I. Sillicon Controlled Rectifier (SCR): 1 Câu táo và nguyeđn lý :
Hình II 3: Đaịc tuyên cụa SCR
G E A E SCR VR R
Hình II.4 : sơ đoă thí nghim
Tređn hình II.3 và II.4 cho ta sơ đoă thí nghim và đaịc tuyên volt – ampe cụa SCR, trong đĩ IT thay đoơi được và dịng IG đieău khieơn nhờ VR. Đaịc tính tĩnh SCR goăm các mieăn:
• VAK< 0: Khĩa ngược : Cháy qua SCR là dịng rị ngược , cở mA. Khi VAK < -VRB
ta cĩ hin tượng gãy ngược, dịng IT taíng rât cao trong khi VAKvăn giữ trị sơ lớn ⇒ SCR bị hỏng.
• VAK>0 và IG =0 : Khĩa thun : Ta cĩ dịng rị thun cũng cỡ mA. Khi VAK>VFB ta cĩ hin tương gãy thun : SCR chuyeơn sang vùng dăn đin.
Ta phại chĩn định mức áp cụa SCR lớn hơn các giá trị này, h sơ an tồn đin áp thường chĩn lớn hơn hay baỉng 2.
Khi phađn cực thun, nêu IG tng leđn từ giá trị 0, VFB giạm daăn. Như vy, dịng IG caăn phại đụ lớn đeơ cĩ theơ sử dúng SCR như mt ngaĩt đin đin tử: SCR chuyeơn sang tráng thái dăn ngay khi được kích bât châp đin áp phađn cực thun.
• Vùng dăn đin : Ứng với trường hợp SCR đã được kích khởi và dăn đin, sút áp qua SCR VAK=VF khoạng 1-2 volt. Trong vùng dăn đin cĩ hai đaịc trưng dòng:
+IL :dịng cài, là giá trị tơi thieơu cụa IT đeơ SCR cĩ theơ duy trì tráng thái dăn khi dịng cực coơng IG giạm veă 0 (kích SCR baỉng xung).
+IH : dịng giữ, là giá trị tơi thieơu cụa IA đeơ SCR cĩ theơ duy trì tráng thái dăn (khi khođng cịn dịng cực coơng IG). Nêu dịng anode thâp hơn IH, SCR trở veă tráng thái khóa.
IL khác IH vì cĩ q trình lan tỏa cụa dịng anode từ vùng phú cn cụa cực G đên tồn mạnh bán dăn khi SCR được kích ( cĩ dịng cực neăn ), tương ứng mt đ dịng giạm daăn, làm cho h sơ khuêch đái dịng đin tng. Quá trình quá đ này cịn ạnh hưởng đên giới hán di/dt, được giới thiu trong đaịc trưng tính đng cụa SCR.