Trong trường hợp của cỏc giả thuyết về một loại chức năng theo cấp số nhõn cho chuyển đổi TMF được duy trỡ, nhưng việc cải thiện sự tương ứng của cỏc mụ hỡnh của bộ chuyển đổi với cỏc tải ỏp điện thực tế, bởi cũng kết hợp với cỏc bộ chuyển đổi cụng suất CXT kẹp vào mạch tương đương xấp xỉ sử
dụng cho chỳng tụi phõn tớch, một biểu hiện chớnh xỏc hơn cú thể thu được cho Vout (t).
Trong thực tế, điện dung của cỏc đầu dũ trong nhiều ứng dụng ảnh hưởng trực tiếp đến súng của Vout (t), bởi sự kớch thớch điện do đặc điểm của điện dung mà khụng phụ thuộc vào trạng thỏi cộng hưởng và do đú luụn luụn thể hiện trờn thiết bị nối với đầu ra của mạch phỏt xung.
Cỏc biểu hiện cú thể đạt được cho Vout (t) trong trường hợp này như một hàm của thời gian như sau:
( ) [exp( / ) exp( /[ ] )] ) ( XT P P XT P o out t t C C R R C C CR V t V − − − + − + = τ τ (1.8)
Trong biểu thức này, giỏ trị cao nhất dự kiến cho Vout (t) xung ra [giả sử điều kiện lý tưởng: (C + CXT) RP >> τ] phụ thuộc rất nhiều vào cỏc bộ chuyển đổi điện dung CXT, nú chỉ đạt giỏ trị tối ưu (gần với điện ỏp V0) khi CXT << C, và giảm khi CXT tăng.
Sau đú, để tối ưu húa biờn độ điện ỏp trong sự truyền xung cao ỏp, một tụ điện C cú điện dung lớn hơn so với điờn dung của bộ cảm biến được sử dụng trong tất cả cỏc trường hợp này là cú thể. Tuy nhiờn, cú một hạn chế quan trọng trong khớa cạnh này. Vấn đề phỏt sinh khi chuyển đổi ỏp điện với điện dung phải được kớch thớch rất cao, bởi vỡ thời gian cần thiết để sạc tụ điện C cú thể là lõu hơn khoảng thời gian giữa hai lần nhảy liờn tiếp (trong đú sử dụng được dao động từ 100 đến 500 μs cho cỏc ứng dụng trong y tế và cụng nghiệp). Vấn đề này cú thể được khắc phục bằng cỏch giảm phự hợp với CRc bằng cỏch hạ thấp giỏ trị của điện trở Rc, như một hệ quả giỏn tiếp của việc này, nú sẽ là cần thiết việc sử dụng một nguồn điện ỏp cao Vo khả năng cung cấp cỏc dũng cao điểm cần thiết khi cỏc giỏ trị thấp của Rc được lựa chọn, cú thể trở nờn rất đắt tiền trong nhiều mạch chuyển đổi ứng dụng.