, bằng cỏch sử dụng chất chảy LiBiO2 (LBO), thạc sỹ Lờ Quang Quý Tỳ đó tổng hợp được gốm Pb(Zr0.51Ti0.49)O3 - 0.4%kl MnO2 – 0.15%kl ZnO – 2%kl LBO cú tớnh ỏp điện tốt nhưng chỉ cần thiờu kết tại 8500C. Trong nghiờn cứu đú, tỏc giả sử dụng vật liệu TiO2 và ZrO2 của Trung Quốc, chất lượng chưa cao. Trong nghiờn cứu này, chỳng tụi đặt vấn đề lặp lại nghiờn cứu trờn với mục tiờu cải thiện được một số tớnh chất của vật liệu khi sử dụng ZrO2 và TiO2 cú độ sạch cao của hóng Daejung – Hàn.