5.3 .Transistor một lớp chuyển tiếp P-N
5.3.2. Cỏc ứng dụng điển hỡnh của UJT
a. Tạo dao động răng cƣa
Sơ đồ nguyờn lý và dạng súng dao động đƣợc mụ tả nhƣ hỡnh 5.15
Hỡnh 5.15. Sơ đồ nguyờn lý và dạng súng của mạch tạo dao động dựng UJT
Tụ C đƣợc nạp từ nguồn UBB qua R, khi điện ỏp trờn tụ bằng Udh của UJT thỡ UJT mở và tụ C phúng điện qua UJT làm cho điện ỏp trờn hai cực của tụ hạ xuống bằng giỏ trị điện ỏp bóo hồ của UJT, UEB1S. Khi ấy UJT đúng và tụ C lại bắt đầu một lần nữa nạp điện. Quỏ trỡnh nhƣ vậy tiếp diễn và do đú điện ỏp lấy ra trờn tụ C cú dạng răng cƣa nhƣ hỡnh 5.15. Thời gian (t) để tụ C nạp điện từ UEB10 đến giỏ trị Udh hoàn toàn cú thể tớnh đƣợc cho nờn tần số chuỗi xung răng cƣa cú thể tớnh đƣợc bằng 1/t. Thời gian phúng của tụ C tớnh toỏn tƣơng đối khú khăn vỡ khi ấy nội trở của UJT là
õm và luụn luụn biến đổi.Vỡ thời gian phúng điện tP thƣờng nhỏ hơn thời gian nạp tnạp rất nhiều cho nờn tớnh gần đỳng cú thể bỏ qua thời gian này.
Vớ dụ:
Cho mạch điện sau:
UBB = 15V = 0,7 RE = 8,6K C= 0,1F
Điện ỏp bóo hoà trờn emitơ UEB1S = 2,5V
Thời gian phúng của tụ điện << Thời gian nạp của tụ điện ( p << n ) Tớnh tần số của dóy xung ra trờn tụ C ?
Biểu thức tổng quỏt để tớnh thời gian nạp của một tụ điện qua một điện trở mắc nối tiếp nhƣ sau:
t = 2,3RC.logE-E0
E-EC (*)
Trong đú: C là điện dung tớnh bằng Fara (F) R là điện trở tớnh bằng Ohm (Ω) E là nguồn cung cấp
EC là điện ỏp trờn tụ tại thời điểm t E0 là điện ỏp ban đầu trờn tụ C
Vỡ p << n nờn ta bỏ qua thời gian p. Tớnh thời gian n. Thời gian nạp của tụ điện cú thể coi bằng chu kỳ của dóy xung.
Vỡ UJT bắt đầu mở ở thỡ gian t cho nờn: EC = Udh = UD + UBB EC = 0,7 + 0,7.15 = 11,2(V)
Khi UJT mở thỡ tụ C sẽ phúng điện làm điện ỏp trờn tụ giảm xuống đến UBE1s. Đú chớnh là điện ỏp ban đầu E0 của mỗi lần tụ C nạp. Vỡ UBE1s = 2,5V -> E0 = UBE1s = 2,5V.
Thay cỏc giỏ trị vào biểu thức (*) ta cú t = 2,3.0,1.10-6.8,6.10-3.log 2 , 11 15 5 , 2 15 = 1,16ms Vậy chu kỳ của dóy xung: T = 1,16ms.
Tần số của dóy xung ra trờn tụ C là: f =1/T =1/1,16 = 860KHz
Nếu mắc nối tiếp vào cực B1, B2 điện trở R1, R2, thay tụ C bằng nhiều tụ mắc song song thỡ sơ đồ cú dạng nhƣ sau :
Hỡnh 5.16. Mạch nguyờn lý tạo xung nhọn cú tần số và cực tớnh thay đổi
Khi UJT mở, xung dũng qua B1 gõy ra sụt ỏp trờn R1 tạo thành xung nhọn dƣơng. Đồng thời khi UJT mở UEB1 giảm làm cho IB2 tăng đột ngột làm xuất hiện xung õm trờn R2. Cú thể thay đổi tần số xung bằng cỏch thay đổi điện trở RE và thay đổi cỏc nấc khúa để cú cỏc tụ với giỏ trị khỏc nhau.
b. Dựng UJT khống chế thyistor Sơ đồ điển hỡnh nhƣ trờn hỡnh 5.17
Nhƣ trờn sơ đồ ta thấy thyristor đƣợc mở bằng điện ỏp rơi trờn R1, điện ỏp này chỉ xuất hiện khi UJT mở. Chiều mắc của điốt D1 cho phộp dũng điện từ nguồn qua D1, RE nạp cho tụ C, ngƣợc lại nú bảo vệ cho cực emitơ của UJT khi cú chu kỳ õm đặt vào. Điều chỉnh RE cú thể điều chỉnh thời gian nạp của tụ C, do dú cũng cú thể điều chỉnh đƣợc thời gian mở của UJT. Mạch điện này hầu nhƣ cú thể khống chế đƣợc thyristor trong khoảng 1800
.