Chúng ta có thể đưa ra một số giả định để giảm độ phức tạp và số lượng biến liên quan:
1) Tất cả các biến dạng ngoại trừ S1 có thể được bỏ qua.
2) Tất cả các ứng suất ngoại trừ T1 có thể được bỏ qua.
3) Điện trường chỉ tác dụng theo hướng 3.
Chúng ta có thể sử dụng các giả định này để đơn giản hóa các phương trình (3.1) và (3.2) để thu được:
1 11
3
Cho rằng tất cả các hệ số biến dạng áp điện là đối xứng, d 31=d13. Khi tất cả những điều này được tính tốn, tổng độ uốn tạo ra bởi bimorph có thể là bằng văn bản:
Chuyển vị tĩnh lớn nhất
3.3. Stick-slip actuators
Một bộ kích hoạt chống trượt có thể hoạt động ở hai chế độ khác nhau: một chế độ bước cho hành trình vĩ mơ (vài cm với vận tốc vài mm / giây) và một chế độ quét cho các vị trí vi mơ có độ phân giải cao (vài chục nanomet đến một vài micromet, với độ phân giải nanomet).
Trong chế độ đầu tiên, một bước liên quan đến sự biến dạng chậm của bàn chân, tiếp theo là trở lại nhanh chóng trở lại theo hướng ngược lại. Trong giai đoạn chậm, khối lượng theo sau chuyển động của bàn chân nhờ ma sát “dính”, trong khi qn tính của nó ngăn cản nó sau giai đoạn quay trở lại nhanh chóng Hình 34.
bước được yêu cầu, bàn chân được biến dạng từ từ để tránh bất kỳ trượt ở tất cả. Đây là chế độ quét. Có thể sử dụng kết hợp hai chế độ này để có được khoảng cách dịch chuyển dài mà vẫn giữ được độ phân giải nanomet.
Tóm lại, cơ cấu truyền động chống trượt được đặc trưng bởi các điểm sau:
- Độ phân giải vài nanomet (<5 nm) cho các hành trình theo bậc của một cm với vận tốc vài mm trên giây (2–5mm / s).
- chịu tác
tuyệt
-