5.1 .Thyistor
5.2. Cỏc dụng cụ chỉnh lƣu cú cấu trỳc bốn lớp khỏc
5.2.3. Điụt bốn lớp
Điốt bốn lớp cũn đƣợc gọi là Điốt Socley, về mặt cấu tạo tƣơng tự nhƣ thyristor nhƣng khụng cú cực khống chế G. Điốt đƣợc kớch mở bằng cỏch nõng cao điện ỏp trờn hai cực của Điốt (vƣợt quỏ điện ỏp mở thuận). Ký hiệu mạch và đặc tuyến V – A của điốt bốn lớp đƣợc trỡnh bày trờn hỡnh 5.11
Hỡnh 5.11. Ký hiệu mạch và đặc tuyến của điốt bốn lớp
Điện ỏp mở thuận của điốt bốn lớp tƣơng ứng với điện ỏp đỏnh thủng thuận của thyristor. Dũng cực tiểu chảy qua Điốt khiến điốt mở gọi là dũng mở IS. Dũng ghim IH và điện ỏp dẫn thuõn UF của điốt bốn lớp cũng tƣơng tự nhƣ thyristor.
Ứng dụng: Một trong những ứng dụng phổ biến nhất của điốt bốn lớp là dựng nú để tạo dao động răng cƣa. Sơ đồ nguyờn lý nhƣ mạch nhƣ hỡnh 5.12.
Hỡnh 5.12. Mạch dao động dựng điốt bốn lớp
đƣợc tiếp diễn cho đến khi điện ỏp trờn hai cực của tụ C vƣợt quỏ điện ỏp kớch mở cho điốt bốn lớp là điốt mở, tụ C phúng điện qua nội trở nhỏ của điốt. Điện ỏp trờn tụ C giảm xuống cho nờn điện ỏp đặt lờn hai cực của điốt cũng giảm, khi điện ỏp này giảm đến mức làm cho dũng qua điốt nhỏ hơn dũng ghim IH thỡ điốt bốn lớp lại đúng và tụ C lại bắt đầu đƣợc nạp. Điện ỏp ra cú dạng răng cƣa. Điện trở R1 trờn sơ đồ phải chọn sao cho khi điốt mở, dũng chảy trong mạch phải cú cƣờng độ bằng IS (dũng mở điốt). Nếu dũng chảy qua R1 nhỏ hơn IS thỡ điốt sẽ khụng mở. Nhƣng R1 cũng phải chọn đủ lớn để ngăn chặn khụng cho dũng chảy qua điốt giảm ngay xuống dƣới giỏ trị dũng IH khi tụ C phúng điện nghĩa là ngăn ngừa khả năng điốt đúng ngay sau khi tụ C phúng điện.
+ Nếu điốt bốn lớp đƣợc ghộp song song và ngƣợc chiều sau đú đặt chỳng vào một vỏ bọc sẽ đƣợc điốt bốn lớp hai chiều. Nguyờn lý làm việc của điốt bốn lớp hai chiều cũng tƣơng tự nhƣ điốt bốn lớp một chiều, nhƣng do ghộp hai điốt ngƣợc chiều nhau nờn nú dẫn điện cả hai chiều.