CL RA (1,1 ): Xóa thanh ghi A.
4. Khơi khuêch đái và cách ly:
Do tín hiu phát ra từ vi xử lý khođng đụ nng lượng đeơ kích các SCR do đĩ ta phại dùng mách khuêch đái, ta phại đieău chưnh tín hiu kích trong vùng kích được. Và yeđu caău cụa mách đieău khieơn là phại cách ly với mách đng lực ta cĩ theơ dùng optron hoaịc biên áp xung. Ta sử dúng biên áp xung vì mách biên áp xung đơn giạn hơn optron và khođng caăn sử dúng nguoăn rieđng.
Mách khuêch đái và cách ly:
D 7 O U T 1 B A X 1 6 2 5 K M 1 R 1 1 3 . 3 k R h d 2 . 2 G V U R D 3 9 0 D 8
Đin trở R11 là đin trở kéo leđn cụa ngõ ra vi mách ULN2004.
Diode D7, D8 dùng đeơ ngn áp ađm đưa vào coơng kích GK. Diode D39 làm taĩt nhanh dịng từ hĩa khi xung bị ngaĩt.
Đin trở Rhd hán dịng qua MOSFET M1.
Xác định áp, dịng kích SCR :
Do ta kích xung cĩ chieău dài là 1ms baỉng 1/10 chu kì dịng đin lưới taăn sơ 50Hz. Cođng suât toơn hao trung bình ở cực coơng naỉm ngồi vùng gách chéo ở hình vẽ beđn dưới.
Theo hình vẽ vùng được gách chéo là vùng đạm bạo kích; ta chĩn đieơm kích cĩ UG= 5 V và IG=5 A.
Chĩn tỷ sơ BAX giạm áp từ 4 : 1 đeơ giạm dịng qua transitor và nguoăn câp đin. p ngõ vào BAX là 20V và dịng qua cun sơ là 1,25 A vy đin trở cun sơ là Rsơ = 20/1.25=16 Ohm.
Chĩn lõi biên áp xung là 0.8 cm2 . Sơ vịng dađy cụa cun sơ là 400 vịng, dađy cĩ tiêt din là 0.02 mm2 . Sơ vịng dađy cụa cun thứ là 100 vịng, dađy cĩ tiêt din là 0.07mm2.
Chĩn MOSFET:
Dịng MOSET là ID= 1.25A và áp tređn cực DS là VDS = 4 V. Chĩn h sơ khuêch đái dịng KI=3. ta chĩn được MOSFET cĩ sơ hiu BUZ 60 cĩ các tham sơ kỹ thut như sau: Type Kanal VDS (V) ID (A) RDS(on) (Ohm) BSS 60 N 400 5.5 1.0